KR970051186A - 피크전류감소수단을 갖는 반도체 집적회로장치 - Google Patents

피크전류감소수단을 갖는 반도체 집적회로장치 Download PDF

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KR970051186A
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히로시 오토리
마사유키 나카무라
히스 롭 A.
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가나이 츠토무
히다치세사쿠쇼 가부시키가이샤
힐러 윌리엄 E.
텍사스 인스트루먼트 인코포레이티드
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Abstract

반도체 회로설계에 관한 것으로서, 캐스 비포 래스(CBR)재생동작시에 모든 비트매트에 관한 피크전류를 감소시키기 위해서, CBR재생동작을 검출하는 CBR제어회로가 마련되고, CBR재생이 검출되면 비트매트 MAT1, MAT2의 증폭을 서로 어긋나게 해서 각 비트매트가 피크전류를 통과하는 시간을 서로 다르게 하며, CBR재생이 검출되면 워드선 WL1, WL2는 서로 어긋나서 활성화되어 각 비트매트가 피크전류를 통과하는 시간을 서로 다르게 하는 구성으로 하였다.
이렇게 하는 것에 의해서, 소정 시점에 있어서 비트매트 및 센스앰프의 피크전류가 임의의 낮은 레벨로 유지된다는 우수한 효과가 얻어진다.

Description

피크전류 감소수단을 갖는 반도체 집적회로장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 특징을 실현한 256메카비트 DRAM의 블럭도,
제4도는 제3도의 256메카비트 DRAM의 일부의 블럭도,
제5도는 본 발명의 특징을 실현한 DRAM회로의 제1실시형태의 단순화된 블럭도.

Claims (15)

  1. 여러쌍의 비트선, 여러개의 워드선, 여러개의 다이나믹 메모리셀 및 상기 여러쌍의 비트선에 결합된 여러개의 센스앰프를 각각 갖는 제1및 제2메모리블럭, 상기 제1메모리블럭에 있어서의 상기 여러개의 센스앰프로 동시에 동작 전류를 공급하기 위한 제1구동회로, 상기 제2메모리셀블럭에 있어서의 상기 여러개의 센스앰프로 동시에 동작 전류를 공급하기 위한 제1구동회로, 상기 반도체메모리가 선택되고 있는 것을 나타내는 칩선택신호를 수취하기 위한 제1외부단자 및 노멀동작모드에서는 상기 제1 및 제2구동회로 중의 하나를 활성화하고 재생동작모드에서는 상기 제1및 제2구동회로의 양쪽을 활성화하기 위한 제어회로를 갖고, 상기 노멀 동작모드에 있어서 상기 제1및 제2구동회로 중의 하나가 상기 칩선택신호를 수취하는 것에 계속되는 제1기간 경과시에 활성화되고, 상기 재생동작모드에 있어서 상기 칩선택신호를 수취하는 것에 계속되는 상기 제1기간 경과시에 상기 제1및 제2구동회로 중의 하나가 활성화되고, 그 후 제2기간 경과시에 상기 제1및 제2구동회로 중의 다른쪽의 회로가 활성화되는 것을 특징으로 하는 반도체메모리.
  2. 제1항에 있어서, 상기 칩선택신호가 행어드레스 스트로브신호이고, 상기 재생동작모드가 캐스 비포 래스 신호 재생동작모드인 것을 특징으로 하는 반도체메모리.
  3. 제1타이밍신호와 이 제1타이밍신호보다 지연된 제2타이밍신호를 출력할 수 있는 타이밍신호 발생회로, 여러개의 센스앰프를 갖는 제1센스앰프군, 여러개의 센스앰프를 갖는 제2센스앰프군 및 상기 제1및 제2센스앰프군 중 동작할 한쪽 또는 양쪽의 센스앰프군을 선택하는 선택회로를 갖고, 상기 선택회로가 상기 제1및 제2센스앰프군 중의 한쪽을 선택한 경우에 선택된 센스앰프군의 여러개의 센스앰프가 상기 제1타이밍신호와 동기하여 동작하고, 상기 선택회로가 상기 제1및 제2센스앰프군을 모두 선택한 경우에 상기 제1센스앰프군의 여러개의 센스앰프가 상기 제1타이밍신호와 동기하여 동작하고 상기 제2센스앰프군의 여러개의 센스앰프가 상기 제2 타이밍신호와 동기하여 동작하는 것을 특징으로 하는 반도체메모리.
  4. 제3항에 있어서, 상기 타이밍신호 발생회로는 지연회로를 갖고, 상기 제2타이밍신호는 상기 지연회로를 거쳐서 출력되고, 상기 제1타이밍신호는 상기 지연회로를 거치지 않고 출력되는 것을 특징으로 하는 반도체메모리.
  5. 제4항에 있어서, 상기 반도체메모리는 재생동작모드와 노멀동작모드를 구비하고, 재생동작모드에 있어서 상기 선택회로는 상기 제1및 제2센스앰프군을 모두 선택하고, 노멀동작모드에 있어서 상기 선택회로는 상기 제1및 제2센스앰프군 중의 한쪽을 선택하는 것을 특징으로 하는 반도체메모리.
  6. 여러개의 비트선쌍, 여러개의 워드선 및 여러개의 다이나믹메모리셀을 각각 갖는 제1및 제2의 메모리셀 어레이, 제1타이밍신호와 이 제1타이밍신호에서 지연된 제2타이밍신호를 출력할 수 있는 타이밍신호 발생회로, 상기 제1메모리셀어레이내의 여러개의 비트선쌍에 대응하여 마련된 여러개의 센스앰프를 갖는 제1센스앰프군, 상기 제2메모리셀어레이내의 여러개의 비트선쌍에 대응하여 마련된 여러개의 센스앰프를 갖는 제2센스앰프군 및 상기 제1및 제2센스앰프군 중 동작할 한쪽 또는 양쪽의 센스앰프군을 선택하는 선택회로를 구비하고, 상기 선택회로가 상기 제1및 제2센스앰프군 중의 한쪽을 선택한 경우에 선택된 센스앰프군의 여러개의 센스앰프가 상기 제1타이밍신호와 동기하여 동작하고, 상기 선택회로가 상기 제1 및 제2센스앰프군을 모두 선택한 경우에 상기 제1센스앰프군의 여러개의 센스앰프가 상기 제1타이밍신호와 동기하여 동작하고, 상기 제2센스앰프군의 상기 여러개의 센스앰프가 상기 제2타이밍신호와 동기하여 동작하는 것을 특징으로 하는 반도체메모리.
  7. 제6항에 있어서, 반도체메모리에 있어서 상기 타이밍신호 발생회로는 지연회로를 갖고, 상기 제2타이밍신호는 상기 지연회로를 거쳐서 출력되고, 상기 제1타미이밍신호는 상기 지연회로를 거치지 않고 출력되는 것을 특징으로 하는 반도체메모리.
  8. 제7항에 있어서, 상기 반도체메모리는 재생동작모드는 노멀동작모드를 구비하고 재생동작 모드에 있어서 상기 선택회로는 상기 제1 및 제2센스앰프군을 모두 선택하고, 노멀동작모드에 있어서 상기 선택회로는 상기 제1및 제2센스앰프군 중의 한쪽을 선택하는 것을 특징으로 하는 반도체메모리.
  9. 제8항에 있어서, 상기 반도체메모리는 상기 제1메모리셀어레이의 상기 여러개의 워드선 중에서 하나의 워드선을 선택하는 제1워드선 구동회로와 상기 제2메모리셀어레이의 상기 여러개의 워드선 중에서 하나의 워드선을 선택하는 제2워드선 구동회로를 더 갖고, 상기 재생동작에 있어서 상기 제1 및 제2워드선 구동회로가 모두 동작하고, 상기 노멀동작모드에 있어서 상기 제 1및 제2워드선 구동회로 중의 한쪽이 선택적으로 동작하는 것을 특징으로 하는 반도체메모리.
  10. 제9항에 있어서, 상기 재생동작모드에 있어서 상기 제1및 제2워드선 구동회로는 상기 선택회로의 출력신호에 따라서 모두 동일 타이밍에서 동작하는 것을 특징으로 하는 반도체메모리.
  11. 제9항에 있어서, 상기 재생동작모드에 있어서 상기 제1및 제2워드선 구동회로는 상기 제1타이밍신호와 동기하여 동작하고, 상기 제2워드선 구동회로는 상기 제2타이밍신호와 동기하여 동작하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  12. 노멀동작모드의 재생동작모드를 갖는 반도체메모리로서, 여러개의 비트선쌍, 여러개의 워드선 및 여러개의 다이나믹형 메모리셀을 갖는 메모리셀어레이, 상기 메모리셀어레이내의 여러개의 비트선쌍에 대응하여 마련된 여러개의 센스앰프 및 제1타이밍신호, 그 제1타이밍신호보다 지연된 제2타이밍신호를 출력할 수 있는 타이밍신호 발생회로를 구비하고, 상기 노멀동작모드시에 상기 제1타이밍신호와 동기하여 상기 여러개의 센스 앰프가 동작하고, 상기 재생동작모드시에 상기 제2타이밍신호와 동기하여 상기 여러개의 센스앰프가 동작하는 것을 특징으로 하는 반도체메모리.
  13. 제112항에 있어서, 상기 타이밍신호 발생회로는 지연회로를 갖고, 상기 제2타이밍신호는 상기 지연회로를 거쳐서 출력되고, 상기 제1타이밍신호는 상기 지연회로를 거치지 않고 출력되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  14. 제13항에 있어서, 상기 반도체메모리는 재생모드 검출회로를 더 구비하고, 상기 재생모드 검출회로의 출력신호에 따라서 상기 타이밍신호 발생회로가 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체메모리.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제1및 제2타이밍신호는 상기 반도체메모리 공급되는 외부타이밍신호에 따라서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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