KR970030505A - 얕은 소스/드레인 결합 영역 형성방법 - Google Patents
얕은 소스/드레인 결합 영역 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970030505A KR970030505A KR1019950044964A KR19950044964A KR970030505A KR 970030505 A KR970030505 A KR 970030505A KR 1019950044964 A KR1019950044964 A KR 1019950044964A KR 19950044964 A KR19950044964 A KR 19950044964A KR 970030505 A KR970030505 A KR 970030505A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- forming
- source
- drain
- substrate
- region
- Prior art date
Links
Abstract
본 발명은 기판(1)상 예정된 부위에 게이트 전극(2)을 형성하는 단계를 포함하는 모스 트랜지스터 제조 공정 중 얕은 소스/드레인 결합 영역 형성방법에 있어서, 상기 게이트 전극을 이용하여 산소 이온(O+)을 앝은 소스/드레인 결합 영역이 형성될 부위에 상기 기판의 표면으로부터 소정 깊이(A)를 가지도록 주입하는 제1단계: 어닐 공정을 수행하여, 산소 이온이 주입된 부위에 배리드 산화층(3)을 형성하는 제2단계; 및 상기 배리드 산화층을 확산 방지층으로하여 소스/드레인 결합 영역을 형성하는 제3 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 얕은 소스/드레인 결합 영역 형성 방법에 관한 것으로, 산소 이온 주입 공정의 간단한 추가로 단 채널 효과를 효과적으로 억제할 수 있으며, 동시에 소자간 전기적 분리를 용이하게 할 수 있어 소자의 집적도를 향상시킬 수 있도록 한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1d도는 본 발명의 일실시예에 따른 얕은 소스/드레인 결합 영역의 형성 과정도.
Claims (3)
- 기판상 예정된 부위에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 모스 트랜지스터 제조 공정 중 얕은 소스/드레인 결합 영역 형성방법에 있어서, 상기 게이트전극을 이용하여 산소 이온(O+)을 얕은 소스/드레인 결합 영역이 형성될 부위에 상기 기판의 표면으로부터 소정 깊이를 가지도록 주입하는 제1단계; 어닐 공정을 수행하여, 산소 이온이 주입된 부위에 배리드 산화층을 형성하는 제2단계; 및 상기 배리드 산화층을 확산 방지층으로 소스/드레인 결합 영역을 형성하는 제3 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 얕은 소스/드레인 결합 영역 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 단계에서의 상기 산소 이온은 상기 기판 표면으로부터 적어도 0.15㎛ 이내의 깊이로 주입되는 것을 특징으로 하는 얕은 소스/드레인 결합 영역 형성 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 배리드 산학층은 그 두께가 2000 내지 4000Å인 것을 특징으로 하는 얕은 소스/드레인 결합 영역 형성 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950044964A KR970030505A (ko) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 얕은 소스/드레인 결합 영역 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950044964A KR970030505A (ko) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 얕은 소스/드레인 결합 영역 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970030505A true KR970030505A (ko) | 1997-06-26 |
Family
ID=66589059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950044964A KR970030505A (ko) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 얕은 소스/드레인 결합 영역 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970030505A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100463953B1 (ko) * | 2001-06-25 | 2004-12-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
-
1995
- 1995-11-29 KR KR1019950044964A patent/KR970030505A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100463953B1 (ko) * | 2001-06-25 | 2004-12-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960006013A (ko) | 반도체 소자 및 그의 제조방법 | |
| KR100941742B1 (ko) | Ｎ-채널 및 ｐ-채널 트랜지스터들의 개별적인 최적화를위한 차등 스페이서들을 형성하는 방법 | |
| KR960026463A (ko) | 모스 전계 효과 트랜지스터(mosfet) 제조 방법 | |
| KR940016938A (ko) | 모스(mos) 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR970030505A (ko) | 얕은 소스/드레인 결합 영역 형성방법 | |
| JP3101516B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6249667A (ja) | Ｎチヤンネルｍｏｓトランジスタおよびその製造方法 | |
| JPH02105469A (ja) | Ｍｉｓ型半導体装置 | |
| JPH02305468A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62265765A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03214740A (ja) | 縦型ｍｏｓ電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPH03173175A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2807718B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2658810B2 (ja) | 不均一チャネルドープｍｏｓトランジスタ及びその製造方法 | |
| KR100298431B1 (ko) | 박막트랜지스터및그제조방법 | |
| JPS60244037A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3188132B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100260394B1 (ko) | 모스형 전계효과 트랜지스터의 필드산화막 형성방법 | |
| KR20000000936A (ko) | 반도체장치의 이중확산 모스 트랜지스터 및 그제조방법 | |
| JPH09223747A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS628553A (ja) | 半導体装置 | |
| KR960005886A (ko) | 바이폴라 소자 제조방법 | |
| KR20050070252A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR950021745A (ko) | 반도체 장치의 모스형 전계효과 트랜지스터(mosfet) 제조방법 | |
| JPH03284854A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |