KR970029840A - 반도체 메모리의 프로그래머블 인터벌 타이밍 발생기용 장치 및 방법 - Google Patents

반도체 메모리의 프로그래머블 인터벌 타이밍 발생기용 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970029840A
KR970029840A KR1019960058916A KR19960058916A KR970029840A KR 970029840 A KR970029840 A KR 970029840A KR 1019960058916 A KR1019960058916 A KR 1019960058916A KR 19960058916 A KR19960058916 A KR 19960058916A KR 970029840 A KR970029840 A KR 970029840A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
time delay
programmable time
coupled
delay device
gate
Prior art date
Application number
KR1019960058916A
Other languages
English (en)
Inventor
대니알 클라인
쿠옹 후아 히이
Original Assignee
윌리엄 이. 힐러
텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윌리엄 이. 힐러, 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 filed Critical 윌리엄 이. 힐러
Publication of KR970029840A publication Critical patent/KR970029840A/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/13Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals
    • H03K5/131Digitally controlled
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/18Address timing or clocking circuits; Address control signal generation or management, e.g. for row address strobe [RAS] or column address strobe [CAS] signals
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/13Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals
    • H03K5/133Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals using a chain of active delay devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Pulse Circuits (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

프로그래머블 시간 지연 장치는 상기 장치의 총 시간 지연을 결정하는 다수의 유사 부품(10)을 포함하고 있다. 각각의 부품에 인가되는 제어 신호(bo-bn)에 응답하여 이들 부품을 상기 장치에 부품을 전기적으로 결합하거나 상기 장치로부터의 상기 부품을 전기적으로 분리하는, 상기 부품에 결합되는 게이트 유니트(31o-31n, 32o-32n, 33o-33n, 34o-34n)을 갖고 있다. 제1 실시예에서, 제어 신호(bo-bn)는 직렬 형태로 시간 지연 부품(10)에 배치되고, 총 시간 지연은 각각의 직렬 결합 부품(10)의 총 시간 지연이다. 제2 및 제3 실시예에서, 저항기(47o-47n) 및 캐패시터(53o-53n)는 각각 캐패시턴스 충전 회로(47o-47n, 43;52, 53o-53n)에 결합되고, 결합된 소자는 충전 속도를 , 이어서 장치의 시간 지연을 제어한다. 링 형태로 상기 장치를 결합함으로써(도 6), 지연 장치(61)을 통하는 신호 지연의 수를 카운트하는 카운터 유니트(63)은 프로그램된 시간 지연을 연장할 수 있다.

Description

반도체 메모리의 프로그래머블 인터벌 타이밍 발생기용 장치 및 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도3은 본 발명에 따른 반도체 메모리와 사용하기에 적합한 프로그래머를 시간 지연의 제1 실시예의 도면.

Claims (14)

  1. 반도체 메모리 기술로 구현될 수 있는 프로그래머블 시간 지연 장치로서, 상기 시간 지연 장치의 시간 지연이 다수의 제어 신호에 응답하여 결정되는 프로그래머블 시간 지연 장치에 있어서,
    직렬 형태로 결합되는 다수의 시간 지연 부품을 포함하되, 상기 각각의 부품은
    시간 지연 회로, 및
    상기 시간 지연 회로의 입력 단자를 입력 신호에 결합하기 위해 제어 신호의 제1 상태 및 상기 입력 신호로 하여금 상기 시간 지연 회로를 바이패스시키도록 하는 상기 제어 신호의 제2 상태에 응답하는 게이트 수단을 포함하는 프로그래머블 시간 지연 장치.
  2. 제1항에 있어서, 입력 신호는 상기 직렬 형태에서 앞의 부품에 입력 신호, 또는 뒤의 부품의 시간 지연 회로로부터의 출력 신호 중 한 신호인 프로그래머블 시간 지연 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 게이트 수단은,
    상기 시간 지연 회로와 직렬로 결합된 제1 게이트 유니트, 및
    상기 제1 게이트 유니트 및 상기 시간 지연 회로와 병렬로 결합된 제2 게이트 회로를 포함하는 프로그래머블 시간 지연 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제어 신호는 상기 제1 및 상기 제2 게이트 유니트에 인가되는 프로그래머블 시간 지연장치.
  5. 제어 신호에 의해 결정되는 시간 지연을 갖는 프로그래머블 시간 지연 장치에 있어서,
    반전 증폭기,
    상기 반전 증폭기의 입력 단자와 접지 전위 사이에 결합되는 캐패시터,
    상기 입력 단자와 상기 접지 전위 사이에 결합되는 방전 트랜지스터를 포함하되, 상기 방전 트랜지스터의 게이트 단자는 장치 입력 단자에 결합되고,
    다수의 저항기,
    다수의 충전 트랜지스터를 포함하되, 각각의 트랜지스터는 저항기와 직렬로 결합되고, 각각의 충전 트랜지스터 및 저항기 쌍은 상기 반전 증폭기 입력 단자와 전압 공급기 사이에 결합되며,
    다수의 게이트 유니트를 포함하되, 각각의 게이트 유니트는 상기 장치 입력 단자와 충전 트랜지스터의 게이트 단자 사이에 결합되고, 상기 각각의 게이트 유니트는 충전 트랜지스터 게이트 단자에 입력 신호를 인가하기 위해 제어 신호에 응답하는 프로그래머블 시간 지연 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 게이트 수단은 p/n게이트 유니트이고, 상기 게이트 유니트의 제어 단자는 상기 제어 신호 및 상기 게이트 유니트에 인가되는 상기 제어 신호의 보수를 갖는 것을 포함하는 프로그래머블 시간 지연 장치.
  7. 시간 지연을 결정하기 위해 제어 신호에 응답하는 프로그래머블 시간 지연 장치에 있어서,
    반전 증폭기를 포함하되, 상기 반전 증폭기의 출력 단자가 상기 장치의 출력 단자이고:
    접지 전위와 전압 공급기 사이에 직렬로 결합되는 트랜지스터 쌍을 포함하되, 상기 장치의 입력 단자가 상기 장치의 입력 단자에 결합되고, 상기 트랜지스터 쌍의 공통 접속부가 상기 반전 증폭기의 입력 단자에 결합되고;
    다수의 캐패시터: 및
    다수의 게이트 유니틀 포함하되, 각각의 게이트 유니트는 캐패시터와 직렬로 결합되고, 각각의 게이트 유니트는 상기 직력 캐패시터를 상기 반전 증폭기 입력 단자에 결합하기 위해 제어 신호에 응답하는 프로그래머블 시간 지연 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 게이트 유니트는 p/n 게이트 유니트이고, 상기 p/n 게이트 유니트는 상기 제어 신호 및 상기 p/n 게이트 유니트의 제어 단자에 대한 상기 제어 신호의 보수를 갖는 프로그래머블 시간 지연 장치.
  9. 프로그래머블 시간 지연 유니트에 있어서,
    청구항 1에 기술된 바와 같은 프로그래머블 시간 지연 장치;
    상기 프로그래머블 시간 지연 장치의 출력 단자에 결합되는 카운터 유니트; 및
    상기 프로그래머블 시간 지연 장치의 상기 출력 단자 및 상기 프로그래머블 시간 지연 장치의 입력 단자에 결합되는 반전 증폭기를 포함하는 프로그래머블 시간 지연 유니트.
  10. 프로그래머블 시간 지연 유니트에 있어서,
    청구항 5에 기술된 바와 같은 프로그래머블 시간 지연 장치;
    상기 프로그래머블 시간 지연 장치의 출력 단자에 결합되는 카운터 유니트; 및
    상기 프로그래머블 시간 지연 장치의 상기 출력 단자 및 상기 프로그래머블 시간 지연 장치의 입력 단자에 결합되는 반전 증폭기를 포함하는 프로그래머블 시간 지연 유니트.
  11. 프로그래머블 시간 지연 유니트에 있어서,
    청구항 7에 기술된 바와 같은 프로그래머블 시간 지연 장치;
    상기 프로그래머블 시간 지연 장치의 출력 단자에 결합되는 카운터 유니트; 및
    상기 프로그래머블 시간 지연 장치의 상기 출력 단자 및 상기 프로그래머블 시간 지연 장치의 입력 단자에 결합되는 반전 증폭기를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로그래머블 시간 지연 유니트.
  12. 동적 액세스 메모리 유니트에서 프로그래머블 시간 지연 신호를 제공하는 방법에 있어서,
    미리 선택된 제어 신호를 프로그래머블 시간 지연 장치에 인가하는 단계; 및
    상기 시간 지연 장치에 지연될 신호를 인가하는 단계
    를 포함하는 프로그래머블 시간 지연 신호 제공 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 미리 선택된 제어 신호를 인가하는 단계가 상기 프로그래머블 시간 지연 장치 내의 게이트 유니트에 미리 선택된 제어 신호를 인가하는 단계를 포함하고, 상기 게이트 유니트가 상기 프로그래머블 시간 지연 장치에 대한 상기 시간 지연 신호의 시간 지연을 제어하는 소자를 전기적으로 결합하는 프로그래머블 시간 지연 신호 제공 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 게이트 유니트를 p/n 게이트 유니트로 구현하는 단계를 더 포함하는 프로그래머블 시간 지연 신호 제공 방법.
KR1019960058916A 1995-11-29 1996-11-28 반도체 메모리의 프로그래머블 인터벌 타이밍 발생기용 장치 및 방법 KR970029840A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US767695P 1995-11-29 1995-11-29
US60/007,676 1995-11-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970029840A true KR970029840A (ko) 1997-06-26

Family

ID=21727534

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960058916A KR970029840A (ko) 1995-11-29 1996-11-28 반도체 메모리의 프로그래머블 인터벌 타이밍 발생기용 장치 및 방법

Country Status (5)

Country Link
US (2) US5841707A (ko)
EP (1) EP0777232B1 (ko)
JP (2) JPH09180445A (ko)
KR (1) KR970029840A (ko)
DE (1) DE69626752T2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101144864B1 (ko) * 2010-10-12 2012-05-14 알에프코어 주식회사 실시간 지연 장치

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL96808A (en) * 1990-04-18 1996-03-31 Rambus Inc Introductory / Origin Circuit Agreed Using High-Performance Brokerage
JP4198201B2 (ja) * 1995-06-02 2008-12-17 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
US6088774A (en) 1996-09-20 2000-07-11 Advanced Memory International, Inc. Read/write timing for maximum utilization of bidirectional read/write bus
US5917760A (en) * 1996-09-20 1999-06-29 Sldram, Inc. De-skewing data signals in a memory system
US5953263A (en) * 1997-02-10 1999-09-14 Rambus Inc. Synchronous memory device having a programmable register and method of controlling same
US5940608A (en) 1997-02-11 1999-08-17 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for generating an internal clock signal that is synchronized to an external clock signal
US5946244A (en) 1997-03-05 1999-08-31 Micron Technology, Inc. Delay-locked loop with binary-coupled capacitor
US6173432B1 (en) 1997-06-20 2001-01-09 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for generating a sequence of clock signals
KR100261215B1 (ko) * 1997-07-29 2000-07-01 윤종용 클럭 버퍼 및 이를 포함하는 메모리 로직 복합 반도체장치
JPH11154398A (ja) * 1997-11-20 1999-06-08 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体記憶装置
US6269451B1 (en) 1998-02-27 2001-07-31 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for adjusting data timing by delaying clock signal
US5923613A (en) * 1998-03-18 1999-07-13 Etron Technology, Inc. Latched type clock synchronizer with additional 180°-phase shift clock
US6052746A (en) * 1998-04-14 2000-04-18 Motorola, Inc. Integrated circuit having programmable pull device configured to enable/disable first function in favor of second function according to predetermined scheme before/after reset
US6338127B1 (en) 1998-08-28 2002-01-08 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for resynchronizing a plurality of clock signals used to latch respective digital signals, and memory device using same
US6349399B1 (en) 1998-09-03 2002-02-19 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for generating expect data from a captured bit pattern, and memory device using same
US6279090B1 (en) 1998-09-03 2001-08-21 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for resynchronizing a plurality of clock signals used in latching respective digital signals applied to a packetized memory device
US6430696B1 (en) 1998-11-30 2002-08-06 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for high speed data capture utilizing bit-to-bit timing correction, and memory device using same
US6374360B1 (en) 1998-12-11 2002-04-16 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for bit-to-bit timing correction of a high speed memory bus
US6470060B1 (en) 1999-03-01 2002-10-22 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for generating a phase dependent control signal
US6111812A (en) 1999-07-23 2000-08-29 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for adjusting control signal timing in a memory device
KR100355229B1 (ko) * 2000-01-28 2002-10-11 삼성전자 주식회사 카스 명령의 동작 지연 기능을 구비한 반도체 메모리 장치및 이에 적용되는 버퍼와 신호전송 회로
JP3647364B2 (ja) * 2000-07-21 2005-05-11 Necエレクトロニクス株式会社 クロック制御方法及び回路
US6801989B2 (en) 2001-06-28 2004-10-05 Micron Technology, Inc. Method and system for adjusting the timing offset between a clock signal and respective digital signals transmitted along with that clock signal, and memory device and computer system using same
KR100446291B1 (ko) * 2001-11-07 2004-09-01 삼성전자주식회사 카스 레이턴시를 이용하여 락킹 레졸루션 조절이 가능한지연동기 루프 회로
US7168027B2 (en) 2003-06-12 2007-01-23 Micron Technology, Inc. Dynamic synchronization of data capture on an optical or other high speed communications link
US7068564B2 (en) * 2003-06-29 2006-06-27 International Business Machines Corporation Timer lockout circuit for synchronous applications
US7283005B2 (en) * 2004-02-10 2007-10-16 Stmicroelectronics S.R.L. Clock-pulse generator circuit
JP4960807B2 (ja) * 2007-08-28 2012-06-27 セイコーインスツル株式会社 可変周波数発振回路
CN114374377A (zh) * 2022-01-11 2022-04-19 长鑫存储技术有限公司 延时电路

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5028824A (en) * 1989-05-05 1991-07-02 Harris Corporation Programmable delay circuit
JPH05282865A (ja) * 1992-04-01 1993-10-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JPH0612877A (ja) * 1992-06-18 1994-01-21 Toshiba Corp 半導体集積回路
JPH1064275A (ja) * 1996-08-27 1998-03-06 Nkk Corp 遅延回路、atdパルス発生回路、及びそれを用いた半導体記憶装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6059814A (ja) * 1983-09-12 1985-04-06 Hitachi Ltd プログラマブル遅延回路およびこれを用いた半導体集積回路装置
JPS61237512A (ja) * 1985-04-12 1986-10-22 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体集積回路
US4894626A (en) * 1988-09-30 1990-01-16 Advanced Micro Devices, Inc. Variable length shift register
US5068553A (en) * 1988-10-31 1991-11-26 Texas Instruments Incorporated Delay stage with reduced Vdd dependence
JPH03219719A (ja) * 1990-01-24 1991-09-27 Mitsubishi Electric Corp 遅延回路及びそれを用いた半導体装置
US5051630A (en) * 1990-03-12 1991-09-24 Tektronix, Inc. Accurate delay generator having a compensation feature for power supply voltage and semiconductor process variations
US5202642A (en) * 1991-05-09 1993-04-13 Iomega Corporation Apparatus and method for fractional frequency division
US5465076A (en) * 1991-10-04 1995-11-07 Nippondenso Co., Ltd. Programmable delay line programmable delay circuit and digital controlled oscillator
US5281927A (en) * 1993-05-20 1994-01-25 Codex Corp. Circuit and method of controlling a VCO with capacitive loads
US5459422A (en) * 1993-06-02 1995-10-17 Advanced Micro Devices, Inc. Edge selective delay circuit
FR2718903B1 (fr) * 1994-04-13 1996-05-24 Bull Sa Circuit à retard réglable.
KR0138208B1 (ko) * 1994-12-08 1998-04-28 문정환 반도체 메모리 소자
JPH0969292A (ja) * 1995-08-30 1997-03-11 Nec Corp 半導体記憶装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5028824A (en) * 1989-05-05 1991-07-02 Harris Corporation Programmable delay circuit
JPH05282865A (ja) * 1992-04-01 1993-10-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JPH0612877A (ja) * 1992-06-18 1994-01-21 Toshiba Corp 半導体集積回路
JPH1064275A (ja) * 1996-08-27 1998-03-06 Nkk Corp 遅延回路、atdパルス発生回路、及びそれを用いた半導体記憶装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101144864B1 (ko) * 2010-10-12 2012-05-14 알에프코어 주식회사 실시간 지연 장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP0777232A3 (en) 1999-08-04
EP0777232A2 (en) 1997-06-04
DE69626752T2 (de) 2003-11-20
JPH09180445A (ja) 1997-07-11
US5841707A (en) 1998-11-24
EP0777232B1 (en) 2003-03-19
DE69626752D1 (de) 2003-04-24
JP2007228617A (ja) 2007-09-06
US6002286A (en) 1999-12-14
JP4279888B2 (ja) 2009-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970029840A (ko) 반도체 메모리의 프로그래머블 인터벌 타이밍 발생기용 장치 및 방법
US4037089A (en) Integrated programmable logic array
US4295091A (en) Circuit for measuring low capacitances
US4496861A (en) Integrated circuit synchronous delay line
EP0030824B1 (en) An integrator with a switched capacitor and its use in a filter
US4757214A (en) Pulse generator circuit
KR940004520A (ko) 표시장치
US4365174A (en) Pulse counter type circuit for power-up indication
US4255715A (en) Offset correction circuit for differential amplifiers
WO1986006539A3 (en) Voltage multiplier circuit
US4339809A (en) Noise protection circuits
US3604952A (en) Tri-level voltage generator circuit
US3943506A (en) Multiple ramp digitisers
US3610951A (en) Dynamic shift register
US4633102A (en) High speed address transition detector circuit for dynamic read/write memory
US5304866A (en) Sample-and-hold circuit
US3333110A (en) Electronically variable delay line
EP0769848B1 (en) A gain stage and offset voltage elimination method
US3543055A (en) Four phase logic systems
US4151429A (en) Differential charge sensing circuit for MOS devices
JPH0758887B2 (ja) Rc時定数を利用した可変クロック遅延回路
EP0351157A3 (en) Semiconductor integrated circuits
US3579273A (en) Dynamic shift register
GB1267441A (en) Fluid flow metering method and system
JPH04227315A (ja) 非同期遅延回路および入力信号遅延方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application