JPS61237512A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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Publication number
JPS61237512A
JPS61237512A JP60077833A JP7783385A JPS61237512A JP S61237512 A JPS61237512 A JP S61237512A JP 60077833 A JP60077833 A JP 60077833A JP 7783385 A JP7783385 A JP 7783385A JP S61237512 A JPS61237512 A JP S61237512A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
misfets
transfer gate
circuit
delay time
gate
Prior art date
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Pending
Application number
JP60077833A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsuneo Toba
鳥羽 恒雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Original Assignee
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Publication date
Application filed by NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd filed Critical NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(以下、M
IS・FETと略す)により構成される半導体集積回路
(以下、ICと略す)に関し、特に遅延回路を有したI
Cに関する0 〔従来の技術〕 従来、ICに使われている遅延回路の一例の回路図を第
2図に示す0以下にこの第2図を用いて説明する。MI
D−FETに依シ構成されるインバータ11と14との
従属接続の接続点にMIS構造のコンデンサ13が接続
されている。コンデンサ13の容量をCとし、インバー
タ110オン抵抗をRとして、第2図の等価回路を第3
図に表わす。インバータ11は抵抗15.19とスイッ
チ16.17との直列回路として表わすことができ、こ
れらインバータ11と14との接続点12に容量Cをも
つコンデンサ13が接続されている。
インバータ11のオン抵抗几は抵抗15と19と罠対応
している。この回路で得られる遅延時間Tはコンデンサ
13の容tCと抵抗15.19の抵抗値几との時定数に
より決定され、充電時定数はコンデンサ13の81kC
と抵抗15の抵抗値との積、放電時定数はコンデンサ1
3の容1ilCと抵抗19の抵抗値との積となる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
かかる従来のICの遅延回路の遅延時間Tは、マスクパ
ターン設計時に設定された各素子の構造にもとづくオン
抵抗の抵抗値とコンデンサの容量値とによシー義的に定
められ、一度完成したIC上での遅延時間Tの変更はで
きなかった。
従がって、本発明の目的は、完成したIC上の遅延回路
の遅延時間を任意に変更・調節できるICを提供するこ
とである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の遅延回路はコンデンサの容量値を任意に変更さ
せ、遅延時間を調節できる様にしたもので、インバータ
の出力部に複数のコンデンサを各々トランスファーゲー
トを介して並列に接続し。
各々のトランスファーゲートのオン・オフ状態を任意に
制(財)することにより、遅延時間の変更を完成したI
C上でも可能にしたものである。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は不発明の一実施例である。M I S −FE
Tで構成されるインバータ1と2との接続点3と接地電
位点との間にMLS−FET4.5.6で構52される
トランスファーゲートと、各トランスファーゲート九百
列に接続されるコンデンサ7゜8.9が接続されている
。トランスファーゲートを構成する各MIS−FET4
.5.6の各ケートには制御回路10からゲート電圧が
与えられており、必要な遅延時間罠見合う容量を得るの
に必要なMIS−FET4.5.6が導通せしめられて
いる。本実施例ではコンデンサ7.8.9はMIsコン
デンサとして形成されている0このように、接続点3に
接続されるコンデンサの数、すなわち容量値は劃−回路
10によってオンせしめられるMIS−FET4.5.
6の数によって調節できるので、ICを完成させた後で
も任意に調節することができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように1本発明は半導体集積回路の仕様に
合わせて劃−回路を操作する事に依り、半導体集積回路
の完成後でも必要な遅延時間を任意に得ることができる
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示すプロ、り図、第2図は
従来のアナログ遅延回路の一例を示すブロック図、第3
図は第2図の等価回路図であるOl・・・・・インバー
タ、2・・・・・・インバータ、3・・・・・・接続点
、4・・−・・MIS−FET、5・・・・・・MIS
−FET、6・・・・・・MIS−FET、7 ・・・
・コンデンサー、8・・・・・コンデンサー、9・・・
・・コンデンサー。 lO・・・・・制−回路、11・・・・・インバータ、
12・・・・・・接続点、13 ・・・・・コンデンサ
ー% 14・・・・・・インバータ、15 ・・・・・
抵抗、16・・・・・スイッチ、18・・・・・・スイ
ッチ、19・・・・・・抵抗。 I  1 第 I 図 工 笛2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 同一半導体基板上に、駆動回路と該駆動回路の出力部に
    並列に複数個接続されたスイッチング素子と容量素子と
    の直列接続回路と、前記スイッチング素子のオン・オフ
    を制御する制御回路とを有する事を特徴とする半導体集
    積回路。
JP60077833A 1985-04-12 1985-04-12 半導体集積回路 Pending JPS61237512A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5731725A (en) * 1995-12-15 1998-03-24 Unisys Corporation Precision delay circuit
WO1998039846A3 (en) * 1997-03-05 1998-12-03 Micron Technology Inc Delay-locked loop with binary-coupled capacitor
EP0777232A3 (en) * 1995-11-29 1999-08-04 Texas Instruments Incorporated Programmable time delay in or relating to semiconductor memories
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JP2006352826A (ja) * 2005-06-17 2006-12-28 Asahi Kasei Microsystems Kk 遅延回路

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