JPH0661810A - 可変遅延回路、及びこれを用いた半導体集積回路装置 - Google Patents

可変遅延回路、及びこれを用いた半導体集積回路装置

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JPH0661810A
JPH0661810A JP4236552A JP23655292A JPH0661810A JP H0661810 A JPH0661810 A JP H0661810A JP 4236552 A JP4236552 A JP 4236552A JP 23655292 A JP23655292 A JP 23655292A JP H0661810 A JPH0661810 A JP H0661810A
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JP
Japan
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clock signal
signal line
variable
circuit
gate
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JP4236552A
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English (en)
Inventor
Shintaro Kawai
信太郎 川井
Mikio Yamagishi
幹生 山岸
Noboru Masuda
昇 益田
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ゲート負荷を用いる場合に比べて素子数と消
費電力を低減でき、クロック信号の位相調整がやり易い
ように遅延時間変化をニアにできる可変遅延回路を提供
する。 【構成】 容量電極の一方が電源に結合された容量素子
5の他方の容量電極とクロック信号線3との間に、直列
接続した複数個の相補型MOSトランスファゲート1を
設けて成る可変容量手段2を有し、前記相補型MOSト
ランスファゲート1のスイッチ状態を設定して前記クロ
ック信号線3側から見た容量値を決定する設定手段4を
設け可変遅延回路DELを構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、クロック信号の位相調
整用に適用される可変遅延回路、さらには高速LSI用
の位相/周波数分離(PF分離)制御方式のクロック調
整に技術に関し、例えば、クロック信号位相に対する微
小可変並びに可変幅の2倍化機構を要する回路構成に適
用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の可変遅延回路は大きく2つに分類
される。一つはゲート負荷を利用したP/F分離方式の
もの、もう一つはVCO(電圧制御発振器)を利用した
PLL(フェーズ・ロックド・ループ)回路である。ゲ
ート負荷を利用する場合にはクロック経路に各種ゲート
が配置される。PLL回路を利用する場合には位相比較
器とVOCとの間に適当な回路を挿入して周波数を逓倍
して行う。このような周波数逓倍の回路構成について記
載された文献の例としては昭和56年6月30日に株式
会社朝倉書店発行の「集積回路応用ハンドブック」第6
5頁がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ゲート
負荷を利用したP/F分離方式の遅延回路では使用する
ゲート量が大きくなって、素子数と電力消費の増大を招
く。更に、遅延時間の制御性にリニアリティがなく、ク
ロック信号の位相調整を微小可変幅を以って容易に行う
ことができない。また、VCOを利用したPLL方式の
可変遅延回路はCMOSでは実現し難いことが明らかに
された。
【0004】本発明の目的は、ゲート負荷に比べて比較
的少ない素子数を以って且つ電力消費量の増大を抑えつ
つクロック信号の位相調整を行うことができる可変遅延
回路を提供することにある。本発明の別の目的は、クロ
ック信号に対する遅延時間の制御性にリニアリティーの
ある(微小可変幅を以って位相調整可能な)可変遅延回
路を提供することにある。本発明の更に別の目的は、上
記夫々の目的に加えてCMOS回路で実現できる可変遅
延回路を提供することにある。
【0005】本発明の前記並びにその他の目的と新規な
特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるで
あろう。
【0006】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記
の通りである。
【0007】すなわち、直列接続した複数個の相補型M
OSトランスファゲートを可変容量手段として採用し、
これをクロック信号線に接続し、前記相補型MOSトラ
ンスファゲートのスイッチ状態を設定して前記接続点か
ら見た容量値を決定する設定手段を設けて、可変遅延回
路を構成するものである。
【0008】遅延の可変幅を全体として大きくするに
は、可変容量手段を複数個並列的にクロック信号線に結
合し、可変容量手段の相補型MOSトランスファゲート
を個々にスイッチ制御すればよい。
【0009】遅延変化の傾きを選択可能にするには、前
記クロック信号信号線には更に、前記可変容量手段を複
数個並列的に結合した回路を選択ゲートを介して結合
し、選択ゲートを介してクロック信号線に結合される可
変容量手段と選択ゲートを介さずにクロック信号線に結
合される可変容量手段とを、設定手段で生成される信号
によって共通に制御すればよい。
【0010】前記クロック信号線に挿入された回路素子
の入力側と出力側との間で対応を採って遅延を設定する
には、前記可変容量手段で構成される回路をその入力側
と出力側とで等しくし、双方の回路を前記設定手段で共
通に制御する。
【0011】
【作用】上記した手段によれば、相補型MOSトランス
ファゲートを信号線側から順次オン状態に制御すると、
そのオン状態にされる相補型MOSトランスファゲート
の数に比例して、相補型MOSトランスファゲートのゲ
ート・ソース間、ゲート・ドレイン間容量及びダイオー
ド容量が順次信号線に付加され、信号線の遅延成分とし
ての容量成分が増えたのと等価になり、このことが、信
号線に伝播されるクロック信号に対する遅延時間の制御
性に微小可変幅を以ってリニアリティーを持たせる。ま
た、可変容量手段は貫通電流を流さず、また、可変容量
手段における1個のMOSトランジスタによって得られ
る容量成分はゲート負荷に比べて比較的大きく、このこ
とが、ゲート負荷に比べて比較的少ない素子数を以って
且つ電力消費量の増大を抑えつつクロック信号の位相調
整を行うことができる可変遅延回路を実現する。
【0012】
【実施例】図1には本発明に係る可変遅延回路DELの
基本形の一実施例が示される。可変遅延回路の基本形
は、直列接続した複数個例えば4個の相補型MOS(以
下単にCMOSとも記す)トランスファゲート1を可変
容量手段2として備え、これをクロック信号線3に接続
し、前記相補型MOSトランスファゲート1のスイッチ
状態を設定して前記接続点から見た容量値を決定する手
段(以下設定手段とも記す)4を設けて構成される。夫
々のCMOSトランスファゲート1は、Pチャンネル型
MOSトランジスタQp1とNチャンネル型MOSトラ
ンジスタQn1をソース・ドレインを介して並列的に接
続し、双方のトランジスタQp1,Qn1ゲートにはイ
ンバータINVを介して相互にレベル反転された信号が
供給されるようになっている。この可変容量手段2の終
端には、ソース及びドレインが接地電位Vssに結合さ
れるNチャンネル型MOSトランジスタQn2と、ソー
ス及びドレインが電源電位Vddに結合されるPチャン
ネル型MOSトランジスタQp2を備え、双方のMOS
トランジスタQn2,Qp2のゲートが、可変容量手段
2の終端に結合されて成る容量素子5が配置されてい
る。
【0013】夫々のCMOSトランスファゲート1は前
記設定手段4の出力によってスイッチ制御される。例え
ば、設定手段4がCMOSトランスファゲート1と一対
一対応するフリップフロップを備えるとき、そのフリッ
プフロップの状態に従ってCMOSトランスファゲート
1がスイッチ制御される。フリップフロップの状態は、
特に制限されないが、CPU(中央処理装置)或はマイ
クロプロセッサのようなデータ処理手段で初期設定した
り、或は、外部端子など介して与えられる数ビット分の
信号のデコード結果に従って制御したりすることができ
る。また、クロック信号線3に伝播されるクロック信号
の周波数に応じて遅延量を決定するような場合には、そ
の数ビット分の信号レベルの組み合わせはクロック信号
周波数と関連付けておけばよい。
【0014】CMOSトランスファゲート1をクロック
信号線3側から順次オン状態に制御すると、そのオン状
態にされるCMOSトランスファゲート1の数に比例し
て、CMOSトランスファゲート1のゲート・ソース
間、ゲート・ドレイン間容量及びダイオード容量が順次
クロック信号線3に付加され、クロック信号線3の遅延
成分としての容量成分が増えたのと等価になう。これに
よって、クロック信号線3に伝播されるクロック信号に
対する遅延時間の制御性に微小可変幅を持ったリニアリ
ティーを得ることができる。また、可変容量手段2は貫
通電流を流さず、また、1個のMOSトランジスタによ
って得られる容量成分はゲート負荷に比べて比較的大き
く、この点において、ゲート負荷に比べて比較的少ない
素子数を以って且つ電力消費量の増大を抑えつつクロッ
ク信号の位相調整を行うことができる。
【0015】図2には図1の基本形を適用した種々の実
施例が示される。尚、図2において前記容量素子5は図
示を省略してある。容量素子5は夫々の可変容量手段2
に専用化しても、また、複数個の可変容量手段2で共用
してもよい。
【0016】図2の(A)においてクロック信号線に回
路素子としてインバータ6が挿入されている。このイン
バータ6は例えばクロック信号の波形整形若しくはクロ
ックドライバとして機能される。このとき、インバータ
6の入力側と出力側に夫々一つづつ可変容量手段2を配
置し、双方の可変容量手段2を前記一つの設定手段4で
共通に制御する。すなわち、設定手段4はスイッチ制御
信号S1〜S4を出力し、例えばスイッチ制御信号S1
はインバータ6の入力側並びに出力側双方の可変容量手
段における最上位側のCMOSトランスファゲート1を
共通にスイッチ制御する。これにより、インバータ6の
入力側と出力側との間で対応を採って遅延を設定するこ
とができる。
【0017】図2の(B)においては、インバータ6の
入力側及び出力側の夫々に、4列分の可変容量手段2を
並列的に配置し、前記同様に可変容量手段2を入力側並
びに出力側で共通に前記設定手段4で制御する。この場
合設定手段4はスイッチ制御信号S1〜S16を出力す
る。これにより、図2の(A)の場合に比べて遅延の可
変幅を全体として大きくすることができる。この様子は
図3の(A)と(B)を比較すれば明らかである。図3
の(A)は図2(A)に対応され、図3の(B)は図2
の(B)に対応された特性図である。図3において縦軸
は遅延時間(nsec)を表し、横軸はオン状態のCM
OSトランスファゲートの数を表す。
【0018】図2の(C)においては、図2の(B)の
構成に対して更に、4列分の可変容量手段2を並列的に
結合した回路を選択ゲート7を介して、前記インバータ
6の入力側及び出力側の夫々に結合し、選択ゲート7に
接続された可変容量手段2と選択ゲート7に非接続の可
変容量手段2とを共通のスイッチ制御信号Si(i=1
〜16)で制御する。この様子はスイッチ制御信号S1
6を代表として図示されている。これにより、選択ゲー
ト7をオン状態にするかオフ状態にするかによって、遅
延変化の傾きを選択できるようになる。これは、図2の
(C)に対応される図3の(C)に示される特性図から
も明らかである。
【0019】図4には本発明に係る可変遅延回路を適用
したマイクロコンピュータシステムの一実施例ブロック
図が示される。このシステムは、特に制限されないが、
マイクロプロセッシングユニット(MPU)10、マイ
クロプロセッシングユニット10の動作プログラムを保
有するROM(リード・オンリ・メモリ)11、マイク
ロプロセッシングユニット10のの作業領域若しくはデ
ータの一時記憶領域とされるDRAM(ダイナミック・
ランダム・アクセス・メモリ)12、DRAM12のリ
フレッシュ制御などを行うためのDRAMコントローラ
13、SCI(シリアル・コミュニケーション・インタ
フェース・コントローラ)14、DMAC(ダイレクト
・メモリ・アクセス・コントローラ)15、及びタイマ
カウンタ16などを備え、それらはバス17で接続され
ている。このシステムの各種動作クロック信号は、クロ
ックパルスジェネレータ20と、これによって生成され
るクロック信号を分周する分周回路21と、分周回路2
1で得られたクロック信号の信号線に前記可変遅延回路
を設けて成る可変遅延回路ユニット22とによって形成
される。可変遅延回路ユニットから出力されるクロック
信号は所要の回路モジュールへ供給される。図4に示さ
れるマイクロコンピュータシステムは、回路基板として
のボードに構成されるものであってもよいし、また、シ
リコンのような1個の半導体基板に半導体集積回路とし
て構成されたものであってもよい。半導体集積回路化さ
れる場合には、バスインタフェース回路を内蔵すること
ができる。
【0020】図5には図4のクロック信号生成系の詳細
が示される。図5の可変遅延回路ユニット22はi+1
個の可変遅延回路DEL0〜DELiを備える。各可変遅
延回路DEL0〜DELiは図1並びに図2に示される適
宜の回路構成が採用されている。ここで例えば、可変遅
延回路DEL0〜DELiで設定される遅延時間はクロッ
クパルスジェネレータ20から出力されるクロック信号
周波数に従って決定されるべきものとする。このとき選
択可能な動作周波数が8種類であるとすると、外部から
それを示すために3ビットの信号D0〜D2が論理回路2
3に与えられる。論理回路23は、その指示されたクロ
ック周波数に対応して夫々の可変遅延回路DEL0〜D
ELiに対して所定個数のCMOSトランスファゲート
1をオン状態にするために必要なデータを可変遅延回路
の設定手段に出力する。このときのクロック信号に対す
る遅延制御は、例えばノン・オーバーラップの2相クロ
ック信号におけるノン・オーバーラップ間隔時間の設定
に関与させることができる。また、前記信号D0〜D2は
外部端子を介して供給される信号、或はマイクロプロセ
ッシングユニット10によって初期設定される信号の何
れであってもよい。
【0021】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲におい
て種々変更可能であることは言うまでもない。例えば、
可変遅延回路はクロック信号供給経路の適宜の位置に配
置することもできる。また、可変容量手段を構成するC
MOSトランスファゲートの直列段数、更には可変容量
手段の並列段数は上記実施例に限定されず適宜変更可能
である。また、可変容量手段の終端に位置する容量素子
は必ずしもCMOS構成でなくてもよい。また本発明
は、図5に示されるような構成を持つクロックモジュー
ルとして適用することもできる。
【0022】本発明は、少なくともクロック信号の位相
を調整する必要のある条件のものに適用することができ
る。
【0023】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
の通りである。
【0024】(1)遅延を発生させるのにゲート負荷で
はなくCMOSトランスファゲートを用いるので、ゲー
ト負荷に比べて比較的少ない素子数を以って且つ電力消
費量の増大を抑えつつクロック信号の位相調整を行うこ
とができる。 (2)遅延時間はCMOSトランスファゲート数とリニ
アな関係にあるので、微小可変幅を以ってリニアにクロ
ック信号の遅延時間若しくは位相を制御でき、クロック
信号の位相調整そしてその設計がやり易くなる。 (3)可変容量手段を複数個並列的にクロック信号線に
結合し、可変容量手段のCMOSトランスファゲートを
個々にスイッチ制御することにより、遅延の可変幅を全
体として大きくすることができる。 (4)クロック信号線には更に、可変容量手段を複数個
並列的に結合した回路を選択ゲートを介して結合し、選
択ゲートを介してクロック信号線に結合される可変容量
手段と選択ゲートを介さずにクロック信号線に結合され
る可変容量手段とを、設定手段で生成される信号によっ
て共通に制御することにより、遅延変化の傾きを選択で
きるようになる。 (5)クロック信号線に挿入された回路素子の入力側と
出力側に前記可変容量手段で構成される回路を等しく構
成し、双方の回路を前記設定手段で共通に制御すること
により、クロック信号線に挿入された回路素子の入力側
と出力側との間で対応を採って遅延を設定することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る可変遅延回路の基本形の一実施例
を示す回路図である。
【図2】図1の基本形を適用した種々の実施例を示す説
明図である。
【図3】図2に示される実施例の遅延時間制御特性図で
ある。
【図4】本発明に係る可変遅延回路を適用したマイクロ
コンピュータシステムの一実施例ブロック図である。
【図5】図4のクロック信号生成系の詳細ブロック図で
ある。
【符号の説明】
1 CMOSトランスファゲート 2 可変容量手段 3 クロック信号線 4 設定手段 5 容量素子 6 インバータ 7 選択ゲート S1〜S16 スイッチ制御信号 DEL 可変遅延回路 DEL0〜DELi 可変遅延回路 20 クロックパルスジェネレータ 21 分周回路 22 可変遅延回路ユニット

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 容量電極の一方が電源に結合された容量
    素子の他方の容量電極とクロック信号線との間に、直列
    接続した複数個の相補型MOSトランスファゲートを設
    けて成る可変容量手段を有し、前記相補型MOSトラン
    スファゲートのスイッチ状態を設定して前記クロック信
    号線側から見た容量値を決定する設定手段を設けて成る
    ものであることを特徴とする可変遅延回路。
  2. 【請求項2】 前記容量素子は、ソース及びドレインが
    接地電位に結合されるNチャンネル型MOSトランジス
    タと、ソース及びドレインが電源電位に結合されるPチ
    ャンネル型MOSトランジスタとを備え、双方のMOS
    トランジスタのゲートが、前記他方の容量電極を構成し
    て成るものであることを特徴とする請求項1記載の可変
    遅延回路。
  3. 【請求項3】 前記クロック信号線に前記可変容量手段
    を複数個並列的に結合し、夫々の可変容量手段が前記設
    定手段で制御されるものであることを特徴とする請求項
    1又は2記載の可変遅延回路。
  4. 【請求項4】 前記クロック信号線には更に、前記可変
    容量手段を複数個並列的に結合した回路を選択ゲートを
    介して結合し、選択ゲートを介してクロック信号線に結
    合される可変容量手段と選択ゲートを介さずにクロック
    信号線に結合される可変容量手段とが、前記設定手段で
    生成される信号によって共通に制御されるものであるこ
    とを特徴とする請求項3記載の可変遅延回路。
  5. 【請求項5】 前記クロック信号線に挿入された回路素
    子の入力側及び出力側に、相互に同一の前記可変容量手
    段を同数づつ複数個並列的に結合し、回路素子の入力側
    に結合された可変容量手段と前記回路素子の出力側に結
    合された可変容量手段とが、前記設定手段で生成される
    信号によって共通に制御されるものであることを特徴と
    する請求項1又は2記載の可変遅延回路。
  6. 【請求項6】 前記クロック信号線に挿入された回路素
    子の入力側及び出力側には更に、相互に同一の前記可変
    容量手段を同数づつ複数個並列的に結合した回路を選択
    ゲートを介して結合し、前記回路素子の入力側及び出力
    側の双方において選択ゲートを介してクロック信号線に
    結合される可変容量手段と選択ゲートを介さずにクロッ
    ク信号線に結合される可変容量手段とが、前記設定手段
    で生成される信号によって共通に制御されるものである
    ことを特徴とする請求項5記載の可変遅延回路。
  7. 【請求項7】 クロックパルスジェネレータと、これに
    よって生成されるクロック信号を分周する分周回路と、
    分周回路で得られたクロック信号の信号線に接続される
    請求項1乃至6の何れか1項記載の可変遅延回路とを含
    んで1個の半導体基板に形成されて成るものであること
    を特徴とする半導体集積回路装置。
JP4236552A 1992-08-12 1992-08-12 可変遅延回路、及びこれを用いた半導体集積回路装置 Withdrawn JPH0661810A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6448833B2 (en) 2000-03-08 2002-09-10 Nec Corporation Delay circuit
JP2007509541A (ja) * 2003-10-16 2007-04-12 インテル・コーポレーション 適応型入力/出力バッファ及びその方法
US7786784B2 (en) 2007-03-14 2010-08-31 Fujitsu Semiconductor Limited Variable delay circuit, variable delay device, and VCO circuit

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Date Code Title Description
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Effective date: 19991102