KR970018531A - 전류 감지소자 - Google Patents

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KR970018531A
KR970018531A KR1019950029704A KR19950029704A KR970018531A KR 970018531 A KR970018531 A KR 970018531A KR 1019950029704 A KR1019950029704 A KR 1019950029704A KR 19950029704 A KR19950029704 A KR 19950029704A KR 970018531 A KR970018531 A KR 970018531A
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김한수
김성한
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김광호
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries

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Abstract

본 발명은 전류 감지 소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 주 셀과 감지 셀이 격리층에 의해 격리되어 있으며 각 셀은 에피층, 산화막 및 금속막으로 형성되어 있는 전류 감지 소자에 관한 것이다. 주 셀부의 산화막은 두껍게 형성하여 에치층과 산화막 접면에 축적층이 제거되고 감지 셀부의 산화막은 얇으므로 에피층과 산화막 접면에 축적층이 발생하게 된다. 따라서, 본 발명에 따른 전류 감지 소자는 에피층과 산화막 접면에 축적층이 제거되어 수평 성분의 저항 실리콘 벌크의 저항 성분에 의해 결정되고, 감지 셀부의 산화막은 얇으므로 에피층과 산화막 접면에 발생하여 드레인으로부터 흐르는 전류가 접면의 축적층을 통하여 쉽게 흐르게 되어 감지 단자의 감지 전압을 높이는 효과가 있다.

Description

전류 감지소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 전류 감지 소자의 구조를 나타낸 단면도이다.

Claims (3)

  1. 제1도전형의 기판, 상기 기판위에 형성되어 있는 제1도전형의 에피층, 상기 에피층에 형성되어 있으며 주셀부와 감지 셀부를 나누는 제2도전형의 격리층, 상기 격리층 양측으로 상기 에피층에 형성되어 있는 제2도전형의 두 고농도 영역, 상기 제2도전형의 고농도 영역 안에 각각 형성되어 있는 제1도전형의 두고농도 영역, 상기 두 제1도전형 고농도 영역 위 일부, 상기 에피층 및 상기 격리층 위에 형성되어 있으며 두께가 균일하지 않은 산화막, 상기 산화막 일부에 형성되어 있는 제2도전형의 게이트 폴리, 상기 게이트 폴리를 덮고 있는 절연막, 상기 절연막 일부 및 상기 주 셀부 상부에 형성되어 있는 제1금속 막, 상기 절연막 일부 및 상기 감지 셀부 상부에 형성되어 있는 제2금속 막을 포함하는 전류 감지 소자.
  2. 제1항에서, 상기 산화막은 계단 모양의 구조를 갖는 전류 감지 소자.
  3. 제1항에서, 상기 산화막 중 상기 주 셀부와 대응하는 부분은 두껍고 상기 감지 셀부에 대응하는 부분은 얇은 전류 감지 소자.
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