KR970013404A - 수평형 바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조 방법 - Google Patents
수평형 바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970013404A KR970013404A KR1019950027946A KR19950027946A KR970013404A KR 970013404 A KR970013404 A KR 970013404A KR 1019950027946 A KR1019950027946 A KR 1019950027946A KR 19950027946 A KR19950027946 A KR 19950027946A KR 970013404 A KR970013404 A KR 970013404A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- region
- well
- forming
- collector
- auxiliary
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
- H01L29/735—Lateral transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
- H01L29/6625—Lateral transistors
Abstract
본 발명은 수평형 바이폴라 트랜지스터에 관한 것으로, 콜렉터 영역과 에미터 영역 사이에 같은 타입의 보조 영역을 형성하여 실질적으로 그 사이의 베이스층이 좁아지게 된다. 또한 보조 영역을 저농도로 콜렉터 영역과 접하게 형성함으로써 공핍층의 대부분이 콜렉터 쪽으로 치우치게 된다. 주파수 특성을 개선하고 얼리 전압을 높이는 효과가 있는 수평형 바이폴라 트랜지스터이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 수평형 PNP 바이폴라 트랜지스터의 단면도이다.
Claims (4)
- 제1도전형의 에피층이 형성되어 있는 반도체 기판, 상기 반도체 기판에 서로 간격을 두고 형성되어 있는 제1도전형의 베이스 영역, 제2도전형의 콜렉터 영역 및 제1도전형의 우물, 상기 제1도전형의 우물 안에 형성되어 있는 제2도전형의 에미터 영역, 상기 우물과 상기 콜렉터 영역 사이에 형성되어 있는 제2도전형의 보조영역을 포함하는 수평형 바이폴라 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 보조 영역은 저농도의 영역인 수평형 바이폴라 트랜지스터.
- 제1도전형의 에피택셜층이 형성되어 있는 반도체 기판, 제1도전형의 우물을 형성하는 제1공정, 상기 반도체 기판에 제2도전형의 보조 영역을 상기 우물에 접하도록 형성하는 제2공정, 상기 반도체 기판의 상기 보조 영역안에 상기 우물과 간격을 두고 제2도전형의 콜렉터 영역을 형성하고, 이와 동시에 상기 우물 안에 제2도전형의 에미터 영역을 형성하는 제3공정, 상기 반도체 기판에, 상기 콜렉터 영역, 상기 보조 영역, 상기 우물과 간격을 두고 베이스 영역을 형성하는 제4공정을 포함하는 수평형 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
- 제3항에서, 상기 보조 영역을 저농도의 이온 주입으로 형성하는 수평형 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950027946A KR100255126B1 (ko) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | 수평형 바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950027946A KR100255126B1 (ko) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | 수평형 바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970013404A true KR970013404A (ko) | 1997-03-29 |
| KR100255126B1 KR100255126B1 (ko) | 2000-05-01 |
Family
ID=19425410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950027946A KR100255126B1 (ko) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | 수평형 바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100255126B1 (ko) |
-
1995
- 1995-08-31 KR KR1019950027946A patent/KR100255126B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100255126B1 (ko) | 2000-05-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR920005513B1 (ko) | 기생트랜지스터가 동작하기 어려운 구조를 가진 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| KR970054363A (ko) | 다이오드를 내장한 절연게이트 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR970024165A (ko) | 반도체 집적 회로 및 그 제조 방법(A Semiconductor Integrated Circuit and Its Fabricating Method) | |
| KR970024265A (ko) | 반도체 장치 | |
| KR920001655A (ko) | 바이폴라 트랜지스터용 자기정렬된 콜렉터 구조 및 이를 주입하는 방법 | |
| KR890013746A (ko) | 쌍극성 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR910010732A (ko) | 반도체 디바이스 및 그 제조방법 | |
| KR940016782A (ko) | 반도체 장치 | |
| KR900015311A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| KR970013404A (ko) | 수평형 바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조 방법 | |
| KR940012603A (ko) | 개선된 바이폴라 트랜지스터 | |
| US6441446B1 (en) | Device with integrated bipolar and MOSFET transistors in an emitter switching configuration | |
| KR940008130A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR970054370A (ko) | 수평구조 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR860001488A (ko) | 바이폴러 트랜지스터와 iil이 있는 반도체 장치 | |
| KR900015316A (ko) | 반도체장치 | |
| KR890013792A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| KR20010068223A (ko) | 반도체소자 | |
| KR890008997A (ko) | 트렌치내에 베이스 및 에미터 구조를 갖는 반도체 바이폴라 트랜지스터 및 이의 제조 방법 | |
| KR970030876A (ko) | 수평형 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR970054352A (ko) | 바이폴라 트랜지스터 | |
| KR910001944A (ko) | N채널 mos 트랜지스터 및 수직 pnp 양극 트랜지스터의 동시 제조방법 | |
| KR960039346A (ko) | 반도체 소자의 구조 및 제조방법 | |
| KR970053807A (ko) | 바이폴라 트랜지스터 구조를 이용한 접합 축전기 및 그 제조 방법 | |
| KR920017270A (ko) | 다결정 실리콘 사이드 월(side wall)을 이용한 Laterally Graded Emitter(LGE)구조의 바이폴라 트랜지스터 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 19990107 Effective date: 19991207 |
|
| S901 | Examination by remand of revocation | ||
| GRNO | Decision to grant (after opposition) | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20100114 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |