KR970008885A - 전원 공급 감지 회로 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 의한 전원 공급 감지 회로는 차동 증폭기가 직접 입력되는 외부 전압과 소정 시간 지연되어 입력되는 전압을 비교하고 그 비교 결과에 따른 출력 신호의 천이를 이용하여 전원 공급 감지 펄스를 생성함으로써 인가되는 전압의 상승 슬로프가 다양한 형태를 가지더라도 전원의 공급을 정확하게 감지할 수 있게 된다. 또한, 상기 차동 증폭기는 소정시간 지연되어 입력되는 전압이 안정된 상태에 이르게 되면 상기 차동 증폭기의 피드-백된 출력 신호와 외부 전압에 의해 디스에이블되게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제1실시예에 의한 전원 공급 감지 회로도, 제3도는 본 발명의 제2실시예에 의한 전원 공급 감지 회로도.
Claims (11)
- 외부 전압을 소정 시간 지연시키는 지연부와; 상기 지연부에 지연되어 일측의 입력단자로 입력되는 외부 전압과 지연되지 않고 직접 타측 입력단자로 입력되는 외부 전압의 레벨을 비교하여 그 결과를 출력 단자로 출력하는 차동 증폭기와; 상기 차동 증폭기의 출력 신호와 외부 전압을 이용하여 외부 전압이 인가된 초기에는 상기 차동 증폭기를 인에블시키고, 상기 지연부에 의해 지연된 외부 전압이 안정 상태가 되었을 때는 상기 차동 증폭기를 디스에이블시키는 차동 증폭기 제어부를 포함하는 전원 공급 감지 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 지연부는 상기 차동 증폭기의 출력 신호에 의해 제어되어 일측에 인가되는 외부 전압을 타측으로 전달하는 직렬 연결된 하나 이상의 트랜지스터와; 게이트가 상기 트랜지스터의 출력단에 연결되고 드레인과 소스는 접지되어 상기 하나 이상의 트랜지스터로부터 인가된 전압을 충전하는 병렬 연결된 하나 이상의 캐패시터로 구성되어 상기 하나 이상의 트랜지스터와 하나 이상의 캐패시터의 접속점에서 출력되는 전압을 상기 차동 증폭기의 일측 입력단자로 출력함을 특징으로 하는 전원 공급 감지 회로.
- 제2항에 있어서, 상기 하나 이상의 트랜지스터는 피 모스 트랜지스터임을 특징으로 하는 전원 공급 감지 회로.
- 제2항에 있어서, 상기 하나 이상의 트랜지스터는 외부 전압과 상기 하나 이상의 캐패시터 사이에 연결된 저항으로 대체될 수 있음을 특징으로 하는 전원 공급 감지 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 차동 증폭기 제어부는 외부 전압이 인가됨에 따라 소정의 제어신호에 의해 제어되어 상기 차동 증폭기의 반전된 신호를 스위칭하는 제1트랜지스터와, 상기 제1트랜지스터가 스위칭한 제1상태의 신호가 게이트에 인가되면 플로팅되어 드레인-소스 접속점에 인가되는 외부 전압을 충전하여 상기 차동 증폭기를 인에이블시키는 제어 신호를 출력하고, 상기 제1트랜지스터가 스위칭한 제2상태의 신호가 게이트에 인가 되면 상기 차동 증폭기를 디스에이블 시키는 제어 신호를 출력하는 피 모스 캐패시터를 포함하는 전원 공급 감지 회로.
- 제5항에 있어서, 상기 소정의 제어신호는 드레인에 외부 전압이 인가되고 소스가 게이트와 공통 접속되어 상기 지연부와 차동 증폭기의 일측 입력단자와의 접속접에 연결된 제2트랜지스터와, 일측에 외부 전압이 인가되고 타측은 상기 제2트랜지스터의 게이트-소스 접속점에 연결된 저항에서, 상기 게이트-소스 접속점과 저항의 접속점에서 출력됨을 특징으로 하는 전원 공급 감지 회로.
- 제5항에 있어서, 상기 소정의 제어신호는 외부 전압이 게이트-드레인 공통 접속단자에 인가된 제3트랜지스터의 소스 단자에서 출력됨을 특징으로 하는 전원 공급 감지 회로.
- 제5항에 있어서, 상기 제1트랜지스터의 게이트는 저항을 통해 접지됨을 특징으로 하는 전원 공급 감지 회로.
- 제5항에 있어서, 상기 피 모스 캐패시터는 드레인-소스 접속점이 저항을 통해 게이트 단자와 연결됨을 특징으로 하는 전원 공급 감지 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 차동 증폭기의 출력단자는 소스에 외부 전압이 인가되고 드레인이 상기 차동 증폭기의 출력단자와 연결되고 게이트는 접지되어 상기 차동 증폭기가 디스에이블 될때 차동 증폭기의 출력단자의 전압을 일정하게 유지시켜 주는 트랜지스터를 추가로 포함하는 전원 공급 감지 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 차동 증폭기의 출력 신호의 천이를 이용하여 전원 공급 감지 펄스를 발생하는 펄스 발생부를 추가로 포함함을 특징으로 하는 전원 공급 감지 회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950020088A KR0157885B1 (ko) | 1995-07-08 | 1995-07-08 | 전원 공급 감지 회로 |
US08/574,005 US5610542A (en) | 1995-07-08 | 1995-12-18 | Power-up detection circuit |
JP7333838A JP2983460B2 (ja) | 1995-07-08 | 1995-12-22 | 電源供給感知回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950020088A KR0157885B1 (ko) | 1995-07-08 | 1995-07-08 | 전원 공급 감지 회로 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970008885A true KR970008885A (ko) | 1997-02-24 |
KR0157885B1 KR0157885B1 (ko) | 1999-03-20 |
Family
ID=19420144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950020088A KR0157885B1 (ko) | 1995-07-08 | 1995-07-08 | 전원 공급 감지 회로 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5610542A (ko) |
JP (1) | JP2983460B2 (ko) |
KR (1) | KR0157885B1 (ko) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR960011205B1 (ko) * | 1993-11-08 | 1996-08-21 | 삼성전자 주식회사 | 반도체메모리장치의 안정된 파워-온을 위한 스타트-엎회로 |
US6768222B1 (en) * | 2000-07-11 | 2004-07-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | System and method for delaying power supply power-up |
KR100344843B1 (ko) * | 2000-10-24 | 2002-07-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전압 상승 감지 회로 |
US6943596B2 (en) * | 2002-03-12 | 2005-09-13 | Broadcom Corporation | Power-on reset circuit for use in low power supply voltage applications |
US6735142B1 (en) * | 2002-10-01 | 2004-05-11 | Nanoamp Solutions, Inc. | Power-up control circuit with a power-saving mode of operation |
KR100492801B1 (ko) * | 2002-11-14 | 2005-06-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 리셋신호 발생회로 및 이를 이용한 불휘발성 강유전체메모리 장치 |
KR100557539B1 (ko) * | 2003-05-30 | 2006-03-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 리셋신호 발생회로 |
US7504870B2 (en) * | 2006-04-07 | 2009-03-17 | Stmicroelectronics, Inc. | Power-on reset circuit |
WO2009012735A1 (de) * | 2007-07-23 | 2009-01-29 | Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Plasmaversorgungseinrichtung |
JP2009152735A (ja) * | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Seiko Instruments Inc | パワーオンクリア回路 |
CN107229015B (zh) * | 2016-04-29 | 2020-03-24 | 上海良信电器股份有限公司 | 一种用于识别系统电源电压初始上电的检测方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4717840A (en) * | 1986-03-14 | 1988-01-05 | Western Digital Corporation | Voltage level sensing power-up reset circuit |
US4888498A (en) * | 1988-03-24 | 1989-12-19 | Texas Instruments Incorporated | Integrated-circuit power-up pulse generator circuit |
US5376835A (en) * | 1992-10-22 | 1994-12-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Power-on reset circuit |
KR960011205B1 (ko) * | 1993-11-08 | 1996-08-21 | 삼성전자 주식회사 | 반도체메모리장치의 안정된 파워-온을 위한 스타트-엎회로 |
US5508649A (en) * | 1994-07-21 | 1996-04-16 | National Semiconductor Corporation | Voltage level triggered ESD protection circuit |
-
1995
- 1995-07-08 KR KR1019950020088A patent/KR0157885B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-12-18 US US08/574,005 patent/US5610542A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-12-22 JP JP7333838A patent/JP2983460B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2983460B2 (ja) | 1999-11-29 |
JPH0933576A (ja) | 1997-02-07 |
KR0157885B1 (ko) | 1999-03-20 |
US5610542A (en) | 1997-03-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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|
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