KR970008488A - 반도체소자 배선형성방법 - Google Patents

반도체소자 배선형성방법 Download PDF

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Abstract

반도체소자의 배선형성방법이 개시되어 있다. 반도체기판 상에 절연층과 캡핑층을 형성하는 단계, 상기 캡핑층 및 상기 절연층을 식각하여 금속배선이 형성될 부분의 상기 절연막을 패터닝하는 단계, 상기 기판 전면에 매몰층 및 배선층을 적층하는 단계, 상기 배선층상에 키홀(key hole)이 없는 양호한 배선을 형성하기 위해 보호층을 적층시키는 단계, 및 상기보호층, 배선층, 매몰층, 하부캐핑층을 상기 절연층이 노출될 때까지 화학-기계적 폴리싱(CMP) 하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 배선 형성방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 배선층 형성후 SOG를 피복시킴으로서, 후속 CMP 공정시에 발생되는 배선층의 키홀(key hole) 발생현상등을 방지하여 신뢰성 있는 금속배선을 형성할 수 있다.

Description

반도체소자 배선형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도 내지 제6도는 본 발명에 의한 배선형성 방법을 도시한 공정순서도.

Claims (5)

  1. 반도체기판 상에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층을 식각하여 금속배선이 형성될 부분의 상기 절연막을 패터닝하는 단계; 상기 기판 전면에 매몰층 및 배선층을 적층하는 단계; 상기 배선층상에 보호층을 적층시키는 단계;및 상기 보호층, 배선층 및 매몰층을 상기 절연층이 노출될 때까지 화학-기계적 폴리싱(CMP) 하는 단계를 구비하는 것을특징으로 하는 반도체소자 배선 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연층 형성 단계에는 절연층위에 캡핑층을 동시에 형성하고, 상기 패터닝 단계에는 상기 절연층과 동시에 캡핑층을 식각하고, 상기 폴리싱단계에는 캡핑층도 동시에 폴리싱하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 배선 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 배선층은 텅스텝(W), 몰리브데늄(Mo), 티타늄질화물(TiN), 알루미늄(Al), 구리(Cu)의 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체소자 배선 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 매몰층은 티타늄(Ti), 티타늄질화물(TiN), 티타늄텅스텐(TiW), 몰리브데늄(Mo), 크롬(Cr) 및 상기 물질이 적층된 결합물질중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 배선 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 보호층은 SOG, 산화물, 포토레지스트(P.R.), 질화물(SiN), 티타늄질화물(TiN) 및 티타늄(Ti) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 배선 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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