KR970007494A - 서브 리소그래픽 에칭 마스크의 제조 방법 - Google Patents

서브 리소그래픽 에칭 마스크의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 연속하는 단계로 스페이서 기술에 의해 서로 수직으로 구현된 라인을 제공하는 방식으로, 높은 집적 밀도를 가진 반도체 제품에서 구조 형성을 위한 서브 리소그래픽 에칭 마스크의 제조방법에 관한 것이다. 상이한 에칭단계에 의해 라인의 교차점에 의해 형성되는 극도로 작은 에칭 마스크의 래스터를 얻는다. 에칭 마스크의 크기는 스페이서 층의 두께에 의해 결정되며 포토 기술의 피처 사이즈에 결정되지 않는다.

Description

서브 리소그래픽 에칭 마스크의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 제1스페이서에 의해 방법에 따라 처리된 상부 층의 평면도.

Claims (10)

  1. 높은 집적밀도를 가진 반도체 제품에서 서브 리소그래픽 에칭 마스크의 제조방법에 있어서, (a) 반도체 기판(1) 상에 산화물층(1) 및 그 위에 실리콘층(3)을 형성하는 단계, (b) 실리콘층(3) 상에 보조층(4)을 제공하는 단계, (c) 보조층(4)을 스트립별로 구조화하는 단계, (d) 구조화된 보조층(4)의 에지(6)에 제1스페이서(7)을 형성하는 단계, (e) 보조층(4)을 제거하는 단계, (f) 마스크로서 제1스페이서(7)를 사용해서 실리콘층(3)을 부분적으로 제거하는 단계, (g) 제1스페이서(7)를 제거함으로써, 그것의 장소에 실리콘층(3)의 상승된 영역이 남게 하는 단계, (h) 부가의 보조층을 제공하고 마찬가지로 스트립별고 구조화하며, 상기 제2스트립(8)을 단계(c)에서 구조화된 제1스트립(5)과는 다른 방향으로 정렬시키며 이것과 교차시키는 단계, (i) 제2스페이서(9)로 단계(d) 내지 (g)를 반복함으로써, 실리콘층(3)의 상승된 영역과 제2스페이서 사이에 상승된 교차영역(10)을 형성하고, 단계(f)에서 마스크로서 제2스페이서를 사용해서 실리콘층을 제거하는 단계, (j) 단계 (f)에서 이미 부분적을 제거된, 스페이서 아래 있는 이전의 실리콘층(3)을, 상승된 교차영역 외부의 영역을 완전히 제거하고 상승된 교차 영역(10)의 나머지만이 남을 정도로 제거하는 단계, (k) 마스크로서 상승된 교차 영역을 사용해서 실리콘층(3) 아래 놓인 산화물층을 구조화하는 단계, (l) 에칭된 산화물층(2)을 고유의 구조형성을 위한 에칭 마스크로서 사용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 서브 리소그래픽 에칭 마스크의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, TEOS(테트라에틸옥시실리케이트)로된 실리콘 산화물의 증착에 의해 보조층(4)을 형성하는 것을 특징으로 하는 서브 리소그래픽 에칭 마스크의 제조방법.
  3. 제1항 또는 2항에 있어서, 포토 리소그래픽에 의해 보조층(4)을 구조화하는 것을 특징으로 하는 서브 리소그래픽 에칭 마스크의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 구조화된 보조층(4)의 에지(6)에 질화물의 적합한 증착 및 후속 하는 비등방성 에칭에 의해 스페이서(7,9)를 형성하는 것을 특징으로 하는 서브 리소그래픽 에칭 마스크의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 단계(f)에서 비등방성 에칭에 의해 실리콘층을 약 2/3까지 제거하는 것을 특징으로 하는 서브 리소그래픽 에칭 마스크의 제조방법.
  6. 제1항 또는 4항에 있어서, 제2스페이서(9)와 동일한 폭을 가진 제1스페이서(7)을 형성하는 것을 특징으로 하는 서브 리소그래픽 에칭 마스크의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 제1 및 제2스트립(5,8)을 서로 수직으로 정렬시키는 것을 특징으로 하는 서브 리소그래픽 에칭 마스크의 제조방법.
  8. 제1항 또는 7항에 있어서, 제1스트립(5)과 동일한 폭을 가진 제2스트립(8)을 형성하는 것을 특징으로 하는 서브 리소그래픽 에칭 마스크의 제조방법.
  9. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 에칭 마스크로서 사용되는 산화물층에 의해 3-D 사이드웰 플래시 EPROM셀용 실린더를 제조하는 것을 특징으로 하는 서브 리소그래픽 에칭 마스크의 제조방법.
  10. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 에칭 마스크로서 사용된 산화물층을 연이어 주입 마스크로서 사용하는 것을 특징으로 하는 서브 리소그래픽 에칭 마스크의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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