KR970003918A - 반도체 소자의 기판 전압 레규레이터 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 기판 전압 레규레이터 장치에 관한 것으로, 이는 외부에서 인가되는 전원 전압의 불안정한 변화에 관계없이 반도체 소자의 기판 전압을 일정하게 유지시켜 소자의 문턱 전압 변화와 이에 따른 소자의 동작점 변화를 방지시킴으로써 정확한 회로 동작을 얻을 수 있도록 하는 것이다.

Description

반도체 소자의 기판 전압 레규레이터 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명 레규레이터 장치의 상세도, 제4도는 외부 전원 전압 VCC와 기판 전압 VBB와의 상관 관계도.

Claims (3)

  1. 설정된 기판 전압을 기판에 공급하기위해 기판 전압 발생기를 제어하는 기판 전압 레규레이터에 있어서,직렬로 연결되어 일측에 인가되는 외부 전압을 소정의 레벨로 전압 강하하는 복수개의 저항과, 제1전극이 상기 저항의 타측에 연결되고 게이트 전극이 접지되며 제2전극이 상기 기판에 연결되어 기판의 기판 전압에 의해 동작이 제어되는 제1트랜지스터와, 상기 복수개의 저항의 타측과 제1트랜지스터의 접속점에서 출력되는 신호의 반전된 신호가 게이트 전극에 인가되고 제1전극과 제2전극이 상기 복수개의 저항중 전원 전압과 연결된 제1저항을 제외한 나머지의 저항과 선택적으로 접속됨에 따라 상기 복수개의 저항의 저항값을 조정하는 제2트랜지스터를 포함하는 반도체 소자의 기판 전압 레규레이터 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1트랜지스터와 기판 사이에서 제1전극과 게이트 전극이 상기 제1트랜지스터의제2전극과 공통 연결되고 제2전극이 상기 기판에 연결되어 상기 제1전극에 인가되는 전압을 소정 레벨로 강하시키는 제3트랜지스터를 포함함을 특징으로하는 반도체 소자의 기판 전압 레규레이터 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 복수개의 저항은 제1저항을 제외한 나머지 저항들은 각각 스위치와 병렬 연결되어, 상기 제2트랜지스터와 접속됨에 있어 상기 제2트랜지스터의 제1전극과 제2전극 사이에 연결된 저항과 연결되어있는 스위치는 개방되고 그 외의 저항에 연결된 스위치는 쇼트됨을 특징으로하는 반도체 소자의 기판 전압 레규레이터 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100462863B1 (ko) * 2002-08-08 2004-12-17 삼성전자주식회사 고전압 발생회로 및 방법

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6172554B1 (en) * 1998-09-24 2001-01-09 Mosel Vitelic, Inc. Power supply insensitive substrate bias voltage detector circuit
SE518827C2 (sv) 1999-02-17 2002-11-26 Altitun Ab Metod för karakterisering av en avstämbar laser
DE19928762C1 (de) * 1999-06-23 2000-11-23 Siemens Ag Schaltungsanordnung zur Verhinderung der Injektion von Minoritätsladungsträgern in das Substrat
SE514187C2 (sv) * 1999-07-06 2001-01-22 Altitun Ab Förfarande och anordning för att utstyra en avstämbar laser
US6448823B1 (en) 1999-11-30 2002-09-10 Xilinx, Inc. Tunable circuit for detection of negative voltages
EP1166133B1 (en) * 2000-01-19 2005-12-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Circuit for voltage level detection
US6366069B1 (en) * 2001-02-01 2002-04-02 Intel Corporation Hysteretic-mode multi-phase switching regulator
US6686789B2 (en) * 2002-03-28 2004-02-03 Agere Systems, Inc. Dynamic low power reference circuit
US8024172B2 (en) * 2002-12-09 2011-09-20 Netapp, Inc. Method and system for emulating tape libraries
CN101312794B (zh) * 2005-11-23 2012-07-04 Fsi国际公司 从基材上除去材料的方法
KR101391928B1 (ko) 2007-09-13 2014-05-07 삼성전자주식회사 고전압 생성 회로

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4229667A (en) * 1978-08-23 1980-10-21 Rockwell International Corporation Voltage boosting substrate bias generator
US4210829A (en) * 1978-10-02 1980-07-01 National Semiconductor Corporation Power up circuit with high noise immunity
US4356412A (en) * 1979-03-05 1982-10-26 Motorola, Inc. Substrate bias regulator
JPS6093531A (ja) * 1983-10-27 1985-05-25 Nec Corp 基準電圧発生回路
JP2770941B2 (ja) * 1985-12-10 1998-07-02 シチズン時計株式会社 シユミツトトリガ回路
JPH0736505B2 (ja) * 1986-07-24 1995-04-19 日本電気株式会社 シユミツトトリガ回路
US5081380A (en) * 1989-10-16 1992-01-14 Advanced Micro Devices, Inc. Temperature self-compensated time delay circuits
EP0499673B1 (de) * 1991-02-21 1996-05-08 Siemens Aktiengesellschaft Regelschaltung für einen Substratvorspannungsgenerator
US5532471A (en) * 1994-12-21 1996-07-02 At&T Corp. Optical transimpedance amplifier with high dynamic range
US5563549A (en) * 1995-03-17 1996-10-08 Maxim Integrated Products, Inc. Low power trim circuit and method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100462863B1 (ko) * 2002-08-08 2004-12-17 삼성전자주식회사 고전압 발생회로 및 방법

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