KR970003623A - 에스오쥐막의 산소 플라즈마 처리시 균열방지방법 - Google Patents

에스오쥐막의 산소 플라즈마 처리시 균열방지방법 Download PDF

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KR970003623A
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홍상기
오세준
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김주용
현대전자산업 주식회사
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 금속배선 패턴을 형성하기 위하여 마스크막으로 사용되는 감광막의 처리방법에 관한 것이다.
이와 같은 본 발명의 실록산 SOG막의 O2플라즈마 처리시 균일방법은 이층배선구조를 갖는 반도체 소자에서 표면 평탄화 막으로서 사용되는 실록산 SOG를 증착후, 기판의 에지 부분을 제거하기 위한 EBR단계와, EBR단계후 불순물 이온을 SOG막에 주입하는 단계와, SOG막 위의 감광막을 제거하기 위한 O2플라즈마 처리단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

에스오쥐막의 산소 플라즈마 처리시 균일방지방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 실록산 에스오쥐 형성방법을 설명하기 위한 도면으로서, (가)는 EBR공정후의 상태도이고, (나)는 이온주입으로 인하여 조밀해진 감광막의 상태도이며, (다)는 감광막의 스트립을 위한 O2플라즈마 공정후의 상태도이다.

Claims (3)

  1. 이층배선구조를 갖는 반도체 소자에서 표면 평탄화 막으로서 사용되는 실록산 SOG를 증착후, 기판의 에지 부분을 제거하기 위한 EBR단계와, EBR단계후 불순물 이온을 SOG막에 주입하는 단계와, SOG막 위의 감광막을 제거하기 위한 O2플라즈마 처리단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 SOG막의 산소 플라즈마 처리시 균일방지방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 이온주입시의 이온주입량은 5.0 ×10E14ions/㎠ 이상의 높은 주입량으로 주입하는 것을 특징으로 하는 SOG막의 산소 플라즈마 처리시 균일방지방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 이온주입시의 주입에너지는 30keV 이상인 것을 특징으로 하는 SOG막의 산소 플라즈마 처리시 균일방지방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950017213A 1995-06-23 1995-06-23 에스오쥐막의 산소 플라즈마 처리시 균열방지방법 KR970003623A (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9415926B2 (en) 2008-07-24 2016-08-16 3M Innovative Properties Company Universal dispenser for safety protection devices, packaging for use therewith, and method of dispensing

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