KR970003533A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents

반도체 소자의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 산소주입 소자분리법(Seperation by IMplated OXygen)과 트랜치(Trench) 방법을 이용하여 비교적 간단한 종래의 공정으로써 비트라인과 소오스/드레인을 연결하는 콘택홀이 필요없고 하나의 게이트 마스크로써 두개의 게이트를 형성하여 셀면적이 매우 작은 새로운 셀(Cell)구조를 제시함으로써 셀 면적을 급격히 줄이면서 공정 여유도가 매우 큰 콘택홀을 형성하여 반도체 소자의 고집적화를 가능하게 한다.

Description

반도체 소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도 내지 제7도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 공정도.

Claims (9)

  1. 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 실리콘 기판내에 산소를 이온주입하고 열처리하여 제1절연막을 형성하는 단계와, 상기 제1절연막 상부의 일정 부분에 제1불순물주입층을 형성하는 단계와, 상기 제1불순물주입층 상부에 제2불순물주입층을 형성하는 단계와, 전체 구조 상부에 감광막을 증착하고 비트라인 마스크를 사용하여 소정부분을 제거한 후 상기 제1불순물층에 비트라인을 형성하는 단계와, 상기의 동일한 방법으로 전체 상부에 사진감광막을 증착하고 소자분리마스크를 사용하여 소정부분을 제거한 후 상기 제2불순물층에 산소를 이온주입하는 단계와, 상기 사진감광막을 완전히 제거한 후 열처리하여 제2불순물층에 활성영역과 분리영역을 형성하는 단계와, 전체 구조 상부에 사진감광막을 증착하고 게이트 마스크를 사용하여 소정부분을 제거한 후 제2불순물층과 소자분리막을 제1불순물층과 비트라인 분리막이 들어날 때까지 식각하여 트렌치를 형성하는 단계와, 전체 구조 상부에 게이트 산화막을 형성하고 NMOSFET의 경우 N형(또는 PMOSFET의 경우 P형)으로 불순물을 주입하여 소오스/드레인을 형성하는 단계와, 전체 구조 상부에 다결정실리콘막을 증착하고 건식식각방식으로 비등방성 전면식각하여 트렌치의 측벽에 게이트 전극으로 사용할 다결정실리콘스페이서막을 형성하는 단계와, 전체 구조 상부에 제2절연막을 증착하는 단계와, 상기 제2절연막 상부에 사진감광막을 증착하고 저장전극콘택홀 마스크를 사용하여 상기 감광막의 소정부분을 제거하여 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광막 패턴을 이용하여 하부의 제2절연막을 제2불순물층이 노출될 때까지 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1불순물주입층은 NMOSFET의 경우 N형(또는 PMOSFET의 경우 P형)으로 불순물을 주입하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2불순물주입층은 제1불순물주입층 상부에 NMOSFET의 경우 P형(또는 PMOSFET의 경우 N형)으로 불순물을 주입하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 SIMOX 방법으로 제1절연층과 비트라인 분리막을 형성하기 위하여 각각 실시되는 열처리를 비트라인 분리막 형성시 한번만 하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 SIMOX 방법으로 제1절연층, 비트라인 분리막 그리고 소자분리막을 형성하기 위하여 각각 실시되는 열처리를 소자분리막 형성시 한번만 하여 형성하는 방법을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 활성영역과 소자분리영역을 형성하는 소자분리막을 LOCOS나 PBL방식으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  7. 상기 제6항에 있어서, SIMOX방법으로 제1절연층과 비트라인 분리막을 형성하기 위하여 각각 실시되는 열처리를 비트라인 분리막 형성시 한번만 하여 형성하는 방법을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
  8. 상기 제1항에 있어서, 상기 활성영역과 분리영역을 형성하는 소자분리막을 트렌치 방식으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
  9. 상기 제8항에 있어서, SIMOX 방법으로 제1절연층과 비트라인 분리막을 형성하기 위하여 각각 실시되는 열처리를 비트라인 분리막 형성시 한번만 하여 형성하는 방법을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100649813B1 (ko) * 1997-12-31 2007-11-12 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의제조방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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