KR960704233A - 정전기적 힘 평형 실리콘 가속도계(electrostatically force balanced silicon accelerometer) - Google Patents

정전기적 힘 평형 실리콘 가속도계(electrostatically force balanced silicon accelerometer)

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KR960704233A
KR960704233A KR1019960700378A KR19960700378A KR960704233A KR 960704233 A KR960704233 A KR 960704233A KR 1019960700378 A KR1019960700378 A KR 1019960700378A KR 19960700378 A KR19960700378 A KR 19960700378A KR 960704233 A KR960704233 A KR 960704233A
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Abstract

이온 주입 및 프룹매스 아래에 산화물 지지층(40, 42, 44)의 형성에 의해 실리콘 기판(12, 112)에 브룹매스(294, 295, 544)와 적어도 하나의 관련 힌지(296, 522)를 형성하고, 계속해서 2개의 보조프룹매스(294, 295)와 개판구조(112)를 서로 전체적으로 접착하며, 이어서 실리콘 물질체내에 상기 힌지(296)에 의해 지지되는 프룹매스를 남기도록 상기 산화물 지지층(272)을 제거함으로써 가속도계가 제조된다. 상기 프룹매스(300)는 상기 기판중 하나에 에칭된 리세스부(178)를 통해 연장하는 리드(174)에 전기적으로 접속될 수 있고; 상기 프룹매스(294, 295, 300)가 상기 힌지(296)가 상기 기판에 구조적으로 장착되는 반도체 물질의 전도도 형의 변화에 의해 및 산화물층(272)에 의해 상기 기판(112)으로부터 전기적으로 고립 또는 분리될 수 있다.
(선택도면 : 제16도)

Description

정전기적 힘 평형 실리콘 가속도계(ELECTROSTATICALLY FORCE BLANCED SILCON ACCELEROMETER)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 웨이퍼 가공중의 본 발명의 실시예의 측단면도, 제2도 내지 제5도는 웨이퍼 제조의 연속 단계중의 제1도의 실시예의 추가의 측단면도.

Claims (23)

  1. 기판에 프룹매스를 형성하는 단계와, 상기 프룹매스와 상기 기판 사이에 상기 기판의 지지층을 형성하는 단계와, 상기기판에 상기 프룹매스를 선택적으로 부착하는 적어도 하나의 힌지를 형성하는 단계와, 2개의 실질적인 보조 프룹매스와 관련 기판 구조를 서로 접착시키는 단계를 포함하는데, 상기 구조의 적어도 하나가 상기 힌지를 포함하고; 상기 프룹매스 구조와 상기 주변 기판 사이에 위치된 상기 지지층을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 상태 가속도계 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 지지층이 산화물층으로 구성되고, 매설된 산화물층을 형성하도록 상기 기판으로 상기 산화물을 이온 조입하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 상태 가속도계 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 2개의 보조 프룹매스와 기판 구조가 단일 웨이퍼로 구성되고, 상기 2개의 보조 구조를 분리하도록 상기 웨이퍼를 절단하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 상태가속도계 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 힌지가 상기 프룹매스와 상기 주변 기판 사이에서 연장하는 복수의 탭으로 구성되고, 상기 프룹매스와 상기 주변 기판 사이에서 연장하는 복수의 탭을 생성하도록 상기 힌지의 부분을 선택적으로 제거하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 상태 가속도계 형성 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 2개의 보조 프룹매스와 기판 구조와 힌지를 가지고, 그중 2개의 힌지가 단일힌지를 형성하도록 서로 접착되는 것을 특징으로 하는 고체 상태 가속도계 형성 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 2개의 보조 프룹매스와 기판 구조중 하나만이 힌지로 이루어진 것을 특징으로 하는 고체 상태 가속도계 형성 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 지지층이 상기 프룹매스를 자유롭게 하기위해 이력되게 에칭되어 상기 힌지에 의해서만 상기 기판으로부터 지지되는 것을 특징으로 하는 고체 상태 가속도계 형성 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 방법이 상기 프룹매스에 리드를 전기적으로 접속하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 상태 가속도계 형성 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 방법이 상기 힌지가 상기 기판에 물리적으로 장착되는 반도체 물질의 전도도형을 변화시키고, 고립 또는 분리를 완성하도록 절연 산화물층을 제공함으로써 상기 기판으로부터 상기프룹매스를 전기적으로 분리 또는 고립하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 상태 가속도계 형성방법.
  10. 프룹매스와; 주변 기판과; 상기 프룹매스를 상기 주변 기판에 접속하는 저거도 하나의 힌지와; 상기 프룹매스와 상기 주변 기판 사이에 위치되는 갭을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 상태 가속도계.
  11. 제1항에 있어서, 상기 프룹매스가 제1도핑 농도를 가지고, 상기 주변 기판이 제2도핑 농도를 가지며, 적어도 하나의 산화물 추가로 포함하고; 상기 기판의 적어도 2개의 영역이 상기 제1도핑 농도와상기 제2도핑 농도로부터 도핑된 반도체의 다른 형으로 이루어진 제3도핑 농도를 가지는데, 상기 제3도핑 농도를 갖는 상기 영역이 상기 프룹매스와 실질적으로 인접하게 및 동일 평면상에 위치되는 것을 특징으로 하는 고체 상태 가속도계.
  12. 제10항에 있어서, 상기 프룹매스를 따라서 연장하는 적어도 하나의 슬롯을 추가로 포함하여, 상기 프룹매스가이동할 때 기체가 상기 슬롯을 통과하게 하는 것을 특징으로 하는 고체 상태 가속도계.
  13. 제10항에 있어서, 상기 가속도계가 단일체의 연속 결정 반도체 물질로 이루어진 것을 특징으로하는 고체 상태 가속도계.
  14. 제10항에 있어서, 상기 가속도계가 각가 단일 단위체의 반도체 물질로 이루어진 기판 구조와 2개의보조 프룹매스로이루어진 것을 특징으로 하는 고체 상태 가속도계.
  15. 기판 주변 프룹매스와; 상기 프룹매스를 상기 주변 기판에 접속하는 적어도 하나의 힌지를 포함하고; 상기 프룹매스, 상기 힌지 및 상기 주변 기판이 일체의 반도체 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는고체 상태 가속도계.
  16. 제15항에 있어서, 상기 프룹매스가 제1도핑 농도를 가지고, 상기 주변 기판이 제2도핑 농도를 가지며, 적어도 하나의 산화물 채널을 추가로 포함하고; 상기 기판의 적어도 2개의 영역이 상기 제1도핑농도와 상기 제2도핑 농도로부터 도핑된 반도체의 다른 형으로 이루어진 제3도핑 농도를 가지는데, 상기 제3도핑 농도를 갖는 상기 영역이 상기 프룹매스와 실질적으로 인접하게 및 동일 평면상에 위치되는 것을 특징으로하는 고체 상태 가속도계.
  17. 제15항에 있어서, 상기 프룹매스를 따라서 연장하는 적어도 하나의 슬롯을 추가로 포함하여, 상기프룹매스가 이동할 때 기체가 상기 슬롯을 통과하게 하는 것을 특징으로 하는 고체 상태 가속도계.
  18. 제15항에 있어서, 상기 프룹매스가 산화물층에 의해 및 반도체 형의 변화에 의해 상기 기판으로부터 전기적으로 분리되는 것을 특징으로 하는 고체 상태 가속도계.
  19. 제15항에 있어서, 상기 가속도계가 서로 접착된 2개의 보조부로 이루어진 것을 특징으로 하는 고체 상태 가속도계.
  20. 제15항에 있어서, 상기 프룹매스에 전기 접속을 제공하는 전기 접속 수단이 제공되는 것을 특징으로 하는 고체 상태 가속도계.
  21. 제1항에 있어서, 지지층을 형성하는 단계가 상기 프룹매스와 상기 기판 사이에서 제1산화물층을형성하는 단계와; 제2산화물층을 갖는 관련 기판을 제공하는 단계를 추갈 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 상태 가속도계 형성 방법.
  22. 제21항에 있어서, 적어도 하나의 힌지를 형성하는 단계가 상기 프룹매스상의 두께를 변화시키는질화물 패턴을배치하는 단계와; 상기 제2산화물층상에 트렌치를 갖는 레지스트 패턴을 배치하는 단계와; 상기 프룹매스와 관련 기판을 에칭하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 상태 가속도계 형성 방법.
  23. 제22항에 있어서, 상기 제1산화물층이 포스포-실리케이트 유리를 포함하는
    것을 특징으로 하는고체 상태 가속도계 형성 방법.
    ※참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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