KR960042764A - 반도체 기억장치의 컬럼 리던던시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 기억 장치의 컬럼 리던던시 장치에 관한 것으로, 리던던시 어드레스 신호가 들어오면 이를 감지한 로오리던던시 장치에 의해 선택된 셀 어레이 블럭에서 리던던시할 컬럼 어드레스를 감지하고 이 때 프리디코딩된 컬럼 어드레스 신호가 입력되면 이를 출력하여 다른 셀 어레이 블럭에서 출력된 리던던시 어드레스 신호와 오아링한 다음 바로 스페어 어드레스 라인으로 출력되게 함으로써 리던던시 어드레스 신호를 감지하는 동작 속도를 향상시켰고, 또한 정상 어드레스 라인에 연결된 리던던시 감지 장치의 수를 줄여 리던던시 회로로 인하여 생기는 정상 어드레스 라인에서의 신호지연이줄어들어 동작 속도를 빠르게 하는 효과가 있다.

Description

반도체 기억장치의 컬럼 리던던시 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 일실시예에 따른 컬럼 리던던시 장치의 회로도.

Claims (9)

  1. 두개 이상의 리던던시 어드레스 신호 중에서 적어도 하나가 입력되는 경우에 스페어 컬럼을 동작시키는 신호를 출력하는 반도체 기억장치의 컬럼 리던던시 장치에 있어서, 어드레스를 구성하는 단위 어드레스 비트를 an이라고 할때, 외부에서 프로그램이 가능하고 제1리던던시 어드레스를 구성하는 어드레스 비트(an_1)를 기억시킬 수 있는 제1퓨즈박스와, 외부에서 프로그램이 가능하고 제2리던던시 어드레스를 구성하는 어드레스 비트(an_2)를 기억시킬수 있는 제2퓨즈 박스와, 상기 제1퓨즈 박스의 출력 신호와 상기 제2퓨즈 박스의 출력 신호를 입력으로 하여 오아링한 신호를 출력하기위한 제1논리 수단과, 상기 제1논리 수단으로 부터 상기 an_1 어드레스 또는 an_2 어드레스가 입력되는 경우 an어드레스가 전달되어 제n신호를 만드는 비교 수단과, 상기 제n신호가 제1상태를 가질때 상기 스페어 컬럼을 동작시키는 신호를출력하는 제2논리 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치의 컬럼 리던던시 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1리던던시 어드레스와 제2리던던시 어드레스는 서로 다른 셀 어레이 블럭의 어드레스인 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치의 컬럼 리던던시 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 어드레스를 구성하는 단위 어드레스 비트들 중에서 최소한 하나 이상이 외부에서 입력되는 두개 이상의 어드레스 비트를 프리디코딩한 어드레스인 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치의 컬럼 리던던시 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1논리 수단은 OR 논리 연산한 값을 출력하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치의 컬럼 리던던시 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 비교 수단은 MOS 트랜지스터로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치의 컬럼리던던시 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 MOS 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치의 컬럼리던던시 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1상태는 상기 제n 신호가 모두 하이 상태인 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치의 컬럼 리던던시 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제1상태는 상기 제n신호가 모두 로우 상태인 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치의 컬럼 리던던시 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제2논리 수단은 AND 논리 연산한 값을 출력하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치의 컬럼 리던던시 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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