KR960042244A - 정전하상 현상용 토너, 장치 유닛 및 화상 형성방법 - Google Patents

정전하상 현상용 토너, 장치 유닛 및 화상 형성방법 Download PDF

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미따라이 후지오
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Abstract

본 발명의 정전하상 현상용 토너는 결합제 수지를 100 중량부, 착색제를 1 내지 150 증량부 및 저연화점 물질을 비교적다량의 5 내지 40 중량부로 포함한다. 토너는 또한 80 이상의 비율 (G'60/G'80)을 제공하는 60℃에서의 저장 모듈러스(G'60)및 80℃에서의 저장 모듈러스 (G'80) 및 0.95 내지 5의 비율 (G'155/G'190)을 제공하는 155℃에서의 저장 모듈러스 (G'155) 및190℃에서의 저장 모듈러스 (G'190)올 포함하는 점탄성 특성을 특징으로 한다. 그 결과, 토너는 양호한 저온 정착능 및 오프셋 방지 특성, 및 또한 광택의 작은 온도 의존성을 나타낸다.

Description

정전하상 현상용 토너, 장치 유닛 및 화상 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 토너의 저장 모듈러스 곡선, 손실 모듈러스 곡선 및 탄젠트(δ) 곡선을 나타내는 그래프, 제5도는 본 발명에 따른 화상 현상 법을 실시하기 위한 화상 형성 장치의 예시도, 제6도는 본 발명에 따른 장치 유닛의 일 구현예의 개략도.

Claims (93)

  1. 결합제 수지 100 중량부, 착색제 1 내지 150 중량부 및 저연화점 물질 5 내지 40 중량부로 이루어지고, 토너는 80 이상의 비율 (G'60/G'80)을 제공하는 60℃에서의 저장 모듈러스(G'60) 및 80℃에서의 저장 모듈러스 (G'80), 및 0.95내지 5의 비율 (G'155/G'190)을 제공하는 155℃에서의 저장 모듈러스 (G'155) 및 190℃에서의 저장 모듈러스 (G'190)를 갖는 것인 정전하상 현상용 토너.
  2. 제1항에 있어서, 토너가 100 내지 400의 비율 (G'60/G'80)을 나타내는 것인 토너.
  3. 제1항에 있어서, 토너가 150 내지 300의 비율 (G'60/G'80)을 나타내는 것인 토너.
  4. 제1항에 있어서, 토너가 1 내지 5의 비율 (G'155/G'190)을 나타내는 것인 토너.
  5. 제1항에 있어서, 토너의 190℃에서의 저장 모듈러스 (G'190)가 1 × 103내지 1 × 104dyn/㎠인 것인 토너.
  6. 제1항에 있어서, 토너가 40 내지 65℃의 온도 범위에서 1 × 109dyn/㎠ 이상의 최대치(G″max)를 제공하는손실 모듈러스 곡선을 제공하는 것인 토너.
  7. 제6항에 있어서, 토너가 1.5 이상의 비율 (G″max/G″40)을 제공하는 40℃에서의 손실 모듈러스 G″40을 나타내는 것인 토너.
  8. 제1항에 있어서, 결합제 수지가 0.1 내지 20 중량%의 THF-불용물 함량을 갖는 것인 토너.
  9. 제8항에 있어서, 결합제 수지가 1 내지 15 중량%의 THF-불용물 함량을 갖는 것인 토너.
  10. 제1항에 있어서, 결합제 수지가 가교결합된 스티렌 공중합체를 포함하고, 저연화점 물질이 40 내지 90℃의 온도 범위에서 흡열 주피크를 나타내는 DSC 흡열 곡선을 제공하는 것인 토너.
  11. 제1항에 있어서, 결합제 수지가 가교결합된 스티렌 공중합체 및 가교결합되지 않은 폴리에스테르 수지를포함하고, 저연화점 물질이 40 내지 90℃의 온도 범위에서 홉열 주피크를 나타내는 DSC 홉열 곡선을 제공하는 것인 토너.
  12. 제1항에 있어서, 결합제 수지가 가교결합된 스티렌 공중합체 띤 가교결합된 폴리에스테르 수지를 포함하고, 저연화점 물질이 40 내지 90℃의 온도 범위에서 흡열 주피크를 나타내는 DSC흡열 곡선을 제공하는 것인 토너.
  13. 제1항에 있어서, 저연화점 물질이 45 내지 85℃의 온도 범위에서 흡열 주피크를 나타내는 DSC 흡열 곡선을 제공하고, 흡열 주피크는 10℃ 이하의 반가폭을 갖는 것인 토너
  14. 제13항에 있어서, 저연화점 물질이 5℃ 이하의 반가폭을 갖는 흡열 주피크를 나타내는 것인 토너.
  15. 제1항에 있어서, 저연화점 물질이 고상물 왁스를 포함하는 것인 토너.
  16. 제1항에 있어서, 저연화점 물질이 고상물 에스테르 왁스를 포함하는 것인 토너.
  17. 제1항에 있어서, 저연화점 물질이 45 내지 85℃의 온도 범위에서 흡열 주피크를 나타내는 DSC 흡열 곡선을 제공하는 고상물 에스테르 왁스를 포함하고, 흡열 주피크는 10℃ 이하의 반가폭을 갖는 것인 토너.
  18. 제17항에 있어서, 고상물 에스테르 왁스가 5℃ 이하의 반가폭을 갖는 흡열 주피크를 나타내는 것인 토너,
  19. 제1항에 있어서, 저연화점 물질이 40 내지 90℃의 온도 범위에서 흡열 주피크를 나타내는 DSC 흡열 곡선을 제공하는 고상물 폴리메틸렌 왁스를 포함하고, 흡열 주피크는 10℃ 이하의 반가폭을 갖는 것인 토너.
  20. 제1항에 있어서, 처연화점 물질이 40 내지 90℃의 온도 범위에서 흡열 주피크를 나타내는 DSC 흡열 곡선을 제공하는 고상물 폴리올레핀 왁스를 포함하고, 흡열 주피크는 l0℃ 이하의 반가폭을 갖는 것인 토너.
  21. 제1항에 있어서, 저연화점 물질이 15 내지 100개의 탄소 원자를 갖는 장쇄 알킬 알코을을 포함하고 40 내지 90℃의 온도 범위에서 흡열 주피크를 나타내는 DSC 흡열 곡선을 제공하고, 홉열 주피크는 10℃ 이하의 반가폭을 갖는것인 토너.
  22. 제1항에 있어서, 토너가 저연화점 물질을 11 내지 30 증량% 함유하는 토너 입자 형태인 것인 토너.
  23. 제22항에 있어서, 저연화점 물질이 결합제 수지 100 중량부 당 12 내지 35 중량부로 함유되는 것인 토너.
  24. 제1항에 있어서, 토너가 비자성 시안 토너인 것인 토너.
  25. 제1항에 있어서, 토너가 비자성 마젠타 토너인 것인 토너.
  26. 제1항에 있어서, 토너가 비자성 옐로우 토너인 것인 토너.
  27. 제1항에 있어서, 토너가 비자성 블랙 토너인 것인 토너.
  28. 토너, 현상 슬리브, 현상 슬리브를 압축시키기 위하여 배치된 토너 도포 수단, 및 토너, 현상 슬리브 및토너 도포 수단을 둘러싸는 외장 케이스로 이루어지고: 여기서, 토너는 결합제 수지 100 중량부, 착색제 1 내지 150 중량부 및 저연화점 물질 5 내지 40 중량부로 이루어지고, 80 이상의 비율 (G'60/G'80)을 제공하는 60℃에서의 저장 모듈러스(G'60) 및 80℃에서의 저장 모듈러스 (G'80), 및 0,95 내지 5의 비율 (G'155/G'190)을 제공하는 155℃에서의 저장 모듈러스(G'155) 및 190℃에서의 저장 모듈러스 (G'190)를 갖는 것인, 장치 주어셈불리에 탈착가능하게 장착될 수 있는 장치 유닛.
  29. 제28항에 있어서, 현상 슬리브가 전도성 금속 또는 합금으로 형성된 실린더를 포함하고, 토너 도포 수단이 토너 도포 롤러 및 자성 블레이드를 포함하는 것인 장치 유닛.
  30. 제28항에 있어서, 현상 슬리브가 전도성 금속 또는 합금으로 형성된 실리더를 포함하고, 토너 도포 수단이 복수개의 토너 도포 롤러를 포함하는 것인 장치 유닛.
  31. 제28항에 있어서, 현상 슬리브가 수지 및 전도성 미분이 분산된 표면층으로 피복되는 것인 장치 유닛.
  32. 제28항에 있어서, 토너가 100 내지 400의 비율 (G'60/G'80)을 나타내는 것인 장치 유닛.
  33. 제28항에 있어서, 토너가 150 내지 300의 비율 (G'60/G'80)을 나타내는 것인 장치 유닛.
  34. 제28항에 있어서, 토너가 1 내지 5의 비율 (G'155/G'190)을 나타내는 것인 장치 유닛
  35. 제28항에 있어서, 토너의 190℃에서의 저장 모듈러스 (G'190)가 1 × 103내지 1 × 104dyn/㎠인 것인 장치 유닛.
  36. 제28항에 있어서, 토너가 40 내지 65℃의 온도 범위에서 1 × 109dyn/㎠ 이상의 최대치 (G″max)를 제공하는 손실 모듈러스 곡선을 제공하는 것인 장치 유닛.
  37. 제36항에 있어서, 토너가 1.5 이상의 비율 (G″max/G″40)을 제공하는 40℃에서의 손실 모듈러스 G″40을 나타내는 것인 장치 유닛.
  38. 제28항에 있어서, 결합제 수지가 0.1 내지 20 중량%의 THF-불용물 함량을 갖는 것인 장치 유닛.
  39. 제38항에 있어서, 결합제 수지가 1 내지 15 중량%의 THF-불용물 함량을 갖는 것인 장치 유닛.
  40. 제28항에 있어서, 결합제 수지가 가교결합된 스티렌 공중합체를 포함하고, 저연화점 물질이 40 내지 90℃의 온도 범위에서 흡열 주피크를 나타내는 DSC 흡열 곡선을 제공하는 것인 장치 유닛.
  41. 제28항에 있어서, 결합제 수지가 가교결합된 스티렌 공중합체 및 가교결합되지 않은 폴리에스테르 수지를포함하고, 저연화점 물질이 40 내지 90℃의 온도 범위에서 흉열 주피크를 나타내는 DSC 흡열 곡선을 제공하는 것인 장치유닛
  42. 제28항에 있어서, 결합제 수지가 가교결합된 스티렌 공중합체 및 가교결합된 폴리에스테르 수지를 포함하고, 저연화점 물질이 40 내지 90℃의 온도 범위에서 흡열 주피크를 나타내는 DSC 흡열 곡선을 제공하는 것인 장치 유닛.
  43. 제28항에 있어서, 저연화점 물질이 45 내지 85℃의 온도 범위에서 흡열 주피크를 나타내는 DSC 흡열 곡선을 제공하고, 홉열 주피크는 10℃ 이하의 반가폭을 갖는 것인 장치 유닛.
  44. 제43항에 있어서, 저연화점 물질이 5℃ 이하의 반가폭을 갖는 흡열 주피크를 나타내는 것인 장치 유닛.
  45. 제28항에 있어서, 저연화점 물질이 고상물 왁스를 포함하는 것인 장치 유닛
  46. 제28항에 있어서, 저연화점 물질이 고상물 에스테르 왁스를 포함하는 것인 장치 유닛.
  47. 제28항에 있어서, 저연화점 물질이 45 내지 85℃의 온도 범위에서 흡열 주피크를 나타내는 DSC 흡열 곡선을 제공하는 고상물 에스테르 왁스를 포함하고, 흡열 주피크는 10℃ 이하의 반가폭을 갖는 것인 장치 유닛.
  48. 제47항에 있어서, 고상물 에스테르 왁스가 5℃ 이하의 반가폭을 갖는 흡열 주피크를 나타내는 것인 장치 유닛.
  49. 제28항에 있어서, 저연화점 물질이 40 내지 90℃의 온도 범위에서 흡열 주피크를 나타내는 DSC 흡열 곡선을 제공하는 고상물 폴리메틸렌 왁스를 포함하고, 흡열 주피크는 10℃ 이하의 반가폭을 갖는 것인 장치 유닛.
  50. 제28항에 있어서, 저연화점 물질이 40 내지 90℃의 온도 범위에서 흡열 주피크를 나타내는 DSC 흡열 곡선을 제공하는 고상물 폴리올레핀 왁스를 포함하고, 흡열 주피크는 10℃ 이하의 반가폭을 갖는 것인 장치 유닛.
  51. 제28항에 있어서, 저연화점 물질이 15 내지 100개의 탄소 원자를 갖는 장쇄 알킬 알코을을 포함하고 40내지 90℃의 온도 범위에서 흡열 주피크를 나타내는 DSC 흡열 곡선을 제공하고, 흡열 주피크는 10℃ 이하의 반가폭을 갖는 것인 장치 유닛.
  52. 제28항에 있어서, 토너가 저연화점 물질을 11 내지 30 중량% 함유하는 토너 입자 형태인 것인 장치 유닛.
  53. 제52항에 있어서, 저연화점 물질이 결합제 수지 100 중량부 당 12 내지 35 중량부로 함유되는 것인 장치 유닛.
  54. 제28항에 있어서, 토너가 비자성 시안 토너인 것인 장치 유닛.
  55. 제28항에 있어서, 토너가 비자성 마젠타 토너인 것인 장치 유닛.
  56. 제28항에 있어서, 토너가 비자성 옐로우 토너인 것인 장치 유닛.
  57. 제28항에 있어서, 토너가 비자성 블랙 토너인 것인 장치 유닛.
  58. 화상 담지 부재 상에 정전하상을 형성시키는 단계, 정전하상을 마찰전하를 갖는 토너로 현상시켜 토너상을 형성하는 단계, 토너상을 중간 전사 부재를 통하거나 통하지 않고 전사 재료 상으로 전사시키는 단계, 토너상을 열 및압력의 적용하에 전사 부재 상에 정착시키는 단계로 이루어지고 여기서, 토너는 결합제 수지 100 중량부, 착색제 1 내지150 중량부 및 저연화점 물질 5 내지 40 중량부로 이루어지고, 80 이상의 비율 (G'60/G'80)을 제공하는 60℃에서의 저장 모듈러스 (G'60) 및 80℃에서의 저장 모듈러스 (G'80), 및 0.95 내지 5의 비율 (G'155/G'190)을 제공하는 155℃에서의 저장 모듈러스 (G'155) 및 190℃에서의 저장 모듈러스 (G'190)를 갖는 것인 화상 형성 방법.
  59. 제58항에 있어서, 정전하상은 감광 부재 상에 형성되고, 정전하상은 토너 도포 롤러에 의해 마찰 전기적으로 대전된 토너로 현상되어 감광 부재 상에 토너상을 형성하고, 감광 부재 상의 토너상은 중간 전사 부재 상으로 전사되고, 증간 전사 부재 상의 토너상은 전사 재료 상으로 전사되고, 토너상은 열 및 압력의 적용하에 전사 재료 상에 정착되는 것인 방법.
  60. 제59항에 있어서, 감광 부재는 접촉 대전 수단에 의해 대전된 후, 노출되어 그 위에 정전하상을 형성하는 것인 방법.
  61. 제59항에 있어서, 중간 전사 부재는 전압이 공급되는 드럼 형태이고, 그의 표면은 세정 수단에 의해 세정되는 것인 방법.
  62. 제59항에 있어서, 중간 전사 부재는 전압이 공급되는 드럼 형태이고, 중간 전사 부재 상의 토너상은 전압이 공급되고 전사 재료를 보유하고 전사 재료를 통하여 중간 전사 부재에 대하여 힘을 가하는 전사 벨트의 작용하에 전사재료로 전사되는 것인 방법.
  63. 제59항에 있어서, 중간 전사 부재는 전압이 공급되는 무한 벨트 형태이고, 중간 전사 부재 상의 토너상은전압이 공급되고 중간 전사 부재와 함께 전사 재료를 샌드위칭하도록 전사 재료를 보유하는 전사 롤러의 작용하에 전사재료로 전사되는 것인 방법.
  64. 제59항에 있어서, (a) 제1 정전하상을 감광 부재 상에 형성시키고, 감광 부재 상에 형성된 제1정전하상을옐로우 토너, 시안 토너, 마젠타 토너 및 블랙 토너로 이루어진 군으로부터 선택된 제1 토너로 현상시켜 감광 부재 상에제1 토너상을 형성하고, 제1 토너상을 감광 부재로부터 중간 전사 부재 상으로 전사시키는 단계, (b) 제2 정전하상을 감광부재 상에 형성시키고, 제2 정전하상을 제1 토너와는 상이한 칼라를 갖는 제2 토너로 현상시켜 감광 부재 상에 제2 토너상을 형성시키고, 제2 토너상을 감광 부재로부터 증간 전사 부재로 전사시키는 단계, (c) 제3 정전하상을 감광 부재 상에 형성시키고, 제3 정전하상을 제1 및 제2 토너와는 상이한 칼라를 갖는 제3 토너로 현상시켜 감광 부재 상에 제3 토너상을 형성시키고, 제3 토너상을 감광 부재로부터 중간 전사 부재로 전사시키는 단계, (d) 제4 정전하상을 감광 부재 상에형성시키고, 제4 정전하상을 제1 내지 제3 토너와는 상이한 칼라를 갖는 제4 토너로 현상시켜 감광 부재 상에 제4 토너상을 형성시키고, 제4 토너상을 감광 부재로부터 중간 전사 부재로 전사시키는 단계, (e) 중간 전사 부재 상의 제1 내지 제4 토너상을 전사 재료 상으로 전사시키는 단계, 및 (f) 전사 재료 상의 제1 내지 제4 토너상을 열 및 압력의 적용하에 정착시켜 전사 재료 상에 다색 또는 전색 화상을 형성하는 단계를 포함하는 다색 또는 전색 화상 형성 단계로 이루어진 것인 방법.
  65. 제58항 내지 64항 중 어느 한 항에 있어서, 전사 재료 상의 토너상을 열 및 압력의 적용하에 오프셋 방지액이 도포되지 않은 가열 롤러를 사용하여 정착시키는 것인 방법.
  66. 제65항에 있어서, 가열 롤러는 불소 함유 수지로 표면 피복되는 것인 방법.
  67. 제64항에 있어서, 옐로우 토너, 시안 토너 및 마젠타 토너 각각이 제58항에 기재된 특성을 만족하는 것인 방법.
  68. 제58항에 있어서, 토너가 100 내지 400의 비율 (G'60/G'80)을 나타내는 것인 방법.
  69. 제58항에 있어서, 토너가 150 내지 300의 비율 (G'60/G'80)을 나타내는 것인 방법.
  70. 제58항에 있어서, 토너가 1 내지 5의 비율 (G'155/G'190)을 나타내는 것인 방법.
  71. 제58항에 있어서, 토너의 190℃에서의 저장 모듈러스 (G'190)가 1 × 103내지 1 × 104dyn/㎠인 것인 방법.
  72. 제58항에 있어서, 토너가 40 내지 65℃의 온도 범위에서 1 x 109dyn/㎠ 이상의 최대치 (G″max)를 제공하는 손실 모듈러스 곡선을 제공하는 것인 방법.
  73. 제72항에 있어서, 토너가 1.5 이상의 비율 (G″max/G″40)을 제공하는 40℃에서의 손실 모듈러스 G″40을 나타내는것인 방법.
  74. 제58항에 있어서, 결합제 수지가 0.1 내지 20 중량%의 THF-불용물 함량을 갖는 것인 방법.
  75. 제74항에 있어서, 결합제 수지가 1 내지 15 중량%의 THF-불용물 함량을 갖는 것인 방법.
  76. 제58항에 있어서, 결합제 수지가 가교결합된 스티렌 공둥합체를 포함하고, 저연화점 물질이 40 내지 90℃의 온도 범위에서 흡열 주피크를 나타내는 DSC 흡열 곡선을 제공하는 것인 방법.
  77. 제58항에 있어서, 결합제 수지가 가교결합된 스티렌 공중합체 및 가교결합되지 않은 폴리에스테르 수지를포함하고, 저연화점 물질이 40 내지 90℃의 온도 범위에서 흡열 주피크를 나타내는 DSC흡열 곡선을 제공하는 것인 방법.
  78. 제58항에 있어서, 결함제 수지가 가교결합된 스티렌 공중합체 및 가교결합된 폴리에스테르 수지를 포함하고, 저연화점 물질이 40 내지 90℃의 온도 범위에서 홉열 주피크를 나타내는 DSC 흡열 곡선을 제공하는 것인 방법.
  79. 제58항에 있어서, 저연화점 물질이 45 내지 85℃의 온도 범위에서 흡열 주피크를 나타내는 DSC 흡열 곡선을 제공하고, 홉열 주피크는 10℃ 이하의 반가폭을 갖는 것인 방법.
  80. 제79항에 있어서, 저연화점 물질이 5℃ 이하의 반가폭을 갖는 흡열 주피크를 나타내는 것인 방법.
  81. 제58항에 있어서, 저연화점 물질이 고상물 왁스를 포함하는 것인 방법.
  82. 제58항에 있어서, 저연화점 물질이 고상물 에스테르 왁스를 포함하는 것인 방법.
  83. 제58항에 있어서, 저연화점 물질이 45 내지 85℃의 온도 범위에서 흉열 주피크를 나타내는 DSC 홉열 곡선을 제공하는 고상물 에스테르 왁스를 포함하고, 홉열 주피크는 10℃ 이하의 반가폭을 갖는 것인 방법.
  84. 제83항에 있어서, 고상물 에스테르 왁스가 5℃ 이하의 반가폭을 갖는 흡열 주피크를 나타내는 것인 방법.
  85. 제58항에 있어서, 저연화점 물질이 40 내지 90℃의 온도 범위에서 흡열 주피크를 나타내는 DSC 흡열 곡선을 제공하는 고상물 폴리메틸렌 왁스를 포함하고, 흡열 주피크는 10℃ 이하의 반가폭을 갖는 것인 방법.
  86. 제58항에 있어서, 저연화점 물질이 40 내지 90℃의 온도 범위에서 흡열 주피크를 나타내는 DSC 흡열 곡선을 제공하는 고상물 폴리올레핀 왁스를 포함하고, 흡열 주피크는 10℃ 이하의 반가폭을 갖는 것인 방법.
  87. 제58항에 있어서, 저연화점 물질이 15 내지 100개의 탄소 원자를 갖는 장쇄 알킬 알코올을 포함하고 40내지 90℃의 온도 범위에서 홉열 주피크를 나타내는 DSC 흡열 곡선을 제공하고, 흡열 주피크는 10℃ 이하의 반가폭을 갖는 것인 방법.
  88. 제58항에 있어서, 토너가 저연화점 물질을 11 내지 30 중량% 함유하는 토너 입자 형태인 것인 방법.
  89. 제88항에 있어서, 저연화점 물질이 결합제 수지 100 중량부 당 12 내지 35 중량부로 함유되는 것인 방법.
  90. 제58항에 있어서, 토너가 비자성 시안 토너인 것인 방법.
  91. 제58항에 있어서, 토너가 비자성 마젠타 토너인 것인 방법.
  92. 제58항에 있어서, 토너가 비자성 옐로우 토너인 것인 방법.
  93. 제58항에 있어서, 토너가 비자성 블랙 토너인 것인 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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