KR960042140A - 액정기판의 다결정실리콘층 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액정기판의 다결정실리콘층 제조방법에 관한 것으로서, 액정기판상에 산화막과 비정질 실리콘층을 순차적으로 형성하고, 상기 비정질 실리콘층 상에 단결정 실리콘 가루들을 살포한 후, 상기 구조의 액정기판을 예정된 조건에서 열처리하여 상기 비정질 실리콘층을 다결정화시켜 다결정 실리콘층을 형성하였으므로, 열처리 온도 및 시간이 감소되어 공정수율이 형상되며, 다결정실리콘층의 막질이 향상되어 소자 동작의 신뢰성이 향상되고, 기판으로 열에 약한 유리 기판을 사용할 수 있어 제조 단가가 절감된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따라 다결정실리콘층이 형성된 액정기판의 단면도.
Claims (7)
- 액정기판상에 산화막을 형성하는 공정과, 상기 산화막상에 비정질 실리콘층을 형성하는 공정과, 상기 비정질 실리콘층상에 일정한 분포로 단결정 실리콘 가루를 뿌리는 공정과, 상기 구조의 액정기판을 예정된 조건에서 열처리하여 상기 비정질 실리콘층을 다결정실리콘층으로 결정화하는 공정을 구비하는 액정기판의 다결정실리콘층 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 액정기판을 석영 또는 유리 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 액정기판의 다결정실리콘층 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막을 100∼2000A 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정기판의 다결정실리콘층 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 비정질 실리콘층을 500∼5000A 정도의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정기판의 다결정실리콘층 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 단결정 실리콘 가루를 1㎤당 100∼10000개의 밀도로 살포하는 것을 특징으로 하는 액정기판의 다결정실리콘층 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 단결정실리콘가루를 50∼500㎛ 크기로 사용하는 것을 특징으로 하는 액정기판의 다결정실리콘층 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 열처리 조건을 1∼100 시간을 300∼600℃ 온도에서 실시하는 것을 특징으로 하는 액정기판의 다결정실리콘층 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950014167A KR960042140A (ko) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 액정기판의 다결정실리콘층 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950014167A KR960042140A (ko) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 액정기판의 다결정실리콘층 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960042140A true KR960042140A (ko) | 1996-12-21 |
Family
ID=66525829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950014167A KR960042140A (ko) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 액정기판의 다결정실리콘층 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960042140A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100687342B1 (ko) * | 2003-12-29 | 2007-02-27 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 단결정 실리콘 형성방법 |
| KR101024080B1 (ko) * | 2008-07-31 | 2011-03-22 | 포항공과대학교 산학협력단 | 단결정 실리콘 나노와이어를 템플레이트로 이용한 다결정실리콘 박막과 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법 |
-
1995
- 1995-05-31 KR KR1019950014167A patent/KR960042140A/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100687342B1 (ko) * | 2003-12-29 | 2007-02-27 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 단결정 실리콘 형성방법 |
| KR101024080B1 (ko) * | 2008-07-31 | 2011-03-22 | 포항공과대학교 산학협력단 | 단결정 실리콘 나노와이어를 템플레이트로 이용한 다결정실리콘 박막과 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법 |
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