KR960036137A - 반도체장치 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

절연성을 갖는 기판상에 형성된, 결정성을 갖는 실리콘 반도체 박막을 이용한 활성영역을 구비하는 반도체장치의 제조방법이 개시된다. 결정성 실리콘 반도체막은, 하층 비정길 실리콘 반도체막에 결정화를 촉진하는 촉매원소를 도입한 후에 가열처리함으로써 얻어진다. 또한, 그 후에, 얻어진 하층 결정설 실리콘 반도체막상에 비정질 실리콘 반도체막을 제공하여 가열처리를 실시하고, 상층 결정성 실리콘 반도체막을 얻는다. 이 상층 결정성 실리콘 반도체막을 그 후에 제거된다. 이공정에 의해, 하층 결정성 실리콘 반도체막에 잔류를 촉매원소가 상층 경정성 실리콘 반도체막내로 이동하여, 하층 결정성 실리콘 반도체막중의 촉매원소의 농도가 감소된다.

Description

반도체 장치 및 그의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 있어서의 반도체장치의 제조방법의 1공정을 도시한단면도이다.

Claims (17)

  1. 결정성을 갖는 실리콘 반도체 박막을 이용하여 얻어지는 활성영역을 구비하는 반도체장치의 제조방법으로서, 상기 방법은, 하층 비정실 실리콘 반도체막의 적어도 일부의 소정영역에 그의 결정화를 촉진하는 촉매원소를 도입하고, 그 후에 제1 가열처리를 행하여 상기 하층 비정질 실리콘 반도체막을 결정화시켜 주상결정으로 이루어지는 하층 결정성 실리콘 반도체막을 형성하고, 그 후에 상기 하층 결정성 실리콘 반도체막상에 상층 비정질 실리콘 반도체막을 형성하여, 이에 제2 가열처리를 실시하고 결정화시켜 상층 결정성 실리콘 반도체막을 형성하는 공정을 포함하며 상기 제2 가열처리에 의해 상기 하층 결정성 실리콘 반도체막중의 촉매원소의 농도를 감소시켜, 상기 하층 결정성 실리콘 반도체막을 개질시키고, 이 개질된 하층 결정성 실리콘 반도체막을 활성영역의 형성에 사용하는 반도체장치의 제조방법
  2. 제1항에 있어서, 상기 상층 결정성 실리콘 반도체막을 제거하는 공정을 더 포함하는 반도체 장치의 제조방법
  3. 제1항에 있어서, 상기 촉매원소를 상기 하층 비정질 실리콘 반도체막의 상기 소정의 영역에 선택적으로 도입하여 상기 하층 비정질 실리콘 반도체막의 결정화를 상기 소정 영역으로부터 그 주변의 영역을 향해 진행시키는 반도체 장치의 제조방법
  4. 제1항에 있어서, 상기 촉매원소를 상기 하층 비정질 실리콘 반도체막의 전면(全面)에 도입하는 반도체장치의 제조방법
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2가열처리의 온도를 상기 제1 가열처리의 온도와 같거나 또는 이보다 높게 설정하는 반도체 장치의 제조방법
  6. 제1항에 있어서, 상기 제2가열처리의 온도를 약 520℃내지 약 600℃의 범위내에 설정하는 반도체 장치의 제조방법
  7. 제1항에 있어서, 상기 촉매원소가, 실질적으로 니켈,코발트,팔라듐,백금,동,은,금,인듐,주석,알루미늄 및 안티몬으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 원소인 반도체장치의 제조방법
  8. 결정성을 갖는 실리콘 반도체 박막을 이용하여 얻어지는 활성영역을 구비하는 반도체장치의 제조방법으로서, 상기 방법은, 기판상에 제1비정질 실리콘 반도체막의 적어도 일부의 소정 영역에 상기 제1비정질 실리콘 반도체막의 결정화를 촉진하는 촉매원소를 도입하는 공정;제1 가열처리를 행하여 상기 제1비정질실리콘 반도체막을 결정화 시켜 제1 결정성 실리콘 반도체막을 형성하는 공정; 상기 제1결정성 실리콘 반도체막상에 제2 비정질 실리콘 반도체막을 형성하는 공정; 제2가열처리를 행하여 상기 제2 비정질 실리콘 반도체막을 결정화시켜 제2 결정성 실리콘 반도체막을 형성하고, 동시에 상기 제1 결정성 실리콘 반도체막에 있어서의 촉매원소의 농도를 감소시켜 상기 제1결정성 실리콘 반도체막을 이용하여 활성영역을 형성하는 공정을 포함하는 반도체장치의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제2결정성 실리콘 반도체막을 제거하는 공정을 더 포함하는 반도체장치의 제조방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 촉매원소를 상기 제1 비정질 실리콘 반도체막의 소정 영역에 선택적으로 도입하여, 상기 제1 비정질 실리콘 반도체막의 결정화를 상기 소정 영역으로부터 그의 주변 영역을 향해 진행시키는 반도체장치의 제조방법
  11. 제8항에 있어서, 상기 촉매원소를 상기 제1 비정질 실리콘 반도체막의 전면(全面)에 도입하는 반도체장치의 제조방법
  12. 제8항에 있어서, 상기 제2 가열처리의 온도를 상기 제1 가열처리의 온도와 같거나 또는 이보다 높게 설정하는 반도체장치의 제조방법
  13. 제8항에 있어서, 상기 제2가열처리의 온도를 약 520℃내지 약 600℃의 범위에 설정하는 반도체장치의 제조방법
  14. 제8항에 있어서, 상기 촉매원소가. 실질적으로 니켈,코발트,팔라듐,백금,동,은,금,인듐,주석,알루미늄 및 안티몬으로 이루어지는 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 원소인 반도체장치의 제조방법
  15. 결정성 실리콘 반도체막을 이용하여 얻어지는 활성영역을 구비하며, 상기 실리콘 반도체 박막의 결정화를 위한 촉매원소의 농도가 1×1014atoms/㎠내지 5×1017atoms/㎠의 범위내에 있는 반도체장치
  16. 제15항에 있어서, 상기 촉매원소는 상기 결정성 실리콘 반도체막을 얻기 위해 제1 가열처리에 있어서의 결정화를 촉진하기 위해 도입되고 후속되는 제2 가열처리에 의해 상기 촉매원소의 농도가 상기 범위내로 감소되도록 하는 반도체장치
  17. 제15항에 있어서, 상기 촉매원소가, 실질적으로 니켈,코발트,팔라듐,백금,동,은,금,인듐,주석,알루미늄 및 안티몬으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 원소인 반도체장치
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100889509B1 (ko) * 2001-07-10 2009-03-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 및 그 제작방법

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE43450E1 (en) 1994-09-29 2012-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating semiconductor thin film
JP4056571B2 (ja) 1995-08-02 2008-03-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6331457B1 (en) 1997-01-24 2001-12-18 Semiconductor Energy Laboratory., Ltd. Co. Method for manufacturing a semiconductor thin film
JP3240258B2 (ja) * 1996-03-21 2001-12-17 シャープ株式会社 半導体装置、薄膜トランジスタ及びその製造方法、ならびに液晶表示装置及びその製造方法
US6287900B1 (en) * 1996-08-13 2001-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor device with catalyst addition and removal
JP3983334B2 (ja) * 1997-02-20 2007-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3830623B2 (ja) * 1997-07-14 2006-10-04 株式会社半導体エネルギー研究所 結晶性半導体膜の作製方法
JP3754184B2 (ja) * 1997-07-16 2006-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタを備えたフラットパネルディスプレイの作製方法
US6303945B1 (en) * 1998-03-16 2001-10-16 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor element having microcrystalline semiconductor material
KR100542304B1 (ko) * 1998-10-27 2006-04-06 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정 표시 장치-박막 트랜지스터의 제조방법
JP3911971B2 (ja) * 1999-09-08 2007-05-09 松下電器産業株式会社 シリコン薄膜、薄膜トランジスタおよびシリコン薄膜の製造方法
JP4495805B2 (ja) * 1999-09-29 2010-07-07 株式会社東芝 結晶性半導体薄膜とその製造方法、および薄膜トランジスタとその製造方法
US6462568B1 (en) * 2000-08-31 2002-10-08 Micron Technology, Inc. Conductive polymer contact system and test method for semiconductor components
US7045444B2 (en) * 2000-12-19 2006-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device that includes selectively adding a noble gas element
US6858480B2 (en) * 2001-01-18 2005-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
TW586141B (en) * 2001-01-19 2004-05-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
US7115453B2 (en) * 2001-01-29 2006-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US6770518B2 (en) * 2001-01-29 2004-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
JP2002231627A (ja) * 2001-01-30 2002-08-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置の作製方法
US7141822B2 (en) * 2001-02-09 2006-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP4993810B2 (ja) * 2001-02-16 2012-08-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
SG114529A1 (en) * 2001-02-23 2005-09-28 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
US7052943B2 (en) * 2001-03-16 2006-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
JP4718700B2 (ja) 2001-03-16 2011-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7118780B2 (en) 2001-03-16 2006-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Heat treatment method
JP3908475B2 (ja) * 2001-03-26 2007-04-25 株式会社半導体エネルギー研究所 結晶性珪素膜の作製方法
US6812081B2 (en) * 2001-03-26 2004-11-02 Semiconductor Energy Laboratory Co.,.Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US6743700B2 (en) 2001-06-01 2004-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor film, semiconductor device and method of their production
KR100876927B1 (ko) * 2001-06-01 2009-01-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 열처리장치 및 열처리방법
TW541584B (en) * 2001-06-01 2003-07-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor film, semiconductor device and method for manufacturing same
US7199027B2 (en) * 2001-07-10 2007-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor film by plasma CVD using a noble gas and nitrogen
JP4056720B2 (ja) * 2001-08-30 2008-03-05 株式会社半導体エネルギー研究所 結晶質半導体膜の作製方法
JP5072157B2 (ja) * 2001-09-27 2012-11-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7374976B2 (en) * 2002-11-22 2008-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating thin film transistor
CN100436310C (zh) * 2005-07-13 2008-11-26 清华大学 碳纳米管阵列制作方法
JP4176798B2 (ja) * 2006-12-04 2008-11-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体素子の作製方法
JP4445524B2 (ja) * 2007-06-26 2010-04-07 株式会社東芝 半導体記憶装置の製造方法
KR100994236B1 (ko) 2009-05-22 2010-11-12 노코드 주식회사 다결정 실리콘 박막의 제조방법
KR101057147B1 (ko) 2010-03-23 2011-08-16 노코드 주식회사 다결정 실리콘 박막의 제조방법

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW226478B (en) * 1992-12-04 1994-07-11 Semiconductor Energy Res Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the same
EP0612102B1 (en) * 1993-02-15 2001-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for the fabrication of a crystallised semiconductor layer
JP3562588B2 (ja) * 1993-02-15 2004-09-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
JPH06244103A (ja) * 1993-02-15 1994-09-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体の製造方法
US5624851A (en) * 1993-03-12 1997-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process of fabricating a semiconductor device in which one portion of an amorphous silicon film is thermally crystallized and another portion is laser crystallized
US5569936A (en) * 1993-03-12 1996-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device employing crystallization catalyst
TW241377B (ko) * 1993-03-12 1995-02-21 Semiconductor Energy Res Co Ltd
US5501989A (en) * 1993-03-22 1996-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making semiconductor device/circuit having at least partially crystallized semiconductor layer
JP2975973B2 (ja) * 1993-08-10 1999-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP2762215B2 (ja) * 1993-08-12 1998-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタおよび半導体装置の作製方法
JP3562590B2 (ja) * 1993-12-01 2004-09-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置作製方法
TW279275B (ko) * 1993-12-27 1996-06-21 Sharp Kk
JP3378078B2 (ja) * 1994-02-23 2003-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3192546B2 (ja) * 1994-04-15 2001-07-30 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
TW374247B (en) * 1994-09-15 1999-11-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method of fabricating semiconductor device
JP4083821B2 (ja) * 1994-09-15 2008-04-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US5789284A (en) * 1994-09-29 1998-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating semiconductor thin film
US5756364A (en) * 1994-11-29 1998-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing method of semiconductor device using a catalyst
US5869389A (en) * 1996-01-18 1999-02-09 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing method of providing a doped polysilicon layer
US5940693A (en) * 1997-07-15 1999-08-17 Sharp Laboratories Of America, Inc. Selective silicide thin-film transistor and method for same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100889509B1 (ko) * 2001-07-10 2009-03-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 및 그 제작방법

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