KR960039336A - 커패시터 및 이를 이용한 저전압 발생회로 - Google Patents
커패시터 및 이를 이용한 저전압 발생회로 Download PDFInfo
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- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
Abstract
신규한 커패시터 및 이를 이용한 저전압 발생회로가 개시되어 있다. 본 발명에 의한 커패시터는, 절연 외곽 엣지를 두고 두개의 전계필드 트랜지스터 위에 형성된 하부 전극 플레이트, 상기 하부 전극 상에 형성된 유전층, 상기 유전층 상에 형성되고 절연 외곽 엣지를 갖는 상부 전극 플레이트, 및 두개의 표면을 갖는 도전층 부위를 구비한다. 상기 도전층 부위에서 두개의 표면 중의 하나는 상기 도전층 부위의 전체 표면을 따라 상기 하부 또는 상부 전극 플레이트에 전기적으로 접촉하며, 상기 하부 및 상부 전극 플레이트와 유전체층은 연속적인 하지층 패턴에 의해 유사하에 유도된 적어도 하나의 돌기부를 갖는다. 높은 [커패시턴스/칩 면적]의 비율 및 낮은 기생 저항을 얻을 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 및 제2도는 본 발명의 일실시예에 의한 커패시터의 평면도 및 단면도.
Claims (7)
- 반도체 집적회로의 커패시터에 있어서, 상기 커패시터는, 절연 외곽 엣지를 갖고, 각각이 게이트, 소오스 및 드레인으로 이루어진 제1 및 제2 전계필드 트랜지스터 위에 형성된 하부 전극 플레이트; 상기 하부 전극 상에 형성된 유전층; 상기 유전층 상에 형성되고, 절연 외곽 엣지를 갖는 상부 전극 플레이트; 및 두개의 표면을 갖는 도전층 부위를 구비하며, 상기 도전층 부위에서 두개의 표면 중의 하나는 상기 도전층 부위의 전체 표면을 따라 상기 하부 또는 상부 전극 플레이트의 어느 하나에 전기적으로 접촉하며, 상기 하부 및 상부 전극 플레이트와 유전체층은 연속적인 하지층 패턴에 의해 유도된 적어도 하나의 돌기부를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 커패시터.
- 제1항에 있어서, 상기 하부 전극 플레이트는 상기 제1 필드전계 트랜지스터의 소오스 또는 드레인에 접속되고, 상기 상부 전극 플레이트는 상기 제2 필드전계 트랜지스터의 소오스 또는 드레인에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 커패시터.
- 제1항에 있어서, 상기 유전체층는 박판 모양의 T2O5/TiO2층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 커패시터.
- 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성되고, 적어도 하나의 박판 모양의 탄탈륨펜트옥사이드/티타늄산화층을 갖는 유전체층; 및 상기 유전체층 상에 형성된 제2 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 커패시터.
- 반도체 집적히로에 사용되는 저전압 발생회로에 있어서, 상기 저전압 발생회로는, 부하 전류를 통해 통과하고 그 하부에 위치한 확산영역에 접속되며, 하부 전극 플레이트, 유전체층, 상부 전극 플레이트, 및 상기 하부 또는 상부 전극 플레이트에 전기적으로 접촉되는 평행 도전층으로 이루어진 빌트-인(built-in) 커패시터를 구비하며, 상기 커패시터의 하부 및 상부 전극 플레이트와 유전체층은 연속적인 하지층 패턴에 의해 유사하게 유도된 적어도 하나의 돌기부를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 저전압 발생회로.
- 제5항에 있어서, 상기 커패시터의 하부 및 상부 전극 플레이트는 그 외곽 엣지가 절연되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 저전압 발생회로.
- 제5항에 있어서, 상기 커패시터의 유전체층은 적어도 하나의 박판 모양의 탄탈륨펜트옥사이드/티타늄산화층을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 저전압 발생회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950009795A KR0161405B1 (ko) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 커패시터 및 이를 이용한 저전압 발생회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950009795A KR0161405B1 (ko) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 커패시터 및 이를 이용한 저전압 발생회로 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960039336A true KR960039336A (ko) | 1996-11-25 |
| KR0161405B1 KR0161405B1 (ko) | 1998-12-01 |
Family
ID=19412908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950009795A KR0161405B1 (ko) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 커패시터 및 이를 이용한 저전압 발생회로 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0161405B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980060512A (ko) * | 1996-12-31 | 1998-10-07 | 김영환 | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 |
| KR100947923B1 (ko) * | 2007-11-16 | 2010-03-15 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 캐패시터 및 그 형성 방법 |
-
1995
- 1995-04-25 KR KR1019950009795A patent/KR0161405B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980060512A (ko) * | 1996-12-31 | 1998-10-07 | 김영환 | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 |
| KR100947923B1 (ko) * | 2007-11-16 | 2010-03-15 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 캐패시터 및 그 형성 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0161405B1 (ko) | 1998-12-01 |
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