KR960032091A - 서브마이크로미터 구조를 갖는 성긴 어레이의 리소그래피용 방법 및 장치 - Google Patents

서브마이크로미터 구조를 갖는 성긴 어레이의 리소그래피용 방법 및 장치 Download PDF

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KR960032091A
KR960032091A KR1019960004542A KR19960004542A KR960032091A KR 960032091 A KR960032091 A KR 960032091A KR 1019960004542 A KR1019960004542 A KR 1019960004542A KR 19960004542 A KR19960004542 A KR 19960004542A KR 960032091 A KR960032091 A KR 960032091A
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스티븐 알. 제이. 브루에크
지알롱 쳉
살렝 자이디
다니엘 제이 데비네
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에너벨 귄타나
유니버시티 오브 뉴 멕시코
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Abstract

층이진 재료 상부의 감광제층에 라인: 스페이스 비가 1:3이상인 성긴 홀 및/또는 메사 어레이와 서브마이크로미터의 크기를 갖는 홀 및/또는 메사 어레이에 대한 노출 방법과 노출 장치를 제시하였다.
상기 방법은; 각각의 단일 주기 노출 쌍이 최대로 중첩되는 면적 부근에서만 세척 노즐 양을 받아들이는 이중 노출 간섭식 리소그래피 쌍과, 제1단일 주기 간섭식 리소그래피 노출쌍으로부터 중간 마스크층과 제2단일 주기 간섭식 리소그래피 노출쌍으로 전달하여 제1홀 어레이의 서브세트를 선택하는 부가적인 처리 단계를 갖는 이중 간섭식 리소그래피 노출쌍과, 초래된 조밀한 홀 어레이를 중간 에칭 마스크로 전달하는 단일 주기 간섭식 노출쌍 및 성긴 어레이를 형성하기 위한 초기 어레이의 서브세트를 선택하는 광학 리소그래피 노출로 이루어진 조밀한 서브마이크로미터 홀 어레이를 형성하기 위한 단일 주기 간섭식 리소그래피 노출쌍의 이중 노출과 양 노출이 최대가 되는 지점 부근의 홀만이 세척량을 받아들이는 광학 리소그래피 노출과, 광학 노출 단계와 노출 패턴을 중간 마스크 층으로 전달하는 단계와 단일 주기 간섭식 리소그래피 노출쌍의 조합과, 서브마이크로미터 크기의 성긴 홀 어레이를 형성하는 3빔 간섭식 노출 쌍과, 단일 노출에서 서브마이크미터 크기의 성긴 홀 어레이를 형성하는 5빔 및 4빔 간섭식 노출 방법으로 이루어진다. 본 장치는 3빔, 5빔, 및 4빔 간섭식 노출을 위한 장치로 이루어진다.

Description

서브마이크로미터 구조를 갖는 성긴 어레이의 리소그래피용 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 초미세 주기 노출쌍에 대응하는 가상 라인 세트의 모든 교차부의 매트릭스의 서브세트에 홀들의 성긴 어레이를 형성하기 위한 두 개의 노출 쌍 시퀀스를 나타내는 개략도.
제6도는 5개의 상이한 노출 패턴에 의해 측정된 레지스트 프로파일.
내용 없음

Claims (41)

  1. 리소그래피 처리시에, 기판상에 중착된 소정의 감광제층에 서브마이크로미터 크기의 홀 어레이를 제조하는 방법에 있어서, 상기 서브마이크로미터 크기의 홀 어레이는 상기 감광제 층상의 소정 가상 매트릭스 교차선의 전체 교차점에 의하여 세트로 형성된 소정 부분에 형성되며, 상기 소정 가상 매트릭스는 상기 기판면에서 소정 방향으로 향하는 제1세트의 가상 평행선과 상기 제1세트에 대하여 상기 기판면내에서 ψ의 각 만큼 회전한 제2세트의 가상 평행서능로 이루어지며, 상기 소정 감광제는 소정의 파장 범위내의 소정 광선에 노출되는 경우에 현상되어 소정 부식액에 대하여 마스크로서의 기능을 하지 못하며, 상기 감광제 층을 상기 소정 범위내의 파장을 갖는 광선으로 전체 패턴에 노출시키는 관계로서, 상기 전체 패턴은 상기 부분을 형성하는 상기 가상 매트릭스의 교차부와 그외의 교차부를 포함하는 상기 매트릭스의 교차선에 대응하며, 상기 소정 교차부 부근에 있는 감광제만이 상기 소정 범위내의 파장을 갖는 광선에 소정 양을 받아들이는 단계(a)와, 사익 부식액에 대하여 각각의 상기 소정 교차부 부근의 감광제가 마스크로서의 기능을 하지 못하도록 상기 감광제 층을 현상하는 단계(b)와, 상기 부식액으로 상기 감광제 층을 에칭하여 상기 소정 교차부내에서 서브마이크로미터의 크기를 갖는 홀 어레이를 상기 기판으로 전달하는 단계(c)와, 상기 기판으로부터 잔존하는 상기 감광제를 제거하는 단계(d)로 이루어지는 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 소정 광선의 전체 패턴은 각도ψ로 상호 교차하는 제1피치를 갖는 제1레이저 간섭 서브패턴의 제1쌍을 하나이상을 포함하며, 상기 서브패턴 각각은 상기 기판면에 수직한 방향으로 +Θ 및 -Θ의 동일한 각도로 상기 포토레지스트 층상에 입사되는 두 개의 코히어런트 레이저 빔간의 간섭에 의하여 형성됨을 특징으로 하는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 소정 광선의 전체 패턴은 각도ψ로 상호 교차하는 제2피치를 갖는 제2레이저 간섭서브패턴의 제2쌍을 포함하며, 상기 제2피치는 상기 제1피치의 제수 또는 정수배이고, 상기 제2서브패턴은 상기 제1서브패턴과 동상으로 정렬되며, 상기 포토레지스트를 상기 제1 및 제2간섭 패턴이 최대로 일치하는 영역에서만 소정양의 상기 광선에 노출시킴을 특징으로 하는 방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 소정 광선의 전체 패턴은 마스크를 사용하는 광학 리소그래피에 의하여 상기 광감제층을 노출시키는 단계와 각도ψ로 상호 교차하는 제1피치를 갖는 레이저 간섭 서브패턴의 제1쌍에 상기 광감제층을 노출시키는 단계를 포함하며, 상기 서브패턴 각각은 상기 기판면에 수직한 방향으로 +Θ 및 -Θ의 동일한 각도로 상기 포토레지스트 층상에 입사되는 두 개의 코히어런트 레이저 빔간의 간섭에 의하여 형성되고, 상기 마스크는 상기 제1피치의 정수배인 제2피치를 갖는 도트 배열의 노출 패턴을 형성하게 되는 구멍의 배열로 이루어지며 상기 제1서브패턴의 교차점에 대하여 정렬되고, 상기 포토레지스트를 상기 교차점의 제1서브패턴과 홀이 중첩되는 상기 배열 영역에서만 소정양의 상기 광선에 노출시킴을 특징으로 하는 방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기 소정 광선의 전체 패턴은 한쌍의 간섭 패턴에 상기 포토레지스트 층을 노출시키는 단계를 포함하며, 각각의 상기 간섭 패턴은 동기화된 세 개의 레이저 빔에 의하여 형성되며, 상기 레이저 빔중외 두 개는 상기 기판면에 수직한 방향으로 +θ 및 -θ의 동일한 각도로 상기 포토레지스트 층상에 입사되고, 나머지 하나의 빔은 상기 기판면에 수직한 방향으로 입사되며, 상기 레이저 간섭 패턴 쌍을 상기 기판면에서 ψ의 각으로 상호교차 시킴을 특징으로 하는 방법.
  6. 제3항에 있어서, 상기 소정 광선의 전체 패턴은 동기화된 5개의 레이저 빔에 의하여 형성된 단일 간섭 패턴에 상기 포토레지스트 층을 동시에 노출시키는 단계를 포함하며, 상기 레이저 빔중의 제1쌍은 상기 기판면에 수직한 방향으로 +θ 및 -θ 의 동일한 각도로 상기 포토레지스트 층상에 입사되고, 상기 레이저 빔중의 제2쌍은 상기 기판면에 수직한 방향으로 +θ 및 -θ의 동일한 각도로 상기 포토레지스트 층상에 입사되고 상기면은 상기 레이저 빔중의 제1쌍의 두 개의 입사 웨이브벡터에 의하여 정의되는 면으로부터 상기 포토레지스터층 면에 수직한 방향에 대하여 ψ의 각만큼 회전한 상기 제2쌍의 레이저 빔의 두 개의 입사 웨이브벡터에 의하여 정의되며, 다섯 번째의 상기 레이저 빔은 상기 기판면에 수직한 방향으로 입사되며, 상기 레이저 간섭 패턴쌍을 상기 기판면에서 ψ의 각으로 상호교차 시킴을 특징으로 하는 방법.
  7. 제3항에 있어서, 상기 소정 광선의 전체 패턴은 동기화된 4개의 레이저 빔에 의하여 형성된 단일 간섭 패턴에 상기 포토레지스트 층을 동시에 노출시키는 단계를 포함하며, 상기 레이저 빔중의 제1쌍은 상기 기판면에 수직한 방향으로 +θ 및 -θ 의 동일한 각도로 상기 포토레지스트 층상에 입사되고, 상기 레이저 빔중의 제2쌍은 상기 기판 면에 수직한 방향으로 +θ 및 -θ 의 동일한 각도로 상기 포토레지스트 층상에 입사되고 상기 면은 상기 레이저 빔중의 제1쌍의 두 개의 입사 웨이브벡터에 의하여 정의되는 면으로부터 상기 포토레지스터 층 면에 수직한 방향에 대하여 ψ의 각만큼 회전한 상기 제2쌍의 레이저 빔의 두 개의 입사 웨이브벡터에 의하여 정의되며, 사익 레이저 간섭 패턴 쌍을 상기 기판면에서의 ψ의 각으로 상호교차시킴을 특징으로 하는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 단계(a)의 상기 모든 감광제를, 상기 소정 교차점으로부터 멀리떨어진 작은 면적을 제외한 나머지 면적에, 상기 소정 광선의 소정량에 노출시켜 상기 방법을 수행한 후에 상기 기판에 서브마이크로미터의 메사를 남기도록 하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 마이크로일렉트로닉 처리시에, 간섭식 리소그래피를 사용하여, 적어도 초기 기판과 중간 마스크 필름층과 상부층의 감광제로 이루어지는 층으로 형성된 재료의 표면에 서브마이크로미터 홀의 성긴 어레이를 만드는 방법으로서, 제1영역의 상기 감광 층을 제1피치의 제1레이저 간섭 패턴에 노출시키는 단계(a)와, 상기 층이진 재료의 상부 표면과 수직한 축에 대하여 상기 층이진 재료 또는 상기 제1간섭 패턴을 회전시켜 상기 표면의 제2위치를 설정하는 단계(b)와, 상기 감광제를 또다시 상기 제2위치내의 상기 제1간섭 패턴에 노출시켜 상기 모든 노출의 최대점이 상기 감광제 층의 세척량보다 더 많아지는 지점 부근에 상기 두 번의 노출이 영향을 미치게 함으로서, 현상시에 서브마이크로미터 홀의 제1어레이를 형성할 수 있는 노출을 결정하는 단계(c)와, 상기 감광제 층내에 서브마이크로미터 크기의 홀 어레이를 형성하기 위하여 상기 감광제를 현상하는 단계(d)와, 상기 상부의 감광 층을 제1마스크로 사용하여 상기 서브마이크로미터 크기의 홀 어레이를 상기 중간 마스크 필름에 전달하는 단계(e)와, 상기 전달 단계호에 잔존하는 상기 상부 감광층을 제거하는 단계(f)와, 상기 층이진 재료를 제2층의 감광제로 재코팅하는 단계(g)와, 상기 제1피치의 정수배인 제2피치를 갖는 제2쌍의 간섭패턴을 사용하여 상기 층이진 재료에 대하여 단계(a), (b), (c) 및 (d)를 반복하는 단계로서, 제2홀 어레이는 상기 제2의 감광제 층에서 정의되며, 상기 제2홀 어레이의 홀은 서브마이크로미터 크기인 제1홀 어레이의 홀보다 더크며 또한 서브마이크로미터 크기인 상기 제1홀 어레이의 홀 부분과 정렬되는 단계(h)와, 상기 중간 마스크 필름층내에서 서브마이크로미터 크기의 상기 제1홀 어레이 및 상기 제2감광제내의 상기 제2홀 어레이로 이루어지는 마스크를 조합하여 사용함으로서, 상기 제1 및 제2홀 어레이의 부분을 상기 중간 마스크 필름 아래의 상기 층이진 재료내에 전달하여 상기 중간 마스크 필름 아래의 상기 층이진 재료내에 서브마이크로미터 크기의 성긴 홀 어레이를 형성하는 단계(i)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제2위치를 마련하기 위한 단계(b)의 회전은 상기 제1위치에 수직인 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제9항에 있어서, 단계(h)의 제2홀 패턴은 광학 리소그래피를 사용하여 제2홀 어레이에 상기 제2의 감광제층을 노출시켜 생성되며, 상기 제2홀 어레이의 직경은 서브마이크로미터의 홀을 갖는 상기 제1어레이의 직경보다 더 크며 상기 제1피치의 정수배인 제2피치를 가지며 서브마이크로미터의 홀을 갖는 상기 제1어레이 부분과 정렬되고, 상기 광학 리소그래피 노출은 세척량을 생성하는데 지대한 영향을 미침을 특징으로 하는 방법.
  12. 마이크로일렉트로닉 처리시에, 간섭식 리소그래피를 사용하여, 기판 표면 상부의 감광제 층에 서브마이크로미터 크기의 성기 홀 어레이를 제조하는 방법으로서, 제1영역의 상기 감광제를, 제1피치에 수직한 표면에 대하여 대칭적인 각도로 상기 감광제에 입사하는 두 개의 레이저 빔에 의하여 형성된, 제1레이저 간섭 패턴에 노출시키는 단계(a)와, 상기 제1피치의 정수배인 제2피치에서 상기 제1패턴과 동위상으로 배열된 제2레이저 간섭 패턴에 상기 감광제를 노출시키는 단계(b)와, 상기 기판에 수직한 축에 대하여 상기 기판 또는 제1 및 제2간섭 패턴이 회전하는, 상기 감광제의 제2위치를 설정하는 단계(c)와, 상기 제2위치내의 상기 기판에 대하여 단계(a), (b)를 반복하여 모든 상기 노출의 일치가 최대가 되는 지점 부근에서 네 번 노출되는 조합된 플루언스만이 상기 감광제에 필요한 세척량보다 더 많이 첨가되며, 따라서 상기 감광제 층의 현상시에 성기 홀 어레이가 형성되는 단계(d)로 이루어짐을 특징으로 하는 제조방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 네 번 노출중의 세 개중에서 최대한의 조합된 플루언스는 세척량이하인 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 제2위치를 설정하기 위한 단계(c)의 회전은 상기 제1위치에 대하여 수직임을 특징으로 하는 제조 방법.
  15. 마이크로일렉트로닉 처리시에, 서브마이크로미터 크기의 홀을 형성하는 간섭식 리소그래피와 더 큰 홀을 형성하기 위한 광학 리소그래피를 조합하여, 기판 표면 상부의 감광제 층에 서브마이크로미터 크기의 성긴 홀 어레이를 제조하는 방법으로서, 제1위치의 상기 감광제 층을 제1피치의 제1레이저 간섭 패턴에 노출시키는 단계(a)와, 상기 기판에 수직한 축에 대하여 상기 기판 또는 상기 제1간섭 패턴이 회전되는, 상기 기판의 제2위치를 설정하는 단계(b)와, 상기 감광제 층을 또다시 상기 제2위치내의 상기 제1간섭 패턴에 노출시키는 단계(c)와, 상기 감광제 층을 광학 리소그래피에 의하여 형성된 보다 큰 제2홀 어레이에 노출시키는 단계로서,상기 제2홀 어레이는 상기 제1피치의 정수배인 제2피치를 가지며, 상기 제2홀 어레이는는 서브마이크로미터의 크기를 갖는 상기 제1홀 어레이와 정렬되며, 상기 광학 리소그래피 노출과 제1간섭 패턴 노출시의 상기 한쌍이 최대가 되는 지점의 조합된 플루언스만이 보다 많은 세척량이 더해지며, 따라서 상기 감광제의 현상시에 서브마이크로미터 크기를 갖는 성긴 홀 어레이를 생성시키는 단계(d)로 이루어짐을 특징으로 하는 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 단계(d)에서 광학 리소그래피를 사용한 노출 순서는 단계(a), (b) 및 (c)에서 간섭식 리소그래피를 사용한 노출 순서와 반대가 됨을 특징으로 하는 제조 방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 제2위치를 설정하기 위한 단계(b)의 회전은 상기 제1위치에 대하여 수직임을 특징으로 하는 제조 방법.
  18. 마이크로일렉트로닉 처리시에, 간섭식 리소그래피를 사용하여, 기판 표면 상부의 감광제 층에 서브마이크로미터 크기의 성긴 홀 어레이를 제조하는 방법으로서, 제1위치의 상기 감광제층을 제1의 3개의 빔 레이저 간섭 패턴에 노출시키는 단계로서, 상기 레이저 간섭 패턴은, 크기가 동일하며 각도는 감광제의 수직면에 대하여 서로 반대인 상태로 감광제 층에 입사하는 동기화된 제1 및 제2레이저 빔과, 제1 및 제2레이저 빔과 동기화 되어 있으며 상기 감광제에 수직으로 입사하는 제3레이저 빔으로 이루어지며, 상기 제1 및 제2 및 제3레이저 빔은 동일한 세기를 가지는 단계(a)와, 상기 기판에 수직한 축에 대하여 상기 기판 또는 3빔 레이저 간섭 패턴이 회전되는, 상기 기판의 제2위치를 설정하는 단계(b)와, 상기 제2위치의 상기 기판에 대하여 단계(a)를 반복하는 단계로서, 모든 상기 노출의 일치가 최대가 되는 지점 부근에서 두 번 노출되는 조합된 플루언스만이 상기 감광제에 필요한 세척량보다 더 많이 첨가되며, 따라서 상기 감광제 현상시에 서브마이크로미터 크기를 갖는 성긴 홀 어레이를 생성시키는 단계(c)로 이루어짐을 특징으로 하는 제조 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 제2위치를 설정하는 단계(b)의 회전은 상기 제1위치에 대하여 수직임을 특징으로 하는 제조 방법.
  20. 제18항에 있어서, 상기 제3레이저 빔의 세기는 상기 제1 및 제2레이저 빔의 세기와 상이한 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  21. 마이크로일레트로닉 처리시에, 간섭식 리소그래피를 사용하여, 기판 표면 상부의 감광제 층에 서브마이크로미터 크기의 성긴 홀 어레이를 제조하는 방법으로서, 제1위치의 상기 감광제층을 5빔 레이저 간섭 패턴에 노출시키는 단계로서, 상기 레이저 간섭 패턴은, 크기가 동일하며 각도는 감광제의 수직면에 대하여 서로 반대인 상태로 감광제 층에 입사하는 동기화된 제1 및 제2레이저 빔과, 상기 제1 및 제2레이저 빔과 동기화되어있으며 상기 제1 및 제2레이저 빔의 입사면으로부터 90°만큼 회전하여 입사하며 상기 제1 및 제2레이저 빔처럼 크기가 동일하며 각도는 감광제의 수직면에 대하여 서로 반대인 상태로 감광제에 입사하는 제3 및 제4레이저 빔과 상기 제1내지 제4레이저 빔과 동기화되어있으며 상기 감광제에 수직으로 입사하는 제5레이져 빔에 의하여 형성되며,상기 모든 레이저 빔은 동일한 세기를 가지면, 상기 감광제 현상시에 성긴 홀 어레이를 생성시키는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 제5레이저 빔의 세기는 상기 제1 내지 제4레이저 빔의 세기와 상이한 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  23. 마이크로일렉트로닉 처리시에, 노출 면을 형성하는 기판 표면 상부의 감광제 층에 서브마이크로미터 크기의 성긴 홀 어레이를 형성하는 노출장치로서, (a) 방사용 레이저 광원 수단과, (b) 필요한 빔을 제공하기 위한 빔 형성 수단과, (c) 상기 빔을 상기 장치의 노출 면에 수직한 하나의 빔과 상기 노출면에 대하여 단일면에 동일 각(θ)으로 반대의 극성으로 입사하는 두 개의 빔으로 이루어지는 세 개의 빔으로 분리시켜 동일한 세기로 서로 다른 방향으로 전파시키는 광학 수단으로 이루어짐을 특징으로 하는 노출 장치.
  24. 제23항에 있어서, 상기 광학 수단은 상기 노출면에 대하여 θ /2만큼 기울어진 상기 노출면의 양측에 위치하는 두 개의 거울로 이루어짐을 특징으로 하는 노출 장치.
  25. 제23항에 있어서, 상기 광학 수단은 세 개의 거울로 이루어짐을 특징으로 하는 노출 장치.
  26. 제23항에 있어서, 상기 광학 수단은 두 개의 빔스플리터와 한 개의 거울로 이루어짐을 특징으로 하는 노출 장치.
  27. 제23항에 있어서, 상기 광학 수단은 단일의 쐐기형 플레이트로 이루어짐을 특징으로 하는 노출 장치.
  28. 제23항에 있어서, 상기 광학 수단은 세 개의 쐐기형 플레이트가 결합되어 이루어짐을 특징으로 하는 노출 장치.
  29. 제23항에 있어서, 상기 광학 수단은 소정 세기와 전파방향을 갖는 회절 빔을제공하기 위하여 배열된 페이즈 그레이팅을 갖는 전달 플레이트로 이루어짐을 특징으로 하는 노출 장치.
  30. 마이크로일렉트로닉 처리시에, 노출 면을 형성하는 기판 표면상부의 감광제 층에 서브마이크로미터 크기의 성긴 홀 어레이를 형성하는 노출 장치로서, (a) 방사용 레이저 광원 수단과, (b) 필요한 빔을 제공하기 위한 빔 형성 수단과, (c) 상기 빔을, 상기 장치의 노출면에 수직한 하나의 빔과 상기 노출면에 대하여 단일면에 동일 각(??)으로 반대의 입사하는 두 개의 빔과 입사면에 수직하게 동일 각(??)으로 반대의 극성으로 입사하는 두 개의 빔으로 이루어지며 사익 노출면에서 교차하도록 배열된 다섯 개의 빔으로 분리시켜, 동일한 세기로 서로 다른 방향으로 전파시키는 광학 수단으로 이루어짐을 특징으로 하는 노출 장치.
  31. 제30항에 있어서, 상기 광학 수단은 상기 노출면의 수직면에 대하여 각기 4방향으로 ??/2만큼 기울어진 상기 노출면의 양측에 위치하는 4개의 거울로 이루어짐을 특징으로 하는 노출 장치.
  32. 제30항에 있어서, 상기 광학 수단은 상기 빔 배열을 형성하기 위하여 빔스플리터와 거울의 배열로 이루어짐을 특징으로 하는 노출 장치.
  33. 제30항에 있어서, 상기 광학 수단은 단일 확장된 광학빔을 차단하기 위하여 배치된 5개의 거울로 이루어짐을 특징으로 하는 노출 장치.
  34. 제30항에 있어서, 상기 광학 수단은 쐐기형 플레이트 장치로 이루어짐을 특징으로 하는 노출 장치.
  35. 제30항에 있어서, 상기 광학 수단은 소정 세기와 전파방향을 갖는 회절 빔을 제공하기 위하여 배열된 페이즈 그레이팅을 갖는 전달 플레이트로 이루어짐을 특징으로 하는 노출 장치.
  36. 마이크로일렉트로닉 처리시에, 노출 면을 형성하는 기판 표면 상부의 감광제 층에 서브마이크로미터 크기의 성긴 홀 어레이를 형성하는 노출 장치로서, (a) 방사용 레이저 광원 수단과, (b) 필요한 빔을 제공하기 위한 빔 형성 수단과, (c) 상기 빔을 상기 노출면에 대하여 단일면에 동일 각(θ )으로 반대의 극성으로 입사하는 두 개의 빔과 입사면에 수직하게 동일 각(θ )으로 반대의 극성으로 입사하는 두 개의 빔으로 이루어지며 상기 노출면에서 교차하도록 배열된 네 개의 빔으로 분리시켜, 동일한 세기로 서로 다른 방향으로 전파시키는 광학 수단으로 이루어짐을 특징으로 하는 노출 장치.
  37. 제36항에 있어서, 상기 광학 수단은 코너 큐브 또는 노출되는 면적이 상기 코너 큐브의 제4면을 형성하는 '고양이 눈'형태로 배열된 3개의 거울로 이루어짐을 특징으로 하는 노출 장치.
  38. 제36항에 있어서, 상기 광학 수단은 상기 빔 배열을 형성하기 위하여 빔스플리터와 거울 장치로 이루어짐을 특징으로 하는 노출 장치.
  39. 제36항에 있어서, 상기 광학 수단은 단일 확정된 광학빔을 차단하기 위하여 배치된 4개의 거울로 이루어짐을 특징으로 하는 노출 장치.
  40. 제37항에 있어서, 상기 광학 수단은 쐐기형 플레이트 장치로 이루어짐을 특징으로 하는 노출 장치.
  41. 제37항에 있어서, 상기 광학 수단은 소정 세기와 전파 방향을 갖는 회절 빔을 제공하기 위하여 배열된 페이즈 그레이팅을 갖는 전달 플레이트로 이루어짐을 특징으로 하는 노출 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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