KR960015918A - 반도체 소자의 캐패시터 구조 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 소자의 캐패시터 구조 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR960015918A
KR960015918A KR1019940027625A KR19940027625A KR960015918A KR 960015918 A KR960015918 A KR 960015918A KR 1019940027625 A KR1019940027625 A KR 1019940027625A KR 19940027625 A KR19940027625 A KR 19940027625A KR 960015918 A KR960015918 A KR 960015918A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
capacitor
plate
virtual
impurities
polysilicon
Prior art date
Application number
KR1019940027625A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0136994B1 (ko
Inventor
송택근
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019940027625A priority Critical patent/KR0136994B1/ko
Priority to GB9521759A priority patent/GB2294586A/en
Priority to DE19540173A priority patent/DE19540173A1/de
Priority to US08/549,572 priority patent/US5637526A/en
Priority to CN95120333A priority patent/CN1052111C/zh
Publication of KR960015918A publication Critical patent/KR960015918A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0136994B1 publication Critical patent/KR0136994B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/0805—Capacitors only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 캐패시터 구조 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 가상 캐패시터를 두개 이상의 짝수개로 형성시켜 가상 캐패시터의 윗쪽 평판과 이에 이웃하는 다른 가상 캐패시터의 아래쪽 평판을 상호연결하여 하나의 캐패시터 평판을 이루게 하고, 가상 캐패시터의 아래쪽 평판과 이에 이웃하는 다른 가상 캐패시터의 윗쪽 명판을 상호 연결하여 다른 하나의 캐패시터 평판을 이루게하여 캐패시터간 제조하므로써, 아날로그 프로세스(Ana1ogue Process)의 캐패시터구조에서 더본 폴리캐패시터(Doublem Poly Capacitor)의 캐패시턴스(Capacitance)값이 대칭성을 갖도록 한 반도체 소자의 캐패시터 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 캐패시터 구조 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4A 내지 4D도는 본 발명의 실시예에 의한 반도체 소자의 캐패시터를 제조하는 단계를 도시한 소자의 단면도.

Claims (15)

  1. 반도체 소자의 캐패시터 구조에 있어서, 가상 캐패시터를 두개 이상의 짝수개로 형성시켜 어느 하나의 가상 캐패시터의 윗쪽 평판과 이에 이웃하는 다른 가상 캐패시터의 아래쪽 평판을 상호 연결하여 형성된 하나의 캐패시터 평판과, 상기 어느 하나의 가상 캐패시터의 아래쪽 평판과 이에 이웃하는 상기 다른 가상 캐패시터의 윗쪽 평판을 상호 연결하여 형성된 다른 하나의 캐패시터 평판으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 구조.
  2. 제1항에 있어서, 상기 두개 이상의 가상 캐페시터 각각은 상호 대칭되게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 구조.
  3. 제1항에 있어서, 상기 하나의 캐패시터 평판과 상기 다른 하나의 캐패시터 평판은 그 면적이 동일한 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 구조.
  4. 제1항에 있어서, 상기 가상 캐패시터의 아래쪽 평판과 윗쪽 평판을 각각 1충 이상의 도전층으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 구조.
  5. 제1 또는 4항에 있어서, 상기 가상 캐패시터의 아래쪽 평판은 폴리실리콘, 텅스텐 실리사이드 불순물이 고농도로 도핑된 폴리실리콘이 적층으로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 구조.
  6. 제1 또는 4항에 있어서, 상기 가상 캐패시터의 윗쪽 평판은 불순물이 고농도로 도핑된 폴리실리콘, 텅스텐 실리사이드가 적충으로 구성되거나, 불순물이 고농도로 도핑된 폴리실리콘 또는 유전율에 영향을 미치지 않는 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 구조.
  7. 반도체 소자의 캐패시터 제조방법에 있어서, 소정의 공정을 거친 실리콘 기판상에 가상 캐패시터의 아래쪽 평판용 도전층, 유전물질 및 가상 캐패시터의 윗쪽 평판용 도전층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 윗쪽 평판용 마스크를 사용한 사전공정 및 식각 공정으로 가상 캐패시터의 윗쪽 평만을 다수개 형성하는 단계와, 상기 단계로부더 아래쪽 평판용 마스크를 사용한 사전공정 및 식각공정으로 가상 캐패시터의 아래쪽 평판을 상기 다수개의 윗쪽 평판 각각에 중첩되게 형성하여 윗쪽 평판, 유전물질 및 아래쪽 평판으로된 다수개의 가상 캐패시터룰 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 중간 절연막을 형성한 후 콘택공정 및 금속배선 형성공정으로 상기 다수의 가상 캐패시터중 어느 하나의 가상 캐패시터의 아래쪽 평판과 다른 하나의 가상 캐패시터의 윗쪽 평판을 상호 연결하여 캐패시터의 하나의 평판을 이루게 하고, 또한 어느 하나의 가상 캐패시터의 윗쪽 평판과 다른 하나의 가상 캐패시터의 아래쪽 명판을 상호 연결하여 캐패시터의 다른 하나의 평판을 이루게 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 다수개의 가상 캐패시터는 두개 이상의 짝수개로 형성하며, 그 각각의 형상은 동일한 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 가상 캐패시터의 아래쪽 평판용 도전층과 윗쪽 평판용 도전층은 각각 1충 이상의 도전층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조방법.
  10. 제7 또는 9항에 있어서, 상기 가상 캐패시터의 아래쪽 평판용 도전충은 폴리실리콘 텅스텐 실리사이드, 불순물이 고농도로 도핑된 폴리실리콘을 순차적으로 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조방법.
  11. 제7 또는 9항에 있어서, 상기 가상 캐패시터의 윗쪽 평판용 도전층은 불순물이 고농도로 도핑된 폴리실리콘, 텅스텐 실리사이드를 순차적으로 증착하여 형성되거나, 불순물이 고농도로 도핑된 폴리실리콘 또는 유전율에 영향을 미치지 않는 물질을 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조방법.
  12. 제7항에 있어서, 상기 유전물질은 ONO 막, 산화막, 유전율이 큰 물질중 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조방법.
  13. 제7항에 있어서, 상기 가상 캐패시터의 야패쪽 평판용 도전층으로 폴리실리콘, 텅스텐 실리사이드, 불순물이 고농도로 도핑된 폴리실리콘이 순차적으로 증착되고, 상기 불순물이 고농도로 도핑된 폴리실리콘 상의 유전물질이 형성되고, 상기 유전물질 상부에 상기 가상 캐패시터의 윗쪽 평판용 도전층으로 불순물이 고농도로 도핑된 폴리실리콘, 텅스텐 실리사이드가 순차적으로 증착될 경우, 상기 윗쪽 평판용 마스크를 사용한 사정 및 식각공정시 상기 아래쪽 평판용 도전층의 불순물이 고농도로 도핑된 폴리실리콘까지 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 개조방법.
  14. 제7항에 있어서, 상기 아래쪽 평판용 마스크를 사용한 사전공정 및 식각공정시 MOS 트랜지스터의 게이트 전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조방법.
  15. 제7항에 있어서, 상기 어느 하나의 가상 캐패시터의 아래쪽 평판과 다른 하나의 가상 캐패시터의 평판을 상호 연결하여 된 하나의 평판, 어느 하나의 가상 캐패시터의 윗쪽 평판과 다른 하나의 가상 캐패시터의 아래쪽 평판을 상호 연결하여 된 다른 하나의 평판, 그리고 유전물질로 이루어전 캐패시터는 필드영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출된 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940027625A 1994-10-27 1994-10-27 반도체 소자의 캐패시터 구조 및 그 제조방법 KR0136994B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940027625A KR0136994B1 (ko) 1994-10-27 1994-10-27 반도체 소자의 캐패시터 구조 및 그 제조방법
GB9521759A GB2294586A (en) 1994-10-27 1995-10-24 Capacitor for semiconductor device
DE19540173A DE19540173A1 (de) 1994-10-27 1995-10-27 Kondensator einer Halbleitervorrichtung und Verfahren zu dessen Herstellung
US08/549,572 US5637526A (en) 1994-10-27 1995-10-27 Method of making a capacitor in a semiconductor device
CN95120333A CN1052111C (zh) 1994-10-27 1995-10-27 半导体器件电容器及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940027625A KR0136994B1 (ko) 1994-10-27 1994-10-27 반도체 소자의 캐패시터 구조 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960015918A true KR960015918A (ko) 1996-05-22
KR0136994B1 KR0136994B1 (ko) 1998-04-24

Family

ID=19396115

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940027625A KR0136994B1 (ko) 1994-10-27 1994-10-27 반도체 소자의 캐패시터 구조 및 그 제조방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5637526A (ko)
KR (1) KR0136994B1 (ko)
CN (1) CN1052111C (ko)
DE (1) DE19540173A1 (ko)
GB (1) GB2294586A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100431814B1 (ko) * 2002-05-30 2004-05-17 주식회사 하이닉스반도체 메모리 소자의 제조 방법

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19717792A1 (de) * 1997-04-26 1998-11-05 Micronas Semiconductor Holding Verfahren zum Herstellen einer Kapazitätsstruktur auf einem Siliziumsubstrat in einem MOS-Prozeß
US6025227A (en) * 1997-11-03 2000-02-15 Vanguard International Semiconductor Corporation Capacitor over bit line structure using a straight bit line shape
FR2783093B1 (fr) 1998-09-04 2000-11-24 St Microelectronics Sa Capacite integree a forte linearite en tension et faible resistance serie
US6124199A (en) 1999-04-28 2000-09-26 International Business Machines Corporation Method for simultaneously forming a storage-capacitor electrode and interconnect
KR100859490B1 (ko) * 2007-06-12 2008-09-23 주식회사 동부하이텍 반도체 트랜지스터 제조 방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8701357A (nl) * 1987-06-11 1989-01-02 Philips Nv Halfgeleiderinrichting bevattende een condensator en een begraven passiveringslaag.
US4918454A (en) * 1988-10-13 1990-04-17 Crystal Semiconductor Corporation Compensated capacitors for switched capacitor input of an analog-to-digital converter
JP2528719B2 (ja) * 1989-12-01 1996-08-28 三菱電機株式会社 半導体記憶装置
JP2616519B2 (ja) * 1991-08-28 1997-06-04 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
US5397729A (en) * 1992-06-15 1995-03-14 Asahi Kasei Microsystems Co., Ltd. Method for fabrication of semiconductor device having polycrystalline silicon and metal silicides
US5470775A (en) * 1993-11-09 1995-11-28 Vlsi Technology, Inc. Method of forming a polysilicon-on-silicide capacitor
US5500387A (en) * 1994-02-16 1996-03-19 Texas Instruments Incorporated Method of making high performance capacitors and/or resistors for integrated circuits

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100431814B1 (ko) * 2002-05-30 2004-05-17 주식회사 하이닉스반도체 메모리 소자의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN1052111C (zh) 2000-05-03
DE19540173A1 (de) 1996-05-02
US5637526A (en) 1997-06-10
GB2294586A (en) 1996-05-01
GB9521759D0 (en) 1996-01-03
CN1130802A (zh) 1996-09-11
KR0136994B1 (ko) 1998-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102008059871B4 (de) Feuchtigkeitsbarrierenkondensatoren in Halbleiterkomponenten
US6365954B1 (en) Metal-polycrystalline silicon-n-well multiple layered capacitor
US6445056B2 (en) Semiconductor capacitor device
JPH06314775A (ja) ダイナミックｒａｍセル及びその製造方法
KR970008552A (ko) 반도체 장치의 캐패시터 제조방법
KR940003021A (ko) 반도체 기억장치 및 그 제조방법
JPH04219736A (ja) アクティブマトリクス表示装置の製造方法
KR960015918A (ko) 반도체 소자의 캐패시터 구조 및 그 제조방법
KR910013571A (ko) 유전물질에 의해 분리되어 있는 전극쌍이 포함된 다양한 소자를 구비한 직접회로의 제조방법
GB2326524A (en) Method of fabricating a dynamic random access memory device
US20100164063A1 (en) Mim capacitor and method for fabricating the same
KR100641983B1 (ko) 이중 다마신 구조를 갖는 금속-절연체-금속 커패시터 및그 제조 방법
EP0329569A2 (en) Semiconductor device with a thin insulating film
KR950026042A (ko) 적층 캐패시터 제조방법
JPH04367828A (ja) アクティブマトリクス基板の製造方法
KR0152651B1 (ko) 캐패시터의 제조방법
KR0172560B1 (ko) 반도체소자의 전하저장전극 제조방법
KR920000384B1 (ko) 반도체 기억장치의 제조방법 및 그 소자
CN117577623A (zh) 电容器结构及其形成方法
KR940006678B1 (ko) 다결정실리콘 스페이서를 이용한 서랍장형 캐패시터의 제조방법
KR960012479A (ko) 반도체 소자용 캐패시터 및 그 제조 방법
KR0166809B1 (ko) 메모리 셀 커패시터 제조방법
KR0140781B1 (ko) 캐패시터 구조 및 그 제조방법
DE4143476C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterspeichervorrichtung
JPH04164364A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130122

Year of fee payment: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140116

Year of fee payment: 17

EXPY Expiration of term