KR960009201A - 전류증폭형 마스크-롬 - Google Patents

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Abstract

다수의 비트라인과 다수의 워드라인이 서로 교차하는 형태의 셀 어레이를 갖는 메모리장치에 있어서, 메모리 셀의 전류를 효과적으로 증가시킬 수 있는 구조에 대해 기술한다. 이 구조는, 바이폴라 접합 트랜지스터가 규칙적으로 나열되는 영역에, 다수개의 바이폴라 접합 트랜지스터 마다 하나씩 배치되는 바이폴라 접합 트랜지스터의 콜렉터 접지부 및 상기 콜렉터 접지부와 셀 어레이의 다른 한쪽 끝에 형성된 셀 접지부의 연결하는 접지선을 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 마스크-롬의 셀 전류를 신뢰성 있게 증가시킬 수 있다.

Description

전류증폭형 마스크-롬
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명의 제1실시예에 따른 NAND형 마스크-롬의 셀 어레이를 도시한 레이아웃도.
제6도는 상기 제5도의 NAND형 마스크-롬의 등가회로도.
제7도는 상기 제5도의 Ⅶ-Ⅶ'선을 잘라 본 단면도.
제10A도 및 제10B도는 상기 제9도의 Ⅸ-Ⅸ선 및 Ⅸ'-Ⅸ'선을 잘라 본 각각의 단면도.

Claims (10)

  1. 바이폴라 접합 트랜지스터가 규칙적으로 나열되는 영역에, 다수개의 바이폴라 접합 트랜지스터 마다 하나씩 배치되는 바이폴라 접합 트랜지스터의 콜렉터 접지부 및 상기 콜렉터 접지부와 셀 어레이의 다른 한쪽 끝에 형성된 셀 접지부를 연결하는 접지선을 포함하는 것을 특징으로 하는 전류증폭형 마스크-롬.
  2. 제1항에 있어서, 상기 콜렉터 접지부는 바이폴라 접합 트랜지스터의 콜렉터와 같은 도전형으로 도전되며, 상기 셀 접지부는 셀 트랜지스터의 소오스/드레인과 같은 도전형으로 도전되어 있는 것을 특징으로 하는 전류증폭형 마스크-롬.
  3. 제2항에 있어서, 상기 콜렉터 접지부의 불순물 농도는 상기 콜렉터의 불순물 농도 보다 높은 것을 특징으로 하는 전류증폭형 마스크-롬.
  4. 제3항에 있어서, 셀 트랜지스터의 소오스/드레인과 같은 도전형으로 도전된 상기 셀 접지부에 상기 접지선과 부분적으로 접속하며, 바이폴라 접합 트랜지스터의 콜렉터와 같은 도전형으로 도전된 불순물영역이 부분적으로 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 전류증폭형 마스크-롬.
  5. 제1항에 있어서, 상기 콜렉터 접지부는, 바이폴라 접합 트랜지스터의 베이스와 비슷한 크기의 사각형 모양인 것을 특징으로 하는 전류증폭형 마스크-롬.
  6. 제5항에 있어서, 상기 콜렉터 접지부와 상기 바이폴라 접합 트랜지스터의 베이스 사이에는, 상기 베이스와 같은 도전형으로 된 저농도의 불순물층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전류증폭형 마스크-롬.
  7. 제1항에 있어서, 상기 콜렉터 접지부는, 상기 접지선을 따라 길게 연장된 모양인 것을 특징으로 하는 전류증폭형 마스크-롬.
  8. 제7항에 있어서, 상기 콜렉터 접지부는, 셀 트랜지스터의 공핍 채널을 일부 포함하는 것을 특징으로 하는 전류증폭형 마스크-롬.
  9. 제2항에 있어서, 상기 바이폴라 접합 트랜지스터는 PNP형 바이폴라 접합 트랜지스터이고, 상기 셀 트랜지스터는 NAND형 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 전류증폭형 마스크-롬.
  10. 제9항에 있어서, 상기 소오스/드레인은 LDD(Lightly Doped Drain) 구조로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전류증폭형 마스크-롬.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940020294A 1994-08-17 1994-08-17 전류증폭형 마스크-롬 KR0135798B1 (ko)

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