KR940022834A - 반도체 메모리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 메모리장치의 비트선 전류를 셀전류보다 크게 함으로써 고속, 저전압동작을 할 수 있는 비트선콘택 메모리구조에 관한 것이다.
본 발명은 통상의 MOS메모리구조에서 비트선 콘택부위에 바이폴라 트랜지스터를 형성함으로써 메모리셀의 구동전류를 증폭하여 비트선에 흐르게 하는 바이폴라 트랜지스터, 선택트랜지스터 및 데이타저장부(Memory element)로 이루어진 단위 메로리셀로 구성된 엑티브콘택구조를 갖는 메모리셀구조를 제공한다.
본 발명에 의하면, 집적도를 증가시키는 것이 용이하게 되며, 액티브콘택장치의 바이폴라트랜지스터의 증폭에 의해 셀전류가 기본셀에서보다 커지기 때문에 고속화와 저전압화가 용이하게 된다.

Description

반도체 메모리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 액티브 콘택구조의 등가회로도, 제3도는 본 발명을 이용한 8단 NAND형 마스크롬의 셀구조를 도시한 도면, 제4도는 본 발명을 이용한 SRAM셀 구조를 도시한 도면.

Claims (14)

  1. 실리콘벌크상에 단위메모리셀이 규칙적으로 배열된 메모리셀에러이위로 복수의 버트선과 복수의 워드선이 서로 직교하고, 상기 워드선이 상기 단위메모리셀의 활성화영역과 교차하는 곳에 MOS형 선택트랜지스터가 형성되고, 상기 선택트랜지스터의 드레인이 바이폴라 트랜지스터의 베이스에 접속되고 상기 비트선이 상기 방폴라 트랜지스터의 에미터에 접속되며 상기 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터는 접지된 구조로 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 실리콘벌크는 P형 실리콘기판 또는 P형 웰이고, 상기 선택트랜지스터는 NMOS이고 상기 바이폴라 트랜지스터는 PNP형임을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 단위메모리셀이 NAND형 ROM셀임을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 단위메모리셀이 NOR형 ROM셀임을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 단위메모리셀이 SRAM셀임을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 선택트랜지스터의 드레인의 농도가 주변회로의 소오스 및 및 드레인농도보다 낮은 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
  7. 제1도 전형의 실리콘벌크상에 단위메모리셀이 규칙적으로 배열된 메모리셀어레이위로 복수의 비트선과 복수의 워드선이 서로 직교하고, 상기 비트선과 상기 메모리셀을 접속시키는 비트선콘택부위에 바이폴라 트랜지스터의 베이스는 상기 워드선이 제어게이트가 되는 MOS형 선택트랜지스터의 제2도전형의 드레인이 되고, 상기 바이폴라 트랜지스터의 에미터는 상기 드레인의 드레인콘택위에 오버랩되어 형성된 제1도전형의 폴리실리콘패드가 되고, 상기 폴리실리콘 패드위에 비트선콘택이 형성되고 상기 비트선콘택에 비트선이 접속된 구조로 된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 MOS형 선택트랜지스터의 드레인 농도가 1026~1011/㎤ 정도인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 폴리실리콘패드는 그 두께가 500Å~1,500Å정도인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
  10. 제1도전형의 실리콘벌크상에 단위메모리셀이 규칙적으로 배열된 메모리셀에러이위로 복수의 비트선과 복수의 워드선이 서로 직교하고, 상기 비트선과 상기 메모리셀을 접속시키는 비트선콘택 부위에 바이폴라 트랜지스터가 위치하고, 상기 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터는 상기 실리콘벌크가 되고, 상기 바이폴라 트랜지스터의 베이스는 상기 메모리셀의 MOS형 선택트랜지스터의 제2도전형의 드레인이 되고, 상기 바이폴라 트랜지스터의 에미터는 상기 MOS형 선택트랜지스터의 드레인영역내에 형성된 제1도전형의 고농도 불순불영역이 되고, 상기 에미터위에 상기 비트선이 접속된 구조로 된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 바이폴라 트랜지스터의 베이스영역의 농도가 1016~ 1018/㎤ 정도이고, 베이스 접합깊이가 0.2㎛~0.6㎛ 정도인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
  12. 제10항에 있어서, 상기 바이폴라 트랜지스터의 에미터영역의 농도가 1018~ 1021/㎤ 정도이고, 에미터 접합깊이가 0.1㎛정도인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
  13. 제10항에 있어서, 상기 실리콘벌크는 농도가 101÷~ 1016/㎤ 정도인 실리콘기판 또는 실리콘기판내에 형성된 웰인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
  14. 반도체 메모리셀과 비트선 사이에 접속되고 워드선에 인가된 신호에 따라 턴온/턴오프되는 MOS트랜지스터를 가지는 반도체 메모리장치에 있어서, 상기 반도쳅메로리셀과 비트선 사이에 흐르는 셀전류를 증폭하여 고속동작이 가능하도록 하기 위해 상기 비트선과 MOS트랜지스터 사이에 접속되고 상기 MOS트랜지스터의 동작에 따라 상기 비트선을 구동하기 위한 바이폴라 트랜지스터를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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