KR960008834A - 반도체 기억장치 - Google Patents

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KR960008834A
KR960008834A KR1019950022808A KR19950022808A KR960008834A KR 960008834 A KR960008834 A KR 960008834A KR 1019950022808 A KR1019950022808 A KR 1019950022808A KR 19950022808 A KR19950022808 A KR 19950022808A KR 960008834 A KR960008834 A KR 960008834A
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KR
South Korea
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power supply
memory
supply wiring
mat
memory mat
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KR1019950022808A
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English (en)
Inventor
아츠시 히라이시
긴야 미츠모토
Original Assignee
가나이 쓰토무
가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
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    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

메모리매트(210)의 메모리셀 전원배선(400)을 메모리매트마마 개별화하고, 그들 메모리셀 전원배선을 반도체 기억장치 전체에서 이용되는 전원선(403)에서 분리하고, 메모리매트의 메모리셀 전원배선(400)을 선택적으로 메모리셀 전류측정용의 테스트용 전원배선(401)에 접속하며, 상기 전원배선(401)에 여러종류의 전압(VMCC)을 인가한 경우에 전류를 측정하는 것에 의해 상기 전원배선(401)에 접속된 상기 메모리블록내의 DC전류불량 내용을 상세히 해석할 수 있게 된다, 따라서, 메모리셀의 DC 전류불량에 기초해서 효율적으로 결함구제를 시행하는 것이 가능하게 된다.

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예에 관한 SRAM에서 1개의 정규 메모리블록과 그것에 관계된 로 선택계 및 컬럼 선택계의 상세블록도.
제2도는 본 발명의 일실시예에 관한 SRAM에서 1개의 용장 메모리블록과 그것에 관계된 로 선택계 및 컬럼 선택계의 상세블록도.
제3도는 본 발명의 일실시예에 관한 SRAM의 전체블록도.

Claims (7)

  1. 복수의 메모리어레이를 각각 포함하는 복수의 제1메모리매트와, 상기 제1메모리매트에 각각 대응해서 설치되어 상기 제1메모리매트에 각각 전원전압을 공급하기 위한 복수의 메모리메트용 전원배선과, 상기 제1메모리매트의 주변회로에 전원전압을 공급하는 제1전원배선과, 외부단자에 결합된 제2전원배선과, 상기 메모리매트용 전원배선을 상기 제1전원배선에서 공동 접속하기 위한 제1접속양태와, 상기 메모리매트용 전원배선을 상기 제1전원배선에서 분리하고, 또 선택적으로 1개의 메모리매트용 전원배선에상사기 제2전원배선을 접속하기 위한 제2접속양태를 선택제어하는 전원 제어수단을 구비하는 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1메모리매트는 상기 복수의 메모리어레이에 공통으로 설치되는 복수의 워드선과 상기 메모리어레이에 설치된 복수의 데이터선의 교점에 설치된 복수의 메모리셀을 구비하는 반도체 기억장치.
  3. 제2항에 있어서, 복수의 용장메모리매트에 대응해서 설치되어 상기 용장메모리어레이에 전원전압을 공급하는 용장메모리매트용 전원배선을 더 구비하고, 상기 전원제어수단은, 상기 제1접속양태에 잇어서 용장메모리매트용 전원배선을 상기 제1전원배선의 공통 접속하는 반도체 기억장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 용장메모리매트는, 상기 복수의 용장메모리어레이에 공통으로 설치되는 복수의 워드선과 상기 용장메모리어레이에 설치된 복수의 데이터선의 교점에 설치된 복수의 용장메모리셀을 구비하는 반도체 기억장치.
  5. 제4항에 있어서, 전원 제어수단은, 제1메모리매트의 메모리매트용 전원배선에 일대응 대응으로 접속되어 설치된 제1전원 제어회로와 용장메모리매트용 전원배선에 일대일 대응으로 접속되어 설치된 제2전원 제어회로를 구비하고, 상기 제1 및 제2전원에 제어회로는, 그것에 접속되는 상기 메모리매트용 및 용장메모리메트용 전원배선을 제1전원배선에 접속하기 위한 제1스위치 상태와, 상기 메모리매트용 및 용장메모리매트용 전원배선을 제2전원배선에 접속하기 위한 제2스위치 상태와, 상기 메모리매트용 및 용장메모리매트용 전원배선을 제1 및 제2전원배선에 비접속으로 하기 위한 제3스위치 상태를 선택하는 제1스위치 수단을 구비하는 반도체 기억장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 및 제2전원제어회로에는, 전체의 스위치 수단으로 제1스위치 상태를 지시하고, 또한 선택적으로 1개의 스위치 수단으로 제2스위치 사태를 지시하며, 나머지 스위치 수단으로 제3스위치 상태를 지시 혹은 전체의 스위치 수단으로 제2스위치 상태를 지시하기 위한 제어정보를 공급하기 위해 제어신호선이 접속되어 이루어지는 반도체 기억장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1스위치 수단과 제1전원배선 사이에는, 상기 제1스위치 수단에 대응되는 메모리매트가 피구제되어야 할 것인 경우 절단상태로 되는 퓨즈수단에 설치되어 이루어지는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950022808A 1994-08-01 1995-07-28 반도체 기억장치 KR960008834A (ko)

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JP94-198992 1994-08-01

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