KR960000319A - 가공물 세정방법 및 장치 - Google Patents

가공물 세정방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR960000319A
KR960000319A KR1019950012202A KR19950012202A KR960000319A KR 960000319 A KR960000319 A KR 960000319A KR 1019950012202 A KR1019950012202 A KR 1019950012202A KR 19950012202 A KR19950012202 A KR 19950012202A KR 960000319 A KR960000319 A KR 960000319A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cleaning
workpiece
substrate
supplying
cleaning member
Prior art date
Application number
KR1019950012202A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100373062B1 (ko
Inventor
도시로 마에까와
고지 오노
모또아끼 오까다
다마미 다까하시
시로 미시마
마사꼬 고데라
아쯔시 시게따
리이찌로 아오끼
기스께 고오노
Original Assignee
후지무라 히로유끼
가부시끼가이샤 에바라 세이사꾸쇼
사또오 후미오
가부시끼가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후지무라 히로유끼, 가부시끼가이샤 에바라 세이사꾸쇼, 사또오 후미오, 가부시끼가이샤 도시바 filed Critical 후지무라 히로유끼
Publication of KR960000319A publication Critical patent/KR960000319A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100373062B1 publication Critical patent/KR100373062B1/ko

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/30—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface
    • B08B1/32—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface using rotary cleaning members
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02046—Dry cleaning only
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/50—Cleaning by methods involving the use of tools involving cleaning of the cleaning members
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/50—Cleaning by methods involving the use of tools involving cleaning of the cleaning members
    • B08B1/52—Cleaning by methods involving the use of tools involving cleaning of the cleaning members using fluids
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B11/00—Cleaning flexible or delicate articles by methods or apparatus specially adapted thereto
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B24D3/02—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
    • B24D3/20—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially organic
    • B24D3/28—Resins or natural or synthetic macromolecular compounds
    • B24D3/32—Resins or natural or synthetic macromolecular compounds for porous or cellular structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

반도체웨이퍼는, 폴리우레탄을 주재료로 하여 만들어지고 반도체웨이퍼에 접촉한 표면에 미 세공들을 갖는 세정부재에 의해 세정된다. 이미 세공들은 10 내지 200㎛ 범위의 평균직경을 갖는다. 세정 부재는 우레탄수지에 의해 상호 결합된 성유들로 구성된 비직조천 또는 플리우레탄중 하나를 재료로 하여 만들어질 수도 있다. 반도체 웨이퍼와 같은 기판의 표면에 강력하게 부착된 입자들은 세정에 의해 쉽게 제거될 수 있다. 기판이 세정되는 것과 동시에, 반도체웨이퍼와 같은 기판 표면상의 표면불규칙 및 결정돌출부가 제거되어 반도체웨이퍼표면을 평평하게 만들기 위해서 반도체웨이퍼의 표면거칠기를 소정 수준으로 조절할 수 있다.

Description

가공물 세정방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 세정방법을 수행하는 세정장치의 파단사시도,
제2도는 세정장치의 세정디바이스의 확대파단면도.
제3도는 본 발명에 따른 세정방법의 메카니즘을 나타내는 확대파단면도,
제4도는 세정부재의 표면을 나타내는 확대파단사시도.

Claims (56)

  1. 가공물새 정 방법에 있어서, 가공물을 유지하는 단계와, 플리우레탄을 주재료로 하여 만들어지고 상기 가공물에 접촉하는 표면내에 10 내지 200㎛범위의 평균직결을 갖는 미세 공들을 구비한 세정부재를 사용하여 상기 가공물을 세정하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가공물세정방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 세정부재는 우레탄수지에 의해 상호 결속된 섬유들로 구성된 비직조천과 폴리우레탄발포재중 하나를 재료로 하여 만들어지는 것을 특징으로 하는 가공물세정방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 세정단계에서 상기 가공물을 회전시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가공물세정 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 세정단계는 상기 가공물의 중심으로부터 상기 가공물의 외주엣지를 향한 적어도 한번의 상기 세정부재의 이동단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가공물세정방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 세정단계가 아닌 동안에 상기 세정부재가 세정액을 흡수하는 것을 특징으로 하는 가공물세정 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 세정단계에서 계면활성제를 함유한 세정액을 공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가공물세정방법.
  7. 제1항에 있어서. 상기 세정단계에서 암모니아와 과산화수소를 함유한 세정액을 공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가공물세정방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 세정단계에서 염화수소와 과산화수소를 함유한 세정액을 공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가공물세정방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 세정단계에서 알칼리용액내에 현탁된 산화규소입자들로 구성된 현탁액을 함유한 세정액을 공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로하는 가공물세정방법.
  10. 제l항에 있어서, 상기 세정부재는 연마용 마모포를 포함하는 것을 특징으로 하는 가공물세정방법.
  11. 가공물세정방법에 있어서, 가공물을 유지하는 단계와, 상기 가공물을 회전시키는 단계와, 세정액을 공급하는 단계, 및 폴리우레탄을 주재료로 하여 만들어지고 상기 가공물에 접촉한 표면에 10 내지 200㎛범위의 평균직경을 갖는 미 세공들을 구비한 세정부재를 사용하여 상기 가공물을 세정하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가공물체정방법.
  12. 제11항에 있어서. 상기 세정액은 계면활성제를 함유한 것을 특징으로 는 가공물세정방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 세정액은 암모니아와 과산화수소를 함유한 것을 특징으로 하는 가공물세정방법.
  14. 제11항에 있어서, 상기 세정액은 염화수소와 과산화수소를 함유한 것을 특징으로 하는 가공물세정방법.
  15. 제11항에 있어서, 상기 세정액은 알칼리용액내에 현탁된 산화규소입자들로 구성된 현탁액을 함유한 것을 특징으로 하는 가공물세정방법.
  16. 가공물세정방법에 있어서, 가공물을 유지하는 단계와, 30 내지 80범위의 쇼어 D경도를 갖는 합성수지를 재료로 하여 만들어지고 상기 가공물에 접촉한 표면내에 미세 공들을 구비한 세정부재로 상기 가공물을 세정하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가공물세정방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 세정단계에서 상기 가공물을 회전시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가공물세정방법.
  18. 제16항에 있어서, 상기 세정단계는 상기 가공물의 중심으로부터 상기 가공물의 외주엣지를 향한 적어도 한번의 상기 세정부재의 이동단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가공물세정방법.
  19. 제16항에 있어서, 상기 세정단계가 아닌 동안 상기 세정부재가 세정액을 흡수하는 것을 특징으로 하는 가공물세정방법.
  20. 제16항에 있어서, 상기 세정단계에서 계면활성제를 함유한 세정액을 공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가공물세정방법.
  21. 제16항에 있어서. 상기 세정단계에서 암모니아와 과산화수소를 함유한 세정액을 공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가공물세정방법.
  22. 제16항에 있어서, 상기 세정단계에서 염화수소와 과산화수소를 함유한 세정액을 공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가공물세정방법.
  23. 제16항에 있어서, 상기 세정단계에서 알칼리용액내에 현탁된 산화규소입자들로 구성된 현탁액을 함유한 세정액을 공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가공물세정방법.
  24. 제16항에 있어서. 상기 세정부재는 연마용 마모포를 포함하는 것을 특징으로 하는 가공물세정방법.
  25. 가공물세정방법에 있어서, 가공물을 유지하는 단계와, 상기 가공물을 회전시키는 단계와. 세정액을 공급하는 단계, 및 30 내지 80범위의 쇼어 D경도를 갖는 합성수지를 재료로 하여 만들어지고 상기 가를을에 접촉한 표면내에 미세공들을 갖는 세정부재로 상기 가공물을 세정하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가공물 세정방법.
  26. 제25항에 있어서, 상기 세정액은 계면활성제를 함유한 것을 특징으로 하는 가공물세정방법.
  27. 제25항에 있어서, 상기 세정액은 암모니아와 과산화수소를 함유한 것을 특징으로 하는 가공물세정방법.
  28. 제25항에 있어서, 상기 세정액은 염화수소와 과산화수소를 함유한 것을 특징으로 하는 가공물세정방법.
  29. 제25항에 있어서, 상기 세정액은 알칼리용액내에 현탁된 산화규소입자들로 구성된 현탁액을 함유한 것을 특징으로 하는 가공물세정방법.
  30. 기판세정방법에 있어서, 가공물을 유지하는 단계와. 우레탄수지에 의해 상호 결합된 섬유들로 구성된 비직조천과 폴리우레탄발포재중 하나를 재료로 하여 만들어진 세정부재에 의해 가공물을 세정하는 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
  31. 제30항에 있어서, 상기 세정단계에서 상기 가공물을 회전시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판세정 방법.
  32. 제30항에 있어서, 상기 가공물의 중심으로부터 상기 가공물의 외주엣지를 향한 적어도 한번의 상기 세정부재의 이동단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
  33. 제30항에 있어서, 상기 세정단계가 아닌 동안 상기 세정부재가 세정액을 흡수하는 것을 특징으로 하는 기판세정 방법.
  34. 제30항에 있어서, 상기 세정단계에서 계면활성제를 함유한 세정액을 공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
  35. 제30항에 있어서. 상기 세정단계에서 암모니아와 과산화수소를 함유한 세정액을 공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
  36. 제30항에 있어서, 상기 세정단계에서 염화수소와 과산화수소를 함유한 세정액을 공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
  37. 제30항에 있어서, 상기 세정단계에서 알칼리용액내에 현탁된 산화극소입자들로 구성된 현탁액을 함유한 세정액을 공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
  38. 제30항에 있어서, 상기 세정부재는 연마용 마모포를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
  39. 가공물세정방법에 있어서, 가공물을 유지하는 단계와. 상기 가공물을 회전시키는 단계와, 세정액을 공급하는 단계, 및 우레탄수지에 의해 상호 결합된 섬유들로 구성된 비직조촌과 폴리우레탄발포제중 하나를 재료로 하여 만들어진 세정부재에 의해 기판을 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판세정 방법.
  40. 제39항에 있어서, 상기 세정액은 계면활성제를 함유한 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
  41. 제39항에 있어서. 상기 세정액은 암모니아와 과산화수소를 함유한 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
  42. 제39항에 있어서, 상기 세정액은 염화수소와 과산화수소를 함유한 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
  43. 제39항에 있어서, 상기 세정액은 알칼리용액내에 현탁된 산화규소입자들로 구성된 현탁액을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
  44. 기판세정장치에 있어서, 기판을 유지 및 회전시키는 스피닝척과, 상기 스피닝척상에 비치된 지지부재, 및 상기 지지부재상에 회전가능하게 장작되어 상기 스피닝척에 의해 유지된 상기 기관을 접촉 및 세정하는 세정부재를 포함하며, 상기 세정부재는 폴리우레탄을 재료로 하여 만들어지고 상기 기판에 접촉한 표면에 10 내지 20㎛범위의 평균직경을 갖는 미세 공들을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
  45. 제44항에 있어서, 상기 세정부재는 우레탄수지에 의해 상호 결합된 섬유들로 구성된 비직조천과 폴리우레탄발포재중 하나를 재료로 하여 만들어진 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
  46. 제44항에 있어서, 상기 지지부재가 상기 스피닝척상에 각적으로 이동가능하게 배치되는 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
  47. 제44항 또는 제45항에 있어서. 상기 세정부재와 결합된 감쇄기구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
  48. 제44항에 있어서, 세정액을 수용한 세정컵을 더 포함하여. 상기 세정부재가 자체세정되는 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
  49. 제48항에 있어서, 상기 세정컵은 스윙암의 스윙로커스상에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
  50. 기판세정장치에 있어서, 기판을 유지 및 회전시키는 스피닝척과, 상기 스피닝척상에 각적으로 이동가능하게 배치된 스윙암. 및 상기 스윙암상에 회전가능하게 장착되어 상기 스피닝척에 의해 유지된 상기 기판을 접촉 및 세정하는 세정부재를 포함하며, 상기 세정부재는 폴리우레탄을 주재료로 하여 만들어지고 상기 기판에 접촉한 표면에 10 내지 200㎛범위의 평균직경을 갖는 미세 공들을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
  51. 기판세정장치에 있어서, 기판을 유지 및 회전시키는 스피닝척과, 상기 스피닝척상에 배치된 지지부재, 및 상기 지지부재상에 회전가능하게 장착되어 상기 스피닝척에 의해 유지된 상기 기판을 접촉 및 세정하는 세정부재로 포함하며, 상기 세정부재는 우레탄수지에 의해 상호 결합된 섬유들로 구성된 비직조천과 폴리우레탄발포재중 하나를 재료로 하여 만들어지는 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
  52. 제51항에 있어서, 상기 지지부재는 상기 스피닝척상에 각직으로 이동가능하게 배치된 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
  53. 제52항에 있어서. 상기 세정부재와 결합되는 감쇄기구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
  54. 제51항에 있어서, 세정액을 수용한 세정컵을 더 포함하여 상기 세정부재가 자체 세정되는 것을 특징으로하는 기판세정장치.
  55. 제54항에 있어서, 상기 세정컵은 상기 스윙암의 스윙로커스상에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
  56. 기판세정장치에 있어서, 기판을 유지 및 회전시키는 스피닝척과, 상기 스피닝척상에 각직으로 이동가능하게 배치된 스윙암, 및 상기 스윙암상에 회전가능하게 장착되어 상기 스윙척에 의해 유지된 기판을 접촉 및 세정하는 세정부재를 포함하며, 상기 세정부재는 우레탄수지에 의해 상호 결합된 섬유들로 구성된 비직조천과 폴리우레탄발포재중 하나를 재료로 하여 만들어지는 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950012202A 1994-06-28 1995-05-17 가공물세정방법및장치 KR100373062B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16876794 1994-06-28
JP94-168767 1994-06-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960000319A true KR960000319A (ko) 1996-01-25
KR100373062B1 KR100373062B1 (ko) 2003-05-09

Family

ID=15874079

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950012202A KR100373062B1 (ko) 1994-06-28 1995-05-17 가공물세정방법및장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5846335A (ko)
EP (2) EP1080797A3 (ko)
KR (1) KR100373062B1 (ko)
DE (1) DE69522617T2 (ko)

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6004402A (en) * 1994-10-06 1999-12-21 Xomed Surgical Products, Inc. Method of cleaning silicon material with a sponge
DE69635534T2 (de) * 1995-02-15 2009-09-17 Texas Instruments Inc., Dallas Verbesserungen bei der oder in Bezug auf die Halbleiterverarbeitung
US6743723B2 (en) 1995-09-14 2004-06-01 Canon Kabushiki Kaisha Method for fabricating semiconductor device
US20020068357A1 (en) * 1995-09-28 2002-06-06 Mathies Richard A. Miniaturized integrated nucleic acid processing and analysis device and method
US6132580A (en) * 1995-09-28 2000-10-17 The Regents Of The University Of California Miniature reaction chamber and devices incorporating same
DE19632809C2 (de) * 1996-08-14 2002-06-20 Infineon Technologies Ag Gerät zum chemisch-mechanischen Polieren von Wafern
TW353784B (en) * 1996-11-19 1999-03-01 Tokyo Electron Ltd Apparatus and method for washing substrate
TW364165B (en) * 1996-11-29 1999-07-11 Canon Kk Method for fabricating semiconductor device
JPH10321572A (ja) * 1997-05-15 1998-12-04 Toshiba Corp 半導体ウェーハの両面洗浄装置及び半導体ウェーハのポリッシング方法
JP3654779B2 (ja) * 1998-01-06 2005-06-02 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄具及び基板洗浄方法
JP3441956B2 (ja) 1998-02-16 2003-09-02 キヤノン株式会社 露光装置、クリーニング用砥石およびデバイス製造方法
US6292972B1 (en) * 1998-03-30 2001-09-25 Tokyo Electron Limited Scrub washing apparatus and scrub washing method
US6592676B1 (en) * 1999-01-08 2003-07-15 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Chemical solution and method for reducing the metal contamination on the surface of a semiconductor substrate
DK1066926T3 (da) 1999-06-28 2006-08-07 Seso Fremgangsmåde til polering af mindst én overflade på et siliciumbaseret emne
US7754061B2 (en) * 2000-08-10 2010-07-13 Novellus Systems, Inc. Method for controlling conductor deposition on predetermined portions of a wafer
US6921551B2 (en) 2000-08-10 2005-07-26 Asm Nutool, Inc. Plating method and apparatus for controlling deposition on predetermined portions of a workpiece
US20020173214A1 (en) * 2001-04-12 2002-11-21 3M Innovative Properties Company Cleaning articles and method of making
US6818604B2 (en) * 2001-10-04 2004-11-16 Speedfam-Ipec Corporation System and method for cleaning workpieces
US20050056303A1 (en) * 2003-09-16 2005-03-17 Wei-Ming Lee Oblique burnish/wipe mechanism for hard drive disk like media
US20050106359A1 (en) * 2003-11-13 2005-05-19 Honeywell International Inc. Method of processing substrate
US7862662B2 (en) 2005-12-30 2011-01-04 Lam Research Corporation Method and material for cleaning a substrate
US8522799B2 (en) 2005-12-30 2013-09-03 Lam Research Corporation Apparatus and system for cleaning a substrate
US20050170980A1 (en) * 2004-01-30 2005-08-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. ER cleaning composition and method
TWI324797B (en) * 2005-04-05 2010-05-11 Lam Res Corp Method for removing particles from a surface
US8500985B2 (en) 2006-07-21 2013-08-06 Novellus Systems, Inc. Photoresist-free metal deposition
KR20090118917A (ko) * 2007-02-08 2009-11-18 폰타나 테크놀로지 입자 제거방법 및 그 조성물
US8226775B2 (en) 2007-12-14 2012-07-24 Lam Research Corporation Methods for particle removal by single-phase and two-phase media
CN101941005B (zh) * 2010-07-27 2013-08-21 清华大学 擦子装置及其加工方法以及利用该装置进行清洁的方法
US20130217228A1 (en) 2012-02-21 2013-08-22 Masako Kodera Method for fabricating semiconductor device
CN103506340B (zh) * 2012-06-29 2016-12-21 北京七星华创电子股份有限公司 一种喷淋装置
US9704729B2 (en) * 2013-06-13 2017-07-11 K.C. Tech Co., Ltd. Substrate cleaning apparatus and method and brush assembly used therein
CN103909074B (zh) * 2014-03-26 2016-03-02 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 大口径反射镜自动清洗装置
JP6490202B2 (ja) * 2014-09-26 2019-03-27 エーシーエム リサーチ （シャンハイ） インコーポレーテッド 半導体ウェハ洗浄装置及び半導体ウェハ洗浄方法
JP6316730B2 (ja) * 2014-10-31 2018-04-25 株式会社荏原製作所 ロール部材、ペンシル部材、及びそれらの少なくともいずれか一方を含む基板処理装置
CN104492747B (zh) * 2014-12-30 2016-12-07 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种可拆卸式望远镜主镜自动清洗装置
CN106795042B (zh) * 2015-03-24 2019-09-13 安瀚视特控股株式会社 玻璃基板的制造方法
JP6661453B2 (ja) * 2016-04-20 2020-03-11 株式会社ディスコ 洗浄装置
JP2019087674A (ja) * 2017-11-08 2019-06-06 株式会社ディスコ 研削装置
KR102211622B1 (ko) * 2018-07-11 2021-02-03 (주)아이솔루션 반도체 설비 세정용 와이퍼 및 이를 가진 세정 팩
CN111744836B (zh) * 2019-03-29 2022-09-16 中芯集成电路（宁波）有限公司 晶圆清洗装置及控制系统
US11948811B2 (en) 2019-12-26 2024-04-02 Ebara Corporation Cleaning apparatus and polishing apparatus
JP7013520B2 (ja) * 2020-04-24 2022-01-31 株式会社スギノマシン 洗浄方法
CN113078078A (zh) * 2021-03-19 2021-07-06 长鑫存储技术有限公司 晶圆清洗方法及晶圆清洗装置
CN115121536A (zh) * 2022-06-24 2022-09-30 广东中图半导体科技股份有限公司 一种压印模板清洗回收方法及清洗回收装置
CN116984972B (zh) * 2023-08-10 2024-03-26 沈阳工业大学 一种用于金刚石晶片的磨削抛光一体化方法与装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3504457A (en) * 1966-07-05 1970-04-07 Geoscience Instr Corp Polishing apparatus
JPS519764A (en) * 1974-07-12 1976-01-26 Fuji Oil Co Ltd Bataaoiruoryosuru totsupingukuriimuno seizoho
US4141180A (en) * 1977-09-21 1979-02-27 Kayex Corporation Polishing apparatus
ATE93437T1 (de) * 1987-08-25 1993-09-15 Rodel Inc Material mit invertierter zellstruktur fuer schleif-, laepp-, form- und poliervorgaenge.
JP2660248B2 (ja) * 1988-01-06 1997-10-08 株式会社 半導体エネルギー研究所 光を用いた膜形成方法
US5235995A (en) * 1989-03-27 1993-08-17 Semitool, Inc. Semiconductor processor apparatus with dynamic wafer vapor treatment and particulate volatilization
JP2617535B2 (ja) * 1988-10-18 1997-06-04 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
JP2653511B2 (ja) * 1989-03-30 1997-09-17 株式会社東芝 半導体装置の洗浄方法及びその洗浄装置
DE3926673A1 (de) * 1989-08-11 1991-02-14 Wacker Chemitronic Verfahren und vorrichtung zur poliertuchaufbereitung beim chemomechanischen polieren, insbesondere von halbleiterscheiben
JPH04107824A (ja) * 1990-08-28 1992-04-09 Tokyo Electron Ltd 洗浄用部材の洗浄方法
US5279704A (en) * 1991-04-23 1994-01-18 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Method of fabricating semiconductor device
US5320706A (en) * 1991-10-15 1994-06-14 Texas Instruments Incorporated Removing slurry residue from semiconductor wafer planarization
JPH0617283A (ja) * 1992-07-02 1994-01-25 Sumitomo Metal Ind Ltd 加工性、成形性に優れためっきＡｌ板およびその製造方法
MY114512A (en) * 1992-08-19 2002-11-30 Rodel Inc Polymeric substrate with polymeric microelements
US5442828A (en) * 1992-11-30 1995-08-22 Ontrak Systems, Inc. Double-sided wafer scrubber with a wet submersing silicon wafer indexer
US5324690A (en) * 1993-02-01 1994-06-28 Motorola Inc. Semiconductor device having a ternary boron nitride film and a method for forming the same
JP3324181B2 (ja) * 1993-03-12 2002-09-17 富士通株式会社 ウエハの洗浄方法
US5551986A (en) * 1995-02-15 1996-09-03 Taxas Instruments Incorporated Mechanical scrubbing for particle removal

Also Published As

Publication number Publication date
EP0692318B1 (en) 2001-09-12
US5846335A (en) 1998-12-08
EP1080797A2 (en) 2001-03-07
KR100373062B1 (ko) 2003-05-09
EP0692318A1 (en) 1996-01-17
EP1080797A3 (en) 2005-10-05
DE69522617T2 (de) 2002-07-04
DE69522617D1 (de) 2001-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960000319A (ko) 가공물 세정방법 및 장치
EP0764478B1 (en) Method of and apparatus for cleaning workpiece
KR100824362B1 (ko) 반도체기판 세정장치 및 세정방법
JP3114156B2 (ja) 洗浄方法および装置
KR19990071878A (ko) 기판 벨트 연마기
JPH0699348A (ja) ウェーハ研磨装置
US20030134580A1 (en) Polishing apparatus
JP2011177842A (ja) 研磨装置及び研磨方法
KR100487589B1 (ko) 평면 피가공물의 폴리싱과 세정방법 및 장치
JP3420046B2 (ja) 洗浄装置
CN114770366A (zh) 一种硅片双面研磨装置的静压板及硅片双面研磨装置
US6578227B2 (en) Pad for use in a critical environment
JP2001053040A (ja) 研磨装置および研磨方法
US6878045B2 (en) Ultrasonic conditioning device cleaner for chemical mechanical polishing systems
JP2002079461A (ja) ポリッシング装置
JPH10335283A (ja) 洗浄設備及び洗浄方法
EP1719583A9 (en) Surface cleaning/modifying method and surface cleaning/modifying device
JP4330209B2 (ja) 基板の洗浄方法
JP2004273530A (ja) 洗浄装置およびその方法
JP4425947B2 (ja) 基板の洗浄方法
JP2001198824A (ja) 研磨装置の洗浄方法及び研磨装置
JP7481198B2 (ja) ウェーハ清掃装置、及び保持面清掃装置
JPH10312983A (ja) 基板洗浄装置
JPH10312982A (ja) 基板洗浄装置
TW202330742A (zh) 研磨墊、製造研磨墊之方法及研磨裝置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130118

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140117

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150119

Year of fee payment: 13

EXPY Expiration of term