JPH04107824A - 洗浄用部材の洗浄方法 - Google Patents

洗浄用部材の洗浄方法

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JPH04107824A
JPH04107824A JP2225661A JP22566190A JPH04107824A JP H04107824 A JPH04107824 A JP H04107824A JP 2225661 A JP2225661 A JP 2225661A JP 22566190 A JP22566190 A JP 22566190A JP H04107824 A JPH04107824 A JP H04107824A
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JP
Japan
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cleaning
brush
washing
semiconductor wafer
wafer
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JP2225661A
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English (en)
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Masaaki Murakami
政明 村上
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Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
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Publication date
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/50Cleaning by methods involving the use of tools involving cleaning of the cleaning members
    • B08B1/52Cleaning by methods involving the use of tools involving cleaning of the cleaning members using fluids

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  • Cleaning In General (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、洗浄用部材の洗浄方法に関する。
(従来の技術) 一般に、半導体素子の製造工程においては、例えば成膜
工程の前工程やレジスト膜を用いたエツチング工程後の
工程等として、半導体ウニ/X表面の洗浄処理が行われ
ている。
このような半導体ウェアXの洗浄を枚様式で行う場合に
は、純水等のリンス液を供給しながら、半導体ウェハ表
面に対して回転させた洗浄用部材例えばロール式ブラシ
を押し付けることによって行う場合か多い。
ところで、半導体ウェハの洗浄に用いる洗浄用ブラシに
は、洗浄時に半導体ウェハ表面に堆積していた塵埃やレ
ジスト残査等が付着する。この洗浄用ブラシに付着した
ごみを放置しておくと、半導体ウェハへの再付着が起こ
るため、所定の頻度で洗浄用ブラシの洗浄を行う必要が
ある。また、この洗浄用ブラシの洗浄程度は、半導体ウ
ニ/%の洗浄品質に大きく影響を与えている。
そこで、従来、上述したような洗浄用ブラシ自体の洗浄
に関しては、純水や超純水等が収容された洗浄槽内に洗
浄用ブラシを浸漬し、洗浄水を吹き付けると共に、超音
波洗浄を組合わせて行ったり、また洗浄槽内に浸漬され
た洗浄用ブラシを機械的に洗浄すると共に、洗浄槽内に
配置されたノズルから洗浄水をブラシに吹き付ける等、
ブラシの洗浄効果を高めるための方策が種々提案されて
いる(実開昭GO−194335号公報、同61−20
3545号公報、特開昭83−126227号公報等参
照)。
(発明が解決しようとする課8) 上述したように、半導体ウェハ用の洗浄用ブラシ自体の
洗浄に関して、従来から種々の方策がなされてきたが、
いずれの方法においてもブラシに付着したごみ、特に有
機物の除去に関しては、十分な効果が得られているとは
言えず、半導体ウェハの洗浄品質を向上させるためにも
、ブラシの洗浄効率の改善が強く求められている。
また、常温程度の純水や超純水によるブラシの洗浄では
、洗浄後のブラシによって半導体ウェハを洗浄する際に
、静電気が発生しやすいという難点や、ブラシ表面が疎
水化してしまうために、ブラシにパーティクルが付着し
やすくなり、これによって半導体ウェハの洗浄品質が低
下するという難点があった。
本発明は、このような従来技術の課題に対処するべくな
されたもので、半導体ウェハ用の洗浄用部材の洗浄効果
を高めると共に、静電気の発生や洗浄用部材へのパーテ
ィクルの付着を防止した洗浄用部材の洗浄方法を提供す
ることを目的としている。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) すなわち本発明の洗浄用部材の洗浄方法は、洗浄に用い
る洗浄用部材を洗浄するにあたり、前記洗浄用部材を回
転させつつ、加温されたオゾン水に接触させ、該洗浄用
部材の洗浄および親水性処理を行うこと特徴としている
(作 用) 本発明の洗浄用部材の洗浄方法においては、オゾン水に
よって洗浄用部材を洗浄しているため、洗浄用部材に付
着している有機物を酸化分解によって効率よく除去する
ことができると共に、オゾン水によって洗浄用部材の表
面が親水化されるため、パーティクルの付着を防止する
ことができる。
また、オゾン水を加温しているため、洗浄後の洗浄用部
材の比抵抗は低下し、これにより静電気の発生も抑制さ
れる。
(実施例) 以下、本発明の洗浄用部材の洗浄方法を適用した一実施
例の半導体ウェハの洗浄装置について、図面を参照して
説明する。
第1図に示すように、この半導体ウェハ洗浄装置1は、
ウェハ洗浄部2、ブラシ洗浄部3およびブラシ駆動部4
から主として構成されている。
上記ウェハ洗浄部2は、洗浄槽5内に回転駆動機構6に
接続され回転可能な載置台7が配置されており、この載
置台7上に被洗浄物である半導体ウェハ8が例えば真空
チャックによって保持される。また、載置台7の斜め上
方には、半導体ウェハ8用の洗浄液例えば純水等を半導
体ウェハ8に対して吹き付けるウェハ洗浄用ノズル9が
設置されている。
また、上記半導体ウェハ8の洗浄用部材であるロール式
ブラシ10は、搬送アーム11によってウェハ洗浄部2
とブラシ洗浄部3間を移動可能とされている。このロー
ル式ブラシ10の移動は、搬送アーム11に連結された
ブラシ駆動機構12によって行われると共に、上記ブラ
シ駆動機構12によってロール式ブラシ10は回転駆動
されるように構成されている。
上記ロール式プラン10は、ウェハ洗浄部2側において
は半導体ウェハ8上部の所定位置に搬送され、またブラ
シ洗浄部3側においては洗浄槽13内の所定の位置に搬
送される。
ブラシ洗浄部3には、洗浄槽13内に位置するロール式
ブラシ10に対して、ブラシ用洗浄剤すなわち加温され
たオゾン水を吹き付けるブラシ洗浄用ノズル14が設け
られている。このブラシ洗浄用ノズル14には、第2図
に示すように、ロール式ブラン10の長平方向に対して
均等にブラシ用洗浄剤を吹き付けることが可能なように
、複数のノズル孔14aが設けられている。
また、上記ブラシ洗浄用ノズル14は、洗浄剤供給ポン
プ15が介挿された洗浄剤供給管16により、ブラシ用
洗浄剤タンク17に接続されている。このブラシ用洗浄
剤タンク17には、加温機構例えばヒーター18が内蔵
されており、ブラシ用洗浄剤であるオゾン水を加温する
ことが可能とされている。なお図中、19はオゾン水の
供給用配管である。
次に、上記構成の半導体ウェハの洗浄装置lによる半導
体ウェハの洗浄工程について説明する。
まず、被洗浄物である半導体ウェハ8を載置台7上に載
置し、真空チャック等により載置台7に吸引保持させ、
半導体ウェハ8を回転させる。次に、ウェハ洗浄用ノズ
ル9から半導体ウエノ18表面にウェハ洗浄液を吹き付
けると共に、ウニ11洗浄部2側に位置するロール式ブ
ラシ10を所定の回転数で回転させながら半導体ウニ/
18の表面に押し付け、半導体ウェハ8表面の洗浄を行
う。
以上のようにして、■舞または複数枚の半導体ウェハ8
の洗浄が終了した後、ロール式ブラシ10を搬送アーム
11によりブラシ洗浄部3の洗浄槽13内に移動させる
。このブラシ洗浄部3においては、回転させたロール式
ブラシ10に対して、ブラシ洗浄用ノズル14から加温
されたオゾン水を吹き付け、オゾン水によりロール式ブ
ラシ10の洗浄を行う。
二こで、使用するオゾン水は、例えば純水とオゾンとを
混合し、水分子とオゾン分子との反応により酸素原子ラ
ジカルを水中に溶は込ませて作製したものであり、こ・
の酸素原子ラジカルの作用や溶存酸素量の増大作用等に
よって、殺菌、有機物の分解等の効果をもたらすもので
ある。
このオゾン水の洗浄効果によって、ロール式ブラシ10
に付着した有機物は除去される。また、オゾン水によっ
てロール式ブラシ10の表面は親水化されるため、移動
時等におけるパーティクルの付着は防止される。さらに
、加温したオゾン水を使用しているため、洗浄後のロー
ル式ブラシ10の比抵抗を低下させることができる。こ
の時、ブラシ10に超音波を付与すると、さらに洗浄効
果を高めることができる。
以上の動作を繰り返し行うことによって、順次半導体ウ
ェハの洗浄か行われる。
上記実施例の半導体ウェハの洗浄工程においては、加温
されたオゾン水を吹き付けることによりロール式ブラシ
10の洗浄を行っているため、ロール式ブラシ10に付
着した有機物を酸化分解によって除去することができる
。よって、ロール式ブラシ10の十分な洗浄効果が得ら
れ、かつオゾン水によってロール式ブラシ10の表面は
親水化されるため、移動時等におけるパーティクルの付
着を防止することができる。
これらによって、半導体ウェハ8の洗浄品質を高めるこ
と°が可能となる。また、加温したオゾン水を使用して
いるために、洗浄後のロール式ブラシ10の比抵抗は低
下し、これによって次工程の半導体ウェハ8の洗浄時に
おける静電気の発生が抑制され、半導体ウェハ8へのパ
ーティクル等の再付着を防止することが可能となる。
次に、本発明の他の実施例について、第3図を参照して
説明する。
第3図は、ブラシ洗浄部の他の構成例を示す図である。
同図に示すブラシ洗浄部20は、洗浄槽21内にオゾン
水が収容されており、このオゾン水内にロール式ブラシ
10を浸漬することによって、ロール式ブラシ10の洗
浄を行うよう構成されたものである。また、上記洗浄槽
21には、加温機構例えばヒーター22が内蔵されてお
り、収容されたオゾン水を例えば10℃〜70℃程度に
加温することか可能とされている。なお図中、23はオ
ゾン水の供給用配管である。
さらに、上記洗浄槽21内には、超音波洗浄用の超音波
発信子24か配置されており、オゾン水による洗浄効果
と超音波洗浄の効果とが組合せて得られるように構成さ
れている。
この実施例のブラシ洗浄部20においても、前述した実
施例と同様な効果が得られると共に、さらに超音波洗浄
によって、ロール式ブラシ10の内部まで十分に洗浄効
果を与えることができる。
なお、上記実施例においては、洗浄用部材としてロール
式ブラシを用いた例について説明したが、例えば洗浄用
スポンジ等に対しても同様な効果が得られる。また、上
記実施例においては、ブラシ洗浄部とウェハ洗浄部とで
構成した半導体ウェハ洗浄装置を例として説明したか、
ブラシ洗浄装置単独の場合についても本発明を適用でき
ることは当然である。また、半導体ウェハの処理工程の
ほか、LCD基板の処理工程、プリント基板の製造工程
等、レジスト処理する工程に適用して良好な効果が得ら
れる。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明の洗浄用部材の洗浄方法に
よれば、洗浄用部材の洗浄効果を十分に高めることかで
きると共に、洗浄用部材へのパーティクルの付着を防止
することができる。また、静電気の発生も抑制すること
ができる。したがって、被洗浄物の洗浄品質の向上を図
ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明方法を適用した一実施例の半導体ウェハ
洗浄装置の構成を示す図、第2図は第1図の半導体ウェ
ハ洗浄装置におけるブラシ洗浄部の要部を示す図、第3
図は他の実施例におけるブラシ洗浄部の構成を示す図で
ある。 1・・・・・・半導体ウェハ洗浄装置、2・・・・・・
ウェハ洗浄部、3.20・・・・・・ブラシ洗浄部、4
・・・・・・ブラシ駆動部、5・・・・・・ウェハ洗浄
槽、7・・・・・・載置台、8・・・・・・半導体ウェ
ハ 9・・・・・・ウェハ洗浄用ノズル、10・・・・
・・ロール式ブラシ、11・・・・・・搬送アーム、1
2・・・・・・ブラシ駆動機構、13.21・・・用ブ
ラシ洗浄槽、14・・・・・・ブラシ洗浄用ノズル、1
51.・、・・洗浄剤供給ポンプ、16・・・・・・洗
浄剤供給管、17・・・・・・ブラシ用洗浄剤タンク、
18.22・・・・・・ヒータ、24・・・・・・超音
波発信子。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 洗浄に用いる洗浄用部材を洗浄するにあたり、前記洗浄
    用部材を回転させつつ、加温されたオゾン水に接触させ
    、該洗浄用部材の洗浄および親水性処理を行うことを特
    徴とする洗浄用部材の洗浄方法。
JP2225661A 1990-08-28 1990-08-28 洗浄用部材の洗浄方法 Pending JPH04107824A (ja)

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