KR950702714A - 포지티브 작용성 방사선 민감성 혼합물 및 이로부터 제조된 기록물질 (Positive-acting radiation-sensitive mixture and recording material produced therewith) - Google Patents
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Abstract
본 발명은 물에 불용성이지만 알칼리 수용액에는 가용성인, 적어도 팽윤성인 결합제 (a), 화학선의 작용하에 산을 형성하는 화합물(b) 및 산에 의해 분해될 수 있는 C-O-C또는 C-O-Si결합을 하나 이상 가진 화합물(c)을 포함하고, 화합물(b)로부터 이론적으로 형성될 수 있는 산의 최대량을 기준으로 하여, 아민 또는 아미드 결합에 질소원자가 하나 이상 존재하는 하나 이상의 화합물을 추가로 0.1내지 70mol% 함유하는 방사선 민감성 혼합물에 관한 것이다. 아민 또는 아미드 결합에 질소원자가 하나 이상 존재하는 화합물의 함량은, 화합물(b)로부터 이론적으로 형성될 수 있는 산의 최대량을 기준으로 하여, 바람직하게는 0.5내지 50mol%, 특히 바람직하게는 1내지 40mol%이다. 화합물의 비점은 대기압에서 100℃이상, 바람직하게는 150℃이상, 특히 바람직하게는 150℃이상이다. 혼합물은 특히 전자부품의 제조에 사용된다. 본 발명은 또한 기재와 방사선 민감성 피막으로 이루어진 기록물질에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (8)
- 물에 불용성이지만 알칼리 수용액에는 가용성이거나 적어도 팽윤성인 결합제(a), 화학선의 작용하에 산을 형성하는 화합물(b) 및 산에 의해 분해될 수 있는 C-O-C 또는 C-O-Si 결합을 하나 이상 가진 화합물 (c)을 포함하는 방사선 민감성 혼합물로서, 화합물(b)로부터 이론적으로 형성될 수 있는 산의 최대량을 기준으로 하여, 아민 또는 아미드 결합에 질소원자가 하나 이상 존재하는 하나 이상의 화합물을 추가로 0.1 내지 70mol% 포함하는 방사선 민감성 혼합물.
- 제1항에 있어서, 아민 또는 아미드 결합에 질소원자가 하나 이상 존재하는 화합물의 함량이, 화합물(b)로부터 이론적으로 형성될 수 있는 산의 최대량을 기준으로 하여, 0.1 내지 70mol%, 바람직하게는 0.5 내지 50mol%, 특히 바람직하게는 1내지 40mol%인 방사선 민감성 혼합물.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 아민 또는 아미드 결합에 질소원자가 하나 이상 존재하는 화합물의 비점이 대기압에서 100℃이상, 바람직하게는 150℃이상, 특히 바람직하게는 180℃이상인 방사선 민감성 혼합물.
- 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, 아민 또는 아미드 결합에 질소원자가 하나 이상 존재하는 화합물이 계면활성 특성을 갖는 방사선 민감성 혼합물.
- 제1항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 있어서, 결합제 또는 결합제 혼합물(a)의 비율이, 각각의 경우, 혼합물중 비휘발성 성분의 총 중량을 기준으로 하여, 약 1내지 90중량%, 바람직하게는 50내지 90중량%인 방사선 민감성 혼합물.
- 제1항 내지 제5항 중의 어느 한 항에 있어서, 산 형성 화합물(들) (b)의 비율이, 각각의 경우, 혼합물중 비휘발성 성분의 총 중량을 기준으로 하여, 0.01 내지 7중량%, 바람직하게는 0.05 내지 5중량%인 방사선 민감성 혼잡물.
- 제1항 내지 제6항 중의 어느 한 항에 있어서, 산 분해 가능한 화합물(들)의 비율이, 각각의 경우, 혼합물 중 비휘발성 성분의 총 중량을 기준으로 하여, 1내지 50중량%, 바람직하게는 5내지 35중량%인 방사선 민감성 혼합물.
- 기재와 기재 위에 존재하는 방사선 민감성 피막(여기서, 피막은 제1항 내지 제7항 중의 어느 한 항에서 청구한 바와 같은 본 발명에 따르는 혼합물을 포함한다)으로 이루어진 방사선 민감성 기록물질.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4222968A DE4222968A1 (de) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | Positiv-arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und damit hergestelltes Aufzeichnungsmaterial |
DEP4222968.5 | 1992-07-13 | ||
PCT/EP1993/001430 WO1994001805A1 (de) | 1992-07-13 | 1993-06-07 | Positiv-arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und damit hergestelltes aufzeichnungsmaterial |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR950702714A true KR950702714A (ko) | 1995-07-29 |
KR100257956B1 KR100257956B1 (ko) | 2000-06-01 |
Family
ID=6463068
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950700122A KR100257956B1 (ko) | 1992-07-13 | 1993-06-07 | 포지티브 작용성 방사선 민감성 혼합물 및 이로부터 제조된 기록물질 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5498506A (ko) |
EP (1) | EP0650608B1 (ko) |
JP (1) | JP3258014B2 (ko) |
KR (1) | KR100257956B1 (ko) |
DE (2) | DE4222968A1 (ko) |
WO (1) | WO1994001805A1 (ko) |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4408318C2 (de) * | 1993-03-12 | 1999-09-09 | Toshiba Kk | Positiv arbeitende Lichtempfindliche Zusammensetzung |
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JP4703674B2 (ja) | 2008-03-14 | 2011-06-15 | 富士フイルム株式会社 | レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
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KR102537349B1 (ko) | 2015-02-02 | 2023-05-26 | 바스프 에스이 | 잠재성 산 및 그의 용도 |
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-
1992
- 1992-07-13 DE DE4222968A patent/DE4222968A1/de not_active Withdrawn
-
1993
- 1993-06-07 US US08/362,491 patent/US5498506A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-06-07 DE DE59309211T patent/DE59309211D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-06-07 WO PCT/EP1993/001430 patent/WO1994001805A1/de active IP Right Grant
- 1993-06-07 EP EP93912902A patent/EP0650608B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-06-07 KR KR1019950700122A patent/KR100257956B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1993-06-07 JP JP50285994A patent/JP3258014B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1994001805A1 (de) | 1994-01-20 |
EP0650608B1 (de) | 1998-12-09 |
JP3258014B2 (ja) | 2002-02-18 |
EP0650608A1 (de) | 1995-05-03 |
KR100257956B1 (ko) | 2000-06-01 |
US5498506A (en) | 1996-03-12 |
DE4222968A1 (de) | 1994-01-20 |
JPH07508840A (ja) | 1995-09-28 |
DE59309211D1 (de) | 1999-01-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
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