KR950034458A - 다결정실리콘 박막트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 다결정실리콘 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 다결정실리콘 박막트랜지스터를 제조했을 경우 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 여러가지 특성 중에서 특히 오프전류(off-current)특성이 크게 저하된다. 즉, 전송특성곡선에서 게이트전압이 네가티브로 증가할 경우 드레인전류가 증가하는 특성을 보이는데 이런 특성을 가지는 다결정실리콘 박막트랜지스터는 액정표시장치의 픽셀스위칭소자로 사용하는데 많은 제약이 따르는 문제점이 있었다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 드레인측 채널부분에 인가되는 게이트 전압의 세기를 줄여 오프전류(off-current)의 특성을 향상시키도록 하는 다결정실리콘 박막트랜지스터 제조방법을 제공하는 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명 다결정실리콘 박막트랜지스터의 단면구조도, 제4도의 (가) 내지 (사)는 제3도에 따른 제조공정도.
Claims (7)
- 기판상에 활성층을 형성하는 공정과, 상기 활성층 위에 게이트절연막, 제1게이트절연막, 제1게이트전극, 제2게이트전극을 차례로 형성하는 공정과, 상기 1제,제2게이트전극을 동시에 패터닝하는 공정과, 상기 제2게이트전극의 일부분을 식각하여 제거하는 공정과, 불순물을 주입하여 제2게이트전극이 제거된 부분의 제1게이트전극을 고농도의 불순물영역(n+)으로 형성하는 동시에 상기 활성층내에 소오스/드레인 영역을 형성하는 공정과, 열처리하여 상기에서 주입된 불순물을 활성화시키는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 다결정실리콘 박막트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 제1게이트전극은 불순물이 도핑되지 않은 다결정실리콘(Undoped Poly-Si)이 사용되는 것을 특징으로 하는 다결정실리콘 박막트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 제2게이트전극은 WSix나 MoSix등의 실리사이드계물질이 사용되는 것을 특징으로 하는 다결정실리콘 박막트랜지스터 제조방법.
- 기판위에 활성층을 형성하는 공정과, 상기 활성층위에 게이트절연막, 제1게이트전극, 실리콘 질화막을 차례로 형성하는 공정과, 상기 실리콘 질화막과 제1게이트 전극을 동시에 패터닝하는 공정과, 상기 실리콘질화막을 마스크로 하여 상기 제1게이트전극의 양측면을 레터럴하게 열산화시키는 공정과, 이온을 주입하여 상기 활성층내에 소오스/드레인영역을 형성하는 공정과, 상기 실리콘 질화막을 제거하는 공정과, 상기에서 산화된 제1게이트전극위에 제2게이트전극패턴을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막트랜지스터 제조방법.
- 제4항에 있어서, 게이트절연막은 상기 활성층표면을 열산화하여 실리콘 산화막을 형성하는 공정과, 상기 실리콘 산화막위에 실리콘 질화막을 증착하는 공정과, 상기 실리콘 질화막표면을 열산화시켜 실리콘 산화막을 형성하는 공정으로 오엔오(Reoxidized Nitrided Oxide : ONO)구조를 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막트랜지스터 제조방법.
- 제4항에 있어서, 제1게이트전극은 불순물이 도핑된 다결정실리콘(Doped Poly-Si)이 사용되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막트랜지스터 제조방법.
- 제4항에 있어서, 제2게이트전극은 불순물이 도핑된 다결정실리콘(Doped Poly-Si)이 사용되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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