KR930018736A - 반도체장치와 그 제작방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액티브 매트릭스형 전기광학장치, 특히 액티브 매트릭스형 전기광학장치등에 이용할 수 있고, 명확하 스위칭 특성을 갖는 절연게이트형 전제효과 트랜지스터의 구조 및 그 제작방법에 관한 것으로, 본 발명에서는 게이트 전극의 표면에 양극산화에 의한 절연막층을 설치하는 것으로, 채널길이를 게이트 전극의 채널 장방향의 길이 보다도 길게 되어, 채널영역의 양측부에 게이트 전극에 의한 전계가 걸리지 않는, 혹은 매우 약한 전계가 걸리는 오프셋 영역을 설치하거나, 혹은 같은 방법에 의해 동일한 효과를 갖는 비결정성의 불순물 반도체 영역을 설치할 수 있어, 역바이어스시의 리크전류를 줄일 수 있고, 그 결과 종래에 꼭 필요했던 전하유지 용량이 불필요하게 되어, 종래에 비해 개구율을 크게 향상시킬 수 있고, 보다 양호한 표시품질을 얻을 수 있는 반도체장치 및 그 제작방법이다.

Description

반도체장치와 그 제작방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 반도체장치의 구조도.
제6도는 실시예 1에 있어서 액티브 매트릭스형 액정 전기광학장치의 회로도.
제9도는 본 발명에 의한 TFT의 특성예 및 그 동작원리를 나타내는 도면.

Claims (15)

  1. 절연기판상에 적어도 반도체층, 절연막층 및 도체층을 갖는 절연게이트형 전계효과 트랜지스터에 있어서 채널길이가 게이트 전극의 채널 장방향의 길이 보다도 긴 점을 특징으로 하는 반도체장치.
  2. 제1항에 있어서, 채널의 길이는 게이트 전극의 채널 장방향의 길이 보다도 게이트 전극 표면에 형성된 산화물층 두께의 개략 2배 정도 긴 점을 특징으로 하는 반도체장치.
  3. 절연기판상에 적어도 반도체층, 절연막층 및 도체층을 갖는 절연 게이트형 전계효과 트랜지스터의 제작방법에 있어서, 반도체층 및 게이트 절연막층을 형성한 후에 양극산화 가능한 재료에 의해 게이트 전극부를 형성한 후에, 상기 반도체층에 p형화 또는 n형화 시키는 불순물 이온을 주입하여 소스 또는 드레인 영역을 형성한 후에, 상기 게이트 전극부 표면을 양극산화하고, 그 후에 열처리 공정을 갖는 점을 특징으로 하는 반도체장치의 제작방법.
  4. 금속이 게이트 전극과 그 게이트 전극을 둘러쌓아 형성된 양극 산화물층과, 박막형의 채널영역과, 그 채널영역을 끼워 형성된 한쌍의 제1의 불순물영역과, 각 제1의 불순물영역에 인접한 제2의 불순물 영역을 갖는 점을 특징으로 하는 박막형의 절연게이트형 반도체장치.
  5. 제4항에 있어서, 제1의 불순물영역은 비정질 상태인 점을 특징으로 하는 절연게이트형 반도체장치.
  6. 제1항에 이어서, 그 반도체장치 절연기판상에 형성되고, 그 소스 혹은 드레인의 어느 한쪽은 커패시터 소자에 접속되어 있는 점을 특징으로 하는 반도체장치.
  7. 제6항에 있어서, 그 반도체장치는 액정 표시장치 화소의 구동에 이용되는 점을 특징으로 하는 반도체장치.
  8. 제4항에 있어서, 그 반도체장치는 절연기판상에 형성되고, 그 소스 혹은 드레인의 어느 한쪽은 커패시터 소자에 접속되어 있는 점을 특징으로 하는 반도체장치.
  9. 1 매의 기판상에 형성된 제1 및 제2의 MIS형 트랜지스터를 갖는 반도체장치에 있어서, 제1의 MIS형 트랜지스터의 게이트 전극의 측면 및/또는 윗면에 존재하는 게이트 전극을 구성하는 재료의 산화물로 이루어진 물체의 두께가 제2의 MIS형 트랜지스터의 것과 서로다른 점을 특징으로 하는 반도체장치.
  10. 제9항에 있어서, 반도체장치는 액티브 매트릭스형의 액정표시 장치인 점을 특징으로 한다.
  11. 1매의 기판상에서 적어도 하나의 MIS형 트랜지스터와, 상기 MIS형 트래지스터의 게이트 전극과 같은 층내의 적어도 하나의 제1의 배선과, 상기 제1의 배선과는 서로다른 층내에 존재하는 제2의 배선이 존재하고, 또한, 상기 제1 및 제2의 배선이 교점 A에서 교차하고 있는 반도체장치에 있어서, 상기 MIS형 트랜지스터의 게이트 전극의 측면 및/또는 윗면에 존재하는 게이트 전극을 구성하는 재료의 산화물로 이루어지는 물체의 두께가, 상기 교점 A에 있어서 상기 제1의 배선의 측면 및/또는 윗면에 존재하는 것과 서로다른 점을 특징으로 하는 반도체장치.
  12. 1매의 기판상에 형성된 적어도 하나의 커패시터와, 상기 커패시터의 제1의 전극과 같은 층내의 제1의 배선과, 상기 커패시터의 제2의 전극과 같은 층내에 존재하는 제2의 배선이 존재하고, 또한 상기 제1 및 제2의 배선이 커패시터 이외의 교점 B에서도 교차하고 있는 반도체장치에 있어서, 상기 커패시터의 제1의 전극 윗면에 존재하고, 그 제1의 전극을 구성하는 재료의 산화물로 이루어지는 물체의 두께가, 상기 교점 B에 있어서 상기 제1의 배선의 측면 및/또는 윗면에 존재하는 것과 서로다른 점을 특징으로 하는 반도체장치.
  13. 기판상에 형성된 제1의 배선에 선택적으로 제1의 마스크재를 형성한 후, 제1의 배선을 산화하는 공정과, 상기 제1의 마스크재의 적어도 일부를 포함하는 역에 제2의 마스크재를 형성한 후, 제1의 배선을 산화하는 공정과, 상기 제1 및 제2의 마스크재를 제거한 후, 적어도 제1의 마스크재가 형성된 영역의 일부에 제2의 배선을 형성하는 공정을 갖는 점을 특징으로 하는 반도체장치의 제작방법.
  14. 기판상에 형성되고, 그 표면이 산화된 제1의 배선에 선택적으로 마스크재를 형성한후, 제1의 배선을 산화하는 공정과, 상기 마스크재를 제거한 후, 적어도 마스크재가 형성된 영역의 일부에 콘택트홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택트홀의 적어도 일부에 제2이 배선을 형성하는 공정을 갖는 점을 특징으로 하는 반도체장치의 제작방법.
  15. 기판상에 형성되고 그 표면이 산화된 제1의 배선을 선택적으로 에칭한 후, 층간절연물을 형성하는 공정과, 상기 층간절연물에 콘택트홀을 형성한 후, 제2의 배선을 형성하는 공정을 갖는 점을 특징으로 하는 반도체장치의 제작방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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