KR950034303A - 저항체, 저항체의 제조방법 및 제조장치 - Google Patents
저항체, 저항체의 제조방법 및 제조장치 Download PDFInfo
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Abstract
전계방출형 형광표시관의 음극도체측에 사용하는 수소화 무정형 실리콘막으로 이루어진 저항체, 저항체의 제조방법 및 제조장치이고, 저항률을 제어하기 위한 불순물을 포함하는 수소화 무정형 실리콘막을 기판에 퇴적시킴에 있어서, 질화물을 첨가한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예 방법에 적용하는 플라스마 CVD(chemical vapor deposition) 장치의 개요를 도시하는 전체구성도이다. 제2도는 본 발명의 1실시예 방법에 있어서, 모노실란과 포스핀의 합계량에 대한 질소가스의 양과 형성되는 수소화 무정형 실리콘막의 저항률과의 관계를 도시하는 그래프이고, 제4도는 본 발멍의 1실시예 방법에 의하여 제조한 수수화 무정형 실리콘막을 저항체층으로 하여 적용하는 전계방출형 형광표시관의 요부를 모식적으로 도시하는 부분단면도이다.
Claims (9)
- 저항률을 제어하기 위한 불순물을 포함하는수소화 무정형 실리콘막으로 이루어진 저항체에 있어서, 상기 수소화 무정형 실리콘막이 저항체를 열적으로 안정시키는 질화물계가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항체.
- 제1항에 있어서, 상기 저항체를 열적으로 안정시키는 질화물계가스가 질소, 암모니아, 아산화질소중에서, 선택된 가스임을 특징으로 하는 저항체.
- 제2항에 있어서, 질소를 사용한 경우 원료물질중에 50%이상 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 저항체.
- 저항률을 제어하기 위한 불순물을 포함하는 수소화 실리콘막을 기판상에 퇴적시키는 저항체의 제조방법에 있어서 상기 수소화 무정형 실리콘막의 퇴적시에 저항체를 열적으로 안정시키는 질화물계가수를 첨가하는 것을 특징으로 하는 저항체의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 저항체를 열적으로 안정시키는 질화물계가스가 질소, 암모니아, 이산화질소중에서 선택된 가스인 것을 특징으로 하는 저항체의 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 질화물계가스중의 질소량이 원료물질중에 50%이상 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 저항체의 제조방법.
- 제4항 내지 제6항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 수소화 무정형 실리콘막의 퇴적시에 기판온도를 250∼430℃의 범위로 제어함으로서 그 처리온도의 제어에 의하여 퇴적시킨 수소화 무정형 실리콘막의 저항률을 3×106∼7×132cm의 범위로 제어하는 것을 특징으로 하는 저항체의 제조방법.
- 기판면에 저항률을 제어하기 위한 불순물을 포함하는 숫화 무정형 실리콘막을 퇴적하여 저항체를 제조하는 장치에 있어서, 적어도 한쌍의 방전용 전극과, 그 한쌍의 방전용 적극사이에 대하여 저항률을 제어하기 위한 불순물을 포함하는 수소화 무정형 실리콘막의 퇴적용 원료가스 및 저항체를 열적으로 안정시키는 질화물계가스를 각각 공급하는 수단을 구비하여 구성한 것을 특징으로 하는 저항체의 제조장치.
- 제8항에 있어서, 상기 수소화 무정형 실리콘막의 퇴적시에 있어서, 저항률 제어를 위하여 그 퇴적시의 온도제어를 이루는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 저항체의 제조장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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