JP3254885B2 - 抵抗体の製造方法 - Google Patents
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
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- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、熱処理に対してその抵
抗率を安定に保つことができる抵抗体及びその製造方法
に関するものである。
抗率を安定に保つことができる抵抗体及びその製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ）は、一般にプラズマＣＶＤ法又は反応性スパッ
タリング法等により形成される。例えば、プラズマＣＶ
Ｄ法によってｎ型の水素化アモルファスシリコンを形成
する場合には、モノシラン（ＳｉＨ4 ）又は高級シラン
とホスフィン（ＰＨ3 ）を原料ガスとし、これらを高周
波（ＲＦ）放電によって分解して温度２００〜３００℃
に保持された基板の上に堆積させている。
ｉ：Ｈ）は、一般にプラズマＣＶＤ法又は反応性スパッ
タリング法等により形成される。例えば、プラズマＣＶ
Ｄ法によってｎ型の水素化アモルファスシリコンを形成
する場合には、モノシラン（ＳｉＨ4 ）又は高級シラン
とホスフィン（ＰＨ3 ）を原料ガスとし、これらを高周
波（ＲＦ）放電によって分解して温度２００〜３００℃
に保持された基板の上に堆積させている。
【０００３】このような方法によって形成した水素化ア
モルファスシリコンの中には、水素が１０〜２０ａｔｍ
％程含まれており、この水素が水素化アモルファスシリ
コンの性質の決定に重要な影響を与えている。この水素
化アモルファスシリコン中に含まれる水素は、ダングリ
ングボンドを除去する直接的な役割を持っている。それ
だけでなく、水素化アモルファスシリコンの膜を形成す
る際の表面プロセスにおける役割や、ネットワークの構
造緩和剤としての役割も持ち、これらの役割による効果
が基板の温度による熱的効果と相まって、間接的にもダ
ングリングボンドを減少させている。
モルファスシリコンの中には、水素が１０〜２０ａｔｍ
％程含まれており、この水素が水素化アモルファスシリ
コンの性質の決定に重要な影響を与えている。この水素
化アモルファスシリコン中に含まれる水素は、ダングリ
ングボンドを除去する直接的な役割を持っている。それ
だけでなく、水素化アモルファスシリコンの膜を形成す
る際の表面プロセスにおける役割や、ネットワークの構
造緩和剤としての役割も持ち、これらの役割による効果
が基板の温度による熱的効果と相まって、間接的にもダ
ングリングボンドを減少させている。
【０００４】即ち、水素化アモルファスシリコン中のＳ
ｉ−Ｈ結合が、不安定なダングリングボンドを減少させ
て構造機敏性を実現させ、Ｐ（リン、Ｖ族）、Ｂ（ホウ
素、III族）によって結晶Ｓｉと同様な置換型ドーピン
グによるｐｎ接合を実現する。水素化アモルファスシリ
コンにおける水素のこのような性質は、ダイオードやト
ランジスタへの水素化アモルファスシリコンの応用を可
能にする応用上重要な性質である。
ｉ−Ｈ結合が、不安定なダングリングボンドを減少させ
て構造機敏性を実現させ、Ｐ（リン、Ｖ族）、Ｂ（ホウ
素、III族）によって結晶Ｓｉと同様な置換型ドーピン
グによるｐｎ接合を実現する。水素化アモルファスシリ
コンにおける水素のこのような性質は、ダイオードやト
ランジスタへの水素化アモルファスシリコンの応用を可
能にする応用上重要な性質である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前述のような製法で製
造した水素化アモルファスシリコンを加熱していくと、
通常２５０〜３５０℃で膜中から水素が離脱し始める。
かかる水素の拡散は、Ｓｉ−Ｈ結合からのＨの離脱を意
味し、これと同時にその周辺においてＳｉ−Ｓｉ結合の
再配列が起こっていることを示しており、その結果とし
てダングリングボンドやフローティングボンド等の異常
電子配置つまり構造欠陥が発生する。
造した水素化アモルファスシリコンを加熱していくと、
通常２５０〜３５０℃で膜中から水素が離脱し始める。
かかる水素の拡散は、Ｓｉ−Ｈ結合からのＨの離脱を意
味し、これと同時にその周辺においてＳｉ−Ｓｉ結合の
再配列が起こっていることを示しており、その結果とし
てダングリングボンドやフローティングボンド等の異常
電子配置つまり構造欠陥が発生する。
【０００６】従って、水素化アモルファスシリコンを加
熱すると、構造欠陥によって抵抗率が上昇する等、その
性質が著しく変化してしまう。水素化アモルファスシリ
コンは、電界放出形陰極を電子源に用いた蛍光表示管
（電界放出形蛍光表示管）において、陰極導体側に抵抗
体層として用いられている。しかしながら、このような
熱に対する不安定性があるため、電界放出形蛍光表示管
に水素化アモルファスシリコンを抵抗体として設けた場
合には、電界放出形蛍光表示管の製造工程に含まれる各
種熱処理工程の条件（加熱条件等）が制約されてしまう
という問題があった。
熱すると、構造欠陥によって抵抗率が上昇する等、その
性質が著しく変化してしまう。水素化アモルファスシリ
コンは、電界放出形陰極を電子源に用いた蛍光表示管
（電界放出形蛍光表示管）において、陰極導体側に抵抗
体層として用いられている。しかしながら、このような
熱に対する不安定性があるため、電界放出形蛍光表示管
に水素化アモルファスシリコンを抵抗体として設けた場
合には、電界放出形蛍光表示管の製造工程に含まれる各
種熱処理工程の条件（加熱条件等）が制約されてしまう
という問題があった。
【０００７】即ち、従来の水素化アモルファスシリコン
の製造方法によれば、電界放出形蛍光表示管を安定して
動作させるために十分で適当な抵抗体の層を安定して再
現性よく製造することができなかった。
の製造方法によれば、電界放出形蛍光表示管を安定して
動作させるために十分で適当な抵抗体の層を安定して再
現性よく製造することができなかった。
【０００８】本発明は、熱処理に対してその抵抗率を安
定に保つことができる抵抗体及びその製造方法を提供す
ることを目的としている。
定に保つことができる抵抗体及びその製造方法を提供す
ることを目的としている。
【０００９】請求項１に記載された抵抗体の製造方法
は、抵抗率を制御するための不純物を含む水素化アモル
ファスシリコンを基板上に堆積させる抵抗体の製造方法
において、前記堆積時に窒素ガスを原料物質であるＳｉ
Ｈ 4 とＰＨ 3 の５０％以上１５０％以下添加し、前記堆
積時の基板を２００〜３００℃の温度に保持することを
特徴としている。
は、抵抗率を制御するための不純物を含む水素化アモル
ファスシリコンを基板上に堆積させる抵抗体の製造方法
において、前記堆積時に窒素ガスを原料物質であるＳｉ
Ｈ 4 とＰＨ 3 の５０％以上１５０％以下添加し、前記堆
積時の基板を２００〜３００℃の温度に保持することを
特徴としている。
【００１０】請求項２に記載された抵抗体は、抵抗率を
制御するための不純物を含む水素化アモルファスシリコ
ンからなる抵抗体において、窒素ガスを原料物質である
ＳｉＨ 4 とＰＨ 3 の５０％以上１５０％以下添加して２
００〜３００℃の温度に保持した無アルカリガラスの基
板に堆積させたことを特徴としている。
制御するための不純物を含む水素化アモルファスシリコ
ンからなる抵抗体において、窒素ガスを原料物質である
ＳｉＨ 4 とＰＨ 3 の５０％以上１５０％以下添加して２
００〜３００℃の温度に保持した無アルカリガラスの基
板に堆積させたことを特徴としている。
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【作用】窒素等の熱的に安定した元素を含有する水素化
アモルファスシリコンは、熱処理によって構造欠陥が緩
和されて生じる抵抗率の変化が安定している。窒素等の
熱的に安定した元素を含有する水素化アモルファスシリ
コンの熱処理前の抵抗率は、堆積時の処理温度によって
決まる。
アモルファスシリコンは、熱処理によって構造欠陥が緩
和されて生じる抵抗率の変化が安定している。窒素等の
熱的に安定した元素を含有する水素化アモルファスシリ
コンの熱処理前の抵抗率は、堆積時の処理温度によって
決まる。
【００１６】
【実施例】本発明の一実施例を図１〜図４を参照して説
明する。図１は、本発明の一実施例において用いるプラ
ズマＣＶＤ装置の構造を示す。気密に構成された反応室
１の内部は、メカニカルブースターポンプ２及びドライ
ポンプ３を介して排気され、プロセス時には０．６〜
１．０Torrの圧力に設定される。排気の一部は除害装置
４を介して排気される。図中ＡＰＣは圧力制御装置であ
る。
明する。図１は、本発明の一実施例において用いるプラ
ズマＣＶＤ装置の構造を示す。気密に構成された反応室
１の内部は、メカニカルブースターポンプ２及びドライ
ポンプ３を介して排気され、プロセス時には０．６〜
１．０Torrの圧力に設定される。排気の一部は除害装置
４を介して排気される。図中ＡＰＣは圧力制御装置であ
る。
【００１７】反応室１の内部には、上部電極５（シャワ
ー電極）と下部電極６が設けられている。両電極は高周
波電源ＲＦに接続されている。その表面に水素化アモル
ファスシリコンが成膜される基板１０は下部電極６の上
に載置される。下部電極６には加熱ヒータ７が設けら
れ、載置される基板１０を所定の温度に保持する。
ー電極）と下部電極６が設けられている。両電極は高周
波電源ＲＦに接続されている。その表面に水素化アモル
ファスシリコンが成膜される基板１０は下部電極６の上
に載置される。下部電極６には加熱ヒータ７が設けら
れ、載置される基板１０を所定の温度に保持する。
【００１８】上部電極５には、原料ガスを導く配管８が
接続連通されている。該配管８は、反応室１の気密を保
って導出され、複数の原料ガス（反応ガス）をそれぞれ
収納した複数の容器９，９…にそれぞれ流量制御弁９
ａ，９ａ…を介して接続されている。
接続連通されている。該配管８は、反応室１の気密を保
って導出され、複数の原料ガス（反応ガス）をそれぞれ
収納した複数の容器９，９…にそれぞれ流量制御弁９
ａ，９ａ…を介して接続されている。
【００１９】次に、前記プラズマＣＶＤ装置を用いて行
う水素化アモルファスシリコンの製造工程について説明
する。水素化アモルファスシリコンを堆積させる基板１
０は、無アルカリガラスの板を用いる。また、本実施例
で利用する原料ガスは、モノシラン（ＳｉＨ4 ）、ホス
フィン（ＰＨ3 ）、熱的に安定させる元素である窒素の
各ガスである。各原料ガスは、前記各容器９にそれぞれ
収納する。なお、本実施例で用いたホスフィンは、窒素
で１％に希釈したガスである。
う水素化アモルファスシリコンの製造工程について説明
する。水素化アモルファスシリコンを堆積させる基板１
０は、無アルカリガラスの板を用いる。また、本実施例
で利用する原料ガスは、モノシラン（ＳｉＨ4 ）、ホス
フィン（ＰＨ3 ）、熱的に安定させる元素である窒素の
各ガスである。各原料ガスは、前記各容器９にそれぞれ
収納する。なお、本実施例で用いたホスフィンは、窒素
で１％に希釈したガスである。
【００２０】前記基板１０を反応室１の下部電極６上に
載置する。反応室１内を排気し、加熱ヒータ７によって
基板１０を２００〜３００℃の温度に保持する。反応室
１内に前記各原料ガスを所定の流量で導入する。上部及
び下部電極５，６に所定周波数の高周波を印加して高周
波（ＲＦ）放電を生じさせ、前記各原料ガスを高周波
（ＲＦ）放電で分解して前記基板１０上に堆積させる。
載置する。反応室１内を排気し、加熱ヒータ７によって
基板１０を２００〜３００℃の温度に保持する。反応室
１内に前記各原料ガスを所定の流量で導入する。上部及
び下部電極５，６に所定周波数の高周波を印加して高周
波（ＲＦ）放電を生じさせ、前記各原料ガスを高周波
（ＲＦ）放電で分解して前記基板１０上に堆積させる。
【００２１】本実施例では、モノシランとホスフィンの
合計量に対する窒素ガスの量を０％、２５％、５０％、
７５％、１００％の各％とし、それぞれ別々の基板上に
水素化アモルファスシリコンを堆積させた。堆積速度は
毎分０．１μｍであり、０．５μｍの膜状に形成した。
なお、窒素ガス０％は従来の方法に相当する。
合計量に対する窒素ガスの量を０％、２５％、５０％、
７５％、１００％の各％とし、それぞれ別々の基板上に
水素化アモルファスシリコンを堆積させた。堆積速度は
毎分０．１μｍであり、０．５μｍの膜状に形成した。
なお、窒素ガス０％は従来の方法に相当する。
【００２２】各条件で堆積した水素化アモルファスシリ
コンの抵抗率を測定する。また、各条件で堆積した水素
化アモルファスシリコンを、異なる２つの条件下でそれ
ぞれ独立にアニールし、その後のそれぞれの抵抗率を測
定する。第１のアニール条件は、４５０℃で１時間であ
る。第２のアニール条件は、５５０℃で１時間である。
コンの抵抗率を測定する。また、各条件で堆積した水素
化アモルファスシリコンを、異なる２つの条件下でそれ
ぞれ独立にアニールし、その後のそれぞれの抵抗率を測
定する。第１のアニール条件は、４５０℃で１時間であ
る。第２のアニール条件は、５５０℃で１時間である。
【００２３】図２に、モノシランとホスフィンの合計量
に対する窒素ガスの量と、形成された水素化アモルファ
スシリコンの抵抗率との関係を示した。同図中に、各水
素化アモルファスシリコンを２つの条件でそれぞれアニ
ールした後の抵抗率を示す。
に対する窒素ガスの量と、形成された水素化アモルファ
スシリコンの抵抗率との関係を示した。同図中に、各水
素化アモルファスシリコンを２つの条件でそれぞれアニ
ールした後の抵抗率を示す。
【００２４】この図から分かるように、堆積後の水素化
アモルファスシリコンの抵抗率は、窒素ガスの混合量が
増えるにつれて増大する。各水素化アモルファスシリコ
ンに４５０℃で１時間のアニールを行うと、全ての条件
下で各水素化アモルファスシリコンの抵抗率は減少す
る。特に窒素混合量２５％以上においては、抵抗率の減
少量はほぼ一定となっている。このようにアニールによ
って抵抗率が減少するのは、堆積時には不完全であった
ネットワークが熱によって再配列され、構造欠陥が緩和
されるためであると考えられる。
アモルファスシリコンの抵抗率は、窒素ガスの混合量が
増えるにつれて増大する。各水素化アモルファスシリコ
ンに４５０℃で１時間のアニールを行うと、全ての条件
下で各水素化アモルファスシリコンの抵抗率は減少す
る。特に窒素混合量２５％以上においては、抵抗率の減
少量はほぼ一定となっている。このようにアニールによ
って抵抗率が減少するのは、堆積時には不完全であった
ネットワークが熱によって再配列され、構造欠陥が緩和
されるためであると考えられる。
【００２５】５５０℃で１時間のアニールを行うと、窒
素混合量が０％や２５％と少ない条件下においては抵抗
率が上昇する。ところが、５０％以上窒素を混合した各
場合においては、５５０℃で１時間のアニールによっ
て、４５０℃で１時間のアニールによって得られたのと
同様な抵抗率を得ることができた。
素混合量が０％や２５％と少ない条件下においては抵抗
率が上昇する。ところが、５０％以上窒素を混合した各
場合においては、５５０℃で１時間のアニールによっ
て、４５０℃で１時間のアニールによって得られたのと
同様な抵抗率を得ることができた。
【００２６】このように、窒素混合量が５０％以上であ
る場合には、窒素混合量や熱処理の条件に係わらず、熱
処理後に抵抗率が一定値だけ低下する。
る場合には、窒素混合量や熱処理の条件に係わらず、熱
処理後に抵抗率が一定値だけ低下する。
【００２７】基板上に堆積させた水素化アモルファスシ
リコンの熱処理前の抵抗率は、堆積時の温度によって変
化する。図３は、窒素を含まない水素化アモルファスシ
リコンの堆積において、基板温度を２５０℃、２８０
℃、３５０℃、４３０℃の各温度に変化させた時の水素
化アモルファスシリコンの抵抗率を示す。同図に示すよ
うに、堆積時の基板温度が上がるにつれて、抵抗率は減
少していく。
リコンの熱処理前の抵抗率は、堆積時の温度によって変
化する。図３は、窒素を含まない水素化アモルファスシ
リコンの堆積において、基板温度を２５０℃、２８０
℃、３５０℃、４３０℃の各温度に変化させた時の水素
化アモルファスシリコンの抵抗率を示す。同図に示すよ
うに、堆積時の基板温度が上がるにつれて、抵抗率は減
少していく。
【００２８】以上の実験結果から、堆積時の基板温度
と、堆積時の窒素ガス混合率とを上述したように組み合
わせて選択することにより、熱安定性に優れた上述した
抵抗率を有する水素化アモルファスシリコンの抵抗体を
形成することが可能である。
と、堆積時の窒素ガス混合率とを上述したように組み合
わせて選択することにより、熱安定性に優れた上述した
抵抗率を有する水素化アモルファスシリコンの抵抗体を
形成することが可能である。
【００２９】図４は、本実施例の水素化アモルファスシ
リコンの層を抵抗層として有する電界放出形蛍光表示管
の電界放出形陰極を示す断面図である。基板１００の上
にはカソード導体１０１が形成され、その上には前記水
素化アモルファスシリコンからなる層状の抵抗体１０２
が形成されている。抵抗体１０２の上には絶縁層１０３
とゲート１０４が順に積層されている。絶縁層１０３と
ゲート１０４にはホール１０６が形成され、ホール１０
６内の抵抗体１０２の上には電子を放出するコーン形状
のエミッタ１０５が形成されている。
リコンの層を抵抗層として有する電界放出形蛍光表示管
の電界放出形陰極を示す断面図である。基板１００の上
にはカソード導体１０１が形成され、その上には前記水
素化アモルファスシリコンからなる層状の抵抗体１０２
が形成されている。抵抗体１０２の上には絶縁層１０３
とゲート１０４が順に積層されている。絶縁層１０３と
ゲート１０４にはホール１０６が形成され、ホール１０
６内の抵抗体１０２の上には電子を放出するコーン形状
のエミッタ１０５が形成されている。
【００３０】図示はしないが、前記基板１００上の電界
放出形陰極に対面して透光性の前面板が設けられる。前
面板の内面には発光表示部としての陽極が設けられてい
る。該陽極は、透光性の陽極導体と、該陽極導体に設け
られた蛍光体層からなる。
放出形陰極に対面して透光性の前面板が設けられる。前
面板の内面には発光表示部としての陽極が設けられてい
る。該陽極は、透光性の陽極導体と、該陽極導体に設け
られた蛍光体層からなる。
【００３１】前記電界放出形陰極から放出された電子
は、陽極の蛍光体に射突してこれを発光させる。蛍光体
の発光は、透光性の陽極導体及び前面板を介して外から
観察される。
は、陽極の蛍光体に射突してこれを発光させる。蛍光体
の発光は、透光性の陽極導体及び前面板を介して外から
観察される。
【００３２】前記電界放出形蛍光表示管はカソード導体
１０１とエミッタ１０５の間に抵抗体１０２を有してい
るので、ショートした時にもエミッタ１０５には過大電
流が流れず、またショート等によってエミッタ１０５が
破壊した時にも、破壊されるエミッタ１０５の範囲を最
小限度にすることができる。
１０１とエミッタ１０５の間に抵抗体１０２を有してい
るので、ショートした時にもエミッタ１０５には過大電
流が流れず、またショート等によってエミッタ１０５が
破壊した時にも、破壊されるエミッタ１０５の範囲を最
小限度にすることができる。
【００３３】このような電界放出形蛍光表示管の製造工
程においては、外囲器の封着工程、基板の焼成工程等、
加熱工程が多く、かかる加熱工程においては３００℃以
上の熱処理が必要になる。本実施例の水素化アモルファ
スシリコンを用いた抵抗体によれば、その抵抗率が熱に
対して安定しているので、電界放出形蛍光表示管として
の表示性能が安定するという効果がある。
程においては、外囲器の封着工程、基板の焼成工程等、
加熱工程が多く、かかる加熱工程においては３００℃以
上の熱処理が必要になる。本実施例の水素化アモルファ
スシリコンを用いた抵抗体によれば、その抵抗率が熱に
対して安定しているので、電界放出形蛍光表示管として
の表示性能が安定するという効果がある。
【００３４】前記一実施例では、プラズマＣＶＤ法を説
明したが、反応性スパッタリング法を利用することもで
きる。その場合には、窒素等の熱的に安定させる元素を
放電ガス中に適当量混合しておく。また、窒素等の熱的
に安定させる元素は、水素化アモルファスシリコンを堆
積させていく工程において添加してもよいが、水素化ア
モルファスシリコンを堆積させた後、これに窒素等をイ
オン注入法等によって打ち込んでもよい。その際の注入
密度は、例えば１０18〜１０20cm-3程度であった。
明したが、反応性スパッタリング法を利用することもで
きる。その場合には、窒素等の熱的に安定させる元素を
放電ガス中に適当量混合しておく。また、窒素等の熱的
に安定させる元素は、水素化アモルファスシリコンを堆
積させていく工程において添加してもよいが、水素化ア
モルファスシリコンを堆積させた後、これに窒素等をイ
オン注入法等によって打ち込んでもよい。その際の注入
密度は、例えば１０18〜１０20cm-3程度であった。
【００３５】
【発明の効果】本発明の抵抗体及びその製造方法によれ
ば、熱処理に対して抵抗率が安定しているという効果が
ある。
ば、熱処理に対して抵抗率が安定しているという効果が
ある。
【００３６】外部から加えられる熱及び電気回路内等に
おける抵抗体として使用されている際に発生する熱に対
し、高い信頼性を得ることができる。
おける抵抗体として使用されている際に発生する熱に対
し、高い信頼性を得ることができる。
【００３７】一般にアモルファスは内部応力が大きく、
堆積させた基板から剥離してしまうこともあるが、製造
時に窒素等の混合ガスの流量を制御することにより、堆
積される水素化アモルファスシリコンの内部応力を制御
することができる。
堆積させた基板から剥離してしまうこともあるが、製造
時に窒素等の混合ガスの流量を制御することにより、堆
積される水素化アモルファスシリコンの内部応力を制御
することができる。
【００３８】従来用いていなかった窒素ガスを加えたこ
とにより原料ガスの総量が増加し、これによって堆積時
に安定した放電が得られ、水素化アモルファスシリコン
の特性が安定した。
とにより原料ガスの総量が増加し、これによって堆積時
に安定した放電が得られ、水素化アモルファスシリコン
の特性が安定した。
【００３９】
【図１】本発明の一実施例で使用するプラズマＣＶＤ装
置の構成図である。
置の構成図である。
【図２】本発明の一実施例において、モノシランとホス
フィンの合計量に対する窒素ガスの量と、形成された水
素化アモルファスシリコンの抵抗率との関係を示すグラ
フである。
フィンの合計量に対する窒素ガスの量と、形成された水
素化アモルファスシリコンの抵抗率との関係を示すグラ
フである。
【図３】窒素を含まない水素化アモルファスシリコンの
堆積において、基板温度を変化させた時の水素化アモル
ファスシリコンの抵抗率を示す。
堆積において、基板温度を変化させた時の水素化アモル
ファスシリコンの抵抗率を示す。
【図４】一実施例の水素化アモルファスシリコンを抵抗
体として有する電界放出形蛍光表示管の一部を示す断面
図である。
体として有する電界放出形蛍光表示管の一部を示す断面
図である。
１０２ 抵抗体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−240390（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−132802（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−152562（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−313266（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−57755（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 27/04 H01L 21/205 H01L 21/822 H01L 27/12 H01L 21/336 H01L 29/786
Claims (2)
- 【請求項１】抵抗率を制御するための不純物を含む水素
化アモルファスシリコンを無アルカリガラスの基板上に
堆積させる抵抗体の製造方法において、前記堆積時に窒
素ガスを原料物質であるＳｉＨ 4 とＰＨ 3 の５０％以上
１５０％以下添加し、前記堆積時の基板を２００〜３０
０℃の温度に保持することを特徴とする抵抗体の製造方
法。 - 【請求項２】抵抗率を制御するための不純物を含む水素
化アモルファスシリコンからなる抵抗体において、 窒素ガスを原料物質であるＳｉＨ 4 とＰＨ 3 の５０％以
上１５０％以下添加して２００〜３００℃の温度に保持
した無アルカリガラスの基板に堆積させた抵抗体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5059494A JP3254885B2 (ja) | 1994-03-22 | 1994-03-22 | 抵抗体の製造方法 |
| TW084102637A TW273634B (ja) | 1994-03-22 | 1995-03-18 | |
| KR1019950006104A KR100254364B1 (ko) | 1994-03-22 | 1995-03-22 | 저항체의 제조방법 |
| US08/408,566 US5656330A (en) | 1994-03-22 | 1995-03-22 | Resistive element having a resistivity which is thermally stable against heat treatment, and method and apparatus for producing same |
| FR9503368A FR2717946B1 (fr) | 1994-03-22 | 1995-03-22 | Elément résistif et procédé et appareil pour le fabriquer. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5059494A JP3254885B2 (ja) | 1994-03-22 | 1994-03-22 | 抵抗体の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263636A JPH07263636A (ja) | 1995-10-13 |
| JP3254885B2 true JP3254885B2 (ja) | 2002-02-12 |
Family
ID=12863305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5059494A Expired - Fee Related JP3254885B2 (ja) | 1994-03-22 | 1994-03-22 | 抵抗体の製造方法 |
Country Status (5)
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| JP (1) | JP3254885B2 (ja) |
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| FR (1) | FR2717946B1 (ja) |
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| KR100464294B1 (ko) * | 1998-01-12 | 2005-05-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 저항체층겸용음극층을갖는필드에미션어레이및그제조방법 |
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| US6281100B1 (en) | 1998-09-03 | 2001-08-28 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods |
| US6828683B2 (en) | 1998-12-23 | 2004-12-07 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor devices, and semiconductor processing methods |
| US7235499B1 (en) * | 1999-01-20 | 2007-06-26 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods |
| US7088037B2 (en) * | 1999-09-01 | 2006-08-08 | Micron Technology, Inc. | Field emission display device |
| US7067414B1 (en) | 1999-09-01 | 2006-06-27 | Micron Technology, Inc. | Low k interlevel dielectric layer fabrication methods |
| US6440860B1 (en) | 2000-01-18 | 2002-08-27 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods of transferring patterns from patterned photoresists to materials, and structures comprising silicon nitride |
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|---|---|---|---|---|
| US4490453A (en) * | 1981-01-16 | 1984-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member of a-silicon with nitrogen |
| JPS59213169A (ja) * | 1983-05-19 | 1984-12-03 | Nec Corp | 薄膜トランジスタ |
| DE3427637A1 (de) * | 1983-07-26 | 1985-02-14 | Konishiroku Photo Industry Co., Ltd., Tokio/Tokyo | Photorezeptor und verfahren zu seiner herstellung |
| US4762801A (en) * | 1987-02-20 | 1988-08-09 | National Semiconductor Corporation | Method of fabricating polycrystalline silicon resistors having desired temperature coefficients |
| JPH0666163B2 (ja) * | 1988-07-15 | 1994-08-24 | 日本電装株式会社 | 薄膜抵抗体を有する半導体装置及びその製造方法 |
| JPH07240390A (ja) * | 1994-02-28 | 1995-09-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1994
- 1994-03-22 JP JP5059494A patent/JP3254885B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-03-18 TW TW084102637A patent/TW273634B/zh not_active IP Right Cessation
- 1995-03-22 KR KR1019950006104A patent/KR100254364B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-03-22 US US08/408,566 patent/US5656330A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-22 FR FR9503368A patent/FR2717946B1/fr not_active Expired - Fee Related
Also Published As
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|---|---|
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| US5656330A (en) | 1997-08-12 |
| FR2717946B1 (fr) | 1998-07-10 |
| TW273634B (ja) | 1996-04-01 |
| KR950034303A (ko) | 1995-12-28 |
| KR100254364B1 (ko) | 2000-05-01 |
| FR2717946A1 (fr) | 1995-09-29 |
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