KR950030391A - 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 게이트 전극 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조공정 중 MOSFET등과 같은 트랜지스터의 게이트 전극을 형성하는 방법에 관한 것으로, 인(P)이 도핑된 폴리실리콘층을 식각시 게이트 산화막과의 계면에 발생되는 언더컷트 현상을 제거하기 위해 폴리실리콘(poly silicon)증착 후 붕소(Boron)를 도핑한 다음 패터닝(patterning)하여 게이트(Gate)전극을 형성시키므로써 언더컷트의 발생이 방지되어 게이트 전극의 형태를 개선할 수 있는 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (1)
- 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법에 있어서, 필드산화막(2)이 형성된 실리콘 기판(1)상부에 게이트 산화막(3)을 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 폴리실리콘(4)을 증착하고 소정의 온도상태에서 도펀트(6)로서 붕소(B)를 도핑하는 단계와, 상기 단계로부터 패터닝하여 게이트 전극을 형성시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940008495A KR950030391A (ko) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940008495A KR950030391A (ko) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950030391A true KR950030391A (ko) | 1995-11-24 |
Family
ID=66677501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940008495A KR950030391A (ko) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950030391A (ko) |
-
1994
- 1994-04-22 KR KR1019940008495A patent/KR950030391A/ko not_active Application Discontinuation
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