KR950024290A - 반도체 칩에서 연소과정 실행방법 - Google Patents

반도체 칩에서 연소과정 실행방법 Download PDF

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KR950024290A
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conductive
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홀거 휘프너
베르너 베버
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발도르프, 옴케
지멘스 악티엔게젤샤프트
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Abstract

반도체 웨이터상의 성분(1)에서 연소검사 과정의 실행방법에서, 상호접점(5,6) 및 단자 패드(7,8)를 가진 구성된 금속화부는 일시적인 전압공급으로 인가되며, 검사동안 공급전압을 상기 금속화에 대한 성분에 인가되고, 연소검사는 실행 되며 금속화는 반도체 웨이퍼의 표면으로 부터 차레로 제거된다. 단락 방지를 의해 상기 금속부터 각 성분(1)의 단자접점(2,3)간의 리드에 안정 퓨즈(4)로서 형성된다.

Description

반도체 칩에서 연소과정 실행방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시도.

Claims (5)

  1. 반도체 성분에서 연소과정의 실행방법에 있어서, 검사될 성분(1)은 반도체 웨이퍼상의 전기적으로 구성된 전도성 층(5,6,7,8)을 제공하는바, 이는 공통으로 제조되고, 상기 전도성 층은 단자가 각각 제공되도록 구성되고, 공급 전압을 인가하기 의하여 검사될 모든 성분(1)은 상기 전도성 층을 경유하여 공급 전압에 접속할 수 있고, 연소검사 과정은 공급전압이 반도체 웨이퍼상에 위치하여 검사될 성분에 상기 전도성 층을 경유하여 인가하여 실행하고, 상기 전도성 층은 다음 검사과정에서 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 성분에서 연소과정의 실행방법.
  2. 제1항에 있어서, 전도성 층은 콤형구조로 이루어지는바, 서로 평행한 구조의 다수의 상호접점(5,6)은 공급전압에 대한 단자패드(7,8)로 부터 나뉘어지고, 상기 상호접점은 다음에 서로 일련으로 배열된 다수성분의 단자접점(2,3)을 전기 전도성 형태로 접속하는 것을 특징으로 반도체 성분에서 연소과정의 실행방법.
  3. 제2항에 있어서 안정 퓨즈(4)로서 압축부는 공급전압의 접점에 제공된 상호접점(5,6)중 적어도 하나에서 모든 성분(1)을 분리하는 형태인 것을 반도체 성분에서 연소과정의 실행방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 안정퓨즈(4)는 동작신호가 반도체 웨이퍼 또는 도핑영역(n 또는 p)의 전도성의 동작신호에 대응하는 공급전압의 폴의 접속에 제공하는 상호접접(5)이 관련성분(1)의 기능성분을 형성하기 위한 반도체 웨이퍼에 제공되는 형상인 것을 특징으로 하는 반도체 성분에서 연소과정의 실행방법.
  5. 제1항 내지 제4항중 어느 한항에 있어서, 절연층은 전도성 층(5,6,7,8)의 인가전에 인가하며 공급전압의 접속에 제왕된 성분(1)의 위치해서 홀을 경유해 제공되고, 절연층은 리프트 오프층으로서 상기 절연층의 실시동안 다음 연소 검사과장을 리프트 오프하는 것을 특징으로 하는 반도체 성분에서 연소과정의 실행 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940037172A 1994-01-04 1994-12-27 반도체 칩에서 연소과정 실행방법 KR950024290A (ko)

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