DE19707312C2 - Schaltungsanordnung zur Verbesserung der Zuverlässigkeit beim Prüfen integrierter Schaltkreise - Google Patents
Schaltungsanordnung zur Verbesserung der Zuverlässigkeit beim Prüfen integrierter SchaltkreiseInfo
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- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
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Description
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Verbesserung der
Zuverlässigkeit der kontaktlosen Prüfung von integrierten Schaltkreisen gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1, wie sie beispiels
weise aus der DE 44 00 118 A1 bekannt ist. Dabei wird
die Betriebsspannung durch mindestens zwei voneinander elektrisch isolierte, den
beiden Polungen zuzuordnende Leitungsbahnnetze zugeführt, die einerseits mit
makroskopischen Kontaktierinseln im Randbereich der Trägerscheibe und ande
rerseits mit einem im peripheren Bereich eines jeden Schaltkreises lokalisierten inte
grierten Schalter galvanisch verbunden sind, der verschaltet mit einer ebenfalls in
tegrierten Fotodiode oder einem Fototransistor, das zeitweilige Einschalten, d. h.
Herstellen der galvanischen Verbindung des jeweiligen Leitungsbahnnetzes mit der
integrierten Schaltung während des Tests gewährleistet.
Solche, bereits vorgeschlagenen
sogenannten Spannungsversorgungsnetze sind aufgrund der besonderen
Verschaltung der lichtempfindlichen Bauelemente, welche eine galvanische Verbin
dung nur während der Belichtung herstellen (im Folgenden als Fotoschalter be
zeichnet), gegen Kurzschlüsse im Bereich der integrierten Schaltung, d. h. hinter dem
Fotoschalter liegend, gesichert. Befindet sich jedoch an irgend einer Stelle eines
spannungsführenden Leitungsbahnnetzes ein Kurzschluß, dann kommt es unweiger
lich zu Fehlmessungen, aufgrund der bei der Messung zu berücksichtigenden, von
der Lage der einzelnen Chip-Gruppen abhängigen Potentialänderungen, d. h. die
gesamte Scheibe ist dann nicht meßfähig, was Ausschuß bedeutet.
Es ist Aufgabe der Erfindung, eine Schaltungsanordnung anzugeben, welche die
elektrische Prüfung einer Vielzahl von auf einer Halbleiterscheibe befindlichen
Bauelementen oder Bauelementeeinheiten, die zwecks Versorgung mit der
Betriebsspannung durch Leitungsbahnnetze miteinander und mit am Rand der
Halbleiterterscheibe befindlichen Kontaktinseln verbunden sind, für den Fall gestattet,
daß im jeweils spannungsführenden Leitungsbahnnetz ein oder mehrere Kurz
schlüsse vorliegen.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß eine Vielzahl von
Sicherungen in die Leitungsbahnen so integriert wird, daß jede Zuführungsbahn zu
einem einzelnen Bauelement und jeder Verzweigungsast jeweils im kleinstmöglichen
Abstand zur zusammenführenden Verzweigungstelle gesondert abgesichert ist.
Die Sicherungen können in der Art von einfachen Schmelzsicherungen oder
elektronisch aufgebaut sein. Sie werden integriert hergestellt, ohne daß zusätzliche
technologische Schritte notwendig sind.
Da das Leitungsbahnnetz einen definierten Bahnenverlauf hat und gruppenweise
gleiche Bahnlängen vorliegen, können die durch die zwischengeschalteten
Sicherungen auftretenden Spannungsverluste vorausbestimmt und bei der Prüfung
berücksichtigt werden.
Durch Abtrennung des jeweiligen mit Kurzschluß behafteten Teilabschnittes ist die
Voraussetzung für eine störungsfreie Prüfung der übrigbleibenden
Bauelementeeinheiten gegeben, wodurch größerer Ausschuß verhindert wird.
Claims (3)
1. Schaltungsanordnung zur Verbesserung der Zuverlässigkeit des
Meßergebnisses beim elektrischen Prüfen einer Vielzahl von auf einer Trä
gerscheibe, insbesondere einer Halbleiterscheibe befindlichen integrierten
Schaltkreisen, wobei jeder integrierte Schaltkreis über einen Schalter mit
mindestens zwei Leitungsbahnen, welche zu Kontakten an der Peripherie der
Trägerscheibe führen, verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß
Sicherungen in den spannungsführenden Leitungsbahnen jeder Zuführung zu
einem einzelnen integrierten Schaltkreis und in jedem Ast einer verzweigten
Leitbahn an Stellen vorgesehen sind, für die die jeweiligen Abstände zur
nächsten, Leitbahnäste zusammenführenden Verzweigungsstelle minimal
gehalten sind.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Sicherungen als Schmelzsicherungen aufgebaut sind.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Sicherungen als elektronische Abschalter aufgebaut sind.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE1997107312 DE19707312C2 (de) | 1997-02-11 | 1997-02-11 | Schaltungsanordnung zur Verbesserung der Zuverlässigkeit beim Prüfen integrierter Schaltkreise |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE1997107312 DE19707312C2 (de) | 1997-02-11 | 1997-02-11 | Schaltungsanordnung zur Verbesserung der Zuverlässigkeit beim Prüfen integrierter Schaltkreise |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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DE19707312A1 DE19707312A1 (de) | 1998-08-20 |
DE19707312C2 true DE19707312C2 (de) | 2002-10-24 |
Family
ID=7821291
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE1997107312 Expired - Fee Related DE19707312C2 (de) | 1997-02-11 | 1997-02-11 | Schaltungsanordnung zur Verbesserung der Zuverlässigkeit beim Prüfen integrierter Schaltkreise |
Country Status (1)
Country | Link |
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DE (1) | DE19707312C2 (de) |
Families Citing this family (2)
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DE10146177C2 (de) * | 2001-09-19 | 2003-12-11 | Infineon Technologies Ag | Wafer mit zusätzlichen Schaltungsteilen im Kerfbereich zum Testen von integrierten Schaltungen auf dem Wafer |
DE10152086B4 (de) * | 2001-10-23 | 2007-03-22 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Testen einer Mehrzahl von Bauelementen auf einem Wafer mit einer gemeinsamen Datenleitung und einer gemeinsamen Versorgungsleitung |
Citations (2)
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DE3617141A1 (de) * | 1985-05-23 | 1986-11-27 | Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo | Halbleiterbaueinheit mit integrierter schaltung und schmelzsicherungsstrecke |
DE4400118A1 (de) * | 1994-01-04 | 1995-07-06 | Siemens Ag | Verfahren zum Durchführen von Burn-in-Prozeduren an Halbleiterchips |
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1997
- 1997-02-11 DE DE1997107312 patent/DE19707312C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
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