DE10060585A1 - Vorrichtung und Verfahren zur Untersuchung einer integrierten Halbleiterschaltung - Google Patents

Abstract

Die Vielseitigkeit einer zur Verwendung in einer Burn-in-Untersuchungsoperation geeigneten Untersuchungsvorrichtung wird in der Weise verbessert, daß die Untersuchung verschiedener integrierter Halbleiterschaltungen vorgenommen werden kann. Es sind mehrere Weitergabeanschlußstifte (18) vorgesehen, die mit auf eine Grundplatte (12) gelegten Verdrahtungsmustern elektrisch verbunden sind. Auf der Grundplatte (12) sind Sockel (14) zur Aufnahme einer integrierten Halbleiterschaltung angebracht. Es ist eine Austauschplatte (22; 26) zum elektrischen Verbinden von Sockelanschlußpunkten (24) des Sockels (14) mit spezifischen Weitergabeanschlußstiften (18) vorgesehen. Die Austauschplatte (22; 26) ist über Abstandsstücke (20) an der Grundplatte (12) angebracht. Die Austauschplatte (22; 26) und der Sockel (14) werden gemäß dem Typ der integrierten Halbleiterschaltungen ersetzt.

Description

Die Erfindung betrifft das Gebiet der Vorrichtungen und Ver­ fahren zur Untersuchung einer integrierten Halbleiterschal­ tung und insbesondere eine Untersuchungsvorrichtung und ein Untersuchungsverfahren zur Anwendung bei der Einbrenn- oder Burn-in-Untersuchung.

Um Mängel zu offenbaren, die zu anfänglichen Fehlern führen würden, wird bei Halbleiterschaltungen während der Prozesse eine Burn-in-Untersuchung oder eine ähnliche Untersuchung ausgeführt. Eine Burn-in-Untersuchungsvorrichtung ist mit einer Burn-in-Platte ausgestattet, auf der mehrere inte­ grierte Halbleiterschaltungen angeordnet werden sollen. Auf der Oberfläche der Burn-in-Platte sind mehrere Sockel vorge­ sehen, auf denen mehrere integrierte Halbleiterschaltungen bereitgestellt werden können. Die mit den entsprechenden Soc­ keln zu verbindenden integrierten Halbleiterschaltungen wer­ den über die Anschlußpunkte der Sockel oder über auf der Burn-in-Platte vorgesehene Verdrahtungsmuster mit der Haupt­ einheit der Untersuchungsvorrichtung elektrisch verbunden.

Die auf der Burn-in-Platte vorgesehenen Sockel müssen für jedes Gehäuse integrierter Halbleiterschaltungen vorbereitet werden. Falls verschiedene Gehäusetypen integrierter Halblei­ terschaltungen untersucht werden müssen, muß für jedes Ge­ häuse integrierter Halbleiterschaltungen eine Burn-in-Platte vorbereitet werden.

Selbst wenn gleiche Gehäusetypen integrierter Halbleiter­ schaltungen untersucht werden, können keine gleichen Burn-in- Gehäuse verwendet werden, falls die den Anschlußstiften zuge­ ordneten Funktionen nicht vereinheitlicht sind und falls die Gehäuse nicht durch Ändern von Einstellungen der Haupteinheit der Untersuchungsvorrichtung richtig untersucht werden kön­ nen. In diesem Fall muß somit eine speziell konstruierte Burn-in-Platte für jede integrierte Halbleiterschaltung mit dem gleichen Gehäuse vorbereitet werden.

Zum Beispiel beschreibt JP Hei 6-58987-A eine Technik zur Herstellung einer Burn-in-Platte, die sich zur Verwendung mit mehreren verschiedenen integrierten Halbleiterschaltungstypen eignet. Die Technik soll die Verwendung einer einzigen Burn- in-Platte mit integrierten Halbleiterschaltungen, die sich in bezug auf die Konfiguration eines Stromanschlußstifts und eines GND-Anschlußstifts voneinander unterscheiden, ermögli­ chen.

Fig. 10 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Teil ei­ ner in dem vorstehenden Patentdokument beschriebenen Burn-in- Platte zeigt. Auf der Oberfläche einer Burn-in-Platte 1 sind mehrere Sockel 3 vorgesehen, die jeweils eine integrierte Halbleiterschaltung 2 aufnehmen (wobei Fig. 10 nur einen der Sockel 3 zeigt). Der Sockel 3 besitzt die den mehreren An­ schlußpunkten der integrierten Halbleiterschaltung 2 entspre­ chenden Sockelanschlußpunkte 4.

Die Burn-in-Platte 1 besitzt den jeweiligen Sockelanschluß­ punkten 4 entsprechende Durchgangslöcher. Der Sockel 3 ist in der Weise angeordnet, daß die Sockelanschlußpunkte 4 auf der Unterseite der Burn-in-Platte 1 vorstehen. An der Unterseite der Burn-in-Platte 1 ist ein Weitergabeanschlußstift 5 vorge­ sehen, der mit einem auf die Burn-in-Platte 1 gelegten Strom­ versorgungsleitungs-Muster oder mit einem GND-Muster verbun­ den ist.

An der Unterseite der Burn-in-Platte 1 ist eine Austausch­ platte 6 angebracht. Auf der Oberfläche der Austauschplatte 6 ist ein Verdrahtungsmuster 9 vorgesehen, das die den Sockel­ anschlußpunkten 4 entsprechenden Durchgangslöcher (ein­ schließlich eines Durchgangslochs 7) mit einem dem Weiterga­ beanschlußstift 5 entsprechenden Durchgangsloch 8 verbindet sowie weiter ein spezifisches dem Weitergabeanschlußstift 5 entsprechendes Durchgangsloch 7 mit dem Durchgangsloch 8 ver­ bindet.

Der in ein spezifisches Durchgangsloch 7 eingesetzte Sockel­ anschlußpunkt 4 ist mittels der an der Burn-in-Platte 1 ange­ brachten Austauschplatte 6 mit dem in das Durchgangsloch 8 eingesetzten Weitergabeanschlußstift 5 elektrisch verbunden. Mit anderen Worten, wenn die Austauschplatte 6 an der Burn- in-Platte 1 angebracht ist, ist unter den Anschlußpunkten einer integrierten Halbleiterschaltung ein dem Durchgangsloch 7 entsprechender Anschlußstift über die Austauschplatte 6 mit einem auf der Burn-in-Platte vorgesehenen Stromversorgungs­ leitungs-Muster oder GND-Muster elektrisch verbunden. Dement­ sprechend ermöglicht die Konstruktion der in Fig. 10 gezeig­ ten Burn-in-Platte 1 die Verwendung einer einzigen Burn-in- Platte mit verschiedenen Typen von integrierten Halbleiter­ schaltungen 2 mit verschiedenen Konfigurationen eines Strom­ anschlußstifts oder GND-Anschlußstifts durch geeignetes Er­ setzen der Austauschplatte 6.

Kürzlich wurde eine Burn-in-Untersuchungsvorrichtung mit der Funktion zum Untersuchen einer integrierten Halbleiterschal­ tung vorgeschlagen. Eine solche Untersuchungsvorrichtung wird benötigt, um eine elektrische Verbindung zwischen einem Si­ gnalanschlußstift der integrierten Halbleiterschaltung und der Burn-in-Untersuchungsvorrichtung sowie zwischen der Burn- in-Untersuchungsvorrichtung und einem Stromanschlußstift oder einem GND-Anschlußstift einer integrierten Halbleiterschal­ tung herzustellen. Falls mehrere integrierte Halbleiterschal­ tungen verschiedene Signalanschlußstift-Konfigurationen be­ sitzen, muß eine Burn-in-Platte einen Unterschied in bezug auf die Signalanschlußstift-Konfiguration zwischen den inte­ grierten Halbleiterschaltungen berücksichtigen.

Die Fig. 11A und 11B sind Darstellungen zur Beschreibung von Fällen, in denen die herkömmliche Technik zur Untersuchung zweier integrierter Halbleiter-ICs 1 und 2, die sich vonein­ ander in bezug auf die Konfiguration eines Stromanschluß­ stifts, eines GND-Anschlußstifts und eines Signalanschluß­ stifts unterscheiden, verwendet wird. Der Kürze halber sind die Burn-in-Platte 1 und der Sockel 3 in diesen Zeichnungen weggelassen.

In den in den Fig. 11A und 11B gezeigten Fällen sind die den sämtlichen Anschlußpunkten der ICs 1 und 2 entsprechenden Durchgangslöcher 8 ausgebildet. Sämtliche Anschlußpunkte der IC 1 sind über eine Austauschplatte 6A mit dem auf die Burn- in-Platte 1 gelegten Verdrahtungsmuster elektrisch verbunden. Ferner sind sämtliche Anschlußstifte der IC 2 über eine Aus­ tauschplatte 6B mit dem auf die Burn-in-Platte 1 gelegten Verdrahtungsmuster elektrisch verbunden. Möglicherweise müs­ sen die Austauschplatten 6A und 6B in diesem Fall zum Errei­ chen der gewünschten elektrischen Verbindungen komplizierte Verdrahtungskonstruktionen annehmen. Wie in Fig. 11B gezeigt ist, erfordert die Austauschplatte 6B in diesen Beispielen eine komplizierte Kreuzverdrahtung.

Die etwa in Fig. 11B gezeigte Kreuzverdrahtung kann durch Ausbilden der Austauschplatte 6B in Form einer Mehrschicht- Verdrahtungsplatte oder durch Stapeln mehrerer Einzelschich­ ten in Form der Austauschplatte 6B erreicht werden. Die Ver­ wendung einer Mehrschicht-Verdrahtungsplatte oder das Stapeln einzelner Schichten machen jedoch die Vorteile, die dadurch erzielt würden, daß die Burn-in-Platte 1 vielseitig gemacht wird, zunichte. Somit wird die praktische Bedeutung der Rea­ lisierung einer vielseitigen Burn-in-Platte gemindert.

Die zuvor beschriebene herkömmliche Technik erfordert das Ausbilden von Durchgangslöchern für die Sockelanschlußpunkte 4 in der Burn-in-Platte 1 und das Anordnen des Weitergabean­ schlußstifts 5 in dem Sockel 3. Somit benötigt jede inte­ grierte Halbleiterschaltung gemäß der herkömmlichen Technik eine große belegte Fläche auf der Burn-in-Platte 1. Im Ergeb­ nis sinkt die Anzahl der integrierten Halbleiterschaltungen, die auf einer einzigen Burn-in-Platte angebracht werden kön­ nen.

Gemäß der herkömmlichen Technik werden in der Burn-in-Platte 1 für jeden Sockel 3 spezifische Durchgangslöcher ausgebil­ det. Dementsprechend kann eine einzige Burn-in-Platte 1 nicht für mehrere Sockel gemeinsam verwendet werden. Somit kann eine einzige Burn-in-Platte 1 nicht von einem weiten Bereich von integrierten Halbleiterschaltungen verwendet werden.

Außer dem vorstehenden Problem trifft die herkömmliche Tech­ nik auf ein Problem, derart, daß es schwierig ist, eine einzige Burn-in-Platte für integrierte Halbleiterschaltungen mit verschiedenen Wort-Bit-Konfigurationen zu verwenden. Al­ ternativ wird es schwierig, einen Platz für einen Überbrüc­ kungskondensator zum Beseitigen des in einem Stromversor­ gungsleitungs-Muster oder in einem GND-Muster auftretenden Rauschens oder dergleichen sicherzustellen.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine sehr vielseitige Untersuchungsvorrichtung, die mit verschiedenen Typen integrierter Halbleiterschaltungen verwendet werden kann, sowie ein Verfahren zur Untersuchung einer integrierten Halbleiterschaltung unter Verwendung der Untersuchungsvor­ richtung zu schaffen.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch eine Untersu­ chungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder 7 bzw. durch ein Un­ tersuchungsverfahren nach Anspruch 11. Weiterbildungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.

Gemäß einem Merkmal der Erfindung wird eine Untersuchungsvor­ richtung zur Untersuchung mehrerer auf einer Grundplatte an­ gebrachter integrierter Halbleitervorrichtungen geschaffen. Die Vorrichtung enthält mehrere Weitergabeanschlußstifte, die mit einem auf die Leiterplatte gelegten Verdrahtungsmuster elektrisch verbunden sind. Auf der Grundplatte sind Sockel vorgesehen, in denen jeweils eine integrierte Halbleiter­ schaltung untergebracht ist. Außerdem enthält die Vorrichtung Austauschplatten, die jeweils die Sockelanschlußpunkte eines Sockels mit einem spezifischen Weitergabeanschlußpunkt elek­ trisch verbinden. Zwischen jeder Austauschplatte und jeder Grundplatte liegen Abstandsstücke.

Gemäß einem weiteren Merkmal der Erfindung wird eine Untersu­ chungsvorrichtung zur Untersuchung mehrerer auf einer Grund­ platte angebrachter integrierter Halbleiterschaltungen ge­ schaffen. Die Grundplatte enthält mehrere Verbindungsan­ schlußpunkte, die mit den Anschlußpunkten einer Hauptuntersu­ chungseinheit elektrisch verbunden sind, sowie mehrere Ver­ drahtungsmuster, die mit den Anschlußpunkten einer integrier­ ten Halbleiterschaltung verbunden sind. Es ist eine Über­ gangseinheit zum Ändern des Zustands eines zwischen den Ver­ bindungsanschlußpunkten und dem Verdrahtungsmuster ausgebil­ deten Übergangs vorgesehen.

Gemäß einem weiteren Merkmal der Erfindung wird ein Untersu­ chungsverfahren zur Untersuchung einer integrierten Halblei­ terschaltung mit der obenbeschriebenen Untersuchungsvorrich­ tung geschaffen.

Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsformen der Erfindung anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:

Fig. 1 einen Hauptschnitt einer Burn-in-Untersuchungs­ vorrichtung für eine integrierte Halbleiterschal­ tung gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 2 eine schematische Darstellung der Gesamtkonfigu­ ration der Burn-in-Untersuchungsvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform;

Fig. 3 eine Darstellung des Hauptschnitts einer Burn-in- Untersuchungsvorrichtung gemäß einer zweiten Aus­ führungsform der Erfindung;

Fig. 4A eine Draufsicht einer in Fig. 3 gezeigten dünnen Platte;

Fig. 4B eine Draufsicht einer in Fig. 3 gezeigten Verstärkungsplatte 28;

Fig. 4C eine perspektivische Ansicht einer Einheit, zu der ein Sockel, die dünne Platte und die Verstär­ kungsplatte, die in Fig. 3 gezeigt sind, zusam­ mengesetzt sind, von der Verstärkungsplatte aus gesehen;

Fig. 5 eine schematische Darstellung einer charakte­ ristischen Konfiguration einer Burn-in-Unter­ suchungsvorrichtung gemäß einer dritten Aus­ führungsform der Erfindung;

Fig. 6 eine Darstellung eines Beispiels einer in der in Fig. 5 gezeigten Burn-in-Untersuchungsvorrichtung enthaltenen Übergangseinheit;

Fig. 7 eine Darstellung eines weiteren Beispiels der in der in Fig. 5 gezeigten Burn-in-Untersuchungsvor­ richtung enthaltenen Übergangseinheit;

Fig. 8A, B Darstellungen eines Vorteils, der mit der Verwen­ dung einer Burn-in-Platte einer dritten Ausfüh­ rungsform der Erfindung erzielt werden kann;

Fig. 9 eine perspektivische Ansicht einer weiteren Aus­ tauschplatte, die in der ersten bis dritten Aus­ führungsform verwendet werden kann;

Fig. 10 den bereits erwähnten Hauptschnitt einer herkömm­ lichen Burn-in-Untersuchungsvorrichtung; und

Fig. 11A, B die bereits erwähnten Draufsichten von Austausch­ platten zur Beschreibung eines Problems, das in der herkömmlichen Burn-in-Untersuchungsvorrich­ tung auftritt.

Im folgenden werden mit Bezug auf die beigefügte Zeichnung Prinzipien und Ausführungsformen der Erfindung beschrieben. Diejenigen Teile und Schritte, die einigen Figuren gemeinsam sind, sind mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet, wobei redundante Beschreibungen dafür weggelassen werden können.

Erste Ausführungsform

Fig. 1 zeigt den Hauptschnitt einer Burn-in-Untersuchungsvor­ richtung für eine integrierte Halbleiterschaltung gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung. Fig. 2 zeigt schema­ tisch die Gesamtkonfiguration der Burn-in-Untersuchungsvor­ richtung gemäß der ersten Ausführungsform. Eine Burn-in-Un­ tersuchungsvorrichtung gemäß der Erfindung arbeitet in der Weise, daß mit ihr der Betrieb einer integrierten Halbleiter­ schaltung untersucht werden kann. Außer dem Ausführen einer üblichen Burn-in-Operation kann mit der Burn-in-Untersu­ chungsvorrichtung eine integrierte Halbleiterschaltung als nicht defekt oder defekt bewertet werden.

Wie in Fig. 2 gezeigt ist, umfaßt die Burn-in-Untersuchungs­ vorrichtung eine Hauptuntersuchungseinheit 10 und eine Burn- in-Platte 12. Die Hauptuntersuchungseinheit 10 ist mit mehre­ ren Auswahlsignal-Anschlußpunkten (einschließlich Anschluß­ punkten für die Auswahlsignale 1 und 2), mehreren E/A-An­ schlußpunkten (einschließlich der Anschlußpunkte I/O0 bis I/O5), mehreren Signalanschlußpunkten (einschließlich An­ schlußpunkten für die Signale A und B), einem Stromversor­ gungs-Anschlußpunkt PS1 und einem Masseanschlußpunkt GND aus­ gestattet.

Auf der Burn-in-Platte 12 sind mehrere Sockel 14 vorgesehen, die jeweils eine integrierte Halbleiterschaltung enthalten.

Die Sockel 14 sind in vorgegebenen Anzahlen in einer Zeile (vertikale Richtung) und einer Spalte (horizontaler Richtung) angeordnet. Im Fall der in Fig. 2 gezeigten Burn-in-Untersu­ chungsvorrichtung wird ein Auswahlsignal für jede Zeile ein­ gestellt. Zum Beispiel wird ein Auswahlsignal 1 an sämtliche zu einer in Fig. 2 gezeigten linken Zeile gehörenden Sockel 14 geliefert. Die Anschlußpunkte I/O0 bis I/O5 werden für die jeweiligen Spalten eingestellt. Zum Beispiel ist ein An­ schlußpunkt I/O0 mit sämtlichen Sockeln 14 verbunden, die zu der in Fig. 2 gezeigten oberen Spalte gehören. Ferner sind die Anschlußpunkte für die Signale A und B mit sämtlichen Sockeln 14 verbunden.

Wie oben erwähnt wurde, ist in der vorliegenden Ausführungs­ form ein einzelner E/A-Anschlußpunkt mit sämtlichen zu einer einzelnen Spalte gehörenden Sockeln 14 verbunden. Mit anderen Worten, sämtliche zu einer einzelnen Spalte gehörenden inte­ grierten Halbleiterschaltungen sind mit einem einzelnen E/A- Anschlußpunkt verbunden. Um eine Kollision der von den inte­ grierten Halbleiterschaltungen ausgegebenen Signale auf einer mit dem E/A-Anschlußpunkt verbundenen Signalleitung zu ver­ hindern, werden bei der Untersuchungsvorrichtung der vorlie­ genden Ausführungsform mehrere integrierte Halbleiterschal­ tungen mittels Abtasten jeder Zeile unter Verwendung eines Auswahlsignals untersucht. Gemäß diesem Verfahren können ein­ zelne integrierte Halbleiterschaltungen genau untersucht wer­ den, während ein mit einem Komparator ausgestatteter kost­ spieliger E/A-Anschlußpunkt von mehreren integrierten Halb­ leiterschaltungen gemeinsam genutzt werden kann.

Die Untersuchungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Ausfüh­ rungsform erfordert das Einstellen der integrierten Halblei­ terschaltungen auf der Burn-in-Platte 12 über die Sockel 14 und das Verbinden der Anschlußpunkte der jeweiligen inte­ grierten Halbleiterschaltung mit den verschiedenen Anschluß­ punkten der Hauptuntersuchungseinheit 10 über die Burn-in- Platte 12. Es gibt verschiedene Gehäusetypen integrierter Halbleiterschaltungen. Somit müssen die Sockel 14 gemäß den Gehäusetypen ausgetauscht werden. Die den einzelnen Anschluß­ stiften einer integrierten Halbleiterschaltung zugeordneten Funktionen werden von Produkt zu Produkt bestimmt. Dement­ sprechend muß die Verdrahtung zwischen den Anschlußpunkten der integrierten Halbleiterschaltungen und den Anschlußpunk­ ten der Hauptuntersuchungseinheit 10 für jede integrierte Halbleiterschaltung bestimmt werden.

Unter der Annahme, daß verschiedene Typen integrierter Halb­ leiterschaltungen zu untersuchen sind, muß die Burn-in-Platte 12 wie oben erwähnt einen hohen Grad an Flexibilität in bezug auf die Typen der Sockel 14 und in bezug auf die Verdrah­ tungskonstruktionen besitzen. Die Untersuchungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform erzielt die Flexibili­ tät und Vielseitigkeit zur Untersuchung verschiedener Typen integrierter Halbleiterschaltungen durch die in Fig. 1 ge­ zeigte Konstruktion der Burn-in-Platte 12.

Wie in Fig. 1 gezeigt ist, sind in die Burn-in-Platte 12 meh­ rere Weitergabeanschlußstifte 18 eingesetzt. Genauer sind genausoviel Weitergabeanschlußstifte 18 vorgesehen, wie die zu untersuchenden integrierten Halbleiterschaltungen An­ schlußpunkte besitzen. Die Weitergabeanschlußstifte 18 sind an die in der Burn-in-Platte 12 ausgebildeten Durchgangslö­ cher angelötet. Die einzelnen Durchgangslöcher sind mit ver­ schiedenen in der Hauptuntersuchungseinheit 10 vorgesehenen Anschlußpunkten elektrisch verbunden (siehe Fig. 2). Dement­ sprechend sind die Weitergabeanschlußpunkte 18 mit den mehre­ ren in der Hauptuntersuchungseinheit 10 vorgesehenen An­ schlußpunkten elektrisch verbunden.

Auf der Burn-in-Platte 12 ist über die Abstandsstücke 20 eine Austauschplatte 22 angeordnet. In der vorliegenden Ausfüh­ rungsform wird zwischen der Burn-in-Platte 12 und der Aus­ tauschplatte 22 ein Zwischenraum sichergestellt, der gleich der Höhe der Abstandsstücke 20 ist. Die von der Burn-in- Platte 12 ausgehenden Weitergabeanschlußstifte 18 sind eben­ falls durch die Austauschplatte 22 hindurchgeführt und an den in der Austauschplatte 22 ausgebildeten Durchgangslöchern angelötet.

Auf der Austauschplatte 22 ist ein Sockel 14 angeordnet, der mehrere den Anschlußpunkten einer in dem Sockel 14 unterge­ brachten integrierten Halbleiterschaltung entsprechende Soc­ kelanschlußpunkte besitzt. Die Sockelanschlußpunkte 24 sind an die in der Austauschplatte 22 ausgebildeten Durchgangslö­ cher angelötet.

Auf der Austauschplatte 22 ist ein Verdrahtungsmuster ausge­ bildet, das die an die Sockelanschlußpunkte 24 anzulötenden Durchgangslöcher mit den an die Weitergabeanschlußstifte 18 anzulötenden Durchgangslöchern elektrisch verbindet. Im Fall der in Fig. 1 gezeigten Konstruktion der Burn-in-Platte 12 sind spezifische Sockelanschlußstifte 24 mit spezifischen Weitergabeanschlußstiften 18 elektrisch verbunden. Ferner sind die Sockelanschlußpunkte 24 über die Weitergabeanschluß­ stifte 18 und die Burn-in-Platte 12 mit spezifischen An­ schlußpunkten der Hauptuntersuchungseinheit 10 elektrisch verbunden (siehe Fig. 2).

Solange die zwischen den Weitergabeanschlußpunkten 18 und der Austauschplatte 22 ausgebildeten Lötverbindungen entfernt sind, kann die Austauschplatte 22 in der in Fig. 1 gezeigten Konstruktion der Burn-in-Platte 12 von der Burn-in-Platte 12 entfernt werden, ohne der Burn-in-Platte 12 zu beschädigen. Mit anderen Worten, die Konstruktion der Burn-In-Leiterplatte 12 gemäß der vorliegenden Ausführungsform ermöglicht ein leichtes Ersetzen der Austauschleiterplatte 22 und des Soc­ kels 14, ohne die Burn-In-Leiterplatte 12 zu beschädigen. Wenn die Anzahl der Anschlußstifte einer integrierten Halb­ leiterschaltung nicht die Anzahl der Anschlußstifte 18 über­ steigt, kann in der Untersuchungsvorrichtung gemäß der vor­ liegenden Ausführungsform eine einzige Burn-in-Platte 12 zur Untersuchung eines weiten Bereichs von Gehäusen integrierter Halbleiterschaltungen ohne Rücksicht auf irgendeinen Unter­ schied in bezug auf die Gehäuse- oder Anschlußstiftkonfigura­ tion verwendet werden. Ferner können an der Austauschplatte 22 die Abstandsstücke 20 angebracht und zusammen dieser er­ setzt werden. Alternativ können die Abstandsstücke 20 an der Burn-in-Platte 12 angebracht werden, wobei sie nicht gleich­ zeitig mit der Austauschplatte 22 ersetzt werden.

Die in Fig. 1 gezeigte Konstruktion der Burn-in-Platte 12 ermöglicht das Entfernen des Sockels 14 von der Austausch­ platte 22 durch Entfernen der zwischen den Sockelanschluß­ punkten 24 und der Austauschplatte 22 ausgebildeten Lötver­ bindungen. Solange integrierte Halbleiterschaltungen mit dem gleichen Gehäusetyp untersucht werden, können in dem Sockel 14 verschiedene Typen integrierter Halbleiterschaltungen ohne Rücksicht auf einen Unterschied in bezug auf die Anschluß­ stiftkonfigurationen der Gehäuse untergebracht werden. Falls der somit entfernte Sockel 13 an einer anderen Austausch­ platte 22 befestigt wird und die Austauschplatte 22 an der Burn-in-Platte 12 angebracht wird, können die Sockel 14 vom gleichen Typ von verschiedenen Typen integrierter Halbleiter­ schaltungen mit dem gleichen Gehäusetyp gemeinsam genutzt werden.

Die Konstruktion der Burn-in-Platte 12 gemäß der vorliegenden Ausführungsform macht das Ausbilden von Durchgangslöchern in der Burn-in-Platte 12, durch die die Sockelanschlußpunkte 24 geleitet werden, überflüssig. In der vorliegenden Ausfüh­ rungsform kann eine auf der Burn-in-Platte 12 sichergestellte Belegungsfläche zum Einstellen einer einzelnen integrierten Halbleiterschaltung verhältnismäßig klein gemacht werden. Dementsprechend ermöglicht die Konstruktion der Burn-in- Platte 12 gemäß der vorliegenden Ausführungsform das Einstel­ len mehrerer integrierter Halbleiterschaltungen auf einer einzigen Burn-in-Platte 12 und eine effiziente Untersuchung der integrierten Halbleiterschaltungen.

Außerdem ist in der Konstruktion der Burn-in-Platte 12 gemäß der vorliegenden Ausführungsform mittels der Abstandsstücke 22 zwischen der Burn-in-Platte 12 und der Austauschplatte 20 ein Zwischenraums sichergestellt. Das Vorsehen eines Über­ brückungskondensators in einem Stromversorgungsleitungs-Mu­ ster oder in einem GND-Muster bewirkt das Beseitigen von an­ dernfalls auf dem Stromversorgungsleitungs-Muster oder dem GND-Muster überlagertem Rauschen. Gemäß der vorliegenden Aus­ führungsform kann in dem zwischen der Burn-in-Platte 12 und der Austauschplatte 22 definierten Zwischenraum ein Überbrüc­ kungskondensator angeordnet werden. Diesbezüglich bewirkt die Konstruktion der Burn-in-Platte 12 gemäß der vorliegenden Ausführungsform ein Verringern des in einem Untersuchungspro­ zeß auftretenden Rauschens und somit eine Verbesserung der Untersuchungsgenauigkeit.

In der vorliegenden Ausführungsform werden die Verbindungen zwischen dem Weitergabeanschlußstift 18 und der Burn-in- Platte 12, die Verbindung zwischen dem Weitergabeanschluß­ stift 18 und der Austauschplatte 22 und die Verbindung zwi­ schen der Austauschplatte 14 und den Sockelanschlußpunkten 24 durch Löten realisiert. Diese Verbindungen sind jedoch nicht auf Löten beschränkt. Zum Beispiel können zum Halten der Wei­ tergabeanschlußstifte 18 oder der Sockelanschlußpunkte 24 Anschlußstiftbuchsen verwendet werden.

Falls die Burn-in-Platte 12 die Weitergabeanschlußstifte 18 unter Verwendung einer Anschlußstiftbuchse hält, können die Weitergabeanschlußstifte 18 von der Burn-in-Platte 12 ent­ fernt werden, ohne die Burn-in-Platte 12 zu beschädigen. In diesem Fall können die Weitergabeanschlußstifte 18 zusammen mit der Austauschplatte 22 und dem Sockel 14 als Austausch­ bauelemente verwendet werden.

In der vorliegenden Ausführungsform liegen die Weitergabean­ schlußstifte 18 außerhalb des Sockels 14. Die Anordnung der Weitergabeanschlußstifte 18 ist jedoch nicht auf eine solche Konfiguration beschränkt. Zum Beispiel können die Weitergabe­ anschlußstifte 18 direkt unter dem Sockel 14 liegen. In die­ sem Fall kann gegenüber einer Konfiguration, bei der die Wei­ tergabeanschlußstifte 18 außerhalb des Sockels 14 angeordnet sind, eine bessere Raumausnutzung erzielt werden.

Zweite Ausführungsform

Mit Bezug auf die Fig. 3 und 4 wird nun eine zweite Ausfüh­ rungsform der Erfindung beschrieben.

Fig. 3 zeigt den Hauptquerschnitt einer Burn-in-Untersu­ chungsvorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform. Mit Aus­ nahme dessen, daß anstelle der in Fig. 1 gezeigten Austausch­ platte 22 eine filmartige dünne Platte 26 und eine Verstär­ kungsplatte 28 vorgesehen sind, gleicht die Untersuchungsvor­ richtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform der in Ver­ bindung mit der ersten Ausführungsform beschriebenen.

Fig. 4A ist eine Draufsicht der dünnen Platte 26, während Fig. 4B eine Draufsicht der Verstärkungsplatte 28 ist. Fig. 4C ist eine perspektivische Ansicht einer Einheit, zu der der Sockel 14, die dünne Platte 26 und die Verstärkungs­ platte 28 zusammengesetzt sind, von der Verstärkungsplatte 28 aus gesehen. In den Fig. 4A und 4B zeigen die mit Strichli­ nien bezeichneten rechteckigen Flächen diejenigen Flächen, in die der Sockel 14 einzusetzen ist. Ferner zeigen die mit Strichlinien bezeichneten Kreise diejenigen Flächen, in die die Abstandsstücke 20 einzusetzen sind.

Wie in Fig. 4A gezeigt ist, sind in der dünnen Platte 26 die Durchgangslöcher 30 zum Herstellen der elektrischen Verbin­ dung mit den Sockelanschlußpunkten 24 ausgebildet. Ferner sind in der dünnen Platte 26 die Durchgangslöcher 32 zum Her­ stellen der elektrischen Verbindung mit den Weitergabean­ schlußpunkten 18 ausgebildet. Wie in Fig. 4B gezeigt ist, sind in der Verstärkungsplatte 28 eine Öffnung 34 zum Vermei­ den einer andernfalls zwischen dem Sockelanschlußpunkt 24 und der Verstärkungsplatte 28 auftretenden Störung und die Durch­ gangslöcher 36, durch die die Weitergabeanschlußstifte 18 geleitet werden, ausgebildet. Wie in Fig. 4C gezeigt ist, können die Sockelanschlußpunkte 24 über die Öffnung 34 zur Unterseite der Verstärkungsplatte 28 geleitet werden.

In der vorliegenden Ausführungsform ist auf der dünnen Platte 26 ein analoges Verdrahtungsmuster wie auf der Austausch­ platte 22 gemäß der ersten Ausführungsform vorgesehen. Die Weitergabeanschlußstifte 18 und die Sockelanschlußpunkte 24 sind mittels Löten oder Eingriff mit den in der dünnen Platte 26 ausgebildeten Durchgangslöchern 30 und 32 elektrisch ver­ bunden. Wie im Fall der ersten Ausführungsform ermöglicht die Konstruktion der Burn-in-Platte 12 gemäß der vorliegenden Ausführungsform dementsprechend das Herstellen einer elektri­ schen Verbindung zwischen spezifischen Anschlußpunkten einer integrierten Halbleiterschaltung und spezifischen Anschluß­ punkten der Hauptuntersuchungseinheit 10.

Solange in der vorliegenden Ausführungsform der Sockelan­ schlußpunkt 24 in der Öffnung 34 liegt, kann die Verstär­ kungsplatte 28 in großem Umfang mit verschiedenen Sockeln 14, d. h. mit verschiedenen Typen integrierter Halbleiterschal­ tungen, verwendet werden. In der vorliegenden Ausführungsform ermöglicht das Ersetzen lediglich der dünnen Platte 26 und des Sockels 14, daß mit der Untersuchungsvorrichtung eine breite Vielfalt integrierter Halbleiterschaltungen untersucht wird. Dementsprechend macht die Konstruktion der Burn-in-Un­ tersuchungsvorrichtung die Austauschteile weniger kostspielig als bei der Burn-in-Untersuchungsvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform.

Dritte Ausführungsform

Mit Bezug auf die Fig. 5 bis 9 wird nun eine dritte Ausfüh­ rungsform der Erfindung beschrieben.

Fig. 5 ist ein schematisches Diagramm der charakteristischen Konfiguration der Burn-in-Untersuchungsvorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform. Wie in Fig. 5 gezeigt ist, ist die Hauptuntersuchungseinheit 10 mit Anschlußpunkten zum Erzeugen der Auswahlsignale 1 bis 4, mit Anschlußpunkten zum Erzeugen der Signale A bis D und mit mehreren E/A-Anschlußpunkten (einschließlich I/O0 bis I/O3) ausgestattet.

Die Auswahlsignale 1 bis 4 sollen mehrere auf der Burn-in- Platte 12 angeordnete integrierte Halbleiterschaltungen zei­ lenweise aktivieren. Die Signale A bis D werden an sämtliche integrierten Halbleiterschaltungen geliefert. Ein E/A-An­ schlußpunkt soll von mehreren in einer Spalte auf der Burn­ in-Platte 12 angeordneten integrierten Halbleiterschaltungen gemeinsam genutzt werden.

In Fig. 5 ist ein auf der Burn-in-Platte 12 ausgebildetes Gebiet 38 ein einer integrierten Halbleiterschaltung zugeord­ netes Schaltungsbefestigungsgebiet. In der vorliegenden Aus­ führungsform ist auf der Burn-in-Platte 12 für jede Zeile der Schaltungsbefestigungsgebiete 38 eine Übergangseinheit 40 vorgesehen. Mit jeder der Übergangseinheiten 40 ist ein mit den spezifischen Weitergabeanschlußstiften 18 sämtlicher Schaltungsbefestigungsgebiete 38, die zu jeder Zeile gehören, verbundenes Schaltungsmuster 42 elektrisch verbunden. Jede Übergangseinheit 40 ist so beschaffen, daß sie ein beliebiges der Auswahlsignale 1 bis 4 an das Verdrahtungsmuster 42 über­ tragen kann.

Fig. 6 ist eine Darstellung zur ausführlicheren Beschreibung der Konstruktion der Übergangseinheit 40. Genauer ist Fig. 6 eine perspektivische Querschnittsansicht einer Anschlußstift­ buchse 44 der Übergangseinheit 40. Die Übergangseinheit 40 besitzt vier in Fig. 6 gezeigte Anschlußstiftbuchsen 44, die den jeweiligen Auswahlsignalen 1 bis 4 zugeordnet sind. Falls der Anschlußstift 46 in die Anschlußstiftbuchse 44 eingeführt ist, überträgt die Anschlußstiftbuchse 44 das entsprechende Signal unter den Signalen 1 bis 4 an das Verdrahtungsmuster 42. Dementsprechend kann in der vorliegenden Ausführungsform ein gewünschtes Auswahlsignal durch Einsetzen des Anschluß­ stifts 46 in die dem gewünschten Auswahlsignal entsprechende Anschlußstiftbuchse 44 zu einem spezifischen in dem Schal­ tungsbefestigungsgebiet 38 vorgesehenen Weitergabeanschluß­ stift 18 geleitet werden.

Ein Verfahren zum Verbinden eines beliebigen von mehreren Signalwegen zu dem Weitergabeanschlußstift 18 ist nicht auf die Verwendung der Anschlußstiftbuchse 44 beschränkt. Wie in Fig. 7 gezeigt ist, kann durch Anordnen eines Kurzschlußele­ ments 48 nur in einem Teil von mehreren Elementbefestigungs­ mustern 47 eine elektrische Verbindung nur eines beliebigen Signalwegs zu dem Weitergabeanschlußstift 18 hergestellt wer­ den. Alternativ ist an irgendeinem Punkt in einem Signalweg ein DIP-Schalter vorgesehen, wobei durch Ändern des Zustands des DIP-Schalters wie gewünscht eine elektrische Verbindung nur eines gewünschten Signalwegs zu dem Weitergabeanschluß­ stift 18 hergestellt werden kann.

Wie oben erwähnt wurde, kann durch Anwenden einer geeigneten Übergangskonstruktion eine Übertragung nur eines gewünschten Signals von mehreren Auswahlsignalen zu einem spezifischen Weitergabeanschlußstift sämtlicher zu einer Zeile gehörender Schaltungsbefestigungsgebiete 38 bewirkt werden. Dementspre­ chend kann in der Untersuchungsvorrichtung der vorliegenden Ausführungsform leicht ein spezifischer Weitergabeanschluß­ stift 18 als ein einem gewünschten Auswahlsignal entsprechen­ der Anschlußstift genommen werden.

Die Übergangseinheiten 49 sind auf der Burn-in-Platte 12 ent­ sprechend den jeweiligen Spalten der Schaltungsbefestigungs­ gebiete 38 vorgesehen. Jede der Übergangseinheiten 49 ist über mehrere Verdrahtungsmuster 50 mit mehreren Weitergabean­ schlußstiften 18 sämtlicher zu jeder Spalte gehörender Schal­ tungsbefestigungsgebiete 38 elektrisch verbunden. Wie im Fall der zuvor beschriebenen Übergangseinheit 40 ist die Über­ gangseinheit 49 so beschaffen, daß sie durch Anwenden einer geeigneten Übergangskonstruktion ein spezifisches Signal an ein beliebiges Verdrahtungsmuster 50 liefert.

Genauer ist die Übergangseinheit 49 so beschaffen, daß sie die Signale A bis D an sämtliche Weitergabeanschlußstifte 18 sämtlicher Schaltungsbefestigungsgebiete 38 übertragen kann. Ferner können die jeweiligen E/A-Anschlußpunkte mit beliebi­ gen Weitergabeanschlußstiften 18 sämtlicher zu jeder Spalte gehörender Schaltungsbefestigungsgebiete 38 elektrisch ver­ bunden werden. Somit ermöglicht die Untersuchungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform, daß ein beliebiger in dem Schaltungsbefestigungsgebiet 38 vorgesehener Weitergabe­ anschlußstift 18 leicht als ein einem der Signale A bis D entsprechenden Anschlußstift genommen wird. Ferner kann ein beliebiger in dem Schaltungsbefestigungsgebiet 38 vorgesehe­ ner Weitergabeanschlußstift 18 mit den für jede Spalte vorge­ sehenen E/A-Anschlußstiften verbunden werden.

Die Fig. 8A und 8B zeigen einen von der Verwendung der in Fig. 5 gezeigten Burn-in-Platte 12 herrührenden Vorteil. Ge­ nauer ist Fig. 8A eine Draufsicht einer IC 1 als einem ersten Untersuchungsobjekt und einer zur Untersuchung der IC 1 ver­ wendeten Austauschplatte 22A. Fig. 8B ist eine Draufsicht einer IC 2 als zweites Untersuchungsobjekt und einer zur Un­ tersuchung der IC 2 verwendeten Austauschplatte 22B. Der Kürze halber ist der Sockel 14 in den Figuren weggelassen.

In den in den Fig. 8A und 8B gezeigten Beispielen sind die Weitergabeanschlußstifte 18 entsprechend sämtlichen Anschluß­ punkten des IC 1 und des IC 2 vorgesehen. Obgleich die ICs 1 und 2 die gleichen Gehäuse besitzen, unterscheiden sich ihre Anschlußstiftkonfigurationen beträchtlich voneinander. Ge­ nauer unterscheiden sich die ICs 1 und 2 voneinander in bezug auf die Stelle eines Vdd-Anschlußstifts (Stromversorgungs- Anschlußstifts) und auf die Stelle eines Masseanschlußstifts GND. Ferner unterscheiden sich die ICs 1 und 2 voneinander in bezug auf sämtliche Signalanschlußstifte (einen/CS-Anschluß­ stift, einen SIG1-Anschlußstift, einen SIG0-Anschlußstift und einen DQ0-Anschlußstift). Falls die Funktionen den jeweiligen Weitergabeanschlußstiften 18 fest zugeordnet sind, muß in diesem Fall eine komplizierte Kreuzverdrahtung auf die Aus­ tauschplatte 22B gelegt werden (siehe Fig. 11B).

In der vorliegenden Ausführungsform kann auf der Burn-in- Platte 12 eine beliebige Verbindung hergestellt werden, wobei die gewünschten Funktionen den einzelnen Weitergabeanschluß­ stiften 18 frei zugeordnet werden können. Wie in den Fig. 8A und 8B gezeigt ist, können die gewünschten Übergänge an sämt­ lichen Anschlußpunkten der ICs 1 und 2 ausgebildet werden, ohne auf den Austauschplatten 22A und 22B eine komplizierte Kreuzverdrahtung auszubilden. Diesbezüglich können die Aus­ tauschbauelemente bei der Untersuchungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform weniger kostspielig als bei der Untersuchungsvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform oder gemäß der zweiten Ausführungsform gemacht werden.

Mit Bezug auf Fig. 9 wird nun eine weitere Austauschplatte 22C beschrieben, die mit irgendeiner der Untersuchungsvor­ richtungen gemäß der ersten bis dritten Ausführungsform ver­ wendet werden kann.

Fig. 9 ist eine perspektivische Ansicht der Austauschplatte 22C. Der Kürze halber ist der Sockel 14 für das Gehäuse der IC 2 in der Figur weggelassen.

Die Austauschplatte 22C besitzt eine Mehrschichtstruktur, wobei in einer der Schichten ein Vdd-Bereich 52 und ein GND- Bereich 54 vorgesehen sind. Der Vdd-Bereich 52 ist ein brei­ ter leitender Bereich mit einer vorgegebenen Konfiguration. Der Vdd-Bereich 52 ist zwischen dem Weitergabeanschlußstift 18 zum Empfang einer Stromversorgungsspannung und einem Vdd- Anschlußpunkt der IC 2 vorgesehen. Der GND-Bereich 54 ist ein breiter leitender Bereich mit einer vorgegebenen Konfigura­ tion, der zwischen dem geerdeten Weitergabeanschlußstift 18 und dem Masseanschlußstift GND der IC 2 vorgesehen ist.

An der Unterseite der Austauschplatte 22C, d. h. an der der Burn-in-Platte 12 gegenüberliegenden Oberfläche der Aus­ tauschplatte 22C, ist ein Überbrückungskondensator 56 vorge­ sehen. Wie im Fall der ersten oder zweiten Ausführungsform ist die Austauschplatte 22C über die Abstandsstücke 20 an der Burn-in-Platte 12 angebracht. Dementsprechend kann der Über­ brückungskondensator 56 an der Unterseite der Austauschplatte 22C angebracht sein, ohne daß dies zu einer Störung zwischen der Burn-in-Platte 12 und der Austauschplatte 22C führt. Über die Funktionen des Vdd-Bereichs 52, des GND-Bereichs 54 und des Überbrückungskondensators 56 kann die Austauschplatte 22C das Auftreten eines andernfalls durch Schwankungen des Ver­ sorgungsstroms verursachten Rauschens wirksam verhindern.

Obgleich in der ersten bis dritten Ausführungsform eine Vor­ richtung zur Untersuchung einer integrierten Halbleiterschal­ tung auf eine Burn-in-Untersuchungsvorrichtung beschränkt ist, ist die Erfindung nicht auf die Burn-in-Untersuchungs­ vorrichtung beschränkt und kann in großem Umfang auf irgend­ eine Vorrichtung, die durch eine einzige Operation mehrere auf einer Grundplatte vorgesehene integrierte Halbleiter­ schaltungen untersucht, angewendet werden.

Mit der wie oben erwähnt konfigurierten Erfindung werden die folgenden Vorteile erzielt.

Gemäß einem ersten Aspekt der Erfindung werden eine Aus­ tauschplatte und ein Sockel ersetzt, wobei eine einzige Grundplatte zur Untersuchung einer Vielzahl von Typen inte­ grierter Halbleiterschaltungen verwendet werden kann. Zum Zeitpunkt des Entfernens einer Austauschplatte von den Wei­ tergabeanschlußstiften und Ersetzens kann die Austauschplatte ersetzt werden, ohne eine Grundplatte zu beschädigen. Da der Sockel an der Austauschplatte angebracht ist, kann er ohne Beschädigen der Grundplatte wiederverwendet werden. Es be­ steht keine Notwendigkeit, in der Grundplatte Durchgangslö­ cher zur Aufnahme der Sockelanschlußpunkte auszubilden, womit der von der Grundplatte eingenommene Platz effektiv ausge­ nutzt werden kann. Zwischen der Grundplatte und der Aus­ tauschplatte wird ein Zwischenraum sichergestellt, womit in dem Zwischenraum ein Element wie etwa eine Überbrückungskapa­ zität vorgesehen werden kann.

Gemäß einem zweiten Aspekt der Erfindung kann als Austausch­ platte eine weniger kostspielige dünne Platte verwendet wer­ den. Somit kann die Erfindung den Preis eines Austauschbau­ elements senken.

Gemäß einem dritten Aspekt der Erfindung unterstützt die Aus­ tauschplatte durch die Verwendung von Anschlußstiftbuchsen Weitergabeanschlußstifte, womit die Austauschplatte leicht entnommen werden kann.

Da die Grundplatte die Weitergabeanschlußstifte durch die Verwendung von Anschlußstiftbuchsen hält, können die Weiter­ gabeanschlußstifte gemäß dem vierten Aspekt der Erfindung von der Grundplatte entnommen werden, ohne diese zu beschädigen. Dementsprechend ermöglicht die Erfindung das Ersetzen von Austauschelementen mit Weitergabeanschlußstiften, ohne daß dies zu einer Verschlechterung der Grundplatte führt.

Gemäß einem fünften Aspekt der Erfindung kann auf der einer Austauschplatte gegenüberliegenden Oberfläche der Grundplatte unter Verwendung eines durch Abstandsstücke sichergestellten Zwischenraums ein Schaltungselement wie etwa ein Überbrüc­ kungskondensator angebracht sein.

Gemäß einem sechsten Aspekt der Erfindung kann auf der der Grundplatte gegenüberliegenden Oberfläche einer Austausch­ platte unter Verwendung eines durch Abstandsstücke sicherge­ stellten Zwischenraums ein Schaltungselement wie etwa ein Überbrückungskondensator angebracht sein.

Gemäß einem siebenten Aspekt der Erfindung kann eine Über­ gangseinheit einen Übergang zwischen einem mit einem An­ schlußpunkt einer Hauptuntersuchungseinheit verbundenen Ver­ bindungsanschlußpunkt und einem mit dem Anschlußpunkt einer integrierten Halbleiterschaltung verbundenen Verdrahtungsmu­ ster ändern. Mit anderen Worten, eine einem auf einer Grund­ platte vorgesehenen Verdrahtungsmuster zugeordnete Funktion kann unter Verwendung einer Übergangseinheit geändert werden. Somit kann die Erfindung einer Wort-Bit-Konfiguration einer einzelnen integrierten Halbleiterschaltung entsprechende Übergänge effektiv realisieren. Falls auf einer Grundplatte eine Austauschplatte angebracht ist, kann gemäß der Erfindung außerdem das in der Austauschplatte vorgesehene Verdrahtungs­ muster beträchtlich vereinfacht werden.

Solange die Anschlußstifte in geeignete Anschlußstiftbuchsen eingeführt sind, kann gemäß einem achten Aspekt der Erfindung ein gewünschter Übergang zwischen einem Verbindungsanschluß­ stift und einem Verdrahtungsmuster hergestellt werden.

Gemäß einem neunten Aspekt der Erfindung ist auf einem Ele­ mentbefestigungsmuster geeignet ein Kurzschlußelement ange­ bracht, wodurch ein gewünschter Übergang zwischen einem Ver­ bindungsanschlußpunkt und einem Verdrahtungsmuster leicht hergestellt werden kann.

Gemäß einem zehnten Aspekt der Erfindung kann der Zustand eines zwischen einem Verbindungsanschlußpunkt und einem Ver­ drahtungsmuster hergestellten Übergangs durch geeignetes Än­ dern des Zustands eines DIP-Schalters leicht in einen ge­ wünschten Zustand geändert werden.

Gemäß einem elften Aspekt der Erfindung können verschiedene integrierte Halbleiterschaltungen mit einer vielseitigeren Untersuchungsvorrichtung effizient untersucht werden.

Ferner ist die Erfindung nicht auf diese Ausführungsformen beschränkt, sondern es können Veränderungen und Abwandlungen vorgenommen werden, ohne vom Umfang der Erfindung abzuwei­ chen.

Die gesamte Offenbarung der japanischen Patentanmeldung Nr. 2000-173471, eingereicht am 9. Juni 2000, einschließlich der Beschreibung, der Ansprüche, der Zeichnung und der Zusam­ menfassung, ist hiermit in ihrer Gesamtheit durch Literatur­ hinweis eingefügt.

Claims (11)

1. Untersuchungsvorrichtung zum Untersuchen mehrerer auf einer Grundplatte (12) angebrachter integrierter Halbleiter­ schaltungen, mit:
mehreren Weitergabeanschlußstiften (18), die mit einem auf die Grundplatte (12) gelegten Verdrahtungsmuster elek­ trisch verbunden sind;
Sockeln (14), die auf der Grundplatte (12) vorgesehen sind, in denen jeweils eine integrierte Halbleiterschaltung untergebracht ist;
Austauschplatten (22; 26), die jeweils die Sockel­ anschlußpunkte (24) eines Sockels (14) mit einem spezifischen Weitergabeanschlußstift (18) elektrisch verbinden; und
Abstandsstücken (20), die zwischen jeder der Austausch­ platten (22; 26) und der Grundplatte (12) liegen.

2. Untersuchungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Austauschplatte eine filmartige dünnen Platte (26) ist, wobei zwischen der dünnen Platte (26) und den Abstandsstücken (20) eine Verstärkungsplatte (28) zum Verstärken der filmartigen Platte (26) vorgesehen ist.

3. Untersuchungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Grundplatte (22; 26) mit einer An­ schlußstiftbuchse zum Halten der abnehmbar an der Austausch­ platte (22; 26) angebrachten Weitergabeanschlußstifte (18) versehen ist.

4. Untersuchungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Austauschplatte (12) eine Anschluß­ stiftbuchse zum Halten der Weitergabeanschlußstifte (18) be­ sitzt, wobei die Austauschplatte (22; 26) zusammen mit den Weitergabeanschlußstiften (18) von der Grundplatte (12) abge­ nommen werden kann.

5. Untersuchungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß in einer der Austauschplatte (22; 26) gegenüberliegenden Fläche auf der Grundplatte (12) ein Schaltungselement oder ein Muster zur Aufnahme eines Schaltungselements ausgebildet ist.

6. Untersuchungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß in einer der Grundplatte (12) gegenüberliegenden Fläche auf der Austauschplatte (22; 26) ein Schaltungselement oder ein Muster zur Aufnahme eines Schaltungselements ausgebildet ist.

7. Untersuchungsvorrichtung zum Untersuchen mehrerer auf einer Grundplatte (12) angebrachter integrierter Halbleiter­ schaltungen, wobei die Grundplatte (12) umfaßt:
mehrere Verbindungsanschlußpunkte, die mit den Anschluß­ punkten einer Hauptuntersuchungseinheit (10) elektrisch ver­ bunden sind;
mehrere Verdrahtungsmuster (42, 50), die mit den Anschlußpunkten einer integrierten Halbleiterschaltung ver­ bunden sind; und
eine Übergangseinheit (40, 49) zum Ändern des Zustands eines zwischen den Verbindungsanschlußpunkten und dem Ver­ drahtungsmuster (42, 50) ausgebildeten Übergangs.

8. Untersuchungsvorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Übergangseinheit (40, 49) eine Anschluß­ stiftbuchse (44) enthält, die das Verdrahtungsmuster (42, 50) mit den Verbindungsanschlußpunkten verbindet, wenn ein An­ schlußstift (46) in die Anschlußstiftbuchse (44) eingeführt ist, wobei die Anschlußstiftbuchse (44) zwischen jedem von mehreren Verdrahtungsmustern (50) und einem einzelnen Verbin­ dungsanschlußpunkt und/oder zwischen jedem von mehreren Ver­ bindungsanschlußpunkten und einem einzelnen Verdrahtungsmu­ ster (42) liegt.

9. Untersuchungsvorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Übergangseinheit (40, 49) ein Elementbefe­ stigungsmuster (47) enthält, das das Verdrahtungsmuster (42, 50) mit den Verbindungsanschlußpunkten verbindet, wenn an dem Elementbefestigungsmuster (47) ein Kurzschlußelement (48) angebracht ist, wobei das Elementbefestigungsmuster (47) zwi­ schen jedem von mehreren Verdrahtungsmustern (50) und einem einzigen Verbindungsanschlußpunkt und/oder zwischen jedem von mehreren Verbindungsanschlußpunkten und einem einzigen Ver­ drahtungsmuster (42) vorgesehen ist.

10. Untersuchungsvorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Übergangseinheit (40, 49) wenigstens entwe­ der einen DIP-Schalter zum Schalten eines Übergangs zwischen jedem von mehreren Verdrahtungsmustern (50) und einem einzi­ gen Verbindungsanschlußpunkt oder einen DIP-Schalter zum Schalten eines Übergangs zwischen mehreren Verbindungsan­ schlußpunkten und einem einzigen Verdrahtungsmuster (42) ent­ hält.

11. Untersuchungsverfahren zum Untersuchen einer integrierten Halbleiterschaltung mit der Untersuchungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10.