DE19819252A1

DE19819252A1 - Halbleiterspeichervorrichtung

Info

Publication number: DE19819252A1
Application number: DE19819252A
Authority: DE
Inventors: Tuyoshi Saitoh; Akira Kitaguchi; Masaaki Matsuo; Makoto Hatakenaka; Toshio Nakano; Yuko Sudo
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1997-09-09
Filing date: 1998-04-29
Publication date: 1999-03-11
Also published as: TW392267B; KR19990029192A; JPH1187441A; US6025733A

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleiterspeicher vorrichtung, die eine Halbleiterspeicherschaltung, eine Halb leitertestschaltung, eine von der Halbleiterspeicherschaltung und der Halbleitertestschaltung verschiedene Halbleiterschal tung und eine Vielzahl von Kontaktflächen hat, an die Sonden jeweils beim Testen der Halbleiterspeicherschaltungen gepreßt werden und mit welchen Drähte zur Verbindung mit Zuleitungs anschlüssen jeweils bei dem Einsetzen in ein Gehäuse elek trisch verbunden werden, welche alle auf demselben Substrat vorgesehen sind.

Fig. 10 ist eine Draufsicht, die eine Konfiguration einer herkömmlichen Halbleiterspeichervorrichtung zeigt. Fig. 10 zeigt die Art und Weise, in der ein Zustand, in dem eine Halbleiterspeicherschaltung getestet wird, während Sonden ge gen fünf erste Kontaktflächen gepreßt werden, die an einer von einer Vielzahl von auf einem Halbleiterwafer gebildeten Halbleiterspeichervorrichtungen vorgesehen sind, durch ein Fensterloch betrachtet wird, welches im wesentlichen in der Mitte einer Sondenkarte gebildet ist. Die Vielzahl von Halb leiterspeichervorrichtungen, die auf dem Halbleiterwafer ge bildet ist, wird in dem nachfolgenden Trennprozeß in jeweili ge Halbleiterspeichervorrichtungen geteilt. In Fig. 10 be zeichnet Bezugszeichen 101 eine Halbleiterspeicherschaltung, die eine ursprünglich verwendete erste Speicherschaltung 101a und eine zweite Speicherschaltung 101b enthält, die anstelle der ersten Speicherschaltung 101a verwendet wird, wenn die erste Speicherschaltung 101a nicht ordnungsgemäß funktio niert. Bezugszeichen 102 bezeichnet eine Halbleitertestschal tung zum Testen der Halbleiterspeicherschaltung 101. Bezugs zeichen 103 bezeichnet eine Logikschaltung zum Datenaustausch mit der Halbleiterspeicherschaltung 101. Bezugszeichen 104 bezeichnet jeweils erste Kontaktflächen, an die Sonden je weils beim Testen der Halbleiterspeicherschaltung 101 gepreßt werden und mit welchen Drähte zur Verbindung mit Zuleitungs anschlüssen jeweils beim Einbetten in ein Gehäuse elektrisch verbunden werden. Bezugszeichen 105 bezeichnet jeweils Kon taktflächen, die beim Testen der Halbleiterspeicherschaltung 101 nicht mit den Sonden in Kontakt sind, jedoch mit den Drähten zur Verbindung mit Zuleitungsanschlüssen beim Einset zen in ein Gehäuse elektrisch verbunden werden. Bezugszeichen 106 bezeichnet ein Substrat, das mit der Halbleiterspeicher schaltung 101, der Halbleitertestschaltung 102, der Logik schaltung 103 und den ersten und den zweiten Kontaktflächen 104 und 105 versehen ist. Ferner bezeichnet Bezugszeichen 107 eine Sondenkarte und Bezugszeichen 108 bezeichnet Sonden, die an der Sondenkarte 107 angebracht sind. Die Bezugszeichen 105 sind den zweiten Kontaktflächen in Fig. 10 nur teilweise zu geordnet. Zur Vereinfachung der Darstellung sind die Drähte, die elektrisch mit den zweiten Kontaktflächen 105 verbunden sind, in der Zeichnung weggelassen und nicht dargestellt.

Die herkömmliche Halbleiterspeichervorrichtung hat die Form eines Quadrats. Die fünf ersten Kontaktflächen 104 sind in zwei, eine, eine und eine unterteilt, die entlang den vier Seiten des äußeren Umfangs der Halbleiterspeichervorrichtung angeordnet sind.

Der Betrieb der Halbleitervorrichtung wird nachfolgend be schrieben.

Fig. 11A bis 11C sind jeweils schematische Seitenansichten, die den Zustand der ersten Kontaktflächen 104 und von Sonden 108 während der Zeit zeigen, während welcher die Sonden 108 während eines Testablaufes jeweils gegen die ersten Kontakt flächen 104 der Halbleiterspeichervorrichtung gepreßt werden. Fig. 12A bis 12C sind jeweils schematische Draufsichten, die den Zustand der ersten Kontaktflächen 104 zu der Zeit zeigen, während welcher die Sonden 108 jeweils gegen die ersten Kon taktflächen 104 gepreßt werden, woraufhin die Sonden 108 wäh rend des Testablaufes jeweils von den ersten Kontaktflächen 104 der Halbleiterspeichervorrichtung entfernt werden.

Wenn die Halbleiterspeichervorrichtung getestet wird, werden die Sonden 108 zunächst jeweils gegen die ersten Kontaktflä chen 104 gepreßt, die entlang den vier Seiten des äußeren Um fangs der Vorrichtung angeordnet sind. Anschließend wird ein Test durchgeführt, ob die erste Speicherschaltung 101a ord nungsgemäß arbeitet. In diesem Fall wird eine erste Sonden kontaktspur 111 in der ersten Kontaktfläche 104 gebildet, in dem die Sonde 108 gegen die erste Kontaktfläche 104 gepreßt wird (siehe Fig. 11A). Wenn daher die Sonde 108 von der er sten Kontaktfläche 104 entfernt wird, verbleibt die erste Sondenkontaktspur 111 in der ersten Kontaktfläche 104 (siehe Fig. 12A).

Anschließend wird, wenn die erste Speicherschaltung 101a nicht ordnungsgemäß arbeitet, die erste Speicherschaltung 101a auf die zweite Speicherschaltung 101b umgeschaltet und die Sonden 108 werden jeweils erneut gegen die ersten Kon taktflächen 104 gepreßt, die entlang den vier Seiten des äu ßeren Umfangs angeordnet sind. Anschließend wird ein Test durchgeführt, ob die zweite Speicherschaltung 101b ordnungs gemäß arbeitet. In diesem Fall tritt in der ersten Kontakt fläche 104 eine zweite Sondenkontaktspur 112 auf, indem die Sonde 108 gegen die erste Kontaktfläche 104 gepreßt wird (siehe Fig. 11B). Die zweite Sondenkontaktspur 112 verbleibt daher in der ersten Kontaktfläche 104, wenn die Sonde 108 von der ersten Kontaktfläche 104 (siehe Fig. 12B) entfernt wird.

Wenn die zweite Speicherschaltung 101b ordnungsgemäß arbei tet, werden anschließend die Sonden 108 jeweils gegen die er sten und die zweiten Kontaktflächen 104 und 105 gepreßt. An schließend wird ein Test durchgeführt, ob die gesamte Halb leiterspeichervorrichtung ordnungsgemäß arbeitet. In diesem Fall wird eine dritte Sondenkontaktspur 113 in der ersten Kontaktfläche 104 erzeugt, indem die Sonde 108 gegen die er ste Kontaktfläche 104 gepreßt wird (siehe Fig. 11C). Die dritte Sondenkontaktspur 113 verbleibt daher anschließend in der ersten Kontaktfläche 104, wenn die Sonde 108 von der er sten Kontaktfläche 104 entfernt wird (siehe Fig. 12C).

Da die herkömmliche Halbleiterspeichervorrichtung den vorste hend beschriebenen Aufbau aufweist, tritt das Problem auf, daß in dem Testprozeß der Halbleiterspeichervorrichtung die Sonden 108 aus vier Richtungen gegen die ersten Kontaktflä chen 104 gepreßt werden müssen, die entlang den vier Seiten des äußeren Umfangs der Vorrichtung angeordnet sind, und das Testen einer Vielzahl von Halbleiterspeichervorrichtungen beim Testprozeß der Halbleiterspeicherschaltung nicht gleich zeitig möglich ist.

Ferner tritt das Problem auf, daß, da die erste bis dritte Sondenkontaktspur 111 bis 113 jeweils nach dem Testprozeß der Halbleiterspeichervorrichtung in der ersten Kontaktfläche 104 verbleiben, wenn die erste Speicherschaltung 101 nicht ord nungsgemäß funktioniert, ein Draht 114 zur Verbindung mit ei nem Zuleitungsanschluß beim dem Einsetzen in ein Gehäuse schwer mit seiner entsprechenden ersten Kontaktfläche 104 zu verbinden ist, wie Fig. 13A und 13B zeigen. Fig. 13 ist ei ne schematische Ansicht, die den Zustand der ersten Kontakt fläche 104 und des Drahtes 114 zu dem Zeitpunkt zeigt, an dem der Draht 114 zur Verbindung mit dem Zuleitungsanschluß elek trisch mit der ersten Kontaktfläche 104 verbunden wird, wobei Fig. 13A eine Seitenansicht ist und Fig. 13B eine Drauf sicht ist.

Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, zur Lösung der vorstehend genannten Probleme eine Halbleiterspeichervorrich tung zu schaffen, bei welcher beim Testen der Halbleiterspei cherschaltungen eine Vielzahl von Halbleiterspeichervorrich tungen gleichzeitig getestet werden können. Ferner ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Halbleiterspeicher vorrichtung zu schaffen, bei welcher Drähte zur Verbindung mit Zuleitungsanschlüssen beim Einsetzen in ein Gehäuse pro blemlos mit ihren entsprechenden Kontaktflächen zu verbinden sind.

Die Lösung der Aufgabe ergibt sich aus den Patentansprüchen. Unteransprüche beziehen sich auf bevorzugte Ausführungsfarmen der Erfindung. Dabei sind auch andere Kombinationen von Merk malen als in den Unteransprüchen beansprucht möglich.

Gemäß einem ersten Aspekt dieser Erfindung wird eine Halblei terspeichervorrichtung bereitgestellt, bei der eine Vielzahl von Kontaktflächen in einer oder zwei Reihen parallel mit ei ner Seite des äußeren Umfangs der Halbleiterspeichervorrich tung angeordnet sind.

Gemäß dem ersten Aspekt kann insofern ein vorteilhafter Ef fekt erzielt werden, als eine Vielzahl von Halbleiterspei chervorrichtungen beim Testvorgang der Halbleiterspeicher schaltungen gleichzeitig getestet werden können, da die Viel zahl von Kontaktflächen in einer oder zwei Reihen parallel mit einer Seite des äußeren Umfangs der Halbleiterspeicher vorrichtung angeordnet ist.

Gemäß einem zweiten Aspekt dieser Erfindung wird eine Halb leiterspeichervorrichtung bereitgestellt, bei welcher eine Vielzahl von Kontaktflächen in zwei oder mehr Reihen parallel mit einer Seite des äußeren Umfangs der Halbleiterspeicher vorrichtung so plaziert sind, daß die Reihenkoordinaten der Kontaktflächen voneinander verschieden sind.

Gemäß dem zweiten Aspekt kann ein vorteilhafter Effekt inso fern erzielt werden, als eine Vielzahl von Halbleiterspei chervorrichtungen beim Testen der Halbleiterspeicherschaltun gen gleichzeitig getestet werden kann, da die Vielzahl von Kontaktflächen in zwei oder mehr Reihen parallel mit einer Seite des äußeren Umfangs der Halbleiterspeichervorrichtung so angeordnet ist, daß die Reihenkoordinaten der Kontaktflä chen voneinander verschieden werden.

Gemäß einem dritten Aspekt dieser Erfindung wird eine Halb leiterspeichervorrichtung bereitgestellt, bei welcher jede der Kontaktflächen einen Sondenbereich umfaßt, gegen welchen eine Sonde gepreßt wird, sowie einen Draht- bzw. Verdrah tungsbereich, an welchem ein Draht elektrisch angeschlossen wird.

Gemäß dem dritten Aspekt kann insofern ein vorteilhafter Ef fekt erzielt werden, als der Draht zur Verbindung mit einem Zuleitungsanschluß beim Einsetzen in das Gehäuse nicht länger schwierig mit der Kontaktfläche zu verbinden ist, da jede der Kontaktflächen den Sondenbereich enthält, gegen welchen die Sonde gepreßt wird, sowie den Verdrahtungsbereich, mit dem der Draht elektrisch verbunden wird.

Gemäß einem vierten Aspekt dieser Erfindung wird eine Halb leiterspeichervorrichtung bereitgestellt, bei welcher eine Vielzahl von Kontaktflächen in einer oder zwei Reihen paral lel zu einer Seite des äußeren Umfangs der Halbleiterspei chervorrichtung angeordnet sind und jede der Kontaktflächen einen Sondenbereich, gegen welchen eine Sonde gepreßt wird, und einen Verdrahtungsbereich, mit welchem ein Draht elek trisch verbunden wird, umfaßt.

Gemäß dem vierten Aspekt kann insofern ein vorteilhafter Ef fekt erzielt werden, als der Draht zur Verbindung mit einem Zuleitungsanschluß bei dem Einsetzen in ein Gehäuse nicht länger mit der Kontaktfläche schwierig zu verbinden ist, da jede der Kontaktflächen aus dem Sondenbereich, gegen welchen die Sonde gepreßt wird, und dem Drahtbereich, an welchem der Draht elektrisch angeschlossen wird, aufgebaut ist.

Gemäß einem fünften Aspekt dieser Erfindung wird eine Halb leiterspeichervorrichtung bereitgestellt, bei der eine Viel zahl von Kontaktflächen in zwei oder mehr Reihen parallel zu einer Seite des äußeren Umfangs der Halbleiterspeichervor richtung angeordnet sind, so daß die Reihenkoordinaten der jeweiligen Kontaktflächen voneinander verschieden sind und jede der Kontaktflächen einen Sondenbereich, gegen welchen eine Sonde gepreßt wird, und ein Drahtbereich, mit welchem ein Draht elektrisch verbunden wird, umfaßt.

Gemäß dem fünften Aspekt kann ein vorteilhafter Effekt inso fern erzielt werden, als der Draht zur Verbindung mit einem Zuleitungsanschluß beim Einsetzen in ein Gehäuse nicht länger schwierig mit der Kontaktfläche zu verbinden ist, da jede der Kontaktflächen den Sondenbereich, gegen welchen die Sonde ge preßt wird, und den Drahtbereich, mit welchem der Draht elek trisch verbunden wird, umfaßt.

Gemäß einem sechsten Aspekt dieser Erfindung wird eine Halb leiterspeichervorrichtung bereitgestellt, bei welcher eine Vielzahl von Kontaktflächen in einer oder zwei Reihen paral lel zu einer Seite des äußeren Umfangs der Halbleiterspei chervorrichtung angeordnet sind und jede der Kontaktflächen eine Sondenfläche, gegen welche eine Sonde gepreßt wird, und eine Drahtfläche, mit der ein Draht elektrisch verbunden wird, umfaßt, welche beide elektrisch miteinander verbunden sind.

Gemäß dem sechsten Aspekt kann ein vorteilhafter Effekt inso fern erzielt werden, als es nicht länger schwierig ist, den Draht zur Verbindung mit einem Zuleitungsanschluß beim Ein setzen in das Gehäuse mit der Kontaktfläche zu verbinden, da jede der Kontaktflächen die elektrisch mit der Drahtkontakt fläche verbundene Sondenkontaktfläche, gegen welche die Sonde gepreßt wird, und die Drahtkontaktfläche, welche mit dem Draht verbunden wird, umfaßt.

Gemäß einem siebten Aspekt dieser Erfindung wird eine Halb leiterspeichervorrichtung bereitgestellt, bei welcher eine Vielzahl von Kontaktflächen in zwei oder mehr Reihen parallel mit einer Seite des äußeren Umfangs der Halbleiterspeicher vorrichtung so angeordnet ist, daß die Reihenkoordinaten der jeweiligen Kontaktflächen voneinander verschieden werden, und jede der Kontaktflächen eine Sondenkontaktfläche, gegen wel che eine Sonde gepreßt wird, und eine Drahtkontaktfläche, mit welcher ein Draht elektrisch verbunden wird, umfaßt, welche beide elektrisch miteinander verbunden sind.

Gemäß dem siebten Aspekt kann ein vorteilhafter Effekt inso fern erzielt werden, als der Draht zur Verbindung mit einem Zuleitungsanschluß beim Einsetzen in ein Gehäuse nicht länger schwierig mit der Kontaktfläche zu verbinden ist, da jede der Kontaktflächen die elektrisch mit der Drahtkontaktfläche ver bundene Sondenkontaktfläche, gegen welche die Sonde gepreßt wird, und die Drahtkontaktfläche, mit welcher der Draht elek trisch verbunden wird, umfaßt.

Nachfolgend werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfin dung unter Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen beschrie ben.

Fig. 1 ist eine Draufsicht, die eine Konfiguration einer Halbleiterspeichervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungs form der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 2 ist eine Draufsicht, die eine Konfiguration einer Halbleiterspeichervorrichtung gemäß einer zweiten Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 3 ist eine Draufsicht, die eine Konfiguration einer Halbleiterspeichervorrichtung gemäß einer dritten Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 4A und 4B sind jeweils schematische Ansichten, die den Zustand einer ersten Kontaktfläche und eines Drahtes, die zur Beschreibung der dritten Ausführungsform der vorliegenden Er findung dienen, zu dem Zeitpunkt zeigen, an dem der Draht zur Verbindung mit einem Zuleitungsanschluß elektrisch mit der ersten Kontaktfläche verbunden wird;

Fig. 5 ist eine Draufsicht, die eine Konfiguration einer Halbleiterspeichervorrichtung gemäß einer vierten Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 6 ist eine Draufsicht, die eine Konfiguration einer Halbleiterspeichervorrichtung gemäß einer fünften Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 7 ist eine Draufsicht, die eine Konfiguration einer Halbleiterspeichervorrichtung gemäß einer sechsten Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 8A und 8B sind jeweils schematische Ansichten, die ei nen Zustand einer ersten Kontaktfläche und eines Drahtes, die zur Beschreibung der sechsten Ausführungsform der vorliegen den Erfindung dienen, zu dem Zeitpunkt zeigen, an dem der Draht zur Verbindung mit einem Zuleitungsanschluß elektrisch mit der ersten Kontaktfläche verbunden wird;

Fig. 9 ist eine Draufsicht, die eine Konfiguration einer Halbleiterspeichervorrichtung gemäß einer siebten Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 10 ist eine Draufsicht, die eine Konfiguration einer herkömmlichen Halbleiterspeichervorrichtung zeigt;

Fig. 11A bis 11C sind jeweils schematische Seitenansichten, die den Zustand von ersten Kontaktflächen und Sonden, die zur Beschreibung der herkömmlichen Vorrichtung verwendet werden, zu dem Zeitpunkt zeigen, an dem die Sonden bei einem Testpro zeß einer Halbleiterspeicherschaltung jeweils gegen die er sten Kontaktflächen gepreßt werden;

Fig. 12A bis 12C sind jeweils schematische Draufsichten, die den Zustand der in Fig. 11A bis 11C gezeigten ersten Kon taktflächen zu dem Zeitpunkt zeigen, an dem in dem Testprozeß der Halbleiterspeicherschaltung die Sonden jeweils gegen die ersten Kontaktflächen gepreßt werden und die Sonden anschlie ßend jeweils von den ersten Kontaktflächen entfernt werden; und

Fig. 13A und 13B sind jeweils schematische Ansichten, die den Zustand einer ersten Kontaktfläche und eines Drahtes, die zur Beschreibung der herkömmlichen Vorrichtung dienen, zu dem Zeitpunkt zeigen, an dem der Draht zur Verbindung mit einem Zuleitungsanschluß elektrisch mit der ersten Kontaktfläche verbunden wird.

Erste Ausführungsform

Fig. 1 ist eine Draufsicht, die eine Konfiguration einer Halbleiterspeichervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungs form der vorliegenden Erfindung zeigt. Fig. 1 zeigt die Art und Weise, in der ein Zustand, in dem Halbleiterspeicher schaltungen getestet werden, während Sonden gegen fünf erste Kontaktflächen gepreßt werden, die jeweils an zwei Halblei terspeichervorrichtungen von einer Vielzahl von auf einem Halbleiterwafer gebildeten Halbleiterspeichervorrichtungen vorgesehen sind, durch einen Fensterschlitz bzw. eine Fen steröffnung zu sehen ist, die im wesentlichen in der Mitte einer Sondenkarte gebildet ist. Die Vielzahl von Halbleiter speichervorrichtungen, die auf dem Halbleiterwafer gebildet ist, wird in dem nachfolgenden Trennprozeß in einzelne Halb leiterspeichervorrichtungen geteilt. In Fig. 1 bezeichnet Bezugszeichen 1 Halbleiterspeicherschaltungen, die jeweils eine ursprünglich verwendete erste Speicherschaltung 1a und eine zweite Speicherschaltung 1b enthalten, die anstelle der ersten Speicherschaltung 1a verwendet wird, wenn die erste Speicherschaltung 1a nicht ordnungsgemäß funktioniert. Be zugszeichen 2 bezeichnet jeweils Halbleitertestschaltungen zum Testen der Halbleiterspeicherschaltungen 1. Bezugszeichen 3 bezeichnet jeweils Logikschaltungen (Halbleiterschaltungen) zum jeweiligen Datenaustausch mit den Halbleiterspeicher schaltungen 1. Bezugszeichen 4 bezeichnet jeweils erste Kon taktflächen (Kontaktflächen), gegen die Sonden beim Testen der Halbleiterspeicherschaltungen 1 jeweils gepreßt werden und mit welchen Drähte zum Verbinden mit Zuleitungsanschlüs sen jeweils beim Einsetzen in ein Gehäuse elektrisch verbun den werden. Bezugszeichen 5 bezeichnet jeweils zweite Kon taktflächen, die beim Testen der Halbleiterspeicherschaltun gen 1 nicht mit den Sonden in Kontakt sind, sondern mit Dräh ten zur Verbindung mit Zuleitungsanschlüssen beim Einsetzen in ein Gehäuse elektrisch verbunden sind. Bezugszeichen 6 be zeichnet Substrate, die jeweils mit der Halbleiterspeicher schaltung 1, der Halbleitertestschaltung 2, der Logikschal tung 3 und den ersten und den zweiten Kontaktflächen 4 und 5 versehen sind. Ferner bezeichnet Bezugszeichen 7 eine Son denkarte und Bezugszeichen 8 bezeichnet jeweils Sonden, die auf der Sondenkarte 7 angebracht sind. Bezugszeichen 5 ist dabei nur teilweise den zweiten Kontaktflächen in Fig. 1 zu geordnet. Zur Vereinfachung der Darstellung sind die Drähte, die elektrisch mit den zweiten Kontaktflächen verbunden sind, weggelassen und in der Zeichnung nicht dargestellt.

Die Halbleiterspeichervorrichtung gemäß der ersten Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung ist quadratisch geformt. Die fünf ersten Kontaktflächen 4 sind in zwei und drei einge teilt bzw. unterteilt, die in zwei Reiben so angeordnet sind, daß sie parallel zu einer Seite des äußeren Umfangs der Halb leiterspeichervorrichtung verlaufen. Da die Halbleiterspei chervorrichtung quadratisch geformt ist, sind die ersten Kon taktflächen 4 so angeordnet, daß sie parallel zu den beiden entgegengesetzten Seiten des äußeren Umfangs verlaufen, was eine Folge der Anordnung der ersten Kontaktflächen 4 parallel zu einer Seite des äußeren Umfangs der Vorrichtung ist.

Der Betriebsablauf der vorliegenden Ausführungsform wird nachfolgend beschrieben.

Wenn die Halbleiterspeichervorrichtung getestet wird, werden die Sonden 8 jeweils gegen die ersten Kontaktflächen 4 ge preßt, die jeweils innerhalb der beiden Halbleitervorrichtun gen angeordnet sind, die kontinuierlich in der Richtung ange ordnet sind, in welcher die ersten Kontaktflächen 4 in einer Reihe liegen. In diesem Zustand werden die beiden Halbleiter speichervorrichtungen gleichzeitig getestet. Da die fünf er sten Kontaktflächen 4 in zwei und drei unterteilt sind und in zwei Reihen so angeordnet sind, daß sie parallel zu einer Seite des äußeren Umfangs verlaufen, werden die Sonden 8 von zwei einander entgegengesetzten Richtungen gegen die jeweili gen Halbleiterspeichervorrichtungen gepreßt.

Auf diese Weise kann die erste Ausführungsform insofern einen vorteilhaften Effekt erzielen, als die beiden Halbleiterspei chervorrichtungen gleichzeitig beim Testen der Halbleiter speicherschaltungen getestet werden können, da die fünf er sten Kontaktflächen 4 in zwei und drei unterteilt sind, die in zwei Reihen so angeordnet sind, daß sie parallel zu einer Seite des äußeren Umfangs verlaufen.

Zweite Ausführungsform

Fig. 2 ist eine Draufsicht, die eine Konfiguration einer Halbleiterspeichervorrichtung gemäß einer zweiten Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Fig. 2 zeigt die Art, in welcher ein Zustand, in dem Halbleiterspeicherschal tungen getestet werden, während Sonden gegen fünf erste Kon taktflächen gepreßt werden, die jeweils in den zwei Halblei terspeichervorrichtungen von einer Vielzahl von auf einem Halbleiterwafer gebildeten Halbleiterspeichervorrichtungen vorgesehen sind, durch ein Fensterloch gesehen wird, das im wesentlichen in der Mitte einer Sondenkarte gebildet ist. Die Vielzahl der Halbleiterspeichervorrichtungen, die auf dem Halbleiterwafer gebildet ist, wird in dem nachfolgenden Auf teilungs- bzw. Trennprozeß in einzelne Halbleiterspeichervor richtungen geteilt. In Fig. 2 bezeichnet Bezugszeichen 4a jeweils erste Kontaktflächen (Kontaktflächen), gegen welche Sonden jeweils beim Testen der Halbleiterspeicherschaltungen gepreßt werden und mit welchen Drähte zur Verbindung mit Zu leitungsanschlüssen beim Einsetzen in ein Gehäuse jeweils elektrisch verbunden werden. Bezugszeichen 7a bezeichnet eine Sondenkarte und Bezugszeichen 8a bezeichnen jeweils Sonden, die an der Sondenkarte 7a befestigt sind. Da die zweite Aus führungsform hinsichtlich der übrigen Konfiguration mit der ersten Ausführungsform identisch bzw. dieser ähnlich ist, wird auf eine detaillierte Beschreibung verzichtet.

Die Halbleiterspeichervorrichtung gemäß der zweiten Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung ist quadratisch geformt. Die fünf ersten Kontaktflächen 4a sind in zwei und drei un terteilt und in zwei Reihen parallel zu einer Seite des äuße ren Umfangs der Halbleiterspeichervorrichtung angeordnet. Da die Halbleiterspeichervorrichtung quadratisch geformt ist, sind die ersten Kontaktflächen 4a parallel zu den gegenüber liegenden beiden Seiten ihres äußeren Umfangs als Folge der Plazierung der ersten Kontaktflächen 4a parallel zu einer Seite ihres äußeres Umfangs angeordnet. Ferner sind die fünf ersten Kontaktflächen 4a so angeordnet, daß Reihenkoordinaten (entsprechend den Koordinaten in der durch X in Fig. 2 be zeichneten Richtung) der jeweiligen ersten Kontaktflächen 4a voneinander verschieden sind.

Der Betriebsablauf der vorliegenden Ausführungsform wird nachfolgend erläutert.

Beim Test der Halbleiterspeicherschaltung werden die Sonden 8a jeweils gegen die ersten Kontaktflächen 4a gepreßt, die jeweils innerhalb der beiden Halbleiterspeichervorrichtungen angeordnet sind, welche aneinandergereiht in der zu der Rich tung, in der die ersten Kontaktflächen 4a in einer Linie vor gesehen sind, senkrechten Richtung plaziert sind. In diesem Zustand werden die beiden Halbleiterspeichervorrichtungen gleichzeitig getestet. Da die fünf ersten Kontaktflächen 4a in zwei und drei geteilt sind und in zwei Reihen so angeord net sind, daß sie parallel zu einer Seite des äußeren Umfangs verlaufen und die fünf ersten Kontaktflächen 4a so plaziert sind, daß die Reihenkoordinaten der jeweiligen ersten Kon taktflächen 4a voneinander verschieden sind, werden die Son den 8a von einer der beiden entgegengesetzten Richtungen ge gen eine Halbleiterspeichervorrichtung gepreßt, wohingegen die Sonden 8a gegen die andere Halbieiterspeichervorrichtung von der anderen der beiden entgegengesetzten Richtungen ge preßt werden.

Somit kann die zweite Ausführungsform insofern einen vorteil haften Effekt erzielen, als die beiden Halbleiterspeichervor richtungen beim Testen der Halbleiterspeicherschaltungen gleichzeitig getestet werden können, da die fünf ersten Kon taktflächen 4a in zwei und drei unterteilt sind und in zwei Reihen so angeordnet sind, daß sie parallel zu einer Seite des äußeren Umfangs verlaufen und die fünf ersten Kontaktflä chen 4a so plaziert sind, daß die Reihenkoordinaten der je weiligen ersten Kontaktflächen 4a voneinander verschieden sind.

Dritte Ausführungsform

Fig. 3 ist eine Draufsicht, die eine Konfiguration einer Halbleiterspeichervorrichtung gemäß einer dritten Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Fig. 3 zeigt die Art, in der ein Zustand, in welchem eine Halbleiterspeicher schaltung getestet wird, während Sonden gegen fünf erste Kon taktflächen gepreßt werden, die an einer Vielzahl von Halb leiterspeichervorrichtungen vorgesehen sind, die auf einem Halbleiterwafer gebildet sind, durch ein Fensterloch zu sehen ist, das im wesentlichen in der Mitte einer Sondenkarte ge bildet ist. Die Vielzahl von Halbleiterspeichervorrichtungen, die auf dem Halbleiterwafer gebildet ist, wird in dem nach folgenden Trennschritt in einzelne Halbleiterspeichervorrich tungen geteilt. In Fig. 3 bezeichnen Bezugszeichen 4b je weils erste Kontaktflächen (Kontaktflächen), gegen welche Sonden jeweils beim Testen einer Halbleiterspeicherschaltung 1 gepreßt werden und mit welchen Drähte zur Verbindung mit Zuleitungsanschlüssen beim Einsetzen in ein Gehäuse jeweils elektrisch verbunden werden. Bezugszeichen 7b bezeichnet eine Sondenkarte und Bezugszeichen 8b bezeichnet jeweils Sonden, die an der Sondenkarte 7b befestigt sind. Da die dritte Aus führungsform hinsichtlich der übrigen Konfiguration mit der ersten Ausführungsform identisch bzw. dieser ähnlich ist, wird auf eine detaillierte Beschreibung verzichtet.

Die Halbleiterspeichervorrichtung gemäß der dritten Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung ist quadratisch geformt. Die fünf ersten Kontaktflächen 4b sind in zwei, eine, eine und eine unterteilt und entlang den vier Seiten des äußeren Umfangs der Halbleiterspeichervorrichtung angeordnet. Jede der ersten Kontaktflächen 4b umfaßt einen Sondenbereich 4b1, gegen welchen eine Sonde beim Testen der Halbleiterspeicher schaltung gepreßt wird, und einen Verdrahtungs- bzw. Drahtbe reich 4b2, mit welchem ein Draht zur Verbindung mit dem Zu leitungsanschluß beim Einsetzen in ein Gehäuse elektrisch verbunden wird. Jede der ersten Kontaktflächen 4b hat eine größere Fläche als gewöhnlich.

Beim Testen der Halbleiterspeicherschaltung werden die Sonden 8b jeweils gegen die Sondenbereiche 4b1 der ersten Kontakt flächen 4b gepreßt. In diesem Zustand werden die Halbleiter speichervorrichtungen nacheinander einzeln getestet. Da die fünf ersten Kontaktflächen 4b in zwei, eine, eine und eine unterteilt sind und entlang den vier Seiten des äußeren Um fangs der Halbleiterspeichervorrichtung in der Halbleiter speichervorrichtung verteilt sind, werden die Sonden 8b aus vier Richtungen gegen die Halbleiterspeichervorrichtung ge preßt.

Auf diese Weise kann die dritte Ausführungsform insofern ei nen vorteilhaften Effekt erzielen, als ein Draht 12 zur Ver bindung mit dem Zuleitungsanschluß mit dem Drahtbereich 4b2 elektrisch verbunden werden kann, der von dem Sondenbereich 4b1 verschieden ist, welcher mit einer Sondenkontaktspur 11 versehen ist, die durch das Pressen der Sonde gegen den Son denbereich 4b1 erzeugt wurde, und der Draht 12 zur Verbindung mit dem Zuleitungsanschluß nicht länger problematisch mit der ersten Kontaktfläche 4b zu verbinden ist, wie in Fig. 4A und 4B gezeigt, da jede der ersten Kontaktflächen den Sondenbe reich 4b1, gegen welchen die Sonde beim Testen der Halblei terspeicherschaltung 1 gepreßt wird, und den Drahtbereich 4b2 umfaßt, mit welchem der Draht zur Verbindung mit dem Zulei tungsanschluß beim Einsetzen in das Gehäuse elektrisch ver bunden wird. Fig. 4 ist eine schematische Ansicht, die den Zustand der ersten Kontaktfläche 4b und des Drahtes 12 zu dem Zeitpunkt zeigt, an dem der Draht 12 zur Verbindung mit dem Zuleitungsanschluß mit der ersten Kontaktfläche 4b elektrisch verbunden wird, wobei Fig. 4A eine Seitenansicht und Fig. 4B eine Draufsicht ist.

Vierte Ausführungsform

Fig. 5 ist eine Draufsicht, die eine Konfiguration einer Halbleiterspeichervorrichtung gemäß einer fünften Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Fig. 5 zeigt die Art und Weise, in der ein Zustand, in welchem Halbleiterspei cherschaltungen getestet werden, während Sonden gegen fünf erste Kontaktflächen gepreßt werden, die jeweils an zwei aus einer Vielzahl von auf einem Halbleiterwafer gebildeten Halb leiterspeichervorrichtungen vorgesehen sind, durch ein Fen sterloch zu sehen ist, das im wesentlichen in der Mitte einer Sondenkarte gebildet ist. Die Vielzahl von Halbleiterspei chervorrichtungen, die auf dem Halbleiterwafer gebildet ist, wird in dem nachfolgenden Trennschritt in einzelne Halblei terspeichervorrichtungen geteilt. In Fig. 5 bezeichnet Be zugszeichen 4c jeweils erste Kontaktflächen (Kontaktflächen), gegen welche Sonden beim Testen von Halbleiterspeicherschal tungen 1 jeweils gepreßt werden und mit welchen Drähte zur Verbindung mit Zuleitungsanschlüssen beim Einsetzen in ein Gehäuse jeweils elektrisch verbunden werden. Da die vierte Ausführungsform hinsichtlich der übrigen Konfiguration der ersten Ausführungsform ähnlich bzw. mit dieser identisch ist, wird auf eine detaillierte Beschreibung verzichtet.

Die Halbleiterspeichervorrichtung gemäß der vierten Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung ist quadratisch geformt. Die fünf ersten Kontaktflächen 4c sind in zwei und drei un terteilt und in zwei Reihen so angeordnet, daß sie parallel zu einer Seite des äußeren Umfangs der Halbleiterspeichervor richtung liegen. Da die Halbleiterspeichervorrichtung quadra tisch ist, sind die ersten Kontaktflächen 4c parallel zu den beiden entgegengesetzten Seiten des äußeren Umfangs der Vor richtung als Folge der Anordnung der ersten Kontaktflächen 4c parallel zu einer Seite des äußeren Umfangs derselben ange ordnet. Ferner enthält jede der ersten Kontaktflächen 4c ei nen Sondenbereich 4c1, gegen welchen beim Testen der Halblei terspeicherschaltung 1 eine Sonde gepreßt wird, und einen Drahtbereich 4c2, mit welchem ein Draht zur Verbindung mit dem Zuleitungsanschluß beim Einsetzen in das Gehäuse elek trisch verbunden wird. Jede der ersten Kontaktflächen 4c hat eine größere Fläche als eine nach dem Stand der Technik ver wendete.

Beim Testen der Halbleiterspeicherschaltung werden die Sonden 8 jeweils gegen die Sondenbereiche 4c1 der ersten Kontaktflä chen 4c gepreßt, die jeweils innerhalb der beiden Halbleiter speichervorrichtungen angeordnet sind, welche aneinanderhän gend in der Richtung angeordnet sind, in der die ersten Kon taktflächen 4c in einer Reihe liegen. In diesem Zustand wer den die beiden Halbleiterspeichervorrichtungen gleichzeitig getestet. Da die fünf ersten Kontaktflächen 4c in zwei und drei eingeteilt sind und in zwei Reihen angeordnet sind, so daß sie parallel zu einer Seite des äußeren Umfangs in jeder Halbleiterspeichervorrichtung verlaufen, werden die Sonden 8 von zwei entgegengesetzten Richtungen gegen die jeweiligen Halbleiterspeichervorrichtungen gepreßt.

Die vierte Ausführungsform kann somit insofern einen vorteil haften Effekt erzielen, als die beiden Halbleiterspeichervor richtungen gleichzeitig beim Testen der Halbleiterspeicher schaltungen getestet werden können, da die fünf ersten Kon taktflächen 4c in zwei und drei unterteilt sind und in zwei Reihen so angeordnet sind, daß sie parallel zu einer Seite des äußeren Umfangs verlaufen.

Ferner kann die vierte Ausführungsform insofern einen vor teilhaften Effekt erzielen, als der Draht zum Verbinden mit dem Zuleitungsanschluß elektrisch mit dem Drahtbereich 4c2 verbunden werden kann, der von dem Sondenbereich 4c1 ver schieden ist, welcher mit einer durch das Pressen der Sonde gegen den Sondenbereich 4c1 erzeugten Sondenkontaktspur ver sehen ist, und der Draht zum Verbinden mit dem Zuleitungsan schluß in ähnlicher Weise wie bei der dritten Ausführungsform (siehe Fig. 4A und Fig. 4B) nicht länger schwierig mit der ersten Kontaktfläche 4c zu verbinden ist, da jede der ersten Kontaktflächen 4c den Sondenbereich 4c1, gegen welchen die Sonde beim Testen der Halbleiterspeicherschaltung 1 gepreßt wird, und den Drahtbereich 4c2, mit welchem der Draht zur Verbindung mit dem Zuleitungsanschluß beim Einsetzen in das Gehäuse elektrisch verbunden wird, umfaßt.

Fünfte Ausführungsform

Fig. 6 ist eine Draufsicht, die eine Konfiguration einer Halbleiterspeichervorrichtung gemäß einer fünften Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Fig. 6 zeigt die Art, in der ein Zustand, in welchem Halbleiterspeicherschal tungen getestet werden, während Sonden gegen fünf erste Kon taktflächen gepreßt werden, welche jeweils an zwei aus einer Vielzahl von auf einem Halbleiterwafer gebildeten Halbleiter speichervorrichtungen vorgesehen sind, durch ein Fensterloch zu sehen ist, das im wesentlichen in der Mitte einer Son denkarte gebildet ist. Die Vielzahl der Halbleiterspeicher vorrichtungen, die auf dem Halbleiterwafer gebildet ist, wird in dem nachfolgenden Trennschritt in einzelne Halbleiterspei chervorrichtungen getrennt. In Fig. 6 bezeichnet Bezugszei chen 4d jeweils erste Kontaktflächen (Kontaktflächen), gegen welche Sonden beim Testen der Halbleiterspeicherschaltungen 1 jeweils gepreßt werden und mit welchen Drähte zur Verbindung mit Zuleitungsanschlüssen beim Einsetzen in ein Gehäuse je weils elektrisch verbunden werden. Da die fünfte Ausführungs form hinsichtlich der übrigen Konfiguration mit der zweiten Ausführungsform identisch bzw. dieser ähnlich ist, wird auf eine detaillierte Beschreibung verzichtet.

Die Halbleiterspeichervorrichtung gemäß der fünften Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung ist quadratisch geformt. Die fünf ersten Kontaktflächen 4d sind in zwei und drei ein geteilt und in zwei Reihen so angeordnet, daß sie parallel zu einer Seite des äußeren Umfangs der Halbleiterspeichervor richtung verlaufen. Da die Halbleiterspeichervorrichtung qua dratisch geformt ist, sind die ersten Kontaktflächen 4d par allel zu den beiden entgegengesetzten Seiten ihres äußeren Umfangs als Folge der Plazierung der ersten Kontaktflächen 4d parallel zu einer Seite des äußeren Umfangs derselben ange ordnet. Ferner sind die fünf ersten Kontaktflächen 4d so an geordnet, daß die Reihenkoordinaten (entsprechend den Koordi naten in der Richtung, die in Fig. 6 durch X bezeichnet ist) der jeweiligen ersten Kontaktflächen 4d voneinander verschie den sind. Ferner umfaßt jede der ersten Kontaktflächen 4d ei nen Sondenbereich 4d1, gegen welche eine Sonde beim Testen der Halbleiterspeicherschaltung 1 gepreßt wird, und einen Drahtbereich 4d2, mit welchem ein Draht zur Verbindung mit einem Zuleitungsanschluß beim Einsetzen in ein Gehäuse elek trisch verbunden wird. Jede erste Kontaktfläche 4d hat eine größere Fläche als die nach dem Stand der Technik verwende ten.

Beim Testen der Halbleiterspeicherschaltungen werden die Son den 8a jeweils gegen die ersten Kontaktflächen 4d gepreßt, die jeweils innerhalb der zwei Halbleiterspeichervorrichtun gen angeordnet sind, die aneinanderhängend in der zu der Richtung, in der die ersten Kontaktflächen 4d in einer Linie liegen, senkrechten Richtung angeordnet sind. In diesem Zu stand werden die beiden Halbleiterspeichervorrichtungen gleichzeitig getestet. Da die fünf ersten Kontaktflächen 4d in zwei und drei unterteilt sind und in zwei Reihen angeord net sind, so daß sie parallel zu einer Seite des äußeren Um fangs verlaufen und die fünf ersten Kontaktflächen 4d so pla ziert sind, daß die Reihenkoordinaten der jeweiligen ersten Kontaktflächen 4d voneinander verschieden sind, werden die Sonden 8a gegen eine Halbleiterspeichervorrichtung aus einer von zwei entgegengesetzten Richtungen gepreßt, wohingegen die Sonden 8a gegen die andere Halbleiterspeichervorrichtung aus der anderen der beiden entgegengesetzten Richtungen gepreßt werden.

Die fünfte Ausführungsform kann somit insofern einen vorteil haften Effekt erzielen, als die beiden Halbleiterspeichervor richtungen gleichzeitig beim Testen der Halbleiterspeicher schaltungen getestet werden können, da die fünf ersten Kon taktflächen 4d in zwei und drei eingeteilt sind und in zwei Reihen parallel zu einer Seite des äußeren Umfangs angeordnet sind und die fünf ersten Kontaktflächen 4d so plaziert sind, daß die Reihenkoordinaten der jeweiligen ersten Kontaktflä chen 4d voneinander verschieden sind.

Die fünfte Ausführungsform kann ferner insofern einen vor teilhaften Effekt erzielen, als der Draht zur Verbindung mit dem Zuleitungsanschluß elektrisch mit dem Drahtbereich 4d2 verbunden werden kann, der von dem Sondenbereich 4d1 ver schieden ist, welcher mit einer Sondenkontaktspur versehen ist, die durch das Pressen der Sonde gegen den Sondenbereich 4d1 entstanden ist, da jede der ersten Kontaktflächen 4d den Sondenbereich 4d1, gegen welchen die Sonde beim Testen der Halbleiterspeicherschaltung 1 gepreßt wird, und den Drahtbe reich 4d2 enthält, mit welchem der Draht zur Verbindung mit dem Zuleitungsanschluß beim Einsetzen in das Gehäuse elek trisch verbunden wird, und es ist nicht länger problematisch, den Draht zur Verbindung mit dem Zuleitungsanschluß an der ersten Kontaktfläche 4d in ähnlicher leise wie bei der drit ten Ausführungsform (siehe Fig. 4A und Fig. 4B) anzuschlie ßen.

Sechste Ausführungsform

Fig. 7 ist eine Draufsicht, die eine Konfiguration einer Halbleiterspeichervorrichtung gemäß einer sechsten Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Fig. 7 zeigt die Art, in der ein Zustand, in welchem Halbleiterspeicherschal tungen getestet werden, während Sonden gegen fünf erste Kon taktflächen gepreßt werden, die jeweils an zwei von einer Vielzahl von auf einem Halbleiterwafer gebildeten Halbleiter speichervorrichtungen vorgesehen sind, durch ein Fensterloch zu sehen ist, das im wesentlichen in der Mitte einer Son denkarte gebildet ist. Die Vielzahl der Halbleiterspeicher vorrichtungen, die auf dem Halbleiterwafer gebildet ist, wird in dem nachfolgenden Trennschritt in einzelne Halbleiterspei chervorrichtungen aufgeteilt. In Fig. 7 bezeichnet Bezugs zeichen 4e jeweils erste Kontaktflächen (Kontaktflächen), ge gen welche Sonden jeweils beim Testen von Halbleiterspeicher schaltungen 1 gepreßt werden und mit welchen Drähte zur Ver bindung mit Zuleitungsanschlüssen beim Einsetzen in ein Ge häuse jeweils elektrisch verbunden werden. Da die sechste Ausführungsform hinsichtlich der übrigen Konfiguration mit der ersten Ausführungsform identisch bzw. dieser ähnlich ist, wird auf eine detaillierte Beschreibung verzichtet.

Die Halbleiterspeichervorrichtung gemäß der sechsten Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung ist quadratisch geformt. Die fünf ersten Kontaktflächen 4e sind in zwei und drei un terteilt und in zwei Reihen so angeordnet, daß sie parallel zu einer Seite des äußeren Umfangs der Halbleiterspeichervor richtung ausgerichtet sind. Da die Halbleiterspeichervorrich tung quadratisch ist, sind die ersten Kontaktflächen 4e par allel zu den beiden entgegengesetzten Seiten ihres äußeren Umfangs als Folge der Plazierung der ersten Kontaktflächen 4e parallel zu einer Seite ihres äußeren Umfangs angeordnet. Ferner enthält jede der ersten Kontaktflächen 4e eine mit ei ner Drahtkontaktfläche 4e2 elektrisch verbundene Sondenkon taktfläche 4e1, gegen welche eine Sonde beim Testen der Halb leiterspeicherschaltung 1 gepreßt wird, sowie die Drahtkon taktfläche 4e2, mit der ein Draht zur Verbindung mit dem Zu leitungsanschluß beim Einsetzen in das Gehäuse elektrisch verbunden wird.

Beim Testen der Halbleiterspeicherschaltung werden die Sonden 8 jeweils gegen die Sondenkontaktflächen 4e1 der ersten Kon taktflächen 4e gepreßt, die jeweils innerhalb der beiden Halbleiterspeichervorrichtungen angeordnet sind, die aneinan derhängend in der Richtung angeordnet sind, in der die ersten Kontaktflächen 4e in einer Reihe vorliegen. In diesem Zustand werden die beiden Halbleiterspeichervorrichtungen gleichzei tig getestet. Da die fünf ersten Kontaktflächen 4e in zwei und drei geteilt sind und in zwei Reihen so angeordnet sind, daß sie parallel zu einer Seite des äußeren Umfangs verlau fen, werden die Sonden 8 von zwei einander entgegengesetzten Richtungen aus gegen die jeweiligen Halbleiterspeichervor richtungen gepreßt.

Auf diese Weise kann die sechste Ausführungsform insofern ei nen vorteilhaften Effekt erzielen, als die beiden Halbleiter speichervorrichtungen gleichzeitig beim Testen der Halblei terspeicherschaltungen getestet werden können, da die fünf ersten Kontaktflächen 4e in zwei und drei unterteilt sind und in zwei Reihen so angeordnet sind, daß sie parallel zu einer Seite des äußeren Umfangs verlaufen.

Ferner kann die sechste Ausführungsform, da jede der ersten Kontaktflächen 4e eine mit der Drahtkontaktfläche 4e2 elek trisch verbundene Sondenkontaktfläche 4e1, gegen welche die Sonde beim Testen der Halbleiterspeicherschaltung 1 gepreßt wird, sowie die Drahtkontaktfläche 4e2 enthält, mit der der Draht zur Verbindung mit dem Zuleitungsanschluß beim Einset zen in das Gehäuse elektrisch verbunden wird, insofern einen vorteilhaften Effekt erzielen, als ein Draht 12a zur Verbin dung mit dem Zuleitungsanschluß mit der Drahtanschlußfläche 4e2 elektrisch verbunden werden kann, welche von der Sonden anschlußfläche 4e1 verschieden ist, die mit einer durch das Pressen der Sonde gegen die Sondenanschlußfläche 4e1 verur sachten Sondenkontaktspur 11a versehen ist, und der Draht 12a zur Verbindung mit dem entsprechenden Zuleitungsanschluß nicht länger problematisch mit der ersten Kontaktfläche 4e zu verbinden ist, wie Fig. 8A und Fig. 8B zeigen. Fig. 8 ist eine schematische Darstellung, die den Zustand der ersten Kontaktfläche 4e und des Drahtes 12a zu dem Zeitpunkt zeigt, an dem der Draht 12a zur Verbindung mit dem Zuleitungsan schluß elektrisch mit der ersten Kontaktfläche 4e verbunden wird, wobei Fig. 8A eine Seitenansicht ist und Fig. 8B eine Draufsicht ist.

Siebte Ausführungsform

Fig. 9 ist eine Draufsicht, die eine Konfiguration einer Halbleiterspeichervorrichtung gemäß einer siebten Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Fig. 9 zeigt die Art, in der ein Zustand, in welchem Halbleiterspeicherschal tungen getestet werden, während Sonden gegen fünf erste Kon taktflächen gepreßt werden, die jeweils an zwei aus einer Vielzahl von auf einem Halbleiterwafer gebildeten Halbleiter speichervorrichtungen vorgesehen sind, durch ein Fensterloch zu sehen ist, das im wesentlichen in der Mitte einer Son denkarte gebildet ist. Die Vielzahl von Halbleiterspeicher vorrichtungen, die auf dem Halbleiterwafer gebildet ist, wird in dem nachfolgenden Trennprozeß in einzelne Halbleiterspei chervorrichtungen geteilt. In Fig. 9 bezeichnet Bezugszei chen 4f jeweils erste Kontaktflächen (Kontaktflächen), gegen welche Sonden jeweils beim Testen der Halbleiterspeicher schaltungen 1 gepreßt werden und min welchen Drähte zur Ver bindung mit Zuleitungsanschlüssen jeweils beim Einsetzen in ein Gehäuse elektrisch verbunden werden. Da die siebte Aus führungsform hinsichtlich der übrigen Konfiguration mit der zweiten Ausführungsform identisch ist bzw. dieser ähnlich ist, wird auf eine detaillierte Beschreibung verzichtet.

Die Halbleiterspeichervorrichtung gemäß der siebten Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung ist quadratisch geformt. Die fünf ersten Kontaktflächen 4f sind in zwei und drei un terteilt und in zwei Reihen angeordnet, so daß sie parallel zu einer Seite des äußeren Umfangs der Halbleiterspeichervor richtung verlaufen. Da die Halbleiterspeichervorrichtung qua dratisch ist, sind die ersten Kontaktflächen 4f als Folge der Plazierung der ersten Kontaktflächen 4f parallel zu einer Seite des äußeren Umfangs derselben parallel zu den beiden entgegengesetzten Seiten des äußeren Umfangs derselben ange ordnet. Ferner sind die fünf ersten Kontaktflächen 4f so an geordnet, daß die Reihenkoordinaten (die Koordinaten in der in Fig. 9 durch X bezeichneten Richtung entsprechen) der je weiligen ersten Kontaktflächen 4f voneinander verschieden sind. Ferner enthält jede der ersten Kontaktflächen 4f eine mit einer Drahtkontaktfläche 4f2 elektrisch verbundene Son denkontaktfläche 4f1, gegen welche eine Sonde beim Testen der Halbleiterspeicherschaltung 1 gepreßt wird, und die Drahtkon taktfläche 4f2, mit der ein entsprechender Draht zur Verbin dung mit dem Zuleitungsanschluß beim Einsetzen in das Gehäuse elektrisch verbunden wird.

Beim Testen jeder der Halbleiterspeicherschaltungen werden die Sonden 8a jeweils gegen die ersten Kontaktflächen 4f ge preßt, die jeweils innerhalb der beiden Halbleiterspeicher vorrichtungen angeordnet sind, die aneinanderhängend in der zu der Richtung, in welcher die ersten Kontaktflächen in ei ner Linie vorliegen, senkrechten Richtung angeordnet sind. In diesem Zustand werden die beiden Halbleiterspeichervorrich tungen gleichzeitig getestet. Da die fünf ersten Kontaktflä chen 4f in zwei und drei unterteilt sind und in zwei Reihen so angeordnet sind, daß sie parallel zu einer Seite des äuße ren Umfangs verlaufen, und die fünf ersten Kontaktflächen 4f in der Vorrichtung so angeordnet sind, daß die Reihenkoordi naten der jeweiligen Kontaktflächen 4f voneinander verschie den sind, werden die Sonden 8a gegen eine Halbleiterspeicher vorrichtung von einer von zwei entgegengesetzten Richtungen gepreßt, wohingegen die Sonden 8a gegen die andere Halblei terspeichervorrichtung von der anderen der beiden entgegenge setzten Richtungen gepreßt werden.

Auf diese Weise kann die siebte Ausführungsform insofern ei nen vorteilhaften Effekt erzielen, als die beiden Halbleiter speichervorrichtungen gleichzeitig beim Testen der Halblei terspeicherschaltungen getestet werden können, da die fünf ersten Kontaktflächen 4f in zwei und drei unterteilt sind und in zwei Reihen so angeordnet sind, daß sie parallel zu einer Seite des äußeren Umfangs verlaufen und die fünf ersten Kon taktflächen 4f so angeordnet sind, daß die Reihenkoordinaten der jeweiligen ersten Kontaktflächen 4f voneinander verschie den sind.

Ferner kann die siebte Ausführungsform, da jede der ersten Kontaktflächen 4f eine mit der Drahtkontaktfläche 4f2 elek trisch verbundene Sondenkontaktfläche 4f1, gegen welche die Sonde beim Testen der Halbleiterspeicherschaltung 1 gepreßt wird, sowie die Drahtkontaktfläche 4e2 enthält, mit der der Draht zur Verbindung mit dem Zuleitungsanschluß beim Einset zen in das Gehäuse elektrisch verbunden wird, insofern einen vorteilhaften Effekt erzielen, als der Draht zur Verbindung mit dem Zuleitungsanschluß mit der Drahtanschlußfläche 4f2 elektrisch verbunden werden kann, welche von der Sondenan schlußfläche 4f1 verschieden ist, die mit einer durch das pressen der Sonde gegen die Sondenanschlußfläche 4f1 verur sachten Sondenkontaktspur versehen ist, und der Draht zur Verbindung mit dem Zuleitungsanschluß nicht länger problema tisch mit der ersten Kontaktfläche 4f zu verbinden ist, und zwar in einer der sechsten Ausführungsform ähnlichen Weise (siehe Fig. 8A und 8B).

In der vorstehend beschriebenen ersten, vierten und sechsten Ausführungsform wurde der Fall beschrieben, in dem die ersten Kontaktflächen in zwei Reihen angeordnet sind, so daß sie parallel zu einer Seite des äußeren Umfangs verlaufen. Der selbe vorteilhafte Effekt wie vorstehend beschrieben kann je doch auch dann erzielt werden, wenn die ersten Kontaktflächen in einer Reihe parallel zu einer Seite des äußeren Umfangs ausgerichtet sind. Ferner wurde bei der vorstehend beschrie benen zweiten, fünften und siebten Ausführungsform der Fall beschrieben, in dem die ersten Kontaktflächen in zwei Reihen parallel zu einer Seite des äußeren Umfangs angeordnet sind. Auch wenn jedoch die ersten Kontaktflächen in drei oder mehr Reihen parallel zu einer Seite des äußeren Umfangs angeordnet sind, kann derselbe vorteilhafte Effekt wie vorstehend be schrieben erzielt werden.

Bei den vorstehend beschriebenen jeweiligen Ausführungsformen wurde ebenfalls der Fall beschrieben, in dem die ersten Kon taktflächen entlang der äußeren Umfangsseite angeordnet sind. Auch wenn die ersten Kontaktflächen jedoch zentral plaziert sind, kann derselbe vorteilhafte Effekt wie vorstehend be schrieben erzielt werden.

Ferner wurde bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsfor men der Fall beschrieben, in dem die Logikschaltungen als Halbleiterschaltungen vorgesehen sind, die von den Halblei terspeicherschaltungen und den Halbleitertestschaltungen ver schieden sind. Auch wenn jedoch ein Mikroprozessor und eine Analogschaltung als die Halbleiterschaltungen vorgesehen sind, die von den Halbleiterspeicherschaltungen und den Halb leitertestschaltungen verschieden sind, kann derselbe vor teilhafte Effekt wie vorstehend beschrieben erzielt werden.

Darüber hinaus können als die Halbleiterspeicherschaltungen, welche in den vorstehend beschriebenen jeweiligen Ausfüh rungsformen verwendet werden, auch solche, die einen breiten Bus mit 32 Bit oder mehr haben, verwendet werden.

Claims

1. Halbleiterspeichervorrichtung, enthaltend:
eine Halbleiterspeicherschaltung (1), die eine erste Spei cherschaltung (1a) und eine zweite Speicherschaltung (1b), welche anstelle der ersten Speicherschaltung (1a) verwendet wird, wenn die erste Speicherschaltung (1a) nicht ordnungsge mäß funktioniert, enthält;
eine Halbleitertestschaltung (2) zum jeweiligen Testen der Halbleiterspeicherschaltung (1);
eine Halbleiterschaltung (3), die von der Halbleiterspeicher schaltung (1) und der Halbleitertestschaltung (2) verschieden ist; und
eine Vielzahl von Kontaktflächen (4, 4c, 4e), gegen welche Sonden (8) jeweils beim Testen der Halbleiterspeicherschal tung (1) gepreßt werden und mit welchen Drähte zur Verbindung mit Zuleitungsanschlüssen beim Einsetzen in ein Gehäuse je weils verbunden werden,
welche Halbleiterspeicherschaltung (1), welche Halbleiter testschaltung (2), welche Halbleiterschaltung (3) und welche Vielzahl von Kontaktflächen (4, 4c, 4e) auf demselben Sub strat vorgesehen sind,
wobei die Vielzahl von Kontaktflächen (4, 4c, 4e) in einer oder zwei Reihen parallel zu einer Seite des äußeren Umfangs der Halbleiterspeichervorrichtung angeordnet ist.

2. Halbleiterspeichervorrichtung, enthaltend:
eine Halbleiterspeicherschaltung (1), die eine erste Spei cherschaltung (1a) und eine zweite Speicherschaltung (1b), welche anstelle der ersten Speicherschaltung (1a) verwendet wird, wenn die erste Speicherschaltung (1a) nicht ordnungsge mäß funktioniert, enthält;
eine Halbleitertestschaltung (2) zum jeweiligen Testen der Halbleiterspeicherschaltung (1);
eine Halbleiterschaltung (3), die von der Halbleiterspeicher schaltung (1) und der Halbleitertestschaltung (2) verschieden ist; und
eine Vielzahl von Kontaktflächen (4a, 4d, 4f), gegen welche Sonden (8a) jeweils beim Testen der Halbleiterspeicherschal tung (1) gepreßt werden und mit welchen Drähte zur Verbindung mit Zuleitungsanschlüssen beim Einsetzen in ein Gehäuse je weils verbunden werden,
welche Halbleiterspeicherschaltung (1), welche Halbleiter testschaltung (2), welche Halbleiterschaltung (3) und welche Vielzahl von Kontaktflächen (4a, 4d, 4f) auf demselben Sub strat vorgesehen sind,
wobei die Vielzahl von Kontaktflächen (4a, 4d, 4f) in zwei oder mehr Reihen parallel zu einer Seite des äußeren Umfangs der Halbleiterspeichervorrichtung so angeordnet sind, daß die Reihenkoordinaten der jeweiligen Kontaktflächen voneinander verschieden sind.

3. Halbleiterspeichervorrichtung, enthaltend:
eine Halbleiterspeicherschaltung (1), die eine erste Spei cherschaltung (1a) und eine zweite Speicherschaltung (1b) enthält, welche anstelle der ersten Speicherschaltung (1a) verwendet wird, wenn die erste Speicherschaltung (1a) nicht ordnungsgemäß funktioniert;
eine Halbleitertestschaltung (2) zum Testen der Halbleiter speicherschaltung (1);
eine Halbleiterschaltung (3), die von der Halbleiterspeicher schaltung (1) und der Halbleitertestschaltung (2) verschieden ist; und
eine Vielzahl von Kontaktflächen (4b), gegen welche Sonden (8b) jeweils beim Testen der Halbleiterspeicherschaltung (1) gepreßt werden und mit welchen Drähte (12) zur Verbindung mit Zuleitungsanschlüssen beim Einsetzen in ein Gehäuse jeweils verbunden werden,
welche Halbleiterspeicherschaltung (1), welche Halbleiter testschaltung (2), welche Halbleiterschaltung (3) und welche Vielzahl von Kontaktflächen (4b) auf demselben Substrat vor gesehen sind,
wobei die Kontaktflächen (4b) jeweils aus einem Sondenbereich (4b1), gegen welche die Sonde (8b) gepreßt wird, und einem Drahtbereich (4b2), der mit dem Draht (12) verbunden wird, bestehen.

4. Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jede Kontaktfläche (4c) einen Sondenbereich (4c1), gegen den die Sonde (8) gepreßt wird, und einen Drahtbereich (4c2), der mit dem Draht verbunden wird, enthält.

5. Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß jede Kontaktfläche (4d) einen Sondenbereich (4d1), gegen den die Sonde (8a) gepreßt wird, und einen Drahtbereich (4d2), der mit dem Draht verbunden wird, enthält.

6. Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jede Kontaktfläche (4e) eine Son denkontaktfläche (4e1), gegen welche die Sonde (8) gepreßt wird, und eine Drahtkontaktfläche (4e2), welche mit dem Draht (12a) verbunden wird, enthält, welche Sondenkontaktfläche (4e1) und welche Drahtkontaktfläche (4e2) elektrisch mitein ander verbunden sind.

7. Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß jede Kontaktfläche (4f) eine Son denkontaktfläche (4f1), gegen welche die Sonde (8a) gepreßt wird, und eine Drahtkontaktfläche (4f2), welche mit dem Draht verbunden wird, enthält, welche Sondenkontaktfläche (4f1) und welche Drahtkontaktfläche (4f2) elektrisch miteinander ver bunden sind.