JPH1187441A - 半導体記憶装置 - Google Patents

半導体記憶装置

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JPH1187441A
JPH1187441A JP9244370A JP24437097A JPH1187441A JP H1187441 A JPH1187441 A JP H1187441A JP 9244370 A JP9244370 A JP 9244370A JP 24437097 A JP24437097 A JP 24437097A JP H1187441 A JPH1187441 A JP H1187441A
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semiconductor memory
pad
pads
probe needle
semiconductor
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Takeshi Saito
剛 斎藤
Toru Kitaguchi
亨 北口
Masaaki Matsuo
政明 松尾
Makoto Hatanaka
真 畠中
Toshio Nakano
敏男 中野
Yuko Sudo
優子 須藤
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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    • G11C29/48Arrangements in static stores specially adapted for testing by means external to the store, e.g. using direct memory access [DMA] or using auxiliary access paths
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体記憶回路をテストするときに、複数の
半導体記憶装置を同時にテストすることができないとい
う課題があり、またパッケージング時に、リード端子と
接続するためのワイヤが第1のパッドに接続しにくくな
るという課題があった。 【解決手段】 5つの第1のパッド4cを2つと3つに
分けて外周の一辺と平行に二列に配置する。また、各第
1のパッド4cを、半導体記憶回路1のテスト時にプロ
ーブ針が押し当てられるプローブ針領域4c1と、パッ
ケージング時にリード端子と接続するためのワイヤが接
続されるワイヤ領域4c2とで構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体記憶回路
と、半導体テスト回路と、半導体記憶回路および半導体
テスト回路以外の半導体回路と、半導体記憶回路のテス
ト時にプローブ針が押し当てられ、パッケージング時に
リード端子と接続するためのワイヤが接続される複数の
パッドとを同一の基板上に備えた構成の半導体記憶装置
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図10は従来の半導体記憶装置の構成を
示す平面図である。図10には半導体ウエハに形成され
ている複数の半導体記憶装置のうちの1つの半導体記憶
装置に設けられている5つの第1のパッドにプローブ針
を押し当てて半導体記憶回路をテストしている状態を、
プローブカードの略中央に設けられている窓孔から眺め
ている様子が示されている。半導体ウエハに形成されて
いる複数の半導体記憶装置は、以後のダイシング工程で
各半導体記憶装置に分断される。図10において、10
1は本来使用される第1の記憶回路101aと第1の記
憶回路101aが正常に機能しない場合に第1の記憶回
路101aの代わりに使用される第2の記憶回路101
bとを含む半導体記憶回路、102は半導体記憶回路1
01をテストするための半導体テスト回路、103は半
導体記憶回路101とデータをやり取りするための論理
回路、104は半導体記憶回路101のテスト時にプロ
ーブ針が押し当てられ、パッケージング時にリード端子
と接続するためのワイヤが接続される第1のパッド、1
05は半導体記憶回路101のテスト時にプローブ針が
接触されないが、パッケージング時にリード端子と接続
するためのワイヤが接続される第2のパッド、106は
半導体記憶回路101、半導体テスト回路102、論理
回路103、第1のパッド104および第2のパッド1
05が設けられている基板である。また、107はプロ
ーブカード、108はプローブカード107に設けられ
ているプローブ針である。なお、図10において、符号
105は第2のパッドの一部分にだけ付して示してお
り、また、図を簡略化するため、第2のパッド105に
接続する配線は省略して示していない。
【0003】従来の半導体記憶装置は四角形状であり、
5つの第1のパッド104は2つ、1つ、1つ、1つに
分けて外周の四辺に沿って配置されている。
【0004】次に動作について説明する。図11は半導
体記憶回路のテスト工程において、第1のパッド104
にプローブ針108を押し当てたときの、第1のパッド
104およびプローブ針108の状態を示す概略的な側
面図である。また、図12は半導体記憶回路のテスト工
程において、第1のパッド104にプローブ針108を
押し当て、その後、第1のパッド104からプローブ針
108を取り除いたときの、第1のパッド104の状態
を示す概略的な平面図である。
【0005】半導体記憶回路をテストする場合、先ず、
外周の四辺に沿って配置されている第1のパッド104
にプローブ針108を押し当てる。そして、第1の記憶
回路101aが正常に動作しているか否かをテストす
る。この場合、第1のパッド104にプローブ針108
を押し当てることにより、第1のパッド104に第1の
プローブ接触痕111が生じる(図11(A))。この
ため、第1のパッド104からプローブ針108を取り
除いたとき、第1のパッド104には第1のプローブ接
触痕111が残存する(図12(A))。
【0006】その後、第1の記憶回路101aが正常に
機能しなかった場合、第1の記憶回路101aを第2の
記憶回路101bに切り換え、再度、外周の四辺に沿っ
て配置されている第1のパッド104にプローブ針10
8を押し当てる。そして、第2の記憶回路101bが正
常に動作しているか否かをテストする。この場合、第1
のパッド104にプローブ針108を押し当てることに
より、第1のパッド104に第2のプローブ接触痕11
2が生じる(図11(B))。このため、その後、第1
のパッド104からプローブ針108を取り除いたと
き、第1のパッド104には第2のプローブ接触痕11
2が残存する(図12(B))。
【0007】その後、第2の記憶回路101bが正常に
機能した場合、第1および第2のパッド104および1
05にプローブ針108を押し当てる。そして、半導体
記憶装置全体が正常に動作するか否かをテストする。こ
の場合、第1のパッド104にプローブ針108を押し
当てることにより、第1のパッド104に第3のプロー
ブ接触痕113が生じる(図11(C))。このため、
その後、第1のパッド104からプローブ針108を取
り除いたとき、第1のパッド104には第3のプローブ
接触痕113が残存する(図12(C))。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体記憶装置
は以上のように構成されているので、半導体記憶回路の
テスト工程において、外周の四辺に沿って配置されてい
る第1のパッド104に、四方向からプローブ針108
を押し当てなければならず、半導体記憶回路をテストす
るときに、複数の半導体記憶装置を同時にテストするこ
とができないという課題があった。
【0009】また、第1の記憶回路101aが正常に機
能しなかった場合、半導体記憶回路のテスト工程後に、
第1のパッド108に第1〜第3のプローブ痕111〜
113が残存するので、図13に示すように、パッケー
ジング時に、リード端子と接続するためのワイヤ114
が第1のパッド104に接続しにくくなるという課題が
あった。なお、図13はリード端子と接続するためのワ
イヤ114を第1のパッド104に接続したときの、第
1のパッド104とワイヤ114との状態を示す概略図
であり、図13(A)は側面図、図13(B)は平面図
である。
【0010】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、半導体記憶回路をテストするとき
に、複数の半導体記憶装置を同時にテストすることがで
きる半導体記憶装置を得ることを目的とする。
【0011】また、パッケージング時に、リード端子と
接続するためのワイヤがパッドに接続しにくくなること
のない半導体記憶装置を得ることを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明に係
る半導体記憶装置は、複数のパッドが、当該半導体記憶
装置の外周の一辺と平行に一列あるいは二列に配置され
ているものである。
【0013】請求項2記載の発明に係る半導体記憶装置
は、複数のパッドが、各パッドの行座標を異ならせて当
該半導体記憶装置の外周の一辺と平行に二列以上に配置
されているものである。
【0014】請求項3記載の発明に係る半導体記憶装置
は、各パッドが、プローブ針が押し当てられるプローブ
針領域と、ワイヤが接続されるワイヤ領域とから構成さ
れているものである。
【0015】請求項4記載の発明に係る半導体記憶装置
は、複数のパッドが、当該半導体記憶装置の外周の一辺
と平行に一列あるいは二列に配置されており、かつ各パ
ッドが、プローブ針が押し当てられるプローブ針領域
と、ワイヤが接続されるワイヤ領域とから構成されてい
るものである。
【0016】請求項5記載の発明に係る半導体記憶装置
は、複数のパッドが、各パッドの行座標を異ならせて当
該半導体記憶装置の外周の一辺と平行に二列以上に配置
されており、かつ各パッドが、プローブ針が押し当てら
れるプローブ針領域と、ワイヤが接続されるワイヤ領域
とから構成されているものである。
【0017】請求項6記載の発明に係る半導体記憶装置
は、複数のパッドが、当該半導体記憶装置の外周の一辺
と平行に一列あるいは二列に配置されており、かつ各パ
ッドが、電気的に接続された、プローブ針が押し当てら
れるプローブ針用パッドと、ワイヤが接続されるワイヤ
用パッドとから構成されているものである。
【0018】請求項7記載の発明に係る半導体記憶装置
は、複数のパッドが、各パッドの行座標を異ならせて当
該半導体記憶装置の外周の一辺と平行に二列以上に配置
されており、かつ各パッドが、電気的に接続された、プ
ローブ針が押し当てられるプローブ針用パッドと、ワイ
ヤが接続されるワイヤ用パッドとから構成されているも
のである。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態1.図1はこの発明の実施の形態1による半
導体記憶装置の構成を示す平面図である。図1には半導
体ウエハに形成されている複数の半導体記憶装置のうち
の2つの半導体記憶装置の各々に設けられている5つの
第1のパッドにプローブ針を押し当てて半導体記憶回路
をテストしている状態を、プローブカードの略中央に設
けられている窓孔から眺めている様子が示されている。
半導体ウエハに形成されている複数の半導体記憶装置
は、以後のダイシング工程で各半導体記憶装置に分断さ
れる。図1において、1は本来使用される第1の記憶回
路1aと第1の記憶回路1aが正常に機能しない場合に
第1の記憶回路1aの代わりに使用される第2の記憶回
路1bとを含む半導体記憶回路、2は半導体記憶回路1
をテストするための半導体テスト回路、3は半導体記憶
回路1とデータをやり取りするための論理回路(半導体
回路)、4は半導体記憶回路1のテスト時にプローブ針
が押し当てられ、パッケージング時にリード端子と接続
するためのワイヤが接続される第1のパッド(パッ
ド)、5は半導体記憶回路1のテスト時にプローブ針が
接触されないが、パッケージング時にリード端子と接続
するためのワイヤが接続される第2のパッド、6は半導
体記憶回路1、半導体テスト回路2、論理回路3、第1
のパッド4および第2のパッド5が設けられている基板
である。また、7はプローブカード、8はプローブカー
ド7に設けられているプローブ針である。なお、図1に
おいて、符号5は第2のパッドの一部分にだけ付して示
しており、また、図を簡略化するため、第2のパッド5
に接続する配線は省略して示していない。
【0020】この発明の実施の形態1による半導体記憶
装置は四角形状であり、5つの第1のパッド4は2つと
3つに分けて外周の一辺と平行に二列に配置されてい
る。半導体記憶装置は四角形状であるため、第1のパッ
ド4を外周の一辺と平行に配置する結果、第1のパッド
4は外周の対向する二辺と平行に配置されていることと
なる。
【0021】次に動作について説明する。半導体記憶回
路をテストする場合、第1のパッド4が列を為す方向に
連続して位置する2つの半導体記憶装置の各々に配置さ
れている第1のパッド4にプローブ針8を押し当てて、
2つの半導体記憶装置を同時にテストする。各半導体記
憶装置には、5つの第1のパッド4が2つと3つに分け
て外周の一辺と平行に二列に配置されているので、各半
導体記憶装置には、対向する二方向からプローブ針8が
押し当てられる。
【0022】以上のように、この実施の形態1によれ
ば、5つの第1のパッド4は2つと3つに分けて外周の
一辺と平行に二列に配置されているので、半導体記憶回
路をテストするとき、2つの半導体記憶装置を同時にテ
ストすることができる効果が得られる。
【0023】実施の形態2.図2はこの発明の実施の形
態2による半導体記憶装置の構成を示す平面図である。
図2には半導体ウエハに形成されている複数の半導体記
憶装置のうちの2つの半導体記憶装置の各々に設けられ
ている5つの第1のパッドにプローブ針を押し当てて半
導体記憶回路をテストしている状態を、プローブカード
の略中央に設けられている窓孔から眺めている様子が示
されている。半導体ウエハに形成されている複数の半導
体記憶装置は、以後のダイシング工程で各半導体記憶装
置に分断される。図2において、4aは半導体記憶回路
1のテスト時にプローブ針が押し当てられ、パッケージ
ング時にリード端子と接続するためのワイヤが接続され
る第1のパッド(パッド)である。また、7aはプロー
ブカード、8aはプローブカード7aに設けられている
プローブ針である。その他の構成は実施の形態1と同一
あるいは同様であるため、その詳細な説明は省略する。
【0024】この発明の実施の形態2による半導体記憶
装置は四角形状であり、5つの第1のパッド4aは2つ
と3つに分けて外周の一辺と平行に二列に配置されてい
る。半導体記憶装置は四角形状であるため、第1のパッ
ド4aを外周の一辺と平行に配置する結果、第1のパッ
ド4aは外周の対向する二辺と平行に配置されているこ
ととなる。また、5つの第1のパッド4aは各第1のパ
ッド4aの行座標(図2中のX方向の座標)を異ならせ
て配置されている。
【0025】次に動作について説明する。半導体記憶回
路をテストする場合、第1のパッド4aが列を為す方向
と垂直な方向に連続して位置する2つの半導体記憶装置
の各々に配置されている第1のパッド4aにプローブ針
8aを押し当てて、2つの半導体記憶装置を同時にテス
トする。各半導体記憶装置には、5つの第1のパッド4
aが2つと3つに分けて外周の一辺と平行に二列に配置
されており、また5つの第1のパッド4aが各第1のパ
ッド4aの行座標を異ならせて配置されているので、一
方の半導体記憶装置には、対向する二方向のうちの一方
の方向からプローブ針8aが押し当てられ、他方の半導
体記憶装置には、対向する二方向のうちの他方の方向か
らプローブ針8aが押し当てられる。
【0026】以上のように、この実施の形態2によれ
ば、5つの第1のパッド4aは2つと3つに分けて外周
の一辺と平行に二列に配置され、また5つの第1のパッ
ド4aは各第1のパッド4aの行座標を異ならせて配置
されているので、半導体記憶回路をテストするとき、2
つの半導体記憶装置を同時にテストすることができる効
果が得られる。
【0027】実施の形態3.図3はこの発明の実施の形
態3による半導体記憶装置の構成を示す平面図である。
図3には半導体ウエハに形成されている複数の半導体記
憶装置のうちの1つの半導体記憶装置に設けられている
5つの第1のパッドにプローブ針を押し当てて半導体記
憶回路をテストしている状態を、プローブカードの略中
央に設けられている窓孔から眺めている様子が示されて
いる。半導体ウエハに形成されている複数の半導体記憶
装置は、以後のダイシング工程で各半導体記憶装置に分
断される。図3において、4bは半導体記憶回路1のテ
スト時にプローブ針が押し当てられ、パッケージング時
にリード端子と接続するためのワイヤが接続される第1
のパッド(パッド)である。また、7bはプローブカー
ド、8bはプローブカード7aに設けられているプロー
ブ針である。その他の構成は実施の形態1と同一あるい
は同等であるため、その詳細な説明は省略する。
【0028】この発明の実施の形態3による半導体記憶
装置は四角形状であり、5つの第1のパッド4bは2
つ、1つ、1つ、1つに分けて外周の四辺に沿って配置
されている。また、各第1のパッド4bは、半導体記憶
回路1のテスト時にプローブ針が押し当てられるプロー
ブ針領域4b1と、パッケージング時にリード端子と接
続するためのワイヤが接続されるワイヤ領域4b2とか
ら構成され、その面積は従来より大きい。
【0029】次に動作について説明する。半導体記憶回
路をテストする場合、第1のパッド4bのプローブ針領
域4b1にプローブ針8bを押し当て、1つずつ半導体
記憶装置をテストする。半導体記憶装置には、5つの第
1のパッド4bが2つ、1つ、1つ、1つに分けて外周
の四辺に沿って配置されているので、半導体記憶蔵置に
は、四方向からプローブ針8bが押し当てられる。
【0030】以上のように、この実施の形態3によれ
ば、各第1のパッド4bは、半導体記憶回路1のテスト
時にプローブ針が押し当てられるプローブ針領域4b1
と、パッケージング時にリード端子と接続するためのワ
イヤが接続されるワイヤ領域4b2とから構成されるの
で、図4に示すように、パッケージング時に、リード端
子と接続するためのワイヤ12を、プローブ針を押し当
てることにより生じるプローブ接触痕11が設けられて
いるプローブ針領域4b1とは異なるワイヤ領域4b2
に接続することができ、リード端子と接続するためのワ
イヤ12が第1のパッド4bに接続しにくくなることが
ないという効果が得られる。なお、図4はリード端子と
接続するためのワイヤ12を第1のパッド4bに接続し
たときの、第1のパッド4bとワイヤ12との状態を示
す概略図であり、図4(A)は側面図、図4(B)は平
面図である。
【0031】実施の形態4.図5はこの発明の実施の形
態4による半導体記憶装置の構成を示す平面図である。
図5には半導体ウエハに形成されている複数の半導体記
憶装置のうちの2つの半導体記憶装置の各々に設けられ
ている5つの第1のパッドにプローブ針を押し当てて半
導体記憶回路をテストしている状態を、プローブカード
の略中央に設けられている窓孔から眺めている様子が示
されている。半導体ウエハに形成されている複数の半導
体記憶装置は、以後のダイシング工程で各半導体記憶装
置に分断される。図5において、4cは半導体記憶回路
1のテスト時にプローブ針が押し当てられ、パッケージ
ング時にリード端子と接続するためのワイヤが接続され
る第1のパッド(パッド)である。その他の構成は実施
の形態1と同一あるいは同様であるため、その詳細な説
明は省略する。
【0032】この発明の実施の形態4による半導体記憶
装置は四角形状であり、5つの第1のパッド4cは2つ
と3つに分けて外周の一辺と平行に二列に配置されてい
る。半導体記憶装置は四角形状であるため、第1のパッ
ド4cを外周の一辺と平行に配置する結果、第1のパッ
ド4cは外周の対向する二辺と平行に配置されているこ
ととなる。また、各第1のパッド4cは、半導体記憶回
路1のテスト時にプローブ針が押し当てられるプローブ
針領域4c1と、パッケージング時にリード端子と接続
するためのワイヤが接続されるワイヤ領域4c2とから
構成され、その面積は従来より大きい。
【0033】次に動作について説明する。半導体記憶回
路をテストする場合、第1のパッド4cが列を為す方向
に連続して位置する2つの半導体記憶装置の各々に配置
されている第1のパッド4cのプローブ針領域4c1に
プローブ針8を押し当てて、2つの半導体記憶装置を同
時にテストする。各半導体記憶装置には、5つの第1の
パッド4cが2つと3つに分けて外周の一辺と平行に二
列に配置されているので、各半導体記憶装置には、対向
する二方向からプローブ針8が押し当てられる。
【0034】以上のように、この実施の形態4によれ
ば、5つの第1のパッド4cは2つと3つに分けて外周
の一辺と平行に二列に配置されているので、半導体記憶
回路をテストするとき、2つの半導体記憶装置を同時に
テストすることができる効果が得られる。
【0035】また、この実施の形態4によれば、各第1
のパッド4cは、半導体記憶回路1のテスト時にプロー
ブ針が押し当てられるプローブ針領域4c1と、パッケ
ージング時にリード端子と接続するためのワイヤが接続
されるワイヤ領域4c2とから構成されるので、実施の
形態3の場合(図4参照)と同様に、パッケージング時
に、リード端子と接続するためのワイヤを、プローブ針
を押し当てることにより生じるプローブ接触痕が設けら
れているプローブ針領域4c1とは異なるワイヤ領域4
c2に接続することができ、リード端子と接続するため
のワイヤが第1のパッド4cに接続しにくくなることが
ないという効果が得られる。
【0036】実施の形態5.図6はこの発明の実施の形
態5による半導体記憶装置の構成を示す平面図である。
図6には半導体ウエハに形成されている複数の半導体記
憶装置のうちの2つの半導体記憶装置の各々に設けられ
ている5つの第1のパッドにプローブ針を押し当てて半
導体記憶回路をテストしている状態を、プローブカード
の略中央に設けられている窓孔から眺めている様子が示
されている。半導体ウエハに形成されている複数の半導
体記憶装置は、以後のダイシング工程で各半導体記憶装
置に分断される。図6において、4dは半導体記憶回路
1のテスト時にプローブ針が押し当てられ、パッケージ
ング時にリード端子と接続するためのワイヤが接続され
る第1のパッド(パッド)である。その他の構成は実施
の形態2と同一あるいは同様であるため、その詳細な説
明は省略する。
【0037】この発明の実施の形態5による半導体記憶
装置は四角形状であり、5つの第1のパッド4dは2つ
と3つに分けて外周の一辺と平行に二列に配置されてい
る。半導体記憶装置は四角形状であるため、第1のパッ
ド4dを外周の一辺と平行に配置する結果、第1のパッ
ド4dは外周の対向する二辺と平行に配置されているこ
ととなる。また、5つの第1のパッド4dは各第1のパ
ッド4dの行座標(図6中のX方向の座標)を異ならせ
て配置されている。また、各第1のパッド4dは、半導
体記憶回路1のテスト時にプローブ針が押し当てられる
プローブ針領域4d1と、パッケージング時にリード端
子と接続するためのワイヤが接続されるワイヤ領域4d
2とから構成され、その面積は従来より大きい。
【0038】次に動作について説明する。半導体記憶回
路をテストする場合、第1のパッド4dが列を為す方向
と垂直な方向に連続して位置する2つの半導体記憶装置
の各々に配置されている第1のパッド4dにプローブ針
8aを押し当てて、2つの半導体記憶装置を同時にテス
トする。各半導体記憶装置には、5つの第1のパッド4
dが2つと3つに分けて外周の一辺と平行に二列に配置
されており、また5つの第1のパッド4dが各第1のパ
ッド4dの行座標を異ならせて配置されているので、一
方の半導体記憶装置には、対向する二方向のうちの一方
の方向からプローブ針8aが押し当てられ、他方の半導
体記憶装置には、対向する二方向のうちの他方の方向か
らプローブ針8aが押し当てられる。
【0039】以上のように、この実施の形態5によれ
ば、5つの第1のパッド4dは2つと3つに分けて外周
の一辺と平行に二列に配置され、また5つの第1のパッ
ド4dは各第1のパッド4dの行座標を異ならせて配置
されているので、半導体記憶回路をテストするとき、2
つの半導体記憶装置を同時にテストすることができる効
果が得られる。
【0040】また、この実施の形態5によれば、各第1
のパッド4dは、半導体記憶回路1のテスト時にプロー
ブ針が押し当てられるプローブ針領域4d1と、パッケ
ージング時にリード端子と接続するためのワイヤが接続
されるワイヤ領域4d2とから構成されるので、実施の
形態3の場合(図4参照)と同様に、パッケージング時
に、リード端子と接続するためのワイヤを、プローブ針
を押し当てることにより生じるプローブ接触痕が設けら
れているプローブ針領域4d1とは異なるワイヤ領域4
d2に接続することができ、リード端子と接続するため
のワイヤが第1のパッド4dに接続しにくくなることが
ないという効果が得られる。
【0041】実施の形態6.図7はこの発明の実施の形
態6による半導体記憶装置の構成を示す平面図である。
図7には半導体ウエハに形成されている複数の半導体記
憶装置のうちの2つの半導体記憶装置の各々に設けられ
ている5つの第1のパッドにプローブ針を押し当てて半
導体記憶回路をテストしている状態を、プローブカード
の略中央に設けられている窓孔から眺めている様子が示
されている。半導体ウエハに形成されている複数の半導
体記憶装置は、以後のダイシング工程で各半導体記憶装
置に分断される。図7において、4eは半導体記憶回路
1のテスト時にプローブ針が押し当てられ、パッケージ
ング時にリード端子と接続するためのワイヤが接続され
る第1のパッド(パッド)である。その他の構成は実施
の形態1と同一あるいは同様であるため、その詳細な説
明は省略する。
【0042】この発明の実施の形態6による半導体記憶
装置は四角形状であり、5つの第1のパッド4eは2つ
と3つに分けて外周の一辺と平行に二列に配置されてい
る。半導体記憶装置は四角形状であるため、第1のパッ
ド4eを外周の一辺と平行に配置する結果、第1のパッ
ド4eは外周の対向する二辺と平行に配置されているこ
ととなる。また、各第1のパッド4eは、電気的に接続
された、半導体記憶回路1のテスト時にプローブ針が押
し当てられるプローブ針用パッド4e1と、パッケージ
ング時にリード端子と接続するためのワイヤが接続され
るワイヤ用パッド4e2とから構成されている。
【0043】次に動作について説明する。半導体記憶回
路をテストする場合、第1のパッド4eが列を為す方向
に連続して位置する2つの半導体記憶装置の各々に配置
されている第1のパッド4eのプローブ針用パッド4e
1にプローブ針8を押し当てて、2つの半導体記憶装置
を同時にテストする。各半導体記憶装置には、5つの第
1のパッド4eが2つと3つに分けて外周の一辺と平行
に二列に配置されているので、各半導体記憶装置には、
対向する二方向からプローブ針8が押し当てられる。
【0044】以上のように、この実施の形態6によれ
ば、5つの第1のパッド4eは2つと3つに分けて外周
の一辺と平行に二列に配置されているので、半導体記憶
回路をテストするとき、2つの半導体記憶装置を同時に
テストすることができる効果が得られる。
【0045】また、この実施の形態6によれば、各第1
のパッド4eは、電気的に接続された、半導体記憶回路
1のテスト時にプローブ針が押し当てられるプローブ針
用パッド4e1と、パッケージング時にリード端子と接
続するためのワイヤが接続されるワイヤ用パッド4e2
とから構成されるので、図8に示すように、パッケージ
ング時に、リード端子と接続するためのワイヤ12a
を、プローブ針を押し当てることにより生じるプローブ
接触痕11aが設けられているプローブ針用パッド4e
1とは異なるワイヤ用パッド4e2に接続することがで
き、リード端子と接続するためのワイヤ12aが第1の
パッド4eに接続しにくくなることがないという効果が
得られる。なお、図8はリード端子と接続するためのワ
イヤ12aを第1のパッド4eに接続したときの、第1
のパッド4eとワイヤ12aとの状態を示す概略図であ
り、図8(A)は側面図、図8(B)は平面図である。
【0046】実施の形態7.図9はこの発明の実施の形
態7による半導体記憶装置の構成を示す平面図である。
図9には半導体ウエハに形成されている複数の半導体記
憶装置のうちの2つの半導体記憶装置の各々に設けられ
ている5つの第1のパッドにプローブ針を押し当てて半
導体記憶回路をテストしている状態を、プローブカード
の略中央に設けられている窓孔から眺めている様子が示
されている。半導体ウエハに形成されている複数の半導
体記憶装置は、以後のダイシング工程で各半導体記憶装
置に分断される。図9において、4fは半導体記憶回路
1のテスト時にプローブ針が押し当てられ、パッケージ
ング時にリード端子と接続するためのワイヤが接続され
る第1のパッド(パッド)である。その他の構成は実施
の形態2と同一あるいは同様であるため、その詳細な説
明は省略する。
【0047】この発明の実施の形態7による半導体記憶
装置は四角形状であり、5つの第1のパッド4fは2つ
と3つに分けて外周の一辺と平行に二列に配置されてい
る。半導体記憶装置は四角形状であるため、第1のパッ
ド4fを外周の一辺と平行に配置する結果、第1のパッ
ド4fは外周の対向する二辺と平行に配置されているこ
ととなる。また、5つの第1のパッド4fは各第1のパ
ッド4fの行座標(図9中のX方向の座標)を異ならせ
て配置されている。また、各第1のパッド4fは、電気
的に接続された、半導体記憶回路1のテスト時にプロー
ブ針が押し当てられるプローブ針用パッド4f1と、パ
ッケージング時にリード端子と接続するためのワイヤが
接続されるワイヤ用パッド4f2とから構成されてい
る。
【0048】次に動作について説明する。半導体記憶回
路をテストする場合、第1のパッド4fが列を為す方向
と垂直な方向に連続して位置する2つの半導体記憶装置
の各々に配置されている第1のパッド4fにプローブ針
8aを押し当てて、2つの半導体記憶装置を同時にテス
トする。各半導体記憶装置には、5つの第1のパッド4
fが2つと3つに分けて外周の一辺と平行に二列に配置
されており、また5つの第1のパッド4fが各第1のパ
ッド4fの行座標を異ならせて配置されているので、一
方の半導体記憶装置には、対向する二方向のうちの一方
の方向からプローブ針8aが押し当てられ、他方の半導
体記憶装置には、対向する二方向のうちの他方の方向か
らプローブ針8aが押し当てられる。
【0049】以上のように、この実施の形態7によれ
ば、5つの第1のパッド4fは2つと3つに分けて外周
の一辺と平行に二列に配置され、また5つの第1のパッ
ド4fは各第1のパッド4fの行座標を異ならせて配置
されているので、半導体記憶回路をテストするとき、2
つの半導体記憶装置を同時にテストすることができる効
果が得られる。
【0050】また、この実施の形態7によれば、各第1
のパッド4fは、電気的に接続された、半導体記憶回路
1のテスト時にプローブ針が押し当てられるプローブ針
用パッド4f1と、パッケージング時にリード端子と接
続するためのワイヤが接続されるワイヤ用パッド4f2
とから構成されるので、実施の形態6の場合(図8参
照)と同様に、パッケージング時に、リード端子と接続
するためのワイヤを、プローブ針を押し当てることによ
り生じるプローブ接触痕が設けられているプローブ針用
パッド4f1とは異なるワイヤ用パッド4f2に接続す
ることができ、リード端子と接続するためのワイヤが第
1のパッド4fに接続しにくくなることがないという効
果が得られる。
【0051】なお、上記の実施の形態1,4,6では、
第1のパッドが外周の一辺と平行に二列に配置されてい
る場合について説明したが、外周の一辺と平行に第1の
パッドが一列に配置されている場合であっても同一の効
果が得られる。また、上記の実施の形態2,5,7で
は、外周の一辺と平行に第1のパッドが二列に配置され
ている場合について説明したが、外周の一辺と平行に第
1のパッドが3列以上に配置されている場合であっても
同一の効果が得られる。
【0052】また、上記の各実施の形態では、第1のパ
ッドが外周の辺に沿って配置されている場合について説
明したが、第1のパッドが中央に配置されている場合で
あっても同一の効果が得られる。
【0053】また、上記の各実施の形態では、半導体記
憶回路および半導体テスト回路以外の半導体回路として
論理回路が設けられている場合について説明したが、半
導体記憶回路および半導体テスト回路以外の半導体回路
としてマイクロプロセッサやアナログ回路が設けられて
いる場合であっても同一の効果が得られる。
【0054】また、上記の各実施の形態における半導体
記憶回路として、32ビット以上のワイドバスを有する
ものを用いることもできる。
【0055】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、複数
のパッドが、当該半導体記憶装置の外周の一辺と平行に
一列あるいは二列に配置されているので、半導体記憶回
路をテストするときに、複数の半導体記憶装置を同時に
テストすることができる効果がある。
【0056】また、この発明によれば、複数のパッド
が、各パッドの行座標を異ならせて当該半導体記憶装置
の外周の一辺と平行に二列以上に配置されているので、
半導体記憶回路をテストするときに、複数の半導体記憶
装置を同時にテストすることができる効果がある。
【0057】さらに、この発明によれば、各パッドが、
プローブ針が押し当てられるプローブ針領域と、ワイヤ
が接続されるワイヤ領域とから構成されているので、パ
ッケージング時に、リード端子と接続するためのワイヤ
がパッドに接続しにくくなることがないという効果があ
る。
【0058】さらに、この発明によれば、各パッドが、
電気的に接続された、プローブ針が押し当てられるプロ
ーブ針用パッドと、ワイヤが接続されるワイヤ用パッド
とから構成されているので、パッケージング時に、リー
ド端子と接続するためのワイヤがパッドに接続しにくく
なることがないという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1による半導体記憶装
置の構成を示す平面図である。
【図2】 この発明の実施の形態2による半導体記憶装
置の構成を示す平面図である。
【図3】 この発明の実施の形態3による半導体記憶装
置の構成を示す平面図である。
【図4】 この発明の実施の形態3の説明に用いる、リ
ード端子と接続するためのワイヤを第1のパッドに接続
したときの、第1のパッドとワイヤとの状態を示す概略
図である。
【図5】 この発明の実施の形態4による半導体記憶装
置の構成を示す平面図である。
【図6】 この発明の実施の形態5による半導体記憶装
置の構成を示す平面図である。
【図7】 この発明の実施の形態6による半導体記憶装
置の構成を示す平面図である。
【図8】 この発明の実施の形態6の説明に用いる、リ
ード端子と接続するためのワイヤを第1のパッドに接続
したときの、第1のパッドとワイヤとの状態を示す概略
図である。
【図9】 この発明の実施の形態7による半導体記憶装
置の構成を示す平面図である。
【図10】 従来の半導体記憶装置の構成を示す平面図
である。
【図11】 従来の説明に用いる、半導体記憶回路のテ
スト工程において、第1のパッドにプローブ針を押し当
てたときの、第1のパッドおよびプローブ針の状態を示
す概略的な側面図である。
【図12】 従来の説明に用いる、半導体記憶回路のテ
スト工程において、第1のパッドにプローブ針を押し当
て、その後、第1のパッドからプローブ針を取り除いた
ときの、第1のパッドの状態を示す概略的な平面図であ
る。
【図13】 従来の説明に用いる、リード端子と接続す
るためのワイヤを第1のパッドに接続したときの、第1
のパッドとワイヤとの状態を示す概略図である。
【符号の説明】
1 半導体記憶回路、1a 第1の記憶回路、1b 第
2の記憶回路、2 半導体テスト回路、3 論理回路
(半導体回路)、4,4a〜4f 第1のパッド(パッ
ド)、4b1,4c1,4d1 プローブ針領域、4b
2,4c2,4d2 ワイヤ領域、4e1,4f1 プ
ローブ針用パッド、4e2,4f2 ワイヤ用パッド、
8,8a,8b プローブ針、12,12a ワイヤ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 27/10 471 H01L 21/82 R (72)発明者 畠中 真 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 中野 敏男 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 須藤 優子 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1の記憶回路と該第1の記憶回路が正
    常に機能しない場合に上記第1の記憶回路に代わりに使
    用される第2の記憶回路とを含む半導体記憶回路と、該
    半導体記憶回路をテストするための半導体テスト回路
    と、上記半導体記憶回路および上記半導体テスト回路以
    外の半導体回路と、上記半導体記憶回路のテスト時にプ
    ローブ針が押し当てられ、パッケージング時にリード端
    子と接続するためのワイヤが接続される複数のパッドと
    を同一の基板上に備えた構成の半導体記憶装置におい
    て、 複数の上記パッドは、当該半導体記憶装置の外周の一辺
    と平行に一列あるいは二列に配置されていることを特徴
    とする半導体記憶装置。
  2. 【請求項2】 第1の記憶回路と該第1の記憶回路が正
    常に機能しない場合に上記第1の記憶回路に代わりに使
    用される第2の記憶回路とを含む半導体記憶回路と、該
    半導体記憶回路をテストするための半導体テスト回路
    と、上記半導体記憶回路および上記半導体テスト回路以
    外の半導体回路と、上記半導体記憶回路のテスト時にプ
    ローブ針が押し当てられ、パッケージング時にリード端
    子と接続するためのワイヤが接続される複数のパッドと
    を同一の基板上に備えた構成の半導体記憶装置におい
    て、 複数の上記パッドは、各上記パッドの行座標を異ならせ
    て当該半導体記憶装置の外周の一辺と平行に二列以上に
    配置されていることを特徴とする半導体記憶装置。
  3. 【請求項3】 第1の記憶回路と該第1の記憶回路が正
    常に機能しない場合に上記第1の記憶回路に代わりに使
    用される第2の記憶回路とを含む半導体記憶回路と、該
    半導体記憶回路をテストするための半導体テスト回路
    と、上記半導体記憶回路および上記半導体テスト回路以
    外の半導体回路と、上記半導体記憶回路のテスト時にプ
    ローブ針が押し当てられ、パッケージング時にリード端
    子と接続するためのワイヤが接続される複数のパッドと
    を同一の基板上に備えた構成の半導体記憶装置におい
    て、 各上記パッドは、上記プローブ針が押し当てられるプロ
    ーブ針領域と、上記ワイヤが接続されるワイヤ領域とか
    ら構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。
  4. 【請求項4】 各パッドは、プローブ針が押し当てられ
    るプローブ針領域と、ワイヤが接続されるワイヤ領域と
    から構成されていることを特徴とする請求項1記載の半
    導体記憶装置。
  5. 【請求項5】 各パッドは、プローブ針が押し当てられ
    るプローブ針領域と、ワイヤが接続されるワイヤ領域と
    から構成されていることを特徴とする請求項2記載の半
    導体記憶装置。
  6. 【請求項6】 各パッドは、電気的に接続された、プロ
    ーブ針が押し当てられるプローブ針用パッドと、ワイヤ
    が接続されるワイヤ用パッドとから構成されていること
    を特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
  7. 【請求項7】 各パッドは、電気的に接続された、プロ
    ーブ針が押し当てられるプローブ針用パッドと、ワイヤ
    が接続されるワイヤ用パッドとから構成されていること
    を特徴とする請求項2記載の半導体記憶装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005303279A (ja) * 2004-03-16 2005-10-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JP2007096216A (ja) * 2005-09-30 2007-04-12 Fujitsu Ltd 半導体集積回路装置
US8816342B2 (en) 2011-01-27 2014-08-26 Ps4 Luxco S.A.R.L. Semiconductor device
JP2014229632A (ja) * 2013-05-17 2014-12-08 住友電気工業株式会社 半導体装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6373143B1 (en) 1998-09-24 2002-04-16 International Business Machines Corporation Integrated circuit having wirebond pads suitable for probing
JP2001014900A (ja) * 1999-06-29 2001-01-19 Fujitsu Ltd 半導体装置及び記録媒体
JP2005136246A (ja) * 2003-10-31 2005-05-26 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
KR101094945B1 (ko) * 2009-12-28 2011-12-15 주식회사 하이닉스반도체 반도체 장치 및 이의 프로브 테스트 방법

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5455517A (en) * 1992-06-09 1995-10-03 International Business Machines Corporation Data output impedance control
US5670890A (en) * 1993-04-22 1997-09-23 Lsi Logic Corporation Switchable pull-ups and pull-downs for IDDQ testing of integrated circuits
JPH07221147A (ja) * 1994-02-03 1995-08-18 Hitachi Ltd 半導体装置およびそのプロービング検査方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005303279A (ja) * 2004-03-16 2005-10-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JP4611067B2 (ja) * 2004-03-16 2011-01-12 パナソニック株式会社 半導体装置
JP2007096216A (ja) * 2005-09-30 2007-04-12 Fujitsu Ltd 半導体集積回路装置
US8816342B2 (en) 2011-01-27 2014-08-26 Ps4 Luxco S.A.R.L. Semiconductor device
JP2014229632A (ja) * 2013-05-17 2014-12-08 住友電気工業株式会社 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
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