KR950021651A - 다이나믹 랜덤 액세스 메모리 셀 제조방법 - Google Patents

Abstract

얕은 트렌치 절연부(shallow trench isolation)를 갖는 깊은 트렌치 형 다이나믹 랜덤 액세스 메모리 셀(a deep trench type DRAM cell)은 매립된 폴리실리콘 스트랩(a buried polysilicon strap)을 갖는다. 이 스트랩은 별도의 마스크(separate mask)를 사용하지 않고, 적어도 깊은 트렌치 상에 스트랩 재료를 침착시킨후에 얕은 트렌치를 규정하고 깊은 트렌치에 부분적으로 중첩하는 얕은 트렌치 절연 마스크를 사용하여, 얕은 트렌치의 절단 공정동안 스트랩을 규정함으로써 규정된다.

Description

다아나믹 랜덤 액세스 메모리 셀 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본 발명에 따라 형성된 DRAM셀의 횡단면을 도시한 도면,

제2도 내지 5도는 본 발명에 사용되는 방법의 여러 상태에서의 DRAM 셀 횡단면을 도시한 도면,

제6도는 DRAM셀의 평면도를 도시한 도면.

Claims (7)

1. 기판내에 트렌치 커패시터(trench capacitor)와 상기 커패시터에 연결된 액세스 트랜지스터(access transistor)를 가지는 다이나믹 랜덤 액세스 메모리 셀의 제조방법에 있어서, 기판을 준비하는 단계와; 상기 기판의 활성영역(active region)에 인접하는 상기 기판내의 트렌치 중앙 전극(trench center electrode)과 칼라 절연체(collar insulator)를 갖는 트렌치 커패시터를 형성하는 단계와; 상기 트렌치 중앙 전극을 매립된 스트랩의 깊이(a bureied strap depth)로 리세싱하는 단꼐와; 상기 트렌치 중앙 전극상에 스트랩 재료 층(a layer of strap material)을 침착(deposit)시켜 상기 스트랩 재료가 상기 활성 영역 아래의 상기 기판의 일부분과 접촉게 하는 단계와; 상기 활성 영역 주위의 트렌치 절연 영역(trench isolation area)에서 상기 매립된 스트랩의 깊이보다 큰 얕은 트렌치 깊이를 가지며, 상기 활성 영역을 통하는 제1축을 따라 상기 트렌치 커패시터상에 부분적을 중첩하는 얕은 트렌치를 에칭하여, 상기 트렌치 절연 영역내의 상기 스트랩 재료 중 부분을 제거해서, 상기 활성 영역의 에지로부터 상기 트렌치 중앙 전극의 일부분상으로 확장하며 상기 스트랩 물질로 형성된 스트랩이 잔존케하는 단계와; 상기 활성영역내에 상기 스트랩과 전기적인 접촉(electrical contact)을 이루게 연장하는 전극을 가진 트랜지스터를 형성하여, 상기 트렌치 커패시터, 스트랩 및 트랜지스터가 결합하여 상기 DRAM 셀을 형성하는 단계를 포함하는 다이나믹 랜덤 액세스 메모리 셀 제조 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 스트랩 재료는 도전성이고, 상기 트랜지스터를 형성하는 상기 단계는 트랜지스터 게이트를 제 위치(in place)에 배치한 후 상기 활성 영역을 이식(implanting)하는 단계를 포함함으로써, 상기 스트랩을 통해 상기 트랜지스터 전극으로부터 상기 트렌치 중앙 전극까지 도전성 경로(conductive path)가 형성되는 것을 특징으로 하는 다아나믹 랜덤 액세스 메모리 셀 제조 방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 스트랩 재료를 침착하는 상기 단계는 상기 트렌치 커패시터 외부의 상기 스트랩 물질을 제거한 후에 상기 스트랩 재료를 상기 활성 영역상의 기준 표면(reference surface)아래로 리세싱하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이나믹 랜덤 액세스 메모리 셀 제조방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 스트립 재료는 활성 영역 상부 표면 아래의 스트랩 상부 표면을 가지며; 상기 얇은 트렌치는 상기 스트랩도 덮는 유전체로 채워지고; 상기 유전체는 평탄화되어 (planarized)상기 활성 영역 상부 표면과 동일 평면(coplanar)상에 놓이게 되는 것을 특징으로 하는 다이나믹 랜덤 액세스 메모리 셀 제조 방법.
5. 제4항에 있어서, 상기 스트랩 재료는 도전성이고, 상기 트랜지스터를 형성하는 상기 단계는 트랜지스터 게이트를 제 위치에 배치한 후 상기 활성 영역을 이식하는 단계를 포함함으로써, 상기 스트랩을 통해 상기 트랜지스터 전극으로부터 상기 트렌치 중앙 전극까지 도전성 경로가 형성되는 것을 특징으로 하는 다이나믹 랜덤 액세스 메모리 셀 제조방법.
6. 제3항에 있어서, 상기 스트랩 재료는 활성 영역 상부 표면 아래에 스트랩 상부 표면을 가지며; 상기 얇은 트렌치는 상기 스트랩도 덮는 유전체로 채워지고; 상기 유전체는 평탄화되어 상기 활성 영역 상부 표면과 동일평면상에 놓이게 되는 것을 특징으로 하는 다이나믹 랜덤 액세스 메모리 셀 제조 방법.
7. 제6항에 있어서, 상기 스트랩 재료는 도전성이고, 상기 트랜지스터를 형성하는 상기 단계는 트랜지스터 게이트를 제 위치에 배치한 후 상기 활성 영역을 이식하는 것을 포함함으로써, 상기 스트랩을 통해 상기 트랜지스터 전극으로부터 상기 트렌치 중앙 전극까지 도전성 경로가 형성되는 것을 특징으로 하는 다이나믹 램덤 액세스 메모리 셀 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.