KR950019918A - 레지스트패턴 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 정자빔 리소그래피기술에 의한 레지스트패턴 형성방법에 관한 것으로, 전자빔 리소그래피공정중에 발생하는 근접효과로 인해 레지스트패턴이 변형되는 문제를 해결하기 위해 기판(1)상에 레지스트(2)를 도포하는 단계와;상기 레지스트(2)상부에 박막(5)을 형성하는단계;상기 레지스트(2)및 박막(5)을 선택적으로 전자빔에 의해 노광시키는 단계; 및 상기 노광된 부분의 레지스트 및 박막을 현상하는 단계로 이루어지는 레지스트패턴 형성방법을 제공한다.
본 발명에 의하며, 레지스트패턴을 고집적화된 소자의 제조에도 적용이 가능한 형태로 형성할 수 있으며, 상,하층부의 크기가 고른 정방형의 레지스트패턴 형성이 가능하므로 현상시간 조정이 간편하며, 베이킹 처리시 열처리 반응에 의해 각이 변하는 변형률이 낮아지게 되어 내열성이 강한 레지스트패턴이 형성할 수 있게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (2)
- 기판(1)간네 레지스트(2)를 도포하는 단계와;상기 레지스트(2)상부에 박막(5)을 형성하는 단계;상기 레지스트(2) 및 박막(5)을 선택적으로 전자빔에 의해 노광시키는 단계 ; 및 상기 노광된 부분의 레지스트 및 박막을 현상하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레지스트패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 박막은,Au,Cr,SiO2등을 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 레지스트패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930028861A KR950019918A (ko) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | 레지스트패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930028861A KR950019918A (ko) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | 레지스트패턴 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950019918A true KR950019918A (ko) | 1995-07-24 |
Family
ID=66850519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930028861A KR950019918A (ko) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | 레지스트패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950019918A (ko) |
-
1993
- 1993-12-21 KR KR1019930028861A patent/KR950019918A/ko not_active Application Discontinuation
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