KR950015627A - 타원 편광 기술을 이용한 디바이스 제조방법 - Google Patents

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Abstract

디바이스 제조에 있어서 공정을 제어하는 타원 평광법이 개시되어 있다. 타원 평광 신호가 이용되어 제조 공정동안 디바이스에 관한 정보를 제공한다. 이 정보는 상기 공정을 양호하게 제어하기 위하여 이용된다. 특정 파장의 타원 편광신호가 선택된다. 이 신호는 타원 편광 신호가 기판으로부터 반사되기 전에 이 타원 평광 신호가 통과할 기판상의 막의 조성 및 두께에 기초하여 선택된다. 적절한 파장이 결정되면, 타원 편광 신호가 이용되어 기판상의 막 두께를 감시하고 상기 기판상의 막을 적층과 제거의 제어를 제원하여, 디바이스 제조에 있어서 다른 공정 제어 기능을 수행한다. 타원 편광법이 이용되어 가로세로비가 0.3 이상인 패턴화된 마스크 하부의 기판 표면상의 토포그라피 상부에 있거나 마스크 하부와 토포그라피 상부 양면에 있는 막의 적층 제거를 제어한다.

Description

타원 편광 기술을 이용한 디바이스 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 이용되는 타원 편광기의 개략도.
제2도는 얇은 실리콘 산화층 위에 질산 티타늄과 폴리 실리콘이 적층된 블랭킷 막의 측면도.
제3도는 제2도의 막위에 마스크가 있는 블랭킷 막의 측면도.

Claims (9)

  1. 디바이스 제조 방법에 있어서, 반응실내에 표면이 불균일한 기판을 위치시키는 단계와, 타원 편광 신호를 발생시켜 기판으로 향하게 함으로써, 이 타원 편광 신호를 제공하는 단계와, 광의 흡수 길이가 기판상의 막을 통한 광의 광학 경로의 길이보다 약 5분1내지 20분의 1보다 작게되도록 상기 타원편광 신호에 대한 광 파장을 결정하는 단계와, 상기 결정된 파장의 타원 편광 신호를 관측하는 단계와, 타원 편광 궤적을 발생시키기 위하여 상기 결정된 파장을 이용하는 단계와, 상기 기판을 그 기판상의 막 두께를 변화시키는 조건에 맞추는 단계와, 상기 막 두께가 변화할 때 궤적을 관측하는 단계와, 상기 발생된 궤적에 기초하여 기판상의 막 두께를 변화시키는 조건들을 제어하는 단계를 포함하는 디바이스 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 불균일 기판 표면이 상기 기판상의 막하부에 토포그라피를 갖는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 신호 파장은 식에 의해 선택되고 여기서,d가 막 두께, nλ 막의 굴절율, Kλ는 파장 λ에서의 막의 소광 계수, φ는 기판 표면으로 부터 법선에 대한 입사 빔의 각인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서 상기 신호파장은 각각 다른 파장에서 다중 타원 편광신호를 이용하여 다중 타원 편광 궤적을 발생시키고, 각 궤적에 대해 막 두께가 변화할때 Δ와 Φ의 변화를 관측하고 상기 타원 편광 신호에 대한 파장을 선택함으로써 결정되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 불균일 기관 표면은 상부에 패턴화된 마스크가 있는 막층을 가진 기판이고, 상기 막두께를 변화시키는 조건들은 플라즈마 에칭 조건들인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 막층위의 패턴화원 마스크의 가로세로비가 0.3이상인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 막 두께를 변화시키는 조건들이 플라즈마 에칭 조건들인 것을 특징으로 하는 디바이스제조 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 타원편광 신호가 입사하는 기판상의 부분에 표면 불균일성이 존재하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 막 두께를 변화시키는 조건들이 적층에 의해 막을 증가시키는 조건인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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