KR950012674A - 반도체 처리챔버내에서 대상물의 온도를 조절하는 방법과 준 무한의 열원 및 흡열장치 - Google Patents

반도체 처리챔버내에서 대상물의 온도를 조절하는 방법과 준 무한의 열원 및 흡열장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 대상물의 온도를 조절하는 장치와 그 방법에 관한 것이며. 특히 웨이퍼 처리챔버내의 반도체 웨이퍼의 지지 구조체에 관한 것이다. 온도가 다른 두개의 인접한 대상물들 간에 가스가 생성되고, 이 두개의 대상물의 열전도율을 조절하도록 가스의 압력이 조절된다 이 두개의 대상물들간의 온도가 가까워질 수 있도록 두개의 대상물들의 사이에 큰 열의 유동을 일으키기 위해서 압력을 증가시킨다. 인접한 대상물(열원 및 흡열부)의 온도에 관계없이 조절되는 대상물의 온도를 유지하기 위해서 가스틈새를 통하여 미소한 열의 유동이 일어나도록 압력을 강한 진공상태 (절연체로 작용하는)로 감소시킨다 국한된 온도조절이 국소 흡열부와 상호작용함으로써 반도체 지지 구조체의 받침대 또는 음극의 온도를 정확히 조절할 수 있고, 그 결과 웨이퍼의 처리중에 온도변화와 온도구배로 인한 레이퍼 표면 가공의 변태를 방지하도록 웨이퍼의 온도를 일정하게 유지할 수 있다.
엇갈린 가스틈새를 사용하여 하나의 구조체의 가열과 냉각작용을 조절할 수 있다. 가열의 열원 또는 흡열부가 냉각의 열원 또는 흡열부에 인접하게 배열되어 있고 가열 및 냉각의 열원 또는 흡열부가 온도가 조절되는 대상물(받침데 베이스)파 마주하고 있어서. 가열 또는 냉각구역과 대상물(받침대 베이스)의 사이의 열전도율을 조절함으로써 사용자로 하여금 가열된 열원 또는 흡열부 구역파 냉각된 열원 또는 흡열부 구역의 사이에 매우 신뢰도가 높은 설정 온도를 제공할 수 있게 한다.

Description

반도체 처리챔버내에서 대상물의 온도를 조절하는 방법과 준 무한의 열원 및 흡열장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 식각챔버와 웨이퍼의 받침대 지지물에 대한 개략도이다.

Claims (19)

1차 열전달 표면을 가진 1차 대상물로부터 열을 적절하게 증가시키거나 감소시키는 장치에 있어서, (a) 1차 열전달 표면과 2차 열전달 표면의 사이에 좁은 틈새를 형성하도록 상기 1차 열전달 표면에 인접하 게 배열된 상기 2차 열전달 표면을 가지고 있으며 열을 저장할 수 있는 2차 대상물과, (b) 상기 틈새내에 형성되어서 상기 틈새의 주변을 긴밀하게 밀봉하는 가스와, (c) 상기 틈새와 통하여 상기 틈새내에서 제어 신호에 반응하여 가스의 압력을 조절하는 압력조절기와, 그리고 (d) 상기 대상물의 온도를 감지하고 상기 압력조절기에 상기 대상물의 온도의 함수인 상기 제어신호를 공급하기 위한 온도 센서를 포함하고 있는 장치.
제1항에 있어서, 상기 2차 대상물을 상기 1차 대상물에 대해서 소정의 온도차이로 유지하도록 상기 2차 대상물에 연결된 흡열부를 더 포함하고 있는 장치.
제1항에 있어서, 상기 2차 대상물과 유사하고 2차 틈새를 형성하도록 상기 1차 열전달 표면과 양립 할 수 있는 관계를 3차 대상물로서, 상기 1차 대상물의 온도를 상기 2차 대상물과 3차 대상물의 각각의 온도 사이의 소정의 값으로 조절하기에 용이하도록 상기 2차 대상물이 흡열부로 작동하고 상기 3차 대상물이 열원으로 작동하는 3차 대상물을 더 포함하고 있는 장치.
제3항에 있어서, 상기 1차 대상물에 대한 소정의 온도를 신속하게 2차 틈새의 압력을 감소시킴과 동시에 상기 1차 틈새내의 압력을 증가시키기 위한 조절기를 더 포함하고 있는 장치.
제1항에 있어서, 상기 1차 대상물이 금속 재료로 형성되어 있는 장치.
준 무한의 열원과 흡열장치에 있어서, (a) 온도가 조절되고, 1차 열전달 표면을 가지고 있는 대상물과. (b) 상기 대상물에 인접하게 배열되어 있고, 2차 열전달 표면을 가지고 있는 국소 흡열부와, 상기 1차 열전달 표면의 일부와 상기 2차 열전달 표면의 일부의 사이에 형성되어 있는 밀봉된 틈새로서, 상기 밀봉된 틈새가 가스로 채워져 있고, 상기 1차 열전달 표면과 2차 열전달 표면이 상기 대상물과 상기 국소흡열부간 의 접촉부를 포함하고 있으며, 그리고, (C) 상기 대상물의 온도를 감지하고 온도조절기에 신호를 공급하기 위한 온도조절기로서, 상기 온도 조절기가 상기 틈새에 연결된 입력조절장치에 제어신호를 공급하며, 상기 압력조절장치가 상기 대상물과 상기 국소 흡열부 사이의 열에너지 전달을 제어하도록 밀봉된 틈새내의 가스 압력을 조절하는 압력조절장치를 포함하고 있는 준 무한의 열원과 흡열장치.
제6항에 있어서, 부가적인 흡열기의 용량을 제공하도록 상기 국소 흡열기에 연결되어 있는 전제 흡열기를 더 포함하고 있는 준 무한의 열원과 흡열장치.
제7항에 있어서, 상기 국소 흡열부가 상기 국소 흡열부를 통한 열전달을 위해 유제 통로를 포함하고 있고, 상기 전체 흡열부가 상기 유체를 1차 온도로 상기 국소 흡열부에 공급하는 준 무한 열원과 흡열장치.
상기 1차 열전달 표면의 표면지역이 일련의 골과 마루들을 포함하고 있는 준 무한의 열원과 흡열장치.
제6항에 있어서, (a) 상기 압력조절장치가 상기 가스틈새에 연결된 벨로스를 포함하고 있으며. 상기 가스틈새와 상기 벨로스가 밀페된 가스틈새의 시스템을 형성하고, 상기 벨로스가 벨로스를 둘러싼 챔버내에 둘러 싸여있고, (b) 상기 벨로스를 둘러싼 챔버내의 압력이 상기 온도 조절기에 의해서 제어되는 상기 온도조절기에 의해서 조절되며, 그리고, (c) 상기 벨로스가 상기 벨로스를 둘러싼 챔버내의 압력과 동일한 상기 가스 틈새의 시스템내의 압력을 형성하도록 상기 벨로스를 둘리싼 챔버내의 압력변화를 자동으로 조절하는 것을 특징으로 하는 준 무한 열원과 흡열장치.
제6항에 있어서. (a) 상기 압력조절장치가 상기 가스틈새에 연결된 상기 벨로스를 포함하고 있고, 상기 가스틈새와 상기 벨로스가 밀폐된 가스틈새의 시스템을 형성하며, 상기 벨로스가 벨로스를 둘러싼 플레임내에 둘러싸여 있고, 그리고 기계적 벨로스 작동기가 상기 벨로스와 상기 벨로스를 둘러싼 프레임의 사 이에 연결되어 있으며, (b) 상기 기계적 벨로스 작동기가 상기 가스 틈새의 시스템의 용적을 증가시키고 감소시키도록 상기 벨로스를 팽창 및 압축시킬 수 있고, 상기 벨로스를 둘러싼 작동기가 상기 온도조절기에 의해서 조절되며, 그리고 (c) 상기 기계적 벨로스 조작기가 상기 가스 틈새의 시스템에서 가스의 열저도율을 조절하도록 상기 벨로스내의 압력을 조절하는 것을 특징으로 하는 준 무한 열원과 흡열장치.
제6항에 있어서, (a) 상기 틈새를 태우고 있는 상기 가스가 가스흡착재료에 대한 흡착성이 있고, (b) 상기 압력조절장치가 상기 가스틈새에 연결된 흡착재료를 둘러싼 챔버를 포함하고 있고, 상기 가스틈새와 흡탁재료를 둘러싼 챔버가 밀폐된 가스틈새의 시스템을 형성하며, 상기 가스흡착재료 매체가 상기 흡착재료를 둘러싼 챔버내에 배열되어 있고, 상기 흡착재료를 둘러싼 챔버는 가열원에 가깝게 배열되어 있으며, 그리고 (c) 상기 가열원의 작동이 상기 온도조절기에 의해서 조절되는 것을 특징으로 하는 준 무한의 열원과 흡열 장치.
제12항에 있어서, 상기 가열원이 상기 흡착재료를 둘러싼 챔버를 둘러싸고 있는 일련의 가열코일을 포함하고 있는 준 무한의 열원과 흡열장치.
준 무한의 열원과 흡열장치에 있어서, (a) 온도가 조절되고, 상기 1차 열전달 표면을 가지고 있는 대상물과, (b) 상기 대상물에 인접하여 배열된 국소 흡열부와 국소열원을 포함하고 있는 국소열원 및 흡열부로서, 상기 국소 흡열부는 상기 열전달표면과 마주하고 있는 2차 열전달 표면을 가지고 있고, 상기 국소 열원은 상기 1차 열전달 표면과 마주하는 3차 열전달표면을 가지고 있는 국소 열원과 흡열장치, (c) 상기 1차 열전달 표면의 일부와 상기 2차 열전달 표면의 일부의 사이에 형성되어 있는 1차의 밀봉된 틈새와, 상기 1타 열전달 표면의 일부와 상기 3차 열전달 표면의 일부의 사이에 형성되어 있는 2차의 밀봉된 틈새로서. 상기 1차 틈새와 상기 2차 틈새가 가스로 채워져 있는 1차의 밀봉된 틈새 및 2차의 밀봉된 틈새와, 그리고 (d) 상기 대상물의 온도를 감지하고 상기 온도조절기에 신호를 공급하기 위한 온도센서로서, 상기 온도조절기는 상기 1차 틈새에 연결된 1차 압력조절기에 1타 제어신호를 공급하고, 상기 2차 틈새에 연결된 2차 압력조절기에는 2차 제어신호를 공급하며, 그리고 상기 1차 및 2차 압력 조절기가 상기 국소 흡열부 및 상기 국소 열원과 상기 대상물간의 열에너지의 절달을 조절하도록 상기 1차 및 2차의 밀봉된 틈새의 가스압력을 조절하는 온도센서를 포함하고 있는 준 무한의 열원과 흡열장치.
1차 대상물쪽으로 또는 1차 대상물로부터 열을 전달하는 방법으로서, (a) 상기 1차 대상물에 인접해열을 저장할 수 이는 2차 대상물을 제공하는 단계로서, 상기 2차 대상물에는 상기 1차 대성물의 보완 표면과 일치하는 열교환 표면이 제공되어 있는 단계와, (b) 상기 열교환 표면과 상기 1차 대상물의 보완 표면의 사이에 틈새를 형성하도록 상기 1차 대상물의 보완 표면에 밀접해 있는 상기 열교환 표면을 배치하는 단계와, (c) 상기 틈새내에서 상기 열교환 상기 보완 사이에 가스를 형성하는 단계와, 그리고 (d) 상기 1차 대상물을 소정의 온도로 유지하도록 상기 가스틈새를 가로지르는 열전도를 증가시키거나 감소시키기 위해서 상기 틈새내에서 상기 가스의 압력을 증가시키거나 또는 감소시키는 단계를 포함하고 있는 방법.
제15항에 있어서, (a) 상기 틈새내에서 상기 가스의 압력을 제어신호에 반응하여 변화시키는 단계와, (b) 상기 온도의 함수로 변하는 상기 제어신호를 제공하는 상기 1차 대상물의 온도를 감지하는 단계를 더 포함하고 있는 방법.
제15항에 있어서. 가스가 형성되는 상기 열교환 표면과 상기 1차 대상물의 표면 사이에 다른 하나의 틈새를 형성하도록 상기 1차 대상물의 보완표면에 밀착된 열교환 표면을 갖는 3차 대상물을 제공하는 단계를 더 포함하고 있는 방법.
제17항에 있어서, (a) 상기 3차 대상물이 냉각되고, 상기 2차 대상물이 가열되는 단계와, 그리고 (b) 상기 2차 대상물과 3차 대상물의 사이에서 1차 대상물의 온도를 신속하게 조절하도록 상기 가스틈새내의 가스압력이 각각 증가하고 가열되는 단계를 더 포함하고 있는 방법.
제15항에 있어서, 상기 2차 대상물을 상기 1차 대상물에 비교되는 온도차이로 유지하도록 상기 2차 대상물과 상기 열원과 흡열부 사이에 열전달원 또는 흡열부를 제공하는 단계를 더 포함하고 있는 방법.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100838874B1 (ko) * 2000-07-06 2008-06-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판을 열 처리하는 시스템 및 방법

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5663488A (en) * 1995-05-31 1997-09-02 Hewlett-Packard Co. Thermal isolation system in an analytical instrument
US6140612A (en) 1995-06-07 2000-10-31 Lam Research Corporation Controlling the temperature of a wafer by varying the pressure of gas between the underside of the wafer and the chuck
US6002109A (en) * 1995-07-10 1999-12-14 Mattson Technology, Inc. System and method for thermal processing of a semiconductor substrate
TW279240B (en) 1995-08-30 1996-06-21 Applied Materials Inc Parallel-plate icp source/rf bias electrode head
US6113702A (en) * 1995-09-01 2000-09-05 Asm America, Inc. Wafer support system
US5775416A (en) * 1995-11-17 1998-07-07 Cvc Products, Inc. Temperature controlled chuck for vacuum processing
US5625152A (en) * 1996-01-16 1997-04-29 Mks Instruments, Inc. Heated pressure transducer assembly
JP3554219B2 (ja) * 1998-03-31 2004-08-18 キヤノン株式会社 排気装置と排気方法、および堆積膜形成装置と堆積膜形成方法
US6169271B1 (en) 1998-07-13 2001-01-02 Mattson Technology, Inc. Model based method for wafer temperature control in a thermal processing system for semiconductor manufacturing
US6166898A (en) * 1998-10-30 2000-12-26 Promos Technologies, Inc. Plasma chamber wafer clamping ring with erosion resistive tips
US6635580B1 (en) * 1999-04-01 2003-10-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Apparatus and method for controlling wafer temperature in a plasma etcher
JP2002050809A (ja) * 2000-08-01 2002-02-15 Anelva Corp 基板処理装置及び方法
JP4620879B2 (ja) * 2001-01-23 2011-01-26 キヤノンアネルバ株式会社 基板温度制御機構及び真空処理装置
JP4578701B2 (ja) * 2001-02-26 2010-11-10 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理方法
US6564811B2 (en) * 2001-03-26 2003-05-20 Intel Corporation Method of reducing residue deposition onto ash chamber base surfaces
US6959554B1 (en) * 2001-07-10 2005-11-01 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Passive gas-gap heat switch for adiabatic demagnetization refrigerator
JP4493251B2 (ja) * 2001-12-04 2010-06-30 Toto株式会社 静電チャックモジュールおよび基板処理装置
US7371467B2 (en) * 2002-01-08 2008-05-13 Applied Materials, Inc. Process chamber component having electroplated yttrium containing coating
KR100452318B1 (ko) * 2002-01-17 2004-10-12 삼성전자주식회사 압력조절시스템 및 이를 이용하는 압력조절방법
US6646233B2 (en) 2002-03-05 2003-11-11 Hitachi High-Technologies Corporation Wafer stage for wafer processing apparatus and wafer processing method
US7582186B2 (en) * 2002-12-20 2009-09-01 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved focus ring in a plasma processing system
JP4186644B2 (ja) * 2003-02-17 2008-11-26 株式会社Ihi 真空処理装置の冷却装置
US7221553B2 (en) * 2003-04-22 2007-05-22 Applied Materials, Inc. Substrate support having heat transfer system
US20060105182A1 (en) * 2004-11-16 2006-05-18 Applied Materials, Inc. Erosion resistant textured chamber surface
US6976782B1 (en) * 2003-11-24 2005-12-20 Lam Research Corporation Methods and apparatus for in situ substrate temperature monitoring
US20050109276A1 (en) * 2003-11-25 2005-05-26 Applied Materials, Inc. Thermal chemical vapor deposition of silicon nitride using BTBAS bis(tertiary-butylamino silane) in a single wafer chamber
US20060025049A1 (en) * 2004-07-30 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Spray slurry delivery system for polish performance improvement and cost reduction
US20070082507A1 (en) * 2005-10-06 2007-04-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for the low temperature deposition of doped silicon nitride films
US20080145536A1 (en) * 2006-12-13 2008-06-19 Applied Materials, Inc. METHOD AND APPARATUS FOR LOW TEMPERATURE AND LOW K SiBN DEPOSITION
JP2009084686A (ja) * 2007-09-11 2009-04-23 Tokyo Electron Ltd 基板載置機構、基板処理装置、基板載置機構上への膜堆積抑制方法及び記憶媒体
JP5148955B2 (ja) * 2007-09-11 2013-02-20 東京エレクトロン株式会社 基板載置機構及び基板処理装置
US8092606B2 (en) 2007-12-18 2012-01-10 Asm Genitech Korea Ltd. Deposition apparatus
US8333842B2 (en) * 2008-05-15 2012-12-18 Applied Materials, Inc. Apparatus for etching semiconductor wafers
US20110068084A1 (en) * 2008-07-10 2011-03-24 Canon Anelva Corporation Substrate holder and substrate temperature control method
JP5262878B2 (ja) * 2009-03-17 2013-08-14 東京エレクトロン株式会社 載置台構造及びプラズマ成膜装置
JP6054314B2 (ja) * 2011-03-01 2016-12-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 基板搬送及びラジカル閉じ込めのための方法及び装置
JP7224139B2 (ja) * 2018-10-25 2023-02-17 東京エレクトロン株式会社 ステージ装置および処理装置
US11204206B2 (en) 2020-05-18 2021-12-21 Envertic Thermal Systems, Llc Thermal switch

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3225820A (en) * 1962-11-01 1965-12-28 Gen Precision Inc Device for controlling temperature by heat conduction
US3270802A (en) * 1963-01-10 1966-09-06 Jay G Lindberg Method and apparatus for varying thermal conductivity
US3450196A (en) * 1967-08-30 1969-06-17 Trw Inc Gas pressure control for varying thermal conductivity
US3602004A (en) * 1969-04-02 1971-08-31 American Air Filter Co Heat exchange device
AU497893B2 (en) * 1975-07-29 1979-01-18 Buckley, Bruce Shawn Controllable heat transmission apparatus
DE3118433A1 (de) * 1981-05-09 1982-11-25 Dornier System Gmbh, 7990 Friedrichshafen "verfahren und vorrichtung zum thermisch gesteuerten und ueberhitzungssicheren schalten und regeln"
US4689970A (en) * 1985-06-29 1987-09-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Cryogenic apparatus
US4771823A (en) * 1987-08-20 1988-09-20 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Self-actuating heat switches for redundant refrigeration systems
KR970003885B1 (ko) * 1987-12-25 1997-03-22 도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤 에칭 방법 및 그 장치
DE3819114A1 (de) * 1988-06-04 1989-12-14 Wilhelm Chr Dr Buck Betaetigungsvorrichtung fuer eine verstellbare ventilspindel
US5096536A (en) * 1990-06-12 1992-03-17 Micron Technology, Inc. Method and apparatus useful in the plasma etching of semiconductor materials
JPH04196528A (ja) * 1990-11-28 1992-07-16 Toshiba Corp マグネトロンエッチング装置
US5186238A (en) * 1991-04-25 1993-02-16 International Business Machines Corporation Liquid film interface cooling chuck for semiconductor wafer processing
JP2778284B2 (ja) * 1991-05-29 1998-07-23 三菱電機株式会社 加熱装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100838874B1 (ko) * 2000-07-06 2008-06-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판을 열 처리하는 시스템 및 방법

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