JP6697460B2 - 加工物の温度を制御するシステム及び方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 58
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 44
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/31—From computer integrated manufacturing till monitoring
- G05B2219/31001—CIM, total factory control
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/45—Nc applications
- G05B2219/45031—Manufacturing semiconductor wafers
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Control Of Temperature (AREA)
Description
Claims (12)
- 処理中の加工物における複数の領域の温度を制御するシステムであって、
複数の離散的領域を画成する1つまたは複数の壁を上面に有するプラテンであって、前記プラテンに前記加工物が配置されたときに、それぞれが前記加工物の領域に対応する複数の区画が前記複数の離散的領域により作られ、前記複数の区画がそれぞれ関連する開口部を有する、プラテンと、
それぞれが個々の開口部と連結されている複数の配管と、
それぞれが前記複数の配管のひとつと連結されており、それぞれが背面ガス供給システムと連結されている複数のバルブと、
複数のバルブに結合されており、前記複数のバルブを流れる流量を独立して制御することで前記複数の区画内の背面ガスの所望の圧力を維持するコントローラと、
を備え、
前記複数のバルブは、背面ガスが前記バルブ中を前記個々の区画に向けて流れる第1モードと、背面ガス流が止まる第2モードと、背面ガスが前記個々の区画の外を流れる第3モードの3モードのうち1つで稼働し、
前記コントローラは、所望の温度マップと処理により導き出された熱出力とを受け取り、
前記コントローラは、前記所望の温度マップと、前記処理により導き出された熱出力に基づき、前記複数の区画のそれぞれにおける背面ガスの所望の圧力を決定する、システム。 - 請求項1に記載のシステムであって、前記複数のバルブがデジタルバルブを備え、前記コントローラがそれぞれのバルブの動作サイクルを調整して、前記流量を制御する、システム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記コントローラは、前記流量を制御するために開ループ制御を用いる、システム。
- 請求項1に記載のシステムであって、さらに複数の圧力センサを備え、前記複数の圧力センサのそれぞれが個々の区画に連結されている、システム。
- 請求項4に記載のシステムであって、前記コントローラは、前記個々のバルブの流量を調整するために複数の圧力センサからの圧力情報を用いる、システム。
- 処理中の加工物における複数の領域の温度を制御するシステムであって、
複数の離散的領域を画成する1つまたは複数の壁を上面に有するプラテンであって、前記プラテンに前記加工物が配置されたときに、それぞれ前記加工物の領域に対応する複数の区画が前記複数の離散的領域により作られる、プラテンと、
それぞれが個々の開口部と連結されている複数の配管と、
それぞれが前記複数の配管のひとつと連結されており、それぞれが背面ガス供給システムと連結されている複数のバルブと、
複数のバルブに結合されており、前記複数のバルブを流れる流量を独立して制御することで前記複数の区画内の背面ガスの所望の圧力を維持するコントローラと、
を備え、
前記コントローラは、所望の温度マップと処理により導き出された熱出力とを受け取り、
前記コントローラは、前記所望の温度マップと、前記処理により導き出された熱出力に基づき、前記複数の区画のそれぞれにおける背面ガスの所望の圧力を決定し、
前記コントローラは、前記流量を制御するために開ループ制御を用いる、システム。 - 請求項6に記載のシステムであって、前記複数のバルブがデジタルバルブを備え、前記コントローラがそれぞれのバルブの動作サイクルを調整して、前記流量を制御する、システム。
- 請求項6に記載のシステムであって、前記複数のバルブは、背面ガスが前記バルブ中を前記個々の区画に向けて流れる第1モードと、背面ガス流が止まる第2モードの2モードのうち1つで稼働する、システム。
- 請求項6に記載のシステムであって、前記複数のバルブは、背面ガスが前記バルブ中を前記個々の区画に向けて流れる第1モードと、背面ガス流が止まる第2モードと、背面ガスが前記個々の区画の外を流れる第3モードの3モードのうち1つで稼働する、システム。
- 加工物における複数の領域の温度を制御する方法であって、
複数の離散的領域を画成する1つまたは複数の壁を上面に有するプラテンであって、前記プラテンに前記加工物が配置されたときに、それぞれ前記加工物の領域に対応する複数の区画が前記複数の離散的領域により作られ、前記複数の区画がそれぞれ背面ガス供給システムと連結しているプラテンに前記加工物を配置するステップと、
前記加工物における前記複数の区画の前記温度を制御するために、前記複数の区画におけるそれぞれの背面ガスの圧力を独立して調整するステップと、
を備え、
前記調整するステップは、前記背面ガス供給システムから前記複数の区画それぞれへの背面ガスの流量を調整するステップを備え、
前記方法は、さらに、
コントローラに所望の温度マップを入力するステップと、
前記コントローラに、処理により導き出された熱出力を入力するステップと、
を備え、
前記コントローラは、前記所望の温度マップと、前記処理により導き出された熱出力に基づき、前記複数の区画のそれぞれにおける背面ガスの所望の圧力を決定する、方法。 - 請求項10に記載の方法であって、さらに、最大熱伝導率を前記コントローラに入力するステップを備え、前記コントローラが前記最大熱伝導率に基づき背面ガスの流量を制御する、方法。
- 請求項10に記載の方法であって、
圧力センサを用いて前記複数の区画のそれぞれにおける圧力を測定するステップと、
前記背面ガスの測定した圧力と所望の圧力に基づき、前記複数の区画それぞれにおける背面ガスの流量を制御するステップと、
をさらに備える、方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/548,183 US9613839B2 (en) | 2014-11-19 | 2014-11-19 | Control of workpiece temperature via backside gas flow |
US14/548,183 | 2014-11-19 | ||
PCT/US2015/058061 WO2016081176A1 (en) | 2014-11-19 | 2015-10-29 | Control of workpiece temperature via backside gas flow |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018503969A JP2018503969A (ja) | 2018-02-08 |
JP2018503969A5 JP2018503969A5 (ja) | 2018-11-15 |
JP6697460B2 true JP6697460B2 (ja) | 2020-05-20 |
Family
ID=55962339
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017526699A Active JP6697460B2 (ja) | 2014-11-19 | 2015-10-29 | 加工物の温度を制御するシステム及び方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9613839B2 (ja) |
JP (1) | JP6697460B2 (ja) |
KR (1) | KR102412534B1 (ja) |
CN (1) | CN107112258B (ja) |
TW (1) | TWI748933B (ja) |
WO (1) | WO2016081176A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016136554A (ja) * | 2015-01-23 | 2016-07-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
KR102529412B1 (ko) * | 2017-03-31 | 2023-05-04 | 램 리써치 코포레이션 | 플렉서블 웨이퍼 온도 제어부를 갖는 정전 척 (electrostatic chuck) |
EP4150665A4 (en) * | 2020-05-11 | 2024-06-26 | Entegris, Inc. | ELECTROSTATIC CLAMPING DEVICE WITH GAS FLOW FUNCTION AND RELATED METHODS |
JP7356587B2 (ja) * | 2020-05-25 | 2023-10-04 | 日本碍子株式会社 | 静電チャック |
US12001193B2 (en) * | 2022-03-11 | 2024-06-04 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for environmental control of dies and substrates for hybrid bonding |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3714248B2 (ja) * | 1993-12-22 | 2005-11-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
US6140612A (en) | 1995-06-07 | 2000-10-31 | Lam Research Corporation | Controlling the temperature of a wafer by varying the pressure of gas between the underside of the wafer and the chuck |
US5609720A (en) | 1995-09-29 | 1997-03-11 | Lam Research Corporation | Thermal control of semiconductor wafer during reactive ion etching |
US6138745A (en) * | 1997-09-26 | 2000-10-31 | Cvc Products, Inc. | Two-stage sealing system for thermally conductive chuck |
US6290274B1 (en) | 1999-04-09 | 2001-09-18 | Tsk America, Inc. | Vacuum system and method for securing a semiconductor wafer in a planar position |
JP2001338914A (ja) | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Tokyo Electron Ltd | ガス導入機構およびガス導入方法、ガスリーク検出方法、ならびに真空処理装置 |
US6689221B2 (en) * | 2000-12-04 | 2004-02-10 | Applied Materials, Inc. | Cooling gas delivery system for a rotatable semiconductor substrate support assembly |
JP2005079415A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
KR100508754B1 (ko) | 2003-12-22 | 2005-08-17 | 삼성전자주식회사 | 온도 컨트롤러 및 이를 갖는 식각 장치 |
US7534627B2 (en) * | 2006-08-07 | 2009-05-19 | Sokudo Co., Ltd. | Methods and systems for controlling critical dimensions in track lithography tools |
US7674636B2 (en) | 2007-03-12 | 2010-03-09 | Tokyo Electron Limited | Dynamic temperature backside gas control for improved within-substrate process uniformity |
JP2010521820A (ja) * | 2007-03-12 | 2010-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板内での処理の均一性を改善するための動的な温度背面ガス制御 |
US7972444B2 (en) * | 2007-11-07 | 2011-07-05 | Mattson Technology, Inc. | Workpiece support with fluid zones for temperature control |
JP5222442B2 (ja) * | 2008-02-06 | 2013-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台、基板処理装置及び被処理基板の温度制御方法 |
US9338871B2 (en) * | 2010-01-29 | 2016-05-10 | Applied Materials, Inc. | Feedforward temperature control for plasma processing apparatus |
JP5689283B2 (ja) * | 2010-11-02 | 2015-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及びその方法を実行するプログラムを記憶する記憶媒体 |
-
2014
- 2014-11-19 US US14/548,183 patent/US9613839B2/en active Active
-
2015
- 2015-10-26 TW TW104135009A patent/TWI748933B/zh active
- 2015-10-29 CN CN201580062297.7A patent/CN107112258B/zh active Active
- 2015-10-29 WO PCT/US2015/058061 patent/WO2016081176A1/en active Application Filing
- 2015-10-29 KR KR1020177016496A patent/KR102412534B1/ko active IP Right Grant
- 2015-10-29 JP JP2017526699A patent/JP6697460B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107112258A (zh) | 2017-08-29 |
WO2016081176A1 (en) | 2016-05-26 |
TWI748933B (zh) | 2021-12-11 |
US20160141191A1 (en) | 2016-05-19 |
TW201626477A (zh) | 2016-07-16 |
US9613839B2 (en) | 2017-04-04 |
KR20170085098A (ko) | 2017-07-21 |
CN107112258B (zh) | 2020-11-24 |
KR102412534B1 (ko) | 2022-06-23 |
JP2018503969A (ja) | 2018-02-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181002 |
|
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|
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|
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|
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