TWI748933B - 控制工作件的溫度的系統及方法 - Google Patents

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TWI748933B TW104135009A TW104135009A TWI748933B TW I748933 B TWI748933 B TW I748933B TW 104135009 A TW104135009 A TW 104135009A TW 104135009 A TW104135009 A TW 104135009A TW I748933 B TWI748933 B TW I748933B
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Abstract

本發明公開了一種在加工期間調制及控制工作件的局部 溫度的系統及方法。所述系統使用具有一或多個壁的台板，所述一或多個壁在台板的頂面上界定多個分立的區。當工作件安置於台板上時，形成多個隔室，其中每一隔室由工作件的背面及台板的相應區界定。隔室中的每一隔室內的背面氣體的壓力可被單獨地控制。背面氣體的壓力決定自工作件傳遞至台板的熱量的量。通過局部地調節背面氣體的壓力，工作件的不同區可維持在不同溫度。在某些實施例中，使用多個閥來控制流至隔室的流動速率。

Description

控制工作件的溫度的系統及方法
本發明的實施例涉及在加工期間控制工作件的溫度的系統及方法，且更具體而言，涉及利用背面氣體流量的變化來局部地控制所述工作件溫度的系統及方法。
半導體元件的製造涉及多個分立的複雜工藝。一個此種工藝可為自工作件移除材料的蝕刻工藝。另一工藝可為將材料沉積於工作件上的沉積工藝。再一工藝可為將離子植入至工作件中的離子植入工藝。
此外，在某些實施例中，總體半導體製造過程中的某些工藝可具有不均勻性。舉例而言，例如化學機械拋光(chemical mechanical planarization，CMP)等某些工藝可以非均勻方式研磨工作件，以使較多材料自所述工作件的某些部分移除。
在某些實施例中，某些工藝可用於修正在製造過程早期中引入的不均勻性。舉例而言，所述蝕刻工藝、所述沉積工藝或所述離子植入工藝可用於修正在早期工藝中引入的不均勻性。此 外，這些工藝可用於補償在後續工藝中引入的不均勻性。
在某些實施例中，這些工藝可因在工作件的某些部分上進行加工的持續時間較長而變化。然而，也可使用其他機制。在某些實施例中，這些工藝可對工作件的溫度敏感。舉例而言，在某些時間段中所加工的材料的量可基於工作件的溫度而變化。因此，通過改變工作件溫度，可使這些工藝不均勻。
然而，所述工作件溫度的精確控制並非不重要。由於工作件及台板起到傳播熱量的作用，因而可能難以維持工作件的兩個鄰近部分之間的溫度梯度。
因此，若存在用於在加工期間控制工作件的溫度的系統及方法，則將有所助益。若所述工作件上多個區的溫度可獨立控制，則也將較為有益。
本發明公開了一種在加工期間調制及控制工作件的局部溫度的系統及方法。所述系統使用具有一或多個壁的台板，所述一或多個壁在所述台板的頂面上界定多個分立的區。當工作件安置於所述台板上時，形成多個隔室，其中每一隔室均為由所述工作件的背面及所述台板的相應區所界定的閉合體積。所述隔室中的每一者中的背面氣體的壓力可被單獨地控制。所述背面氣體的壓力決定自所述工作件傳遞至所述台板的熱量的量。通過局部地調節所述背面氣體的壓力，所述工作件的不同區可維持於不同的 溫度。在某些實施例中，使用多個閥來控制流至所述隔室的流動速率。
在一個實施例中，公開了一種在加工期間控制工作件的多個區的溫度的系統。所述系統包括：台板，所述台板包括具有一或多個壁的頂面，所述一或多個壁界定多個分立的區，其中當工作件安置於所述台板上時，所述多個分立的區形成多個隔室，每一隔室均對應於所述工作件的區，其中所述多個隔室中的每一者具有相關聯的開口；多個管道，所述多個管道中的每一者分別與相應的開口連通；多個閥，每一個閥分別與所述多個管道中的相應一個管道連通且與背面氣體供應系統連通；以及控制器，與所述多個閥連通，以獨立地控制通過所述多個閥中的每一者的流動速率以維持所述多個隔室中的每一者內的壓力，其中所述壓力被選擇以維持對應至相應隔室的所述工作件的每一個區的溫度。
在另一實施例中，公開了一種在加工期間控制工作件的多個區的溫度的系統。所述系統包括：台板，所述台板包括具有一或多個壁的頂面，所述一或多個壁界定多個分立的區，其中當工作件安置於所述台板上時，所述多個分立的區形成多個隔室，每一隔室均對應於所述工作件的區；背面氣體供應系統；以及控制器，用以獨立地調節自所述背面氣體供應系統至所述隔室中的每一者的流動速率。
根據另一實施例，公開了一種控制工作件的多個區的溫度的方法。所述方法包括：將工作件安置於台板上，所述台板包 括具有一或多個壁的頂面，所述一或多個壁界定多個分立的區，其中當所述工作件安置於所述台板上時，所述多個分立的區形成多個隔室，每一隔室均對應於所述工作件的區，其中所述多個隔室中的每一者均與背面氣體供應系統連通；以及調整所述多個隔室中的每一者中的背面氣體的壓力，以獨立地控制所述工作件中的所述多個區的所述溫度。
10:工作件
12:背面
100:台板
106:頂面
110:分立的區
115a、115b、115c、115d:隔室
120:壁
130:開口
200:系統
210a、210b、210c、210d:管道
220a、220b、220c、220d:閥
230:控制器
240:背面氣體供應系統
300、310、320、330、340、350:操作
400:系統
430:控制器
440a、440b、440c、440d:壓力傳感器
500、510、520、530、540、550、560:操作
為更佳地理解本發明，請參照附圖，所述附圖併入本文供參考且其中：圖1是根據一個實施例的台板的頂視圖。
圖2是使用圖1所示台板的溫度控制系統的實施例。
圖3是示出圖2所示系統的操作的流程圖。
圖4是使用圖1所示台板的溫度控制系統的另一實施例。
圖5是示出圖4所示系統的操作的流程圖。
如上所述，半導體元件的製造包括各種工藝，包括蝕刻工藝、沉積工藝及離子植入。這些工藝中的一或多個工藝可對溫度敏感。在某些實施例中，此種溫度依賴性可用於改善總體半導體製造過程及提高其效率。換言之，可調制工作件的溫度而非改變用於加工工作件的某些區的時間。此能夠得到與增加時間相同 的結果而不降低效率。
一種改變工作件溫度的機制可為控制工作件向台板散發熱量的能力。舉例而言，通常在工作件的背面與台板之間的小體積中安置背面氣體。此種背面氣體的壓力決定在工作件與台板之間所實現的熱傳遞的量，其中工作件通常充當熱源，且台板通常充當熱沉(heat sink)。換言之，越大的背面氣體壓力會使越多的熱量自工作件傳遞至台板。
圖1示出根據一個實施例的台板100。台板100包括頂面106，頂面106被一或多個壁120劃分成多個分立的區110。壁120完全包繞分立的區110中的每一者。因此，壁120界定鄰近的分立的區110之間的邊界。
儘管未示出，然而台板100還可包括外部密封環。此外部密封環充當背面氣體的屏障，從而有效地在台板的外圓周周圍形成壁以容納背面氣體。在某些實施例中，壁120中的一或多個壁可充當外部密封環。舉例而言，最外側的壁120還可充當外部密封環。在某些實施例中，台板還可包括多個凸起(圖中未示出)。這些凸起可為小的環形突出部，用於支撐工作件並維持台板與工作件之間所期望的間距以使背面氣體流過。
這些壁120可為台板100的一部分。換言之，在某些實施例中，壁120可被機械加工或蝕刻至台板100的頂面中。在其他實施例中，可例如通過以化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)、電漿氣相沉積(plasma vapor deposition，PVD)、 或電漿增強化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)進行圖案化沉積(patterned deposition)而將壁120添加至台板100的頂面。在其他實施例中，壁120可為附加至台板100的頂面的單獨元件。舉例而言，密封環可用作壁120。此外，在某些實施例中，可進行最終研磨或拋光工藝以確保所有壁120均具有相同高度。在一個實施例中，壁120可延伸至高於台板100的頂面約5μm。
儘管圖1示出了具有總共十三個分立的區110的台板100，然而分立的區110的數目不受本發明限制。分立的區110的數目可大得多，例如大於150個。此外，安置於台板100的頂面上的分立的區的圖案可有所變化。儘管圖1示出了基於同心圓的扇區的分立的區110的圖案，然而也可使用其他圖案。舉例而言，可使用格柵圖案。此外，可使用基於同心圓的扇區的其他圖案。舉例而言，圖案可包括更大數目的同心圓，所述同心圓中的每一者具有相應數目的扇區。當然，每一同心圓中的扇區的數目並不需要相同。在某些實施例中，每一同心圓的扇區的數目可被選擇成使每一分立的區110佔據與工作件大致相同的面積。此外，儘管圖中未示出，然而一或多個凸起可安置于分立的區110中。舉例而言，若分立的區涵蓋大的面積，則引入一或多個凸起可有利於確保維持台板100與工作件之間的所期望間距。
分立的區110中的每一者具有相應的開口130，所述相應的開口130與相應的閥及管道連通。這樣，背面氣體可被遞送至 相互獨立的分立的區110中的每一者。儘管示出了一個開口，然而分立的區中的一或多個者中可包括多個開口。
圖2示出使用圖1所示台板100的系統200的第一實施例。具體而言，具有背面12的工作件10安置於台板100上。壁120接觸工作件10的背面12而形成多個隔室115a、115b、115c及115d。每一隔室115均為由工作件10的背面12與台板100的相應的分立的區110所界定的閉合體積。因此，每一相應的分立的區110中的開口130也充當進出由此分立的區110所部分地界定的隔室115的通道。儘管示出了四個此種隔室115a、115b、115c及115d，然而應理解，所形成的隔室115的數目不受本發明限制。
每一分立的區110均與相應的管道210a、210b、210c及210d連通，且因此每一隔室115a、115b、115c及115d均與相應的管道210a、210b、210c及210d連通。每一管道210a、210b、210c及210d分別與相應的閥220a、220b、220c及220d連通。
儘管圖2示出了安置於台板外部的閥220a、220b、220c及220d，然而其他實施例也處於本發明的範圍內。舉例而言，在某些實施例中，可將微型閥(micro-valves)嵌置於台板100中。在其他實施例中，如在圖2及圖4中所示，閥220a、220b、220c及220d可位於台板100的外部。因此，閥220a、220b、220c及220d的位置不受本發明限制。
每一相應閥220a、220b、220c及220d還可與背面氣體供應系統240連通。因此，特定的閥220a、220b、220c及220d 的開啟使得背面氣體自背面氣體供應系統240流至對應於此特定的閥220a、220b、220c及220d的隔室115a、115b、115c及115d。
閥220a、220b、220c及220d中的每一者可為模擬閥(analog valve)或數字閥(digital valve)。在為模擬閥的情形中，所述閥可開啟至達到最大流動速率的所示百分比。而在為數字閥的情形中，所述閥完全開啟或完全關閉。數字閥的流動速率由閥開口的脈衝速率及負載循環決定。舉例而言，開啟10%的時間的數字閥將達到相當於最大流動速率的10%的流動速率。
閥220a、220b、220c及220d中的每一者還與控制器230連通。控制器230可包括與存儲元件電性通信的處理單元。存儲元件可容納將由處理單元執行的指令。控制器230還包括多個輸出，例如每一個閥220a、220b、220c及220d一個輸出，所述輸出向此閥220a、220b、220c及220d指示所期望的流動速率。
工作件10在特定區中的溫度可通過調制對應于此區的隔室115中的背面氣體流動速率來控制。在圖2所示的實施例中，閥220a、220b、220c及220d的流動速率可由控制器230準確地控制。此外，自每一隔室115洩漏的背面氣體的洩漏速率可被準確地建模或估算。
控制器230還可接收其他信息。舉例而言，可將由特定製造工藝在工作件10的每平方公分上提供的熱功率的量輸入至控制器230。此種熱功率可為由特定工藝(例如對工作件10進行的蝕刻工藝、離子植入工藝或沉積工藝)所賦予的熱能或熱量。在 某些實施例中，此種功率密度可處於0.1W/cm2與10W/cm2之間。此外，還可輸入可由背面氣體自工作件10吸取的熱量。所述熱量可被吸取的速率(也稱為傳熱係數(heat transfer coefficient，HTC))相依於台板的幾何結構及對背面氣體使用的物質。在某些實施例中，傳熱係數處於0.05W/cm2℃至0.2W/cm2℃之間。
因此，基於經由特定隔室115的相應閥220而流入特定隔室115的已知流動速率以及自此隔室115洩漏的背面氣體的洩漏速率，控制器230可得知且可控制此特定隔室115中的背面氣體的壓力。此外，基於此隔室115中的背面氣體的壓力，可導出每一隔室115a、115b、115c及115d的傳熱係數。在某些情形中，背面氣體壓力與傳熱係數之間可存在線性關係。在其他情形中，可存在其他關係。換言之，基於輸入至控制器230的最大傳熱係數、及背面氣體壓力與傳熱係數之間的關係，可確定將產生給定傳熱係數的背面氣體壓力。
為降低當工作件10比台板100熱時的工作件10的特定區的溫度，控制器230可增大與對應於工作件10的此特定區的隔室115連通的閥220的流動速率。此會使傳熱係數增大，使得工作件10與台板100之間的耦合增大。相反地，為提高當工作件10比台板100熱時的工作件10的特定區的溫度，控制器230可減小與對應於工作件10的此特定區的隔室115連通的閥220的流動速率，以使此隔室115中的傳熱係數降低。
在某些實施例中，台板100可用於將工作件10加熱至較 高溫度。在此實施例中，則將上述操作反轉。具體而言，為降低當工作件10比台板100冷時的工作件10的特定區的溫度，控制器230可減小與對應於工作件10的此特定區的隔室115連通的閥220的流動速率。此會使傳熱係數減小，使得工作件10與所加熱台板之間的耦合減小。相反地，為提高當工作件10比台板100冷時的工作件10的特定區的溫度，控制器230可增大與對應於工作件10的此特定區的隔室115連通的閥220的流動速率，以使此隔室115中的傳熱係數提高。
圖3示出圖2所示系統200的操作的流程圖。在操作中，如在操作300中所示，可為工作件10準備所期望溫度圖。此所期望溫度圖可代表在蝕刻工藝期間工作件10的不同區中的所期望溫度。可將此溫度圖輸入至控制器230。此外，如在操作310中所示，控制器230還可含有相關陣列(correlation array)，所述相關陣列用於將工作件10的特定區映射至一或多個隔室115。
控制器230還可接收額外的輸入。舉例而言，可將由工藝所提供的可取決於各種因素的熱功率提供至控制器230。如上所述，此種熱功率可為由特定工藝(例如對工作件10進行的蝕刻工藝、離子植入工藝或沉積工藝)所賦予的熱能或熱量。此外，如在操作320中所示，還可將最大傳熱係數輸入至控制器230，所述最大傳熱係數可基於用作背面氣體的物質。可基於建模或基於對其他工作件進行的經驗性測量來確定這些參數。
如在操作330中所示，基於所述溫度圖、所述相關陣列、 所述工藝熱功率及所述最大傳熱係數，控制器230可確定台板的每一隔室115的所期望背面氣體壓力。如在操作340中所示，基於工作件10的每一區的所期望溫度、所確定背面氣體壓力、由工藝提供的熱量、最大傳熱係數及此隔室115的洩漏率，控制器230可確定流至此隔室115的背面氣體的所期望流動速率。如在操作350中所示，控制器230接著將對此流動速率的指示提供至對應於此隔室115的閥220。在某些利用數字閥的實施例中，此種指示可代表所述閥的所期望負載循環。在其他實施例中，此種指示可為代表閥應開啟的百分比的模擬電壓。
控制器230對每一隔室115a、115b、115c及115d執行此序列。在此實施例中，不存在指示每一隔室115a、115b、115c及115d中的實際壓力的對控制器230的反饋。因此，在此實施例中，控制器230利用開環控制工作。
前面的說明表明閥220可以以下兩種模式中的一種模式工作。在一種模式中，閥220開啟且背面氣體自背面氣體供應系統流至相應隔室115。在第二種模式中，閥220關閉且不存在背面氣體的流動。在某些實施例中，閥220a、220b、220c及220d可以三種模式工作。在第三種模式中，所述閥可用于自相應隔室115排出背面氣體。舉例而言，在某些實施例中，工作件10的所期望溫度可利用隔室115中比此隔室115內的當前壓力小的背面壓力。因此，與通過洩漏進行移除相比，可有益於更快地自隔室115移除背面氣體以達到所期望溫度。在此第三種模式中，來自隔室 115的背面氣體可被排出而返回至真空環境。
圖4示出使用圖1的台板100的系統400的第二實施例。在此實施例中，壓力傳感器440a、440b、440c及440d分別安置於每一隔室115a、115b、115c及115d或管道210a、210b、210c及210d中。這些壓力傳感器440a、440b、440c及440d耦合至也與閥220a、220b、220c及220d連通的控制器430。如上所述，此控制器430包括處理單元及存儲元件。
在此實施例中，控制器430利用閉環控制，使用閥220a、220b、220c及220d與相關聯的壓力傳感器440a、440b、440c及440d來確保在每一相應隔室115a、115b、115c及115d中維持所期望背面壓力。
除控制器430對每一隔室115a、115b、115c及115d中的壓力進行閉環控制外，圖4所示系統400的工作類似於圖2所示的系統。圖5示出在此實施例中所使用的順序。如前面一樣，如在操作500中所示，可為工作件10準備所期望溫度圖。此種所期望溫度圖可代表在蝕刻工藝期間工作件10的不同區中的所期望溫度。可將此溫度圖輸入至控制器430。此外，如在操作510中所示，控制器430還可含有用於將工作件10的特定區映射至一或多個隔室115的相關陣列。
此外，如參照圖3所述，如在操作520中所示，可將由工藝提供的熱功率以及最大傳熱係數輸入至控制器430。
如在操作530中所示，基於所述溫度圖及所述相關陣列、 所述由工藝提供的熱功率、以及所述最大傳熱係數，控制器430可確定在此隔室115中的背面氣體的所期望壓力。如在操作540中所示，控制器430接著將對流動速率的指示提供至對應於此隔室115的閥220。在某些利用數字閥的實施例中，此種指示可代表所述閥的所期望負載循環。在其他實施例中，此種指示可為代表閥應開啟的百分比的模擬電壓。
如在操作550中所示，控制器430接著讀取壓力傳感器440的值。如在操作560中所示，控制器430接著基於現有流動速率及壓力讀數來計算新流動速率。控制器430接著調整閥220的流動速率並監控隔室115內的壓力，直至隔室115內的壓力達到所期望水平。此可由控制器430通過重複地讀取壓力傳感器440、確定新流動速率及將對此流動速率的指示應用至閥220來實現。
在此實施例中，如前面所述，閥220可以兩種模式中的一種模式工作，或可以三種模式中的一種模式工作。
可變背面氣體壓力的使用提高了工作件的局部溫度控制。其他系統嘗試通過例如使用嵌置式加熱區域在台板的不同區上誘發不同的溫度來調節工作件溫度。然而，當使用所述嵌置式加熱區域在台板的表面上形成溫度差時，可在台板上誘發熱應力。在一個實例中，本系統使台板能夠維持于恒定溫度、不受任何熱應力、並基於台板與工作件之間的局部傳熱而實現局部溫度控制。在另一實例中，本系統可與具有嵌置式加熱區域的台板一起使用來實現額外溫度控制。
此外，此種系統及方法允許形成任意數目的隔室，所述隔室中的每一者對應於工作件的某個區。因此，可精確地且細微地控制工作件的局部溫度。
本發明的範圍不受本文所述具體實施例的限制。事實上，除了本文所述者之外，通過前述說明及附圖，本發明的其他各種實施例及修改將對所屬領域的普通技術人員顯而易見。因此，此種其他實施例及修改旨在落于本發明的範圍內。此外，儘管本文中已在用於特定用途的特定環境中的特定實施方式的上下文中闡述了本發明，但所屬領域的普通技術人員將認識到，其適用性並不僅限於此，而是本發明可在用於任何數量的用途的任何數量的環境中有利地實施。因此，應慮及本文所述本發明的全部範圍及精神來解釋上文所述權利要求書。
10:工作件
12:背面
100:台板
106:頂面
115a、115b、115c、115d:隔室
120:壁
130:開口
210a、210b、210c、210d:管道
220a、220b、220c、220d:閥
240:背面氣體供應系統
400:系統
430:控制器
440a、440b、440c、440d:壓力傳感器

Claims (12)

  1. 一種在加工期間控制工作件中的多個區的溫度的系統，包括：台板，包括具有一或多個壁的頂面，所述一或多個壁界定多個分立的區，其中當所述工作件安置於所述台板上時，所述多個分立的區形成多個隔室，每一隔室均對應於所述工作件的區，其中所述多個隔室中的每一者具有相關聯的開口；多個管道，所述多個管道中的每一者分別與相應的開口連通；多個閥，每一個閥分別與所述多個管道中的相應一個管道連通且與背面氣體供應系統連通；以及控制器，與所述多個閥連通，以獨立地控制通過所述多個閥中的每一者的流動速率以維持所述多個隔室中的每一者內的壓力，其中所述壓力被選擇以維持對應至相應隔室的所述工作件的每一個區的溫度，其中所述多個閥以下列三種模式中的一種模式工作：在第一種模式中，背面氣體經由所述閥朝所述相應隔室流動，在第二種模式中，流動停止，且在第三種模式中，所述背面氣體流出所述相應隔室，其中所述控制器接收所期望溫度圖及由工藝所提供的熱功率，所述控制器基於所述所期望溫度圖及由所述工藝提供的所述熱功率來確定所述多個隔室中的每一個中的背面氣體的所期望壓力。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的在加工期間控制工作件中的多個區的溫度的系統，其中所述多個閥包括數字閥，其中所述控制器調制每一個閥的負載循環以控制所述流動速率。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的在加工期間控制工作件中的多個區的溫度的系統，其中所述控制器使用開環控制來控制所述流動速率。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的在加工期間控制工作件中的多個區的溫度的系統，更包括多個壓力傳感器，所述多個壓力傳感器中的每一者分別與相應隔室連通。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的在加工期間控制工作件中的多個區的溫度的系統，其中所述控制器使用來自所述多個壓力傳感器的壓力信息來調整相應閥的所述流動速率。
  6. 一種在加工期間控制工作件中的多個區的溫度的系統，包括：台板，包括具有一或多個壁的頂面，所述一或多個壁界定多個分立的區，其中當所述工作件安置於所述台板上時，所述多個分立的區形成多個隔室，每一隔室均對應於所述工作件的區；多個管道，所述多個管道中的每一者分別與相應的開口連通；多個閥，每一個閥分別與所述多個管道中的相應一個管道連通且與背面氣體供應系統連通；以及控制器，與所述多個閥連通，以獨立地控制通過所述多個閥中的每一者的流動速率以維持所述多個隔室中的每一者內的壓力，其中所述壓力被選擇以維持對應至相應隔室的所述工作件的每一個區的溫度，所述控制器接收所期望溫度圖及由工藝所提供的熱功率，所述控制器基於所述所期望溫度圖及由所述工藝提供的所述熱功率來確定所述多個隔室中的每一個中的背面氣體的所 期望壓力，所述控制器使用開環控制來控制所述流動速率，不存在指示所述多個隔室中的每一個內的壓力的對所述控制器的反饋。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的在加工期間控制工作件中的多個區的溫度的系統，其中所述多個閥包括數字閥，其中所述控制器調制每一個閥的負載循環以控制所述流動速率。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的在加工期間控制工作件中的多個區的溫度的系統，其中所述多個閥以下列兩種模式中的一種模式工作：在第一種模式中，背面氣體經由所述閥朝所述相應隔室流動，在第二種模式中，流動停止。
  9. 如申請專利範圍第6項所述的在加工期間控制工作件中的多個區的溫度的系統，其中所述多個閥以下列三種模式中的一種模式工作：在第一種模式中，背面氣體經由所述閥朝所述相應隔室流動，在第二種模式中，流動停止，且在第三種模式中，所述背面氣體流出所述相應隔室。
  10. 一種控制工作件中的多個區的溫度的方法，包括：將所述工作件安置於台板上，所述台板包括具有一或多個壁的頂面，所述一或多個壁界定多個分立的區，其中當所述工作件安置於所述台板上時，所述多個分立的區形成多個隔室，每一隔室均對應於所述工作件的區，其中所述多個隔室中的每一者均與背面氣體供應系統連通；調整所述多個隔室中的每一者中的背面氣體的壓力，以獨立地控制所述工作件中的所述多個區的所述溫度，其中所述調整包 括調節自所述背面氣體供應系統至所述多個隔室中的每一者的背面氣體流動速率；將所期望溫度圖輸入至控制器；以及將由工藝所提供的熱功率輸入至所述控制器，其中所述控制器基於所述所期望溫度圖及由所述工藝提供的所述熱功率來確定所述多個隔室中的每一者中的背面氣體的所期望壓力。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的控制工作件中的多個區的溫度的方法，更包括將最大傳熱係數輸入至所述控制器，其中所述控制器基於所述最大傳熱係數來調節所述背面氣體流動速率。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的控制工作件中的多個區的溫度的方法，更包括：使用壓力傳感器來測量所述多個隔室中的每一者中的壓力；以及基於所述所測量壓力及所述背面氣體的所期望壓力來調節流至所述多個隔室中的每一者的所述背面氣體流動速率。
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