KR950012467A - 센스 증폭기 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 제 3 도에 도시된 바와 같이 워드선 및 비트선에 연결되어 셀(1)에 기억된 정보를 판독하는 램의 비트선(bit line)(2) 및 비트바선(/bit line; 액티브시 로우)(2´)에 연결되어 셀에 저장된 내용을 센싱하는 센스 증폭기에 있어서, 상기 비트선(2) 및 비트바선(2´)에 연결되어 센스 증폭기 인 에이블 신호 (SAE)를 받아 상기 비트선(2) 및 비트바선(2´)의 전압을 낮추되 그 전압차는 증가시키는 전압 쉬프터(3); 상기 전압 쉬프터(3)의 출력과 센스 증폭기 인에이블신호 (SAE)를 받아 전류를 센싱함으로써 전압차를 크게하는 전류 센스 증폭기(4); 전압 쉬프터(3)의 출력 제 1 신호(S1)와 상기 전류 센스 증폭기(4)의 출력 제 2 신호 (/S1; 액티브시 로우)를 두 입력으로하여 전압차를 센싱하는 전압 센스 증폭기(5); 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

센스 증폭기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3 도는 본 발명에 따른 SRAM회로도.

Claims (3)

  1. 워드선 및 비트선에 연결되어 셀(1)에 기억된 정보를 판독하는 램의 비트선(bit line)(2) 및 비트바선(/bit line; 액티브시 로우)(2´)에 연결되어 셀에 저장된 내용을 센싱하는 센스 증폭기에 있어서, 상기 비트선(2) 및 비트바선(2´)에 연결되어 센스 증폭기 인 에이블 신호 (SAE)를 받아 상기 비트선(2) 및 비트바선(2´)의 전압을 낮추되 그 전압차는 증가시키는 전압 쉬프터(3); 상기 전압 쉬프터(3)의 출력과 센스 증폭기 인에이블신호 (SAE)를 받아 전류를 센싱함으로써 전압차를 크게하는 전류 센스 증폭기(4); 전압 쉬프터(3)의 출력 제 1 신호(S1)와 상기 전류 센스 증폭기(4)의 출력 제 2 신호 (/S1; 액티브시 로우)를 두 입력으로하여 전압차를 센싱하는 전압 센스 증폭기(5); 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 센스 증폭기.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 전압 쉬프터(3)는, 셀 데이타 버스(DB)선 및 셀 데이타 버스바(DBB)선을 각각 게이트로 받고 공통 소오스 제1NMOS 트랜지스터(N21) 및 제2NMOS 트랜지스터(N22)와; 드레인이 상기 제1NMOS 트랜지스터(N21) 및 제 2 NMOS 트랜지스터(N22)에 각각 연결되고 게이트는 공통으로 전압 VSS에 연결되며 공통 소오스가 VCC에 연결되는 제1PMOS트랜지스터(P21) 및 제2PMOS트랜지스터(P22)와; 상기 제1NMOS트랜지스터(N21) 및 제2NMOS트랜지스터(N22)의 공통 소오스에 드레인과 게이트가 연결되는 제3NMOS트랜지스터(N23)와; 상기 제3NMOS트랜지스터(N23)의 소오스에 드레인이 연결되고 게이트에는 센스 증폭 인에이블신호(SAE)가 입력되며 소오스에는 전압 VSS가 연결되어 있는 제4NMOS트랜지스터(N24)로 구성되는 것을 특징으로 하는 센스 증폭기.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 전류 센스 증폭기(4)는 드레인이 상기 전압 쉬프터(3)의 제1NMOS트랜지스터(N21) 및 제2MOS트랜지스터(N22)의 드레인에 각각 연결되고 게이트는 드레인과 반대로 제2NMOS트랜지스터(N22) 및 제1NMOS트린지스터(N21)의 드레인에 각각 연결되며 소오스가 공통인 제5NMOS트랜지스터(N25) 및 제6NMOS트랜지스터(N26)와; 드레인이 상기 제5NMOS트랜지스터(N25) 및 제6NMOS트랜지스터(N26)의 공통 소오스에 연결되고 소오스는 전압 VSS에 연결되며 게이트는 센스 증폭 인에이블신호(SAE)가 입력되는 제7NMOS트랜지스터(N27)로 구성되어지는 것을 특징으로 하는 센스 증폭기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR93020668A 1993-10-06 1993-10-06 Sense amplifier of semiconductor memory device KR960008456B1 (en)

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