KR950029934A - 디지탈 영상 메모리 - Google Patents
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- H04N5/00—Details of television systems
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- H04N5/907—Television signal recording using static stores, e.g. storage tubes or semiconductor memories
Abstract
본 발명은 디지탈 영상 메모리 회로로서, 데이타를 기록 및 판독하는 디램파트와 디램파트에 기록 또는 판독할 데이타를 잠시동안 보존하는 레지스터 파트 및 레지스터 파트의 레지스터를 입출력 데이타 버스에 차례로 연결시키는 스위칭 트랜지스터들을 가진 셀렉터 파트를 가지고, 입출력 데이타버스 상에 나타나는 데이타를 디램에 저장하거나 디램에 저장된 데이타를 입출력 데이타 버스로 전송하는 디지탈 영상 메모리에 있어서, 상기 레지스터 파트가, 트랜스퍼 게이트를 통하여 디램의 비트라인과 연결되는 다수의 레지스터로 구성되는 제1레지스터 파트와, 제1레지스터 파트의 레지스터비트라인과 트랜스퍼 게이트를 통하여 연결되는 다수의 레지스터로 구성되는 제2레지스터 파트로 이루어진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 디지탈 영상 메모리의 블록도, 제5도는 본 발명의 디지탈 영상 메모리의 동작 타이밍도, 제6도는 본 발명의 다른 실시예의 디지탈 영상 메모리의 블록도.
Claims (8)
- 데이타를 기록 및 판독하는 디램파트와 디램파트에 기록 또는 판독할 데이타를 잠시동안 보존하는 레지스터 파트 및 레지스터 파트의 레지스터를 입출력 데이타 버스에 차례로 연결시키는 스위칭 트랜지스터들을 가진 셀렉터 파트을 가지고, 입출력 데이타버스 상에 나타나는 데이타를 디램에 저장하거나 디램에 저장된 데이타를 입출력 데이타 버스로 전송하는 디지탈 영상 메모리에 있어서, 상기 레지스터 파트는, 트랜스퍼 게이트를 통하여 디램의 비트라인과 연결되는 다수의 레지스터로 구성되는 제1레지스터 파트와, 제1레지스터 파트의 레지스터 비트라인과 트랜스퍼 게이트를 통하여 연결되는 다수의 레지스터로 구성되는 제2레지스터 파트로 이루어지는 것이 특징인 디지탈 영상 메모리.
- 제1항에 있어서, 상기 디램파트는 다수의 센스 앰프들과, 다수의 비트선 BL, /BL과 다수의 워드라인 WL를 가지고, 상기 제1레지스터 파트는 다수의 센스앰프의 /BL과 BL들에 연결된 다수의 트랜스퍼 게이트들과, 이 트랜스퍼게이트들을 통하여 연결된 다수의 레지스터들로 구성되고, 이 트랜스퍼 게이트들의 게이트에는 모두 전송신호 XF가 연결되며, 상기 제2레지스터 파트는 제1레지스터의 데이타 출력을 연결하는 다수의 트랜스퍼 게이트들과, 이 트랜스퍼게이트를 통하여 연결된 다수의 레지스터들로 구성되고, 이 트랜스퍼 게이트들의 게이트에는 모두 전송신호 XF_R가 연결되고 레지스터에는 인에이블 신호가 인가되도록 연결된 것이 특징인 디지탈 영상 메모리.
- 제2항에 있어서, 상기 제1레지스터 트랜스퍼 게이트는 모스 트랜지스터로 구성되고, 디램 파트의 센스앰프출력인 BL과 /BL에 이 모스 트랜지스터의 소스에 연결되고, 이 모스트랜지스터의 게이트는 전송신호 XF에 연결되고, 이 모스 트랜지스터의 드레인은 각각의 레지스터 비트라인에 연결되는 것이 특징인 디지탈 영상 메모리.
- 데이터를 기록 및 판독하는 디램파트와 디램파트에 기록 또는 판독할 데이타를 잠시동안 보존하는 레지스터 파트 및 레지스터 파트의 레지스터를 입출력 데이타 버스에 차례로 연결시키는 스위칭 트랜지스터들을 가진 셀렉터 파트를 가지고, 입출력 데이타버스 상에 나타나는 데이타를 디램에 저장하거나 디램에 저장된 데이타를 입출력 데이타 버스로 전송하는 디지탈 영상 메모리에 있어서, 상기 레지스터 파트는 다수의 레지스터와 이 레지스터를 디램의 비트라인과 연결하는 다수의 트랜스퍼 게이트를 포함하는 상부 레지스터 파트와, 다수의 레지스터와 이 레지스터를 디램의 비트라인과 연결하는 다수의 트랜스퍼 게이트를 포함하는 하부 레지스터 파트로 구성되고, 상기 셀렉트 파트는, 상기 상부 레지스터 파트의 레지스터비트라인을 입출력 버스와 연결하는 스위칭 트랜지스터와, 상기 하부 레지스터 파트의 레지스터비트라인을 입출력 버스와 연결하는 스위칭 트랜지스터로 구성되는 것이 특징인 디지탈 영상 메모리.
- 제4항에 있어서, 상기 디램파트는 다수의 센스 앰프들과, 다수의 비트선 BL, /BL과 다수의 워드라인 WL를 가지고, 상기 상부 레지스터 파트는 다수의 센스앰프의 /BL과 BL들에 연결된 다수의 트랜스퍼 게이트들과, 이 트랜지스퍼게이트들을 통하여 연결된 다수의 레지스터들로 구성되고, 이 트랜스퍼 게이트들의 게이트에는 모두 전송신호 XF가 연결되며, 상기 하부 레지스터 파트는 다수의 센스앰프의 /BL과 BL들에 연결된 다수의 트랜스퍼 게이트들과, 이 트랜스퍼게이들을 통하여 연결된 다수의 레지스터들로 구성되고, 이 트랜스퍼 게이트들의 게이트에는 모두 전송신호 XF가 연결되는 것이 특징인 디지탈 영상 메모리.
- 제5항에 있어서, 상기 상부 레지스터 파트의 트랜스퍼 게이트는 모드 트랜지스터로 구성되고, 디램 파트의 센스앰프출력인 BL과 /BL에 이 모스 트랜지스터의 소스에 연결되고, 이 모스 트랜지스터의 게이트는 전송신호 XF에 연결되고, 이 모스 트랜지스터의 드레인은 각각의 레지스터 비트라인에 연결되며, 상기 하부 레지스터 파트의 트랜스퍼 게이트는 모스 트랜지스터로 구성되고, 디램 파트의 센스앰프출력인 BL과 /BL에 이 모스 트랜지스터의 소스에 연결되고, 이 모스트랜지스터의 게이트는 전송신호 XF-R에 연결되고, 이 모스 트랜지스터의 드레인은 각각의 레지스터 비트라인에 연결되는 것이 특징인 디지탈 영상 메모리.
- 데이타를 기록 및 판독하는 디램파트와 디램파트에 기록 또는 판독할 데이타를 잠시동안 보존하는 서로 직렬로 연결된 두개 이상의 레지스터 파트 및 레지스터 파트의 레지스터를 입출력 데이타 버스에 차례로 연결 시키는 스위칭 트랜지스터들을 가진 셀렉터 파트를 가지고, 입출력 데이터 버스상에 나타나는 데이타를 디램에 저장하거나 디램에 저장된 데이타를 입출력 데이타 버스로 전송하는 디지탈 영상 메모리에 데이타를 기록하는 방법에 있어서, 상기 디램 파트에 가까이 있는 레지스터에 보존되어 있는 데이타를 디램에 기록하는 동안 상기 셀렉트 파트에 가까이 있는 레지스터에 디램에 기록할 데이타를 수신하고 있도록 동작시키는 것이 특징인 디램에 데이타를 기록하는 방법.
- 데이타를 기록 및 판독하는 디램파트와 디램파트에 기록 또는 판독할 데이타를 잠시동안 보존하는 서로 병렬로 연결된 두 개 이상의 레지스터 파트 및 레지스터 파트의 레지스터를 입출력 데이타 버스에 차례로 연결시키는 스위칭 트랜지스터들을 가진 셀렉터 파트를 가지고, 입출력 데이터 버스상에 나타나는 데이타를 디램에 저장하거나 디램에 저장된 데이타를 입출력 데이타 버스로 전송하는 디지탈 영상 메모리에 데이타를 기록하는 방법에 있어서, 상기 레지스터 중 하나의 레지스트에 보존되어 있는 데이타를 디램에 기록하는 동안 상기 레지스터 중 다른 하나의 레지스터에는 디램에 기록할 데이타를 수신하고 있도록 동작시키는 것이 특징인 디램에 데이타를 기록하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940007882A KR0123850B1 (ko) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | 디지탈 영상 메모리 |
DE4442638A DE4442638B4 (de) | 1994-04-15 | 1994-11-30 | Digitaler Videospeicher |
JP6319886A JPH07298189A (ja) | 1994-04-15 | 1994-12-22 | デジタル映像メモリ及びそれを用いた画像データの書き込み読み出し方法 |
US08/420,544 US5625594A (en) | 1994-04-15 | 1995-04-12 | Digital video memory |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940007882A KR0123850B1 (ko) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | 디지탈 영상 메모리 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR950029934A true KR950029934A (ko) | 1995-11-24 |
KR0123850B1 KR0123850B1 (ko) | 1997-11-25 |
Family
ID=19381081
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940007882A KR0123850B1 (ko) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | 디지탈 영상 메모리 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5625594A (ko) |
JP (1) | JPH07298189A (ko) |
KR (1) | KR0123850B1 (ko) |
DE (1) | DE4442638B4 (ko) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3281211B2 (ja) * | 1995-01-31 | 2002-05-13 | 富士通株式会社 | 同期式メモリを有する情報処理装置および同期式メモリ |
FR2776819B1 (fr) * | 1998-03-26 | 2001-11-02 | Sgs Thomson Microelectronics | Dram a structure rapide |
DE19934500C2 (de) * | 1999-07-22 | 2001-10-31 | Infineon Technologies Ag | Synchroner integrierter Speicher |
US10170166B1 (en) * | 2017-09-08 | 2019-01-01 | Winbond Electronics Corp. | Data transmission apparatus for memory and data transmission method thereof |
WO2019068165A1 (en) | 2017-10-06 | 2019-04-11 | Raytheon Canada Limited | PIVOT MECHANICS FOR OPEN FRAME REFLEX |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2591010B2 (ja) * | 1988-01-29 | 1997-03-19 | 日本電気株式会社 | シリアルアクセスメモリ装置 |
US4891794A (en) * | 1988-06-20 | 1990-01-02 | Micron Technology, Inc. | Three port random access memory |
JP2832008B2 (ja) * | 1988-07-29 | 1998-12-02 | キヤノン株式会社 | 画像処理システム |
DE69124932D1 (de) * | 1990-10-31 | 1997-04-10 | Ibm | Video-RAM mit schnellen Rücksetzung und Kopiermöglichkeit |
US5265051A (en) * | 1991-07-31 | 1993-11-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory device having an internal signal detector |
JPH05182455A (ja) * | 1991-12-30 | 1993-07-23 | Sony Corp | メモリ装置 |
JP2740097B2 (ja) * | 1992-03-19 | 1998-04-15 | 株式会社東芝 | クロック同期型半導体記憶装置およびそのアクセス方法 |
JP2871975B2 (ja) * | 1992-09-29 | 1999-03-17 | 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 | 半導体メモリ装置 |
JP2500740B2 (ja) * | 1993-04-06 | 1996-05-29 | 日本電気株式会社 | デュアルポ―トメモリ |
-
1994
- 1994-04-15 KR KR1019940007882A patent/KR0123850B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-11-30 DE DE4442638A patent/DE4442638B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-12-22 JP JP6319886A patent/JPH07298189A/ja active Pending
-
1995
- 1995-04-12 US US08/420,544 patent/US5625594A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR0123850B1 (ko) | 1997-11-25 |
US5625594A (en) | 1997-04-29 |
DE4442638A1 (de) | 1995-10-19 |
DE4442638B4 (de) | 2011-03-24 |
JPH07298189A (ja) | 1995-11-10 |
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A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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