KR950006076B1 - 실리콘 괴상 물질을 사용하는 얼음 형성 방지방법 - Google Patents

실리콘 괴상 물질을 사용하는 얼음 형성 방지방법 Download PDF

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Abstract

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Description

실리콘 괴상 물질을 사용하는 얼음 형성 방지방법
본 발명은 특정한 폴리실옥산 괴상 물질(mass)을 사용하여 동결 조건하에 노출된 물체 위에 얼음이 형성되는 것을 방지하는 방법에 관한 것이다.
얼음은 물과 물체의 표면간의 수소 결합에 의해 물체 표면에 강하게 부착된다. 얼음으로 인한 결빙 및 손상은 냉대지방 및 겨울철이 된 세계 각지에서 발생한다. 결빙 및 동결로 인한 여러가지 위험에는 선박 및 항공기에서의 얼음 형성으로 초래되는 해양 및 상공에서의 위험이 포함된다. 또한, 이러한 문제는 해안지역의 시추 플랫포옴(drilling platform)에서 현저하게 발생한다. 얼음 형성을 방지하고자 하는 시도가 충분히 행해져서 기계적, 열적 및 화학적 방법이 실험되었으나, 이러한 방법들은 모두 현재까지 성공을 거두지 못하였으며 일반적으로 매우 비경제적이다.
도료 조성물을 도포시켜 물체의 표면에 얼음이 형성되는 현상을 방지하기 위한 선행 기술은 얼음이 형성되는 경향을 다소 감소시켰다. 이러한 목적에 사용된 공지의 도료 조성물에는 주로 아크릴산 수지, 고무, 불소 함유 수지, 실리콘 수지 등이 포함된다. 이들 중에서, 아직까지는 실리콘 수지가 특정한 향상을 제공 하기에 가장 적합하다[참조 : Chemical Abstracts, Volume 93, 134 009p ; 미합중국 특허 제4,271,215호 ; 및 독일연방공화국 특허 제3,238,039호]. 그러나, 얼음 형성은 지금까지 신뢰할 만하게 방지할 수 없었다.
본 발명은 지지체 위의 얼음 형성을 방지하기 위한 폴리실옥산 괴상 물질의 용도에 관한 것으로서, 이러한 괴상 물질은 물 또는 대기중의 수분의 작용하에서 고무상 탄성 괴상 물질로 변화되며, 이는 하기 성분으로부터 제조할 수 있다 : A) 점도가 약 500 내지 2,000,000cP(20℃)인 α, -디하이드록시-폴리디오가노실록산, B) 임으로는 α, ω-비스-(트리메틸실옥시)-폴리디메틸옥산, C) 가교결합 작용을 갖는 물질, D)임의로는 하나 이상의 접착제, E) 안료, 및 보강작용을 갖거나 갖지 않을 수 있는 충전제, F) 경화 촉매 및 G) 임의로는 용매.
오가노폴리실옥산을 기본으로 한, 즉시 사용할 수 있는 페이스트는 이미 밀봉 접합부에 광범위하게 사용되어 왔다. 대기중의 수분과 가교결합되어 오가노폴리실옥산으로부터 수득된 괴상 물질 및 탄성체는 여러가지 다양한 목적용의 이상적인 밀봉 물질을 구성한다. 이러한 소위 단일 성분계의 예는 문헌[참조 : 프랑스 공화국 특허 제1,188,495호 ; 독일연방공화국 특허 제1,247,646호 ; 및 W.Noll, "Chemie und Technologie der Silicone", 1966, Verlag Chemie, Weiheim, Chapter 8.1, 특히 제341면 내지 제342면]에 기술되어 있다.
놀랍게도, 이러한 괴상 물질이 다른 물질과 비교하여 얼음에 대한 부착력이 매우 작다는 사실이 밝혀졌다.
이러한 물질의 우수한 소수성 작용에 의해, 치밀한 얼음 형성이 상당히 방지되고 물질에 부착되는 조악한 얼음 결정은 구조가 단단하지 못하고 부착력이 약하므로 강한 바람에 의해 제거될 수 있거나 신속하게 떨어져 나온다.
또한, 본 발명의 괴상 물질은 광범위하게 다양한 용매(무수)를 사용하여 희석시킬 수 있으며 비교적 신속하고도 경제적인 방법, 예를 들면, 분무법으로 표면에 도포시킬 수 있다는 장점을 갖고 있다.
그러나, 비교적 단단한 공지된 물질과 비교하여 본 발명에 따라 사용된 괴상 물질의 중요한 장점은 본 발명의 물질이 경화되는 경우, 특정의 기능적인 효율이 손실되지 않고 다량의 운동량(그 조성에 다라 약 ±20 내지 ±50%)을 흡수할 수 있는 고탄성 물질을 구성한다는 점이다. 이러한 탄성은 하부층 표면으로부터 얼음 일부가 제거되는 것을 촉진시키는데 특히 유용하다.
경화물질은 자외선, 수분, 해수, 고온 및 저온과 같은 주위 환경에 민감하지 않다. 따라서, 이의 기계적 특성은 아주 장기간에 걸쳐 불변된 채로 유지되며, 이는 또한 본 발명의 물질을, 예를들면, 해안 시추용 플랫포옴에 사용되는 경우에 상당한 이점이 있다.
해안지역에 적용하는 실제적인 분야에는 시추 플랫포옴, 시추선, 경호함 및 보급선이 포함된다.
현재까지는 주요 부분(예 : 시추용 플랫포옴)위의 얼음형성을 전기적 가열방법으로 방지시켜 왔기 때문에 본 발명에 따르는 괴상 물질을 위에서 기술한 바와 같이 적용하면 비용이 상당히 절감(에너지 절약)된다.
본 발명에 따라 사용된 냉경화성 단일 성분 실리콘계는 통상적으로 하기 성분을 함유한다 :
1. 오가노 그룹이 통상적으로 메틸 또는 페닐 그룹인 α,ω-디하이드록시-디오가노실옥산. 클로로메틸과 같은 할로겐알킬 그룹, 비닐과 같은 알케닐 그룹 또는 사이클로헥실그룹과 같은 사이클로알킬그룹도 또한 소량 존재할 수 있다. 이들 디하이드록시-폴리디오가노실옥산의 점도는 최종 생성물의 필요조건에 따라 약 500 내지 2,000,000cP(20℃)이다. 이러한 단독중합체, 헤테로중합체 또는 공중합체는 일반적으로 페이스트 총 중량의 약 10 내지 90중량 %를 구성한다.
2. 첨가제로서의 가소화제, 예를들면, 점도가 10 내지 1,000,000cP(20℃)인 α,ω-트리알킬-실옥시폴리디오가노실옥산.
3. 가교 결합 물질은 2개 이상의 작용 그룹을 갖는 다작용성 유기 규소화합물이다.
본 발명에 따라 사용된 단일 성분 실리콘 페이스트를 위에서 기술한 A) 내지 G)하에 열거된 여러가지 물질을 혼합하여 제조하는 경우, 가교결합제로서 사용된 물질을 혼합공정 동안 또는 저장하는 동안에 중합체에 결합될 수 있거나 하나의 반응성 그룹을 분리시킴으로써 예비혼합물 형태로 결합될 수 있다.
이들 유기 규소 화합물은 다음과 같은 종류일 수 있다 :
a) 하기 일반식의 화합물 :
RySiX4+y
상기식에서, y는 0 또는 1이고 ; R은 알킬, 알케닐, 아릴 또는 할로겐화 알킬, 알케닐 또는 아릴그룹일 수 있으며 ; X는 성분 1)의 실란올 그룹과 반응할 수 있는 반응성 그룹이다. 여기서, 반응성 그룹은, 예를들면, 알콕시, 아실옥시, 아미노, 산 아미드 또는 옥심 그룹일 수 있고 알킬트리아세톡시실란이 바람직하다.
b) 위의 a)에서 기술한 실란을 부분 가수분해시킴으로써 생성된 디실옥산, 트리실옥산 및 폴리실옥산 ; 디실옥산의 경우 하기 일반식으로 표시된다 :
RyX33-y-Si-O-Si-X3-y-Ry
[참조 : 독일연방공화국 특허 제1,794,197호의 C].
4. 단독으로 사용되거나 대부분의 경우에는 혼합물로서 사용되는 일반적인 충전제(충전되거나 충전되지 않음), 예를 들면, 보강 충전제(화염 가수분해시켜 제조한 고분산 실리카, 이산화티탄, 카본 블랙 등) 또는 분쇄한 석영, 백악(천연 및 석출한 것) 및 합성 수지 분말과 같은 충전제 및 모든 종류의 안료(예 : 산화철 안료).
5. 각종 보조물질, 예를들면, 아미노알킬, 에폭시알킬 또는 반응성 알킬 그룹을 갖는 위에서 기술한 단락 2에 기술된 실란.
a) 예를 들면, 건조제로서 작용하는 첨가제, 예를 들면, 티탄산 에스테르 착화합물(참조 : 독일연방공화국 특허 제1,258,087호).
b) 예를 들면, 접착제로서 작용하는 첨가제, 예를 들면, 헥사메틸디실옥산(참조 : 미합중국 특허 제4,419,484호 또는 유럽 특허 제57,878 B1호) 또는 디-3급-부톡시디아세톡시실란. 접착력을 증진시키기 위해 하도제를 사용할 수도 있다.
c) 반응을 촉진시키는 촉매, 예를 들면, 유기 주석 화합물 또는, 예를 들면, 아미노 화합물.
d) 적합한 용매 첨가제는 주료 가교결합 물질과 반응하지 않는 것으로서 예를 들면, 크실렌, 석유 탄화수소 분획 또는 예를 들면, 이소도데칸, 또는 본 발명에 따라 사용되는 물질을, 예를 들면, 상이한 여러 표면에 분무될 수 있도록 조절할 수 있는 각종 용매의 상이한 혼합물이다.
폴리실옥산 괴상 물질은 플래닛 혼합기(planet mixer), 용해기 또는 기타의 적합한 혼합장치에서 공지된 방법으로 제조할 수 있다.
크실렌 및 이소도데칸이 바람직한 용매이다.
사용되는 용매의 양은 일반적으로 도료 화합물의 총량을 기준으로 하여 약 5 내지 85중량 %, 바람직하게는 35 내지 55중량 %의 양이다. 그러나, 엄밀하게 기술된 특정 조건하에서 공정을 용매 부재하에서 수행할 수도 있다.
도료는, 예를 들면, 분무, 도포 피복, 침지 또는 캐스팅시켜 도포할 수 있다. 도료는 소위 무공기(airless) 분무방법으로 도포시키는 것이 바람직하다.
본 발명에 따라 사용되는 물질의 제조 및 이의 적용방법은 하기 실시예에 상세히 기술되어 있다(달리 언급하지 않는 한 비율은 중량 %이다).
[실시예 1]
20℃에서의 점도가 50,000cP인 α,ω-디하이드록시폴리디메틸실옥산 60중량부와 20℃에서의 점도가 1,400cP인 α,ω-비스-(트리메틸실옥시)-폴리디메틸실옥산 20중량부의 혼합물을 반응 용기에 도입시킨다. 에틸트리아세톡시실란 5중량부와 디-3급-부톡시-디아세톡시실란 0.9중량부를 실온에서 가하고 혼합물을 잠시 교반한다. 미분된 분산 실리카 9중량부와 산화철 안료 0.4중량부를 가한 후 혼합물을 균질하게 될때까지 진공하에서 교반한다. 이어서, 촉매(디부틸 주석 디아세테이트) 0.02중량부를 가한후 혼합물을 균질하게 될때까지 진공하에서 교반한다. 최종적으로, 크실렌 60중량부를 가하고 혼합물을 균질하게 될때까지 다시 교반한다. 최종적으로, 진공을 잠시 적용시킨다.
이어서, 괴상 물질을 용기에 넣고 습기가 없도록 보존한다면, 이 괴상 물질을 이후에 빙결방지용 괴상 물질로서 사용할 경우에 경화능력 또는 접착력이 저하되지 않는 상태로 반년간 저장할 수 있다.
이 괴상 물질은, 예를 들면, 무공기 분무기술을 사용하여 분무시켜 도포시킬 수 있다.
저장 및 적용면에서 하기 실시예도 동일한 특성을 나타낸다.
[실시예 2]
20℃에서의 점도가 50,000cP인 α,ω-디하이드록시 폴리디메틸실옥산 60중량부와 20℃에서의 점도가 1,400cP인 α,ω-비스-(트리메틸실옥시)-폴리-디메틸실옥산 20중량부의 혼합물을 반응 용기에 도입시킨다. 메틸트리아세톡시실란 5중량부를 실온에서 가하고 혼합물을 잠시 교반한다. 미분된 분산 실리카 9중량부와 산화철 안료 0.4중량부를 가한 후 혼합물을 균질하게 될때까지 진공하에서 교반한다. 이어서, 촉매(디부틸주석디아세테이트) 0.01중량부를 가한후, 혼합물을 균질하게 될때까지 진공하에서 교반한다. 최종적으로, 이소옥탄 60중량부를 가하고 혼합물을 균질하게 될때까지 다시 교반한다. 최종적으로, 진공을 잠시 적용시킨다.
[실시예 3]
20℃에서의 점도가 50,000cP인 α,ω-디하이드록시 폴리디메틸실옥산 60중량부와 20℃에서의 점도가 1,400cP인 α,ω-비스(트리메틸실옥시)-폴리디메틸실옥산 20중량부 및 헥사메틸디실옥산 2중량부의 혼합물을 반응 용기에 도입시킨다. 비닐트리아세톡시실란 15중량부를 실온에서 가하고 혼합물을 잠시 교반한다. 미분된 분산 실리카 9중량부와 산화철 안료 0.4중량부를 가한후, 혼합물이 균질하게 될때까지 진공하에서 교반한다. 촉매(디부틸 주석 디아세테이트) 0.01중량부를 가한후, 혼합물이 균질하게 될때까지 교반한다. 최종적으로, 이소도데칸 60중량부를 가하고 혼합물이 균질하게 될때까지 교반한다. 최종적으로, 진공을 잠시 적용시킨다.
[실시예 4]
20℃에서의 점도가 50,000cP인 α,ω-디하이드록시 폴리디메틸실옥산 60중량부와 20℃에서의 점도가 1,400cP인 α,ω-비스(트리메틸실옥시)-폴리디메틸실옥산 20중량부의 혼합물을 반응 용기에 도입시킨다. 에틸트리아세톡시실란 5중량부를 실온에서 가하고 혼합물을 잠시 교반한다. 미분된 분산 실리카 9중량부와 산화철 안료 0.4중량부를 가한 후 혼합물이 균질하게 될때까지 진공하에서 교반한다. 촉매(디부틸 주석 디아세테이트) 0.02중량부를 가한 후 혼합물이 균질하게 될때까지 진공하에서 교반한다. 크실렌 60중량부를 최종적으로 가하고 혼합물이 균질하게 될때까지 교반한다. 최종적으로, 진공을 잠시 적용시킨다.
[실시예 5]
20℃에서의 점도가 50,000cP인 α,ω-디하이드록시 폴리디메틸실옥산 60중량부, 20℃에서의 점도가 1,400cP인 α,ω-비스-(트리메틸실옥시)-폴리디메틸실옥산 20중량부 및 헥사메틸디실옥산 2중량부의 혼합물을 반응 용기에 도입시킨다. 에틸트리아세톡시실란 5중량부를 실온에서 가하고 잠시 교반한다. 미분된 분산 실리카 9중량부와 산화철 안료 0.4중량부를 가한 후, 혼합물이 균질하게 될때까지 진공하에서 교반한다. 티탄산에스테르 착화합물(디-부톡시-디-아세토아세트산 에스테르 티타네이트) 1.0중량부를 가한 후 혼합물을 잠시 교반한다. 촉매(디부틸 주석 디아세테이트) 0.03중량부를 가한후, 혼합물이 균질하게 될때까지 진공하에서 교반한다. 최종적으로, 크실렌 60중량부를 가하고 혼합물이 균질하게 될때까지 다시 교반한다. 최종적으로, 진공을 잠시 적용시킨다.
[실시예 6]
20℃에서의 점도가 50,000cP인 α,ω-디하이드록시 폴리디메틸실옥산 35중량부와 20℃에서의 점도가 1,400cP인 α,ω-비스-(트리메틸실옥시)-폴리디메틸실옥산 8중량부 혼합물을 반응 용기에 도입시킨다. 티탄산 에스테르 착화합물(디부톡시-디아세토아세트산 에스테르 티타네이트) 4.5중량부를 실온에서 가하고 혼합물을 교반한다. 미분된 분산 실리카 4.5중량부와 백악 40중량부를 (최종적으로 진공하에서) 도입 시킨다. 산화철 안료 1.2중량부와 촉매(디부틸 주석 디라우레이트) 1.4중량부를 가하여 교반한다. 비스-(N-메틸벤즈아미도)-에톡시-메틸실란 4중량부를 가한 후, 최종적으로 이소도데칸 50중량부를 가하고, 혼합물이 균질하게 될때까지 교반한다. 최종적으로, 진공을 잠시 적용시킨다.
[실시예 7]
20℃에서의 점도가 50,000cP인 α,ω-디하이드록시 폴리디메틸실옥산 34중량부와 20℃에서의 점도가 1,400cP인 α,ω-비스-(트리메틸실옥시)-폴리디메틸실옥산 34중량부의 혼합물을 반응용기에 도입시킨다. 티탄산 에스테르 착화합물(디부톡시디아세토아세트산 에스테르 티타네이트) 4중량부, 메틸트리메톡시실란 2중량부 및 γ-글리시딜옥시-프로필트리메톡시실란 0.5중량부를 가하고 교반한다. 백악 30중량부와 산화철 안료 1.2중량부를 가한후, 혼합물을 교반한다. 미분된 분산 실리카 4.5중량부를 가하고 교반한다(최종적으로, 진공을 적용시킨다). 촉매(디부틸 주석 디아세테이트) 0.06중량부를 가한후, 진공하에서 혼합한다. 석유 탄화수소 분획(Esso의 Isopar H) 50중량%를 최종적으로 가하고 혼합물이 균질하게 될때까지 교반한다. 최종적으로, 진공을 잠시 적용시킨다.
[실시예 8]
20℃에서의 점도가 50,000cP인 α,ω-디하이드록시 폴리디메틸실옥산 60중량부와 20℃에서의 점도가 1,400cP인 α,ω-비스-(트리메틸실옥시)-폴리디메틸실옥산 20중량, 및 헥사메틸디실옥산 2중량부의 혼합물을 반응용기에 도입시킨다. 메틸-트리스-(2-부탄온옥심)-실란 5중량부를 실온에서 가하고, 혼합물을 잠시 교반한다. 미분된 분산 실리카 8중량부를 산화철 안료 0.4중량부를 가한 후, 혼합물이 균질하게 될때까지 진공하에서 교반한다. γ-아미노프로필-트리에톡시실란 0.5중량부와 촉매(디부틸 주석 디라우레이트) 0.6중량부를 가한 후, 혼합물이 균질하게 될때까지 진공하에서 교반한다. 최종적으로, 크실렌 60중량부를 가하고, 혼합물이 균질하게 될때까지 교반한다. 이때 최종적으로 진공을 잠시 적용 시킨다.
[실시예 9]
20℃에서의 점도가 50,000cP인 α,ω-디하이드록시 폴리디메틸실옥산 60중량부와 20℃에서의 점도가 1,400cP인 α,ω-비스-(트리메틸실옥시)-폴리디메틸실옥산 20중량부의 혼합물을 반응용기에 도입시킨다. 메틸트리부틸아미노실란 6중량부를 실온에서 가하고, 혼합물을 잠시 교반한다. 미분된 분산 실리카 13중량부와 산화철 안료 0.4중량부를 가한후, 혼합물이 균질하게 될때까지 진공하에서 교반한다. 크실렌 20중량부와 이소도데칸 40중량부를 최종적으로 가하고, 혼합공정의 마지막 단계에 진공을 잠시 적용시키면서 혼합물이 균질하게 될때까지 교반한다.
[실시예 10]
20℃에서의 점도가 50,000cP인 α,ω-디하이드록시 폴리디메틸실옥산 60중량부와 20℃에서의 점도가 1,400cP인 α,ω-비스-(트리메틸실옥시)-폴리디메틸실옥산 20중량부 및 헥사메틸디실옥산 2중량부의 혼합물을 반응용기에 도입시킨다. 에틸트리아세톡시실란 5중량부를 실온에서 가하고 혼합물을 잠시 교반한다. 미분된 분산 실리카 9중량부와 산화철 안료 0.4중량부를 가한후, 혼합물이 균질하게 될때까지 진공하에서 교반한다. 촉매(디부틸 주석 디아세테이트) 0.02중량부를 가한 후, 혼합물이 균질하게 될때까지 교반한다. 최종적으로, 메틸렌 클로라이드 65중량부(출발량 기준)를 가하고, 혼합물이 균질하게 될때까지 교반한다. 최종적으로, 진공을 잠시 적용시킨다.
[실시예 11]
20℃에서의 점도가 50,000cP인 α,ω-디하이드록시 폴리디메틸실옥산 60중량부, 20℃에서의 점도가 1,400cP인 α,ω-비스-(트리메틸실옥시)-폴리디메틸실옥산 20중량부를 반응용기에 도입시킨다. 에틸트리아세톡시실란 5중량부 및 디-3급-부톡시디아세콕시실란 0.9중량부를 실온에서 가하고, 혼합물을 잠시 교반한다. 미분된 분산 실리카 9중량부와 산화철 안료 0.4중량부를 가한후, 혼합물이 균질하게 될때까지 진공하에서 교반한다. 촉매(디부틸 주석 디아세테이트) 0.02중량부를 가한 후, 혼합물이 균질하게 될때까지 진공하에서 교반한다. 이어서, 1,1,1-트리클로로에탄 65중량부(출발량 기준)를 가하고, 혼합물이 균질하게 될때까지 교반한다. 최종적으로, 진공을 잠시 적용시킨다.
빙결방지 실험을 전술한 바와 같은 괴상 물질을 사용하여 수행한다 :
1) 기후실(climatic chamber)내에서의 실험
실시예 4에 따른 물질을 피복된 8×1000×1000mm 크기의 강철판 위에 -21℃의 온도에서 약 25mm두께의 얼음층(해수로부터 수득함)을 형성시킨다. 판을 수직으로 둔다. 피막 두께는 1.5mm이다.
얼음이 형성된 후에 온도를 추가로 12시간 동안 -21℃로 유지시켜 모든 얼음의 온도가 -21℃로 추정될 수 있도록 한다.
실내 온도를 서서히 상승시킨다(2℃/h).
-10℃에서 실리콘 고무에 대한 얼음의 부착력은 얼음이 분리되어 떨어져나갈 정도로 감소된다. 즉, 이 온도에서 얼음과 본 발명에 다른 괴상 물질간의 접착력은 이미 소실된다.
얼음은 실제로 사용된 비닐 피막에 매우 강하게 부착되며 0℃보다 높은 온도에서만 제거될 수 있다.
2) 자연 환경(바람, 온도, 물)과 유사한 기후실내에서의 실험
여러 개의 판(1×500×500mm)을 실시예 1에 따른 괴상 물질로 피복시키고(피막 두께 1.5mm), 기후실 내에서 실험한다(표 1 참조).
[표 1]
Figure kpo00001
판을 실제 조건하에서 일어나는 위치와 근접한 15°각도로 설치하고 얼음 형성을 촉진시킨다.
실험판을 매시간마다 조사하여 표면의 얼음 형성을 기록한다.
[표 2]
Figure kpo00002
유사한 기후조건을 사용하여 실험번호 1 내지 6에서는 실시에 1에 따른 피막으로 실험하고 실험번호 7에서는 표준 비닐 피막으로 실험한다.
이러한 실험을 통해 실리콘 괴상 물질로 처리한 판이 통상적으로 사용되는 비닐 피막으로 처리한 표면과 비교하여 장점이 있음을 알 수 있다.
얼음은 실리콘 고무로 처리한 판으로부터 매우 용이하게 제거되며 특정 크기에 달하면 바람에 의해 제거된다.
대조용으로 사용된 비닐 피막(실험 7)의 경우, 부착력이 응집력보다 훨씬 강해 영구적인 얼음층이 형성될 수 있다.
실험번호 6에서, 위에서 기술한 실험후에 판을 48시간 동안 더 보관한다(바람 또는 해수 부재하). 48시간에 도달한 즈음, 그 주변과 동일하게 얼음이 형성된다. 이와같이 처리한 후에도 특이한 특성 변화는 관찰되지 않으며 얼음은 손으로 용이하게 제거할 수 있다.

Claims (2)

  1. A) 점도가 약 500 내지 2,000,000cP(20℃)인 α, -디하이드록시-폴리디오가노실옥산, C) 가교결합 작용을 갖는 물질, E) 보강작용을 갖거나 갖지 않는 충전제 및 안료와 F) 경화 촉매로부터 제조될 수 있는 폴리실옥산. 괴상 물질(mass)을 물 또는 대기중의 수분의 작용하에 사용하여 이것이 고무상 탄성 괴상 물질로 되도록 변화시켜 지지체 위의 얼음 형성을 방지하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 알킬-트리아세톡시실란을 가교결합 물질 C)로서 사용함을 포함하는 방법.
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