KR950000588A - 싱글모드광파이버모재의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 싱글모드광파이버용 모재의 제조방법에 관한 것으로서, 코어재가 GeO2를 함유한 SiO2로 이루어지고, 클래드재가 고순도의 SiO2로 이루어진 유리모재의 제조에서 컷오프파장의 설계치로부터의 어긋남이 적은 광파이버를 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 하며, 그 구성에 있어서, 코어용 다공질유리체를 가열에 의해 직경축소할 때에, 그 직경축소율을 0.90을 초과하는 값으로 하면, 코어의 굴절율분포곡성에 있어서의 「스파이크」를 억제할 수 있고, 또한, 컷오프파장의 설계치로부터의 어긋남을 작게 억제할 수 있는 것이 판명되었다. 따라서, 코어형성용 버너에 의해 생성된 SiO2미립자 및 GeO2미립자를 퇴적해서 회전하는 출발막대의 선단으로부터 축방향으로 코어용 다공질유리체를 성장시키는 제1의 스텝과 코어용 다공질유리체를 성장시키면서, 성장후의 코어용 다공질유리체를 가열수단에 의해서 가열하므로서 직경축소시키는 제2의 스텝과, 코어용 다공질유리체의 성장 및 직경축소를 행하면서, 클래드형성용 버너에 의해 생성된 SiO2미립자를 퇴적해서 직경축소후의 코어용 다공질유리체의 외주에 클래드용 다공질유리층을 형성하는 제3의 스텝을 구비하고, 제2의 스텝에 의한 직경축소후의 코어용 다공질유리체의 외경이, 직경축소전의 외경의 0.90배를 초과하고 있는 것을 특징으로 한 것이다.

Description

싱글모드광파이버모재의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제8도는 직경축소하지 않는 경우의 다공질모재의 용적밀도와 방사(紡絲)된 광파이버의 굴절율분포의 관계를 표시한 도면.

Claims (4)

  1. 코어형성용 버너에 의해 생성된 SiO2미립자 및 GeO2미립자를 퇴적해서 회전하는 출발막대의 선단부로부터 축방향으로 코어용 다공질유리체를 성장시키는 제1의 스텝과, 상기 코어용 다공질유리체를 성장시키면서, 성장후의 상기 코어용 다공질유리체를 가열수단에 의해서 가열하므로서 직경축소시키는 제2의 스텝과, 상기 코어용 다공질유리체의 성장 및 직경축소를 행하면서, 클래드형성용 버너에 의해 생성된 SiO2미립자를 퇴적해서 직경축소후의 상기 코어용 다공질유리체의 외주에 클래드용 다공질유리층을 형성하는 제3의 스텝을 구비하고, 상기 제2의 스텝에 의한 상기 직경축소후의 상기 코어용 다공질유리체의 외경이, 직경축소전의 외경의 0.90배를 초과하고 있는 것을 특징으로 하는 싱글모드광파이버모재의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가열수단은, 상기 코어형성용 버너와 상기 클래드형성용 버너의 사이에 설치되어 산수소화염에 의해 상기 코어용 다공질유리체를 가열하는 버너인 것을 특징으로 하는 싱글모드광파이버 모재의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2의 스텝에 의한 상기 직경축소후의 상기 코어용 다공질유리체의 외경이, 직경축소전의 외경이 0.98배 이하인 것을 특징으로 하는 싱글모드광파이버모재의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1의 스텝은, 상기 코어용 다공질유리체를 성장시키면서, 상기 직경축소전의 상기 코어용 다공질유리체의 외경을 측정하는 스텝을 포함하며, 상기 제2의 스텝은, 상기 코어용 다공질유리체를 직경축소하면서, 당해 직경축소후의 상기 코어용 다공질유리체의 외경을 측정하는 스텝을 포함하고, 상기 가열수단에 의한 가열은, 상기 측정된 상기 직경축소후의 외경이 상기 직경축소전의 외경의 0.90배를 초과하도록 제어되는 것을 특징으로 하는 싱글모드광파이버모재의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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