KR950000295A - 고온의 무연 주석 기제 납땜 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 무연의 고 고상온도를 갖는 Sn을 고함량으로 함유하는 합금에 관한 것이다. 상기 납땜 합금은 과량 즉, 약 90중량％의 Sn 및 효과량의 Ag 및 Bi를 함유하여, 임의로 Sb 또는 Sb 및 Cu를 함유하기로 한다. 본 발명에 따른 또다른 합금은 Ag 및 Sb와, 임의로 Bi를 함유하는 것이다.

Description

고온의 무연 주석 기제 납땜 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (24)

  1. 적어도 약 90중량％의 Sn 및 잔여량의 Ag 및 Bi를 함유함을 특징으로 하는 고 고상온도 및 고 사용온도를 갖는 고강도 다성분 납땜 합금.
  2. 제1항에 있어서, Sn 약 95.0－95.5중량％, Ag 약 2.5－3.0중량％ 및 Bi 약 2.0중량％를 함유함을 특징으로 하는 납땜 합금.
  3. 제1항에 있어서, Sb를 더욱 함유함을 특징으로 하는 납땜 합금.
  4. 제3항에 있어서, Sn 약 93.5－94.0중량％, Ag 약 2.5－3.0중량％, Bi 약 1.0－2.0중량％ 및 Sb 약 1.0－2.0중량％를 함유함을 특징으로 하는 남땜 합금.
  5. 제3항에 있어서, Cu를 더욱 함유함을 특징으로 하는 납땜 합금.
  6. 제3항에 있어서, Sn 약 93.5－94.0중량％, Ag 약 2.5－3.0중량％, Bi 약 1.0－2.0중량％ 및 Sb 약 1.0－2.0중량％ 및 Cu 약 1.0중량％를 함유함을 특징으로 하는 남땜 합금.
  7. 적어도 약 90중량％의 Sn 및 잔여량의 Ag 및 Sb를 함유함을 특징으로 하는 고 고상온도 및 고 사용온도를 갖는 고강도 다성분 납땜 합금.
  8. 제7항에 있어서, Sn 약 94.0－95.0중량％, Ag 약 2.5－3.5중량％ 및 Sb 약 2.0중량％를 함유함을 특징으로 하는 납땜 합금.
  9. 제8항에 있어서, Bi를 더욱 함유함을 특징으로 하는 납땜 합금.
  10. 제9항에 있어서, Sn 약 93.5－94.0중량％, Ag 약 2.5－3.0중량％, Bi 약 1.0－2.0중량％ 및 Sb 약 1.0－2.0중량％를 함유함을 특징으로 하는 납땜 합금.
  11. a) 적어도 약 90중량％의 Sn 및 잔여량의 Ag 및 Bi를 함유하는 납댐 합금을 집적 회로칩의 전기접촉부에 부착시키는 단계； (b) 회로화된 기판의 전기 리드를 상기 집적 회로 칩의 전기 접촉부상에서 상기 납땜 합금과 접촉시키는 단계； 및 (c) 상기 납땜 합금을 가열하여 상기 납땜 합금을 회로화된 기판의 전기 리드에 습윤 및 결합시키는 단계를 포함함을 특징으로 하는 집적 회로 칩을 회로화된 기판에 전기적으로 접속시키는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 회로화된 기판의 전기 리드가 패드, 와이어 리드 및 탭 내부 리드 접속체로 이루어진 군으로부터 선택됨을 특징으로 하는 방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 납땜 합금이 Sn 약 95.0－95.5중량％, Ag 약 2.5－3.0중량％ 및 Bi 약 2.0중량％를 함유함을 특징으로 하는 방법.
  14. 제11항에 있어서, 상기 납땜 합금이 Sb를 더욱 함유함을 특징으로 하는 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 납땜 합금이 Sn 약 93.5－94.0중량％, Ag 약 2.5－3.0중량％, Bi 약 1.0－2.0중량％을 함유함을 특징으로 하는 방법.
  16. 제14항에 있어서, 상기 납땜 합금이 Cu를 더욱 함유함을 특징으로 하는 방법.
  17. 제14항에 있어서, 상기 납땜 합금이 Sn 약 93.5－94.0중량％, Ag 약 2.5－3.0중량％, Bi 약 1.0－2.0중량％ 및 Sb 약 1.0－2.0중량％ 및 Cu 약 1.0중량％를 함유함을 특징으로 하는 방법.
  18. (a) 적어도 약 90중량％의 Sn 및 잔여량의 Ag 및 Sb를 함유하는 납땜 합금이 집적 회로 칩의 전기 접촉상에 부착시키는 단계； (b) 회로화된 기판의 전기 리드를 상기 집적 회로 칩의 전기 접촉부상에서 상기 납땜 합금과 접촉시키는 단계； 및 (c) 상기 납땜 합금을 가열하여 상기 납땜 합금을 회로화된 기판의 전기 리드에 습윤 및 결합시키는 단계를 포함함을 특징으로 하는 집적 회로 칩을 회로화된 기판에 전기적으로 접속시키는 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 회로화된 기판의 전기 리드가 패드, 와이어 리드 및 탭 내부 리드 접속체로 이루어진 군으로부터 선택됨을 특징으로 하는 방법.
  20. 제18항에 있어서, 상기 납땜 합금이 Sn 약 94.0－95.0중량％, Ag 약 2.5－3.5중량％ 및 Sb 약 2.0중량％를 함유함을 특징으로 하는 방법.
  21. 제18항에 있어서, 상기 납땜 합금이 Bi를 더욱 함유함을 특징으로 하는 방법.
  22. 제18항에 있어서, 상기 남땜 함금이 Sn 약 93.5－94.0중량％, Ag 약 2.5－3.0중량％, Bi 약 1.0－2.0중량％ 및 Sb 약 1.0－2.0중량％를 함유함을 특징으로 하는 방법.
  23. 회로화된 칩 캐리어, 반도체 집적 회로 칩, 및 상기 회로화된 칩 캐리어와 상기 반도체 집적 회로 칩간의 합금 전기 납땜 내부결합부를 함유하며, 상기 합금이 적어도 약 90중량％의 Sn 및 잔여량의 Ag 및 Bi를 함유함을 특징으로 하는 집적회로 칩 모듈.
  24. 회로화된 칩 캐리어, 반도체 집적회로 칩, 및 상기 회로화된 칩 캐리어와 상기 반도체 집적회로 칩간의 합금 전기 납땜 내부 결합부를 함유하며, 상기 합금이 적어도 약 90중량％의 Sn 및 잔여량의 Ag 및 Sb를 함유함을 특징으로 하는 집적회로 칩 모듈.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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