KR940704051A - 연장된 수명의 시준기(Extended lifetime collimator) - Google Patents

연장된 수명의 시준기(Extended lifetime collimator)

Info

Publication number
KR940704051A
KR940704051A KR1019940702084A KR19940702084A KR940704051A KR 940704051 A KR940704051 A KR 940704051A KR 1019940702084 A KR1019940702084 A KR 1019940702084A KR 19940702084 A KR19940702084 A KR 19940702084A KR 940704051 A KR940704051 A KR 940704051A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
collimator
target
sputter coating
passage
Prior art date
Application number
KR1019940702084A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100260663B1 (ko
Inventor
디. 헐위트 스티븐
Original Assignee
투그둘 야살
머티리얼즈 리써치 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 투그둘 야살, 머티리얼즈 리써치 코포레이션 filed Critical 투그둘 야살
Publication of KR940704051A publication Critical patent/KR940704051A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100260663B1 publication Critical patent/KR100260663B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3447Collimators, shutters, apertures
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C23C14/044Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks using masks to redistribute rather than totally prevent coating, e.g. producing thickness gradient
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering

Abstract

음극 스퍼터링용 개선되, 수명이 연장된 시준기(11)는 시준기의 타게트(13)측으로부터 웨이퍼(14)측으로 종방향으로 테이퍼진 다수의 통로(20)를 가진다. 이러한 종방향으로의 테이퍼는 대체로 시준기9110의 타게트측상의 노출된 표면상의 스퍼터된 입자의 누적에 의해 발생되는 시준기의 사용 수명 및 웨이퍼 침착율의 역효과를 감소시킨다. 종래의 시준기에 비교할 때, 이러한 시준기(11)는 교체 또는 세척되기 전에 보다 많은 수의 웨이퍼(14)를 스퍼터 코팅하는데 이용될 수 있으므로 처리능력을 향상시킨다.

Description

연장된 수명의 시준기(Extended lifetime collimator)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 양호한 실시예에 따른 수명이 연장된 시준기를 갖춘 스퍼터링 챔버를 단면으로 도시한 개략도이다, 제1A도는 스퍼터링전의 시준기의 부분 평면도이다, 제2도는 스퍼터링전의 제1A도에 도시한 시준기의 몇몇 유닛 셀을 단면으로 도시한 확대 개략도이다, 제3도 및 제4도는 스퍼터링중에 유닛 셀의 측벽상에 스퍼터된 입자들이 점차 누적됨을 도시한, 제2도와 유사한 확대 단면 개략도이다, 제5도는 스퍼터링전의 종래의 시준기를 단면으로 도시한 확대 개략도이다, 제6도는 스퍼터된 입자들이 어느정도 누적된 후의 종래 시준기를 도시한 제5도와 유사한 확대 단면 개략도이다, 제7도는 본 발명의 대안적 실시예에 따른 수명이 연장된 시준기를 단면으로 도시한 개략도이다.

Claims (13)

  1. 진공가능한 챔버와; 상기 챔버내에 장착된 스퍼터 타게트와; 상기 타게트와 대향되게 상기 챔버내에 장착된 웨이퍼와; 상기 타게트와 상기 웨이퍼 사이에 장착된 시준기를 포함하며, 상기 시준기는 상기 시준기를 통하여 연장하는 다수의 통로를 가지며, 각각의 상기 통로는 상기 시준기의 타게트측상에 비교적 큰 영역의 입구와 상기 시준기의 웨이퍼측상에 비교적 작은 영역의 출구를 가지며, 상기 통로는 상기 비교적 큰 영역의 입구로부터 상기 비교적 작은 영역의 출구까지 길이방향으로 데이퍼진 것을 특징으로 하는 스퍼터 코팅 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 시준기는 단일의 단편 구조인 것을 특징으로 하는 스퍼터 코팅 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 시준기는 알루미늄, 구리, 스테인레스 강 및 티타늄중의 한 성분으로 형성된 것을 특징으로 하는 스퍼터 코팅 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 통로는 횡단면이 원형이고 종단면이 사다리꼴인 원추형인 것을 특징으로 하는 스퍼터 코팅 장치.
  5. 제4항에 있어서, 각각의 상기 통로에 대하여, 입구축 개방 영역 대 출구측 개방 영역의 비가 약 1.2 : 1 내지 2.0 : 1의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터 코팅 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 시준기는 상기 타게트와 상기 웨이퍼에 평행하게 정렬된 적어도 3개의 평행판을 추가로 포함하며, 각각의 상기 판은 다수의 관통 구멍을 가지며, 각각의 상기 데이퍼진 통로는 다수의 정렬된 관통 구멍들로 한정되는 것을 특징으로 하는 스퍼터 코팅 장치.
  7. 제6항에 있어서, 각각의 상기 관통 구멍은 횡단면이 원형인 것을 특징으로 하는 스퍼터 코팅 장치.
  8. 제7항에 있어서, 각각의 상기 통로에 대하여, 입구축 개방 영역 대 출구측 개방 영역의 비는 약 1.2 : 1 내지 2.0 : 1의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터 코팅 장치.
  9. 진공가능한 챔버와; 상기 챔버내에 장착된 스퍼터 타게트와; 상기 타게트와 대향되게 상기 챔버내에 장착된 웨이퍼와; 상기 타게트와 상기 웨이퍼 사이에 장착된 시준기를 포함하며, 상기 시준기는 상기 데이퍼로부터 상기 웨이퍼까지 스퍼터된 입자들을 통과시키는 다수의 개방 유닛 셀을 가지며, 상기 유닛 셀은 종단면이 사다리꼴이고 상기 시준기의 웨이퍼측 단부에서 횡단면의 최소 유효 개방 영역을 가지는 것을 특징으로 하는 스퍼터 코팅 장치.
  10. 스퍼터 코팅 챔버내에서 타게트와 웨이퍼 사이에 시준기를 설치하는 단계와; 상기 타게트로부터 상기 웨이퍼로 입자들을 스퍼터링하고, 상기 시준기의 내부벽상에 접촉하는 상기 스퍼터된 입자중 몇몇을 차단하며, 상기 스퍼터된 입자중 몇몇은 데이퍼진 통로로 통과하도록 하는 단계를 포함하며, 상기 시준기는 내부벽에 의해 한정된 다수의 통로를 가지며, 상기 내부벽은 상기 시준기의 웨이퍼측보다 타게트측의 두께가 작아서 상기 각각의 통로는 상기 타게트로부터 상기 웨이퍼까지 길이방향의 안쪽으로 데이퍼지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 스퍼터 코팅 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 타게트와 상기 웨이퍼 사이에 대체로 평행하게 배향된 다수의 시준기판을 정렬시키는 단계를 추가로 포하하며, 상기 각각의 판은 그 안에 형성된 다수의 구멍을 가지며, 상기 테이퍼진 각각의 통로는 다수의 정렬된 구멍에 의해 한정되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 스퍼터 코팅 방법.
  12. 스퍼터링 챔버내에서 타게트에 대향 장착된 웨이퍼의 스퍼터 코팅중에 이용하기 위한 웨이퍼 처리 콤포넌트에 있어서, 스퍼터된 입자들을 타게트로부터 웨이퍼로 통과시키는 다수의 통로를 가지는 시준기를 포함하며, 상기 통로는 상기 시준기의 타게트측으로부터 웨이퍼측까지 길이방향으로 안쪽으로 테이퍼지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 콤포넌트.
  13. 제12항에 있어서, 상기 통로는 횡단면이 원형이고 종단면이 사다리꼴이며, 상기 원형 단면의 면적이 상기 타게트측으로부터 상기 웨이퍼측으로 감소되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 콤포넌트.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940702084A 1991-12-30 1992-12-29 연장된 수명의 시준기 KR100260663B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/816,030 US5223108A (en) 1991-12-30 1991-12-30 Extended lifetime collimator
US816.030 1991-12-30
US816,030 1991-12-30
PCT/US1992/011272 WO1993013542A1 (en) 1991-12-30 1992-12-29 Extended lifetime collimator

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940704051A true KR940704051A (ko) 1994-12-12
KR100260663B1 KR100260663B1 (ko) 2000-07-01

Family

ID=25219508

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940702084A KR100260663B1 (ko) 1991-12-30 1992-12-29 연장된 수명의 시준기

Country Status (10)

Country Link
US (1) US5223108A (ko)
EP (1) EP0619916B1 (ko)
JP (1) JP3469239B2 (ko)
KR (1) KR100260663B1 (ko)
AU (1) AU3335993A (ko)
CA (1) CA2125180A1 (ko)
DE (1) DE69209319T2 (ko)
SG (1) SG49698A1 (ko)
TW (1) TW221064B (ko)
WO (1) WO1993013542A1 (ko)

Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6521106B1 (en) 1990-01-29 2003-02-18 Novellus Systems, Inc. Collimated deposition apparatus
IL102120A (en) * 1992-06-05 1994-08-26 Persys Technology Ltd Mask, assembly and method that enable quality control of equipment for the production of semiconductor slice chips
CA2111536A1 (en) * 1992-12-16 1994-06-17 Geri M. Actor Collimated deposition apparatus
US5346601A (en) * 1993-05-11 1994-09-13 Andrew Barada Sputter coating collimator with integral reactive gas distribution
US5403459A (en) * 1993-05-17 1995-04-04 Applied Materials, Inc. Cleaning of a PVD chamber containing a collimator
US5362372A (en) * 1993-06-11 1994-11-08 Applied Materials, Inc. Self cleaning collimator
KR960005377Y1 (ko) * 1993-06-24 1996-06-28 현대전자산업 주식회사 반도체 소자 제조용 스퍼터링 장치
JPH0718423A (ja) * 1993-07-06 1995-01-20 Japan Energy Corp 薄膜形成装置
US5415753A (en) * 1993-07-22 1995-05-16 Materials Research Corporation Stationary aperture plate for reactive sputter deposition
DE4325051C1 (de) * 1993-07-26 1994-07-07 Siemens Ag Anordnung zur Abscheidung einer Schicht auf einer Substratscheibe durch Kathodenstrahlzerstäuben und Verfahren zu deren Betrieb
US5382339A (en) * 1993-09-17 1995-01-17 Applied Materials, Inc. Shield and collimator pasting deposition chamber with a side pocket for pasting the bottom of the collimator
US5478455A (en) * 1993-09-17 1995-12-26 Varian Associates, Inc. Method for controlling a collimated sputtering source
US5958193A (en) * 1994-02-01 1999-09-28 Vlsi Technology, Inc. Sputter deposition with mobile collimator
US5484640A (en) * 1994-02-16 1996-01-16 Eldim, Inc. Honeycomb structure having stiffening ribs and method and apparatus for making same
KR970009828B1 (en) * 1994-02-23 1997-06-18 Sansung Electronics Co Ltd Fabrication method of collimator
US5711858A (en) * 1994-04-12 1998-01-27 International Business Machines Corporation Process for depositing a conductive thin film upon an integrated circuit substrate
EP0682125A1 (en) * 1994-05-11 1995-11-15 Applied Materials, Inc. Controlling material sputtered from a target
KR960002532A (ko) * 1994-06-29 1996-01-26 김광호 스퍼터링 장치
US5616218A (en) * 1994-09-12 1997-04-01 Matereials Research Corporation Modification and selection of the magnetic properties of magnetic recording media through selective control of the crystal texture of the recording layer
US5527438A (en) * 1994-12-16 1996-06-18 Applied Materials, Inc. Cylindrical sputtering shield
US5516403A (en) * 1994-12-16 1996-05-14 Applied Materials Reversing orientation of sputtering screen to avoid contamination
US5643428A (en) * 1995-02-01 1997-07-01 Advanced Micro Devices, Inc. Multiple tier collimator system for enhanced step coverage and uniformity
US5885425A (en) * 1995-06-06 1999-03-23 International Business Machines Corporation Method for selective material deposition on one side of raised or recessed features
US5653811A (en) 1995-07-19 1997-08-05 Chan; Chung System for the plasma treatment of large area substrates
US5705042A (en) * 1996-01-29 1998-01-06 Micron Technology, Inc. Electrically isolated collimator and method
US5985102A (en) * 1996-01-29 1999-11-16 Micron Technology, Inc. Kit for electrically isolating collimator of PVD chamber, chamber so modified, and method of using
US5863396A (en) * 1996-10-25 1999-01-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for fabricating a wafer spacing mask on a substrate support chuck
GB9701114D0 (en) * 1997-01-20 1997-03-12 Coherent Optics Europ Ltd Three-dimensional masking method for control of optical coating thickness
US6168832B1 (en) 1997-01-20 2001-01-02 Coherent, Inc. Three-dimensional masking method for control of coating thickness
KR100278190B1 (ko) * 1997-02-19 2001-01-15 미다라이 후지오 박막형성장치및이를이용한박막형성방법
US6000270A (en) * 1997-06-03 1999-12-14 Sjm Engineering, Inc. Collimator having tapered edges and method of making the same
US6030513A (en) * 1997-12-05 2000-02-29 Applied Materials, Inc. Full face mask for capacitance-voltage measurements
US6096404A (en) * 1997-12-05 2000-08-01 Applied Materials, Inc. Full face mask for capacitance-voltage measurements
US6036821A (en) * 1998-01-29 2000-03-14 International Business Machines Corporation Enhanced collimated sputtering apparatus and its method of use
US6269765B1 (en) * 1998-02-11 2001-08-07 Silicon Genesis Corporation Collection devices for plasma immersion ion implantation
US6274459B1 (en) 1998-02-17 2001-08-14 Silicon Genesis Corporation Method for non mass selected ion implant profile control
US6287436B1 (en) 1998-02-27 2001-09-11 Innovent, Inc. Brazed honeycomb collimator
US6482301B1 (en) 1998-06-04 2002-11-19 Seagate Technology, Inc. Target shields for improved magnetic properties of a recording medium
US6592728B1 (en) * 1998-08-04 2003-07-15 Veeco-Cvc, Inc. Dual collimated deposition apparatus and method of use
US6261406B1 (en) * 1999-01-11 2001-07-17 Lsi Logic Corporation Confinement device for use in dry etching of substrate surface and method of dry etching a wafer surface
US6458723B1 (en) 1999-06-24 2002-10-01 Silicon Genesis Corporation High temperature implant apparatus
JP3529676B2 (ja) * 1999-09-16 2004-05-24 株式会社東芝 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US7556740B2 (en) * 2002-08-27 2009-07-07 Kyocera Corporation Method for producing a solar cell
US7556741B2 (en) * 2002-08-28 2009-07-07 Kyocera Corporation Method for producing a solar cell
US7459098B2 (en) * 2002-08-28 2008-12-02 Kyocera Corporation Dry etching apparatus, dry etching method, and plate and tray used therein
US20040086639A1 (en) * 2002-09-24 2004-05-06 Grantham Daniel Harrison Patterned thin-film deposition using collimating heated mask asembly
JP4200290B2 (ja) * 2003-05-21 2008-12-24 パナソニック株式会社 マスクユニット
JP4923450B2 (ja) * 2005-07-01 2012-04-25 富士ゼロックス株式会社 バッチ処理支援装置および方法、プログラム
US20070012558A1 (en) * 2005-07-13 2007-01-18 Applied Materials, Inc. Magnetron sputtering system for large-area substrates
US20070012663A1 (en) * 2005-07-13 2007-01-18 Akihiro Hosokawa Magnetron sputtering system for large-area substrates having removable anodes
US20070084720A1 (en) * 2005-07-13 2007-04-19 Akihiro Hosokawa Magnetron sputtering system for large-area substrates having removable anodes
US20070012559A1 (en) * 2005-07-13 2007-01-18 Applied Materials, Inc. Method of improving magnetron sputtering of large-area substrates using a removable anode
US20070051616A1 (en) * 2005-09-07 2007-03-08 Le Hienminh H Multizone magnetron assembly
US20070056843A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 Applied Materials, Inc. Method of processing a substrate using a large-area magnetron sputtering chamber with individually controlled sputtering zones
US7588668B2 (en) 2005-09-13 2009-09-15 Applied Materials, Inc. Thermally conductive dielectric bonding of sputtering targets using diamond powder filler or thermally conductive ceramic fillers
US20070056850A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 Applied Materials, Inc. Large-area magnetron sputtering chamber with individually controlled sputtering zones
TW201213572A (en) * 2010-09-29 2012-04-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Sputtering apparatus
JP5985581B2 (ja) * 2014-11-05 2016-09-06 株式会社東芝 処理装置及びコリメータ
US9543126B2 (en) * 2014-11-26 2017-01-10 Applied Materials, Inc. Collimator for use in substrate processing chambers
US9887073B2 (en) * 2015-02-13 2018-02-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Physical vapor deposition system and physical vapor depositing method using the same
KR20180063347A (ko) 2015-10-27 2018-06-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Pvd 스퍼터 챔버를 위한 바이어스가능 플럭스 최적화기/콜리메이터
JP6088083B1 (ja) * 2016-03-14 2017-03-01 株式会社東芝 処理装置及びコリメータ
KR102056735B1 (ko) * 2016-03-14 2019-12-17 가부시끼가이샤 도시바 처리 장치 및 콜리메이터
US11424112B2 (en) * 2017-11-03 2022-08-23 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Transparent halo assembly for reduced particle generation

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA738393A (en) * 1966-07-12 W. Gow Gordon Sputtering mask
US3483114A (en) * 1967-05-01 1969-12-09 Victory Eng Corp Rf sputtering apparatus including a wave reflector positioned behind the target
GB1314040A (en) * 1970-10-29 1973-04-18 Howorth Air Conditioning Ltd Textile yarn processing machines
US3864239A (en) * 1974-04-22 1975-02-04 Nasa Multitarget sequential sputtering apparatus
US3932232A (en) * 1974-11-29 1976-01-13 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Suppression of X-ray radiation during sputter-etching
DE2739058C3 (de) * 1977-08-30 1980-04-03 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Mehrlagige Maske für Sputter-Lochmaskensysteme
US4322277A (en) * 1980-11-17 1982-03-30 Rca Corporation Step mask for substrate sputtering
JPS5867016A (ja) * 1981-10-19 1983-04-21 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 薄膜の製造方法
JPS59220912A (ja) * 1983-05-31 1984-12-12 Fujitsu Ltd スパツタリング装置
US4508612A (en) * 1984-03-07 1985-04-02 International Business Machines Corporation Shield for improved magnetron sputter deposition into surface recesses
JPS6175514A (ja) * 1984-09-21 1986-04-17 Hitachi Ltd 処理装置
KR900001825B1 (ko) * 1984-11-14 1990-03-24 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼 성막 지향성을 고려한 스퍼터링장치
JPH0348204Y2 (ko) * 1985-03-20 1991-10-15
JPS61243167A (ja) * 1985-04-17 1986-10-29 Anelva Corp スパツタ装置
US4661203A (en) * 1985-06-28 1987-04-28 Control Data Corporation Low defect etching of patterns using plasma-stencil mask
JPS627855A (ja) * 1985-07-05 1987-01-14 Hitachi Ltd スパツタリング装置
JPS6217173A (ja) * 1985-07-15 1987-01-26 Ulvac Corp 平板マグネトロンスパツタ装置
JPS63176470A (ja) * 1987-01-14 1988-07-20 Fujitsu Ltd スパツタ装置
JPH0660391B2 (ja) * 1987-06-11 1994-08-10 日電アネルバ株式会社 スパッタリング装置
US4824544A (en) * 1987-10-29 1989-04-25 International Business Machines Corporation Large area cathode lift-off sputter deposition device
US4830723A (en) * 1988-06-22 1989-05-16 Avx Corporation Method of encapsulating conductors
DE69129081T2 (de) * 1990-01-29 1998-07-02 Varian Associates Gerät und Verfahren zur Niederschlagung durch einen Kollimator

Also Published As

Publication number Publication date
DE69209319D1 (de) 1996-04-25
WO1993013542A1 (en) 1993-07-08
SG49698A1 (en) 1998-06-15
JP3469239B2 (ja) 2003-11-25
AU3335993A (en) 1993-07-28
CA2125180A1 (en) 1993-07-08
JPH07502786A (ja) 1995-03-23
DE69209319T2 (de) 1996-11-07
US5223108A (en) 1993-06-29
EP0619916B1 (en) 1996-03-20
TW221064B (ko) 1994-02-11
EP0619916A1 (en) 1994-10-19
KR100260663B1 (ko) 2000-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940704051A (ko) 연장된 수명의 시준기(Extended lifetime collimator)
KR100761592B1 (ko) 경사진 스퍼터링 타겟 및 그 제조 방법
CN100421206C (zh) 离子束辐照装置和用于该装置的绝缘隔离物
US6319419B1 (en) Method of manufacturing member for thin-film formation apparatus and the member for the apparatus
US4472259A (en) Focusing magnetron sputtering apparatus
US5415753A (en) Stationary aperture plate for reactive sputter deposition
KR890000158B1 (ko) 스펏터링(Sputtering)장치
KR20060123504A (ko) 물리증착 표적 구조체
US6036821A (en) Enhanced collimated sputtering apparatus and its method of use
US20130180850A1 (en) Magnetron sputtering apparatus
US5393398A (en) Magnetron sputtering apparatus
KR19980070371A (ko) 백-스퍼터링 시일드
JP2005530919A (ja) 基板への蒸着材料の指向型積層装置
US20190211444A1 (en) Semiconductor process kit with 3d profiling
DE112013006746B4 (de) Sputtergerät
EP0955667B1 (de) Target für eine Kathodenzerstäubungsvorrichtung zur Herstellung dünner Schichten
JPH09283493A (ja) プラズマエッチング用電極及びプラズマエッチング装置
JP4439652B2 (ja) 薄膜形成装置用部材及びその製造方法
JP3151031B2 (ja) マグネトロンスパッタ装置
US20130140172A1 (en) In-line sputtering apparatus
KR19990020775U (ko) 반도체 스퍼터링장치의 콜리메이터
WO2005007924A1 (en) Sputtering target constructions
KR200198438Y1 (ko) 반도체 제조용 절연체의 이물질 분석장치
US20190062908A1 (en) Semiconductor process kit with nano structures
JP2001026862A (ja) スパッタリングターゲットおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120322

Year of fee payment: 13

EXPY Expiration of term