KR940704051A - 연장된 수명의 시준기(Extended lifetime collimator) - Google Patents
연장된 수명의 시준기(Extended lifetime collimator)Info
- Publication number
- KR940704051A KR940704051A KR1019940702084A KR19940702084A KR940704051A KR 940704051 A KR940704051 A KR 940704051A KR 1019940702084 A KR1019940702084 A KR 1019940702084A KR 19940702084 A KR19940702084 A KR 19940702084A KR 940704051 A KR940704051 A KR 940704051A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- collimator
- target
- sputter coating
- passage
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3447—Collimators, shutters, apertures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
- C23C14/044—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks using masks to redistribute rather than totally prevent coating, e.g. producing thickness gradient
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
음극 스퍼터링용 개선되, 수명이 연장된 시준기(11)는 시준기의 타게트(13)측으로부터 웨이퍼(14)측으로 종방향으로 테이퍼진 다수의 통로(20)를 가진다. 이러한 종방향으로의 테이퍼는 대체로 시준기9110의 타게트측상의 노출된 표면상의 스퍼터된 입자의 누적에 의해 발생되는 시준기의 사용 수명 및 웨이퍼 침착율의 역효과를 감소시킨다. 종래의 시준기에 비교할 때, 이러한 시준기(11)는 교체 또는 세척되기 전에 보다 많은 수의 웨이퍼(14)를 스퍼터 코팅하는데 이용될 수 있으므로 처리능력을 향상시킨다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 양호한 실시예에 따른 수명이 연장된 시준기를 갖춘 스퍼터링 챔버를 단면으로 도시한 개략도이다, 제1A도는 스퍼터링전의 시준기의 부분 평면도이다, 제2도는 스퍼터링전의 제1A도에 도시한 시준기의 몇몇 유닛 셀을 단면으로 도시한 확대 개략도이다, 제3도 및 제4도는 스퍼터링중에 유닛 셀의 측벽상에 스퍼터된 입자들이 점차 누적됨을 도시한, 제2도와 유사한 확대 단면 개략도이다, 제5도는 스퍼터링전의 종래의 시준기를 단면으로 도시한 확대 개략도이다, 제6도는 스퍼터된 입자들이 어느정도 누적된 후의 종래 시준기를 도시한 제5도와 유사한 확대 단면 개략도이다, 제7도는 본 발명의 대안적 실시예에 따른 수명이 연장된 시준기를 단면으로 도시한 개략도이다.
Claims (13)
- 진공가능한 챔버와; 상기 챔버내에 장착된 스퍼터 타게트와; 상기 타게트와 대향되게 상기 챔버내에 장착된 웨이퍼와; 상기 타게트와 상기 웨이퍼 사이에 장착된 시준기를 포함하며, 상기 시준기는 상기 시준기를 통하여 연장하는 다수의 통로를 가지며, 각각의 상기 통로는 상기 시준기의 타게트측상에 비교적 큰 영역의 입구와 상기 시준기의 웨이퍼측상에 비교적 작은 영역의 출구를 가지며, 상기 통로는 상기 비교적 큰 영역의 입구로부터 상기 비교적 작은 영역의 출구까지 길이방향으로 데이퍼진 것을 특징으로 하는 스퍼터 코팅 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 시준기는 단일의 단편 구조인 것을 특징으로 하는 스퍼터 코팅 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 시준기는 알루미늄, 구리, 스테인레스 강 및 티타늄중의 한 성분으로 형성된 것을 특징으로 하는 스퍼터 코팅 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 통로는 횡단면이 원형이고 종단면이 사다리꼴인 원추형인 것을 특징으로 하는 스퍼터 코팅 장치.
- 제4항에 있어서, 각각의 상기 통로에 대하여, 입구축 개방 영역 대 출구측 개방 영역의 비가 약 1.2 : 1 내지 2.0 : 1의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터 코팅 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 시준기는 상기 타게트와 상기 웨이퍼에 평행하게 정렬된 적어도 3개의 평행판을 추가로 포함하며, 각각의 상기 판은 다수의 관통 구멍을 가지며, 각각의 상기 데이퍼진 통로는 다수의 정렬된 관통 구멍들로 한정되는 것을 특징으로 하는 스퍼터 코팅 장치.
- 제6항에 있어서, 각각의 상기 관통 구멍은 횡단면이 원형인 것을 특징으로 하는 스퍼터 코팅 장치.
- 제7항에 있어서, 각각의 상기 통로에 대하여, 입구축 개방 영역 대 출구측 개방 영역의 비는 약 1.2 : 1 내지 2.0 : 1의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터 코팅 장치.
- 진공가능한 챔버와; 상기 챔버내에 장착된 스퍼터 타게트와; 상기 타게트와 대향되게 상기 챔버내에 장착된 웨이퍼와; 상기 타게트와 상기 웨이퍼 사이에 장착된 시준기를 포함하며, 상기 시준기는 상기 데이퍼로부터 상기 웨이퍼까지 스퍼터된 입자들을 통과시키는 다수의 개방 유닛 셀을 가지며, 상기 유닛 셀은 종단면이 사다리꼴이고 상기 시준기의 웨이퍼측 단부에서 횡단면의 최소 유효 개방 영역을 가지는 것을 특징으로 하는 스퍼터 코팅 장치.
- 스퍼터 코팅 챔버내에서 타게트와 웨이퍼 사이에 시준기를 설치하는 단계와; 상기 타게트로부터 상기 웨이퍼로 입자들을 스퍼터링하고, 상기 시준기의 내부벽상에 접촉하는 상기 스퍼터된 입자중 몇몇을 차단하며, 상기 스퍼터된 입자중 몇몇은 데이퍼진 통로로 통과하도록 하는 단계를 포함하며, 상기 시준기는 내부벽에 의해 한정된 다수의 통로를 가지며, 상기 내부벽은 상기 시준기의 웨이퍼측보다 타게트측의 두께가 작아서 상기 각각의 통로는 상기 타게트로부터 상기 웨이퍼까지 길이방향의 안쪽으로 데이퍼지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 스퍼터 코팅 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 타게트와 상기 웨이퍼 사이에 대체로 평행하게 배향된 다수의 시준기판을 정렬시키는 단계를 추가로 포하하며, 상기 각각의 판은 그 안에 형성된 다수의 구멍을 가지며, 상기 테이퍼진 각각의 통로는 다수의 정렬된 구멍에 의해 한정되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 스퍼터 코팅 방법.
- 스퍼터링 챔버내에서 타게트에 대향 장착된 웨이퍼의 스퍼터 코팅중에 이용하기 위한 웨이퍼 처리 콤포넌트에 있어서, 스퍼터된 입자들을 타게트로부터 웨이퍼로 통과시키는 다수의 통로를 가지는 시준기를 포함하며, 상기 통로는 상기 시준기의 타게트측으로부터 웨이퍼측까지 길이방향으로 안쪽으로 테이퍼지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 콤포넌트.
- 제12항에 있어서, 상기 통로는 횡단면이 원형이고 종단면이 사다리꼴이며, 상기 원형 단면의 면적이 상기 타게트측으로부터 상기 웨이퍼측으로 감소되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 콤포넌트.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/816,030 US5223108A (en) | 1991-12-30 | 1991-12-30 | Extended lifetime collimator |
US816.030 | 1991-12-30 | ||
US816,030 | 1991-12-30 | ||
PCT/US1992/011272 WO1993013542A1 (en) | 1991-12-30 | 1992-12-29 | Extended lifetime collimator |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR940704051A true KR940704051A (ko) | 1994-12-12 |
KR100260663B1 KR100260663B1 (ko) | 2000-07-01 |
Family
ID=25219508
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940702084A KR100260663B1 (ko) | 1991-12-30 | 1992-12-29 | 연장된 수명의 시준기 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5223108A (ko) |
EP (1) | EP0619916B1 (ko) |
JP (1) | JP3469239B2 (ko) |
KR (1) | KR100260663B1 (ko) |
AU (1) | AU3335993A (ko) |
CA (1) | CA2125180A1 (ko) |
DE (1) | DE69209319T2 (ko) |
SG (1) | SG49698A1 (ko) |
TW (1) | TW221064B (ko) |
WO (1) | WO1993013542A1 (ko) |
Families Citing this family (64)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6521106B1 (en) | 1990-01-29 | 2003-02-18 | Novellus Systems, Inc. | Collimated deposition apparatus |
IL102120A (en) * | 1992-06-05 | 1994-08-26 | Persys Technology Ltd | Mask, assembly and method that enable quality control of equipment for the production of semiconductor slice chips |
CA2111536A1 (en) * | 1992-12-16 | 1994-06-17 | Geri M. Actor | Collimated deposition apparatus |
US5346601A (en) * | 1993-05-11 | 1994-09-13 | Andrew Barada | Sputter coating collimator with integral reactive gas distribution |
US5403459A (en) * | 1993-05-17 | 1995-04-04 | Applied Materials, Inc. | Cleaning of a PVD chamber containing a collimator |
US5362372A (en) * | 1993-06-11 | 1994-11-08 | Applied Materials, Inc. | Self cleaning collimator |
KR960005377Y1 (ko) * | 1993-06-24 | 1996-06-28 | 현대전자산업 주식회사 | 반도체 소자 제조용 스퍼터링 장치 |
JPH0718423A (ja) * | 1993-07-06 | 1995-01-20 | Japan Energy Corp | 薄膜形成装置 |
US5415753A (en) * | 1993-07-22 | 1995-05-16 | Materials Research Corporation | Stationary aperture plate for reactive sputter deposition |
DE4325051C1 (de) * | 1993-07-26 | 1994-07-07 | Siemens Ag | Anordnung zur Abscheidung einer Schicht auf einer Substratscheibe durch Kathodenstrahlzerstäuben und Verfahren zu deren Betrieb |
US5478455A (en) * | 1993-09-17 | 1995-12-26 | Varian Associates, Inc. | Method for controlling a collimated sputtering source |
US5382339A (en) * | 1993-09-17 | 1995-01-17 | Applied Materials, Inc. | Shield and collimator pasting deposition chamber with a side pocket for pasting the bottom of the collimator |
US5958193A (en) * | 1994-02-01 | 1999-09-28 | Vlsi Technology, Inc. | Sputter deposition with mobile collimator |
US5484640A (en) * | 1994-02-16 | 1996-01-16 | Eldim, Inc. | Honeycomb structure having stiffening ribs and method and apparatus for making same |
KR970009828B1 (en) * | 1994-02-23 | 1997-06-18 | Sansung Electronics Co Ltd | Fabrication method of collimator |
US5711858A (en) * | 1994-04-12 | 1998-01-27 | International Business Machines Corporation | Process for depositing a conductive thin film upon an integrated circuit substrate |
EP0682125A1 (en) * | 1994-05-11 | 1995-11-15 | Applied Materials, Inc. | Controlling material sputtered from a target |
KR960002532A (ko) * | 1994-06-29 | 1996-01-26 | 김광호 | 스퍼터링 장치 |
US5616218A (en) * | 1994-09-12 | 1997-04-01 | Matereials Research Corporation | Modification and selection of the magnetic properties of magnetic recording media through selective control of the crystal texture of the recording layer |
US5527438A (en) * | 1994-12-16 | 1996-06-18 | Applied Materials, Inc. | Cylindrical sputtering shield |
US5516403A (en) * | 1994-12-16 | 1996-05-14 | Applied Materials | Reversing orientation of sputtering screen to avoid contamination |
US5643428A (en) * | 1995-02-01 | 1997-07-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Multiple tier collimator system for enhanced step coverage and uniformity |
US5885425A (en) * | 1995-06-06 | 1999-03-23 | International Business Machines Corporation | Method for selective material deposition on one side of raised or recessed features |
US5653811A (en) | 1995-07-19 | 1997-08-05 | Chan; Chung | System for the plasma treatment of large area substrates |
US5985102A (en) * | 1996-01-29 | 1999-11-16 | Micron Technology, Inc. | Kit for electrically isolating collimator of PVD chamber, chamber so modified, and method of using |
US5705042A (en) * | 1996-01-29 | 1998-01-06 | Micron Technology, Inc. | Electrically isolated collimator and method |
US5863396A (en) * | 1996-10-25 | 1999-01-26 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for fabricating a wafer spacing mask on a substrate support chuck |
US6168832B1 (en) | 1997-01-20 | 2001-01-02 | Coherent, Inc. | Three-dimensional masking method for control of coating thickness |
GB9701114D0 (en) * | 1997-01-20 | 1997-03-12 | Coherent Optics Europ Ltd | Three-dimensional masking method for control of optical coating thickness |
EP0860513A3 (en) * | 1997-02-19 | 2000-01-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Thin film forming apparatus and process for forming thin film using same |
US6000270A (en) * | 1997-06-03 | 1999-12-14 | Sjm Engineering, Inc. | Collimator having tapered edges and method of making the same |
US6096404A (en) * | 1997-12-05 | 2000-08-01 | Applied Materials, Inc. | Full face mask for capacitance-voltage measurements |
US6030513A (en) * | 1997-12-05 | 2000-02-29 | Applied Materials, Inc. | Full face mask for capacitance-voltage measurements |
US6036821A (en) * | 1998-01-29 | 2000-03-14 | International Business Machines Corporation | Enhanced collimated sputtering apparatus and its method of use |
US6269765B1 (en) * | 1998-02-11 | 2001-08-07 | Silicon Genesis Corporation | Collection devices for plasma immersion ion implantation |
US6274459B1 (en) | 1998-02-17 | 2001-08-14 | Silicon Genesis Corporation | Method for non mass selected ion implant profile control |
US6287436B1 (en) | 1998-02-27 | 2001-09-11 | Innovent, Inc. | Brazed honeycomb collimator |
US6482301B1 (en) | 1998-06-04 | 2002-11-19 | Seagate Technology, Inc. | Target shields for improved magnetic properties of a recording medium |
US6592728B1 (en) * | 1998-08-04 | 2003-07-15 | Veeco-Cvc, Inc. | Dual collimated deposition apparatus and method of use |
US6261406B1 (en) * | 1999-01-11 | 2001-07-17 | Lsi Logic Corporation | Confinement device for use in dry etching of substrate surface and method of dry etching a wafer surface |
US6458723B1 (en) | 1999-06-24 | 2002-10-01 | Silicon Genesis Corporation | High temperature implant apparatus |
JP3529676B2 (ja) * | 1999-09-16 | 2004-05-24 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
DE10340147B4 (de) * | 2002-08-27 | 2014-04-10 | Kyocera Corp. | Trockenätzverfahren und Trockenätzvorrichtung |
US7556741B2 (en) * | 2002-08-28 | 2009-07-07 | Kyocera Corporation | Method for producing a solar cell |
US7459098B2 (en) * | 2002-08-28 | 2008-12-02 | Kyocera Corporation | Dry etching apparatus, dry etching method, and plate and tray used therein |
US20040086639A1 (en) * | 2002-09-24 | 2004-05-06 | Grantham Daniel Harrison | Patterned thin-film deposition using collimating heated mask asembly |
JP4200290B2 (ja) * | 2003-05-21 | 2008-12-24 | パナソニック株式会社 | マスクユニット |
JP4923450B2 (ja) * | 2005-07-01 | 2012-04-25 | 富士ゼロックス株式会社 | バッチ処理支援装置および方法、プログラム |
US20070012559A1 (en) * | 2005-07-13 | 2007-01-18 | Applied Materials, Inc. | Method of improving magnetron sputtering of large-area substrates using a removable anode |
US20070012663A1 (en) * | 2005-07-13 | 2007-01-18 | Akihiro Hosokawa | Magnetron sputtering system for large-area substrates having removable anodes |
US20070084720A1 (en) * | 2005-07-13 | 2007-04-19 | Akihiro Hosokawa | Magnetron sputtering system for large-area substrates having removable anodes |
US20070012558A1 (en) * | 2005-07-13 | 2007-01-18 | Applied Materials, Inc. | Magnetron sputtering system for large-area substrates |
US20070051616A1 (en) * | 2005-09-07 | 2007-03-08 | Le Hienminh H | Multizone magnetron assembly |
US7588668B2 (en) | 2005-09-13 | 2009-09-15 | Applied Materials, Inc. | Thermally conductive dielectric bonding of sputtering targets using diamond powder filler or thermally conductive ceramic fillers |
US20070056843A1 (en) * | 2005-09-13 | 2007-03-15 | Applied Materials, Inc. | Method of processing a substrate using a large-area magnetron sputtering chamber with individually controlled sputtering zones |
US20070056850A1 (en) * | 2005-09-13 | 2007-03-15 | Applied Materials, Inc. | Large-area magnetron sputtering chamber with individually controlled sputtering zones |
TW201213572A (en) * | 2010-09-29 | 2012-04-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Sputtering apparatus |
JP5985581B2 (ja) * | 2014-11-05 | 2016-09-06 | 株式会社東芝 | 処理装置及びコリメータ |
US9543126B2 (en) * | 2014-11-26 | 2017-01-10 | Applied Materials, Inc. | Collimator for use in substrate processing chambers |
US9887073B2 (en) * | 2015-02-13 | 2018-02-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Physical vapor deposition system and physical vapor depositing method using the same |
KR20240127488A (ko) | 2015-10-27 | 2024-08-22 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Pvd 스퍼터 챔버를 위한 바이어스가능 플럭스 최적화기/콜리메이터 |
JP6088083B1 (ja) * | 2016-03-14 | 2017-03-01 | 株式会社東芝 | 処理装置及びコリメータ |
WO2017158978A1 (ja) * | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 株式会社東芝 | 処理装置及びコリメータ |
US11424112B2 (en) * | 2017-11-03 | 2022-08-23 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Transparent halo assembly for reduced particle generation |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA738393A (en) * | 1966-07-12 | W. Gow Gordon | Sputtering mask | |
US3483114A (en) * | 1967-05-01 | 1969-12-09 | Victory Eng Corp | Rf sputtering apparatus including a wave reflector positioned behind the target |
GB1314040A (en) * | 1970-10-29 | 1973-04-18 | Howorth Air Conditioning Ltd | Textile yarn processing machines |
US3864239A (en) * | 1974-04-22 | 1975-02-04 | Nasa | Multitarget sequential sputtering apparatus |
US3932232A (en) * | 1974-11-29 | 1976-01-13 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Suppression of X-ray radiation during sputter-etching |
DE2739058C3 (de) * | 1977-08-30 | 1980-04-03 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Mehrlagige Maske für Sputter-Lochmaskensysteme |
US4322277A (en) * | 1980-11-17 | 1982-03-30 | Rca Corporation | Step mask for substrate sputtering |
JPS5867016A (ja) * | 1981-10-19 | 1983-04-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜の製造方法 |
JPS59220912A (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-12 | Fujitsu Ltd | スパツタリング装置 |
US4508612A (en) * | 1984-03-07 | 1985-04-02 | International Business Machines Corporation | Shield for improved magnetron sputter deposition into surface recesses |
JPS6175514A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-17 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
KR900001825B1 (ko) * | 1984-11-14 | 1990-03-24 | 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 성막 지향성을 고려한 스퍼터링장치 |
JPH0348204Y2 (ko) * | 1985-03-20 | 1991-10-15 | ||
JPS61243167A (ja) * | 1985-04-17 | 1986-10-29 | Anelva Corp | スパツタ装置 |
US4661203A (en) * | 1985-06-28 | 1987-04-28 | Control Data Corporation | Low defect etching of patterns using plasma-stencil mask |
JPS627855A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-01-14 | Hitachi Ltd | スパツタリング装置 |
JPS6217173A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-26 | Ulvac Corp | 平板マグネトロンスパツタ装置 |
JPS63176470A (ja) * | 1987-01-14 | 1988-07-20 | Fujitsu Ltd | スパツタ装置 |
JPH0660391B2 (ja) * | 1987-06-11 | 1994-08-10 | 日電アネルバ株式会社 | スパッタリング装置 |
US4824544A (en) * | 1987-10-29 | 1989-04-25 | International Business Machines Corporation | Large area cathode lift-off sputter deposition device |
US4830723A (en) * | 1988-06-22 | 1989-05-16 | Avx Corporation | Method of encapsulating conductors |
EP0440377B1 (en) * | 1990-01-29 | 1998-03-18 | Varian Associates, Inc. | Collimated deposition apparatus and method |
-
1991
- 1991-12-30 US US07/816,030 patent/US5223108A/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-12-08 TW TW081109818A patent/TW221064B/zh not_active IP Right Cessation
- 1992-12-29 JP JP51193593A patent/JP3469239B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1992-12-29 KR KR1019940702084A patent/KR100260663B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1992-12-29 WO PCT/US1992/011272 patent/WO1993013542A1/en active IP Right Grant
- 1992-12-29 AU AU33359/93A patent/AU3335993A/en not_active Abandoned
- 1992-12-29 CA CA002125180A patent/CA2125180A1/en not_active Abandoned
- 1992-12-29 SG SG1996004202A patent/SG49698A1/en unknown
- 1992-12-29 EP EP93901092A patent/EP0619916B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-12-29 DE DE69209319T patent/DE69209319T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0619916B1 (en) | 1996-03-20 |
WO1993013542A1 (en) | 1993-07-08 |
KR100260663B1 (ko) | 2000-07-01 |
DE69209319T2 (de) | 1996-11-07 |
US5223108A (en) | 1993-06-29 |
EP0619916A1 (en) | 1994-10-19 |
JP3469239B2 (ja) | 2003-11-25 |
CA2125180A1 (en) | 1993-07-08 |
DE69209319D1 (de) | 1996-04-25 |
JPH07502786A (ja) | 1995-03-23 |
SG49698A1 (en) | 1998-06-15 |
TW221064B (ko) | 1994-02-11 |
AU3335993A (en) | 1993-07-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR940704051A (ko) | 연장된 수명의 시준기(Extended lifetime collimator) | |
CN100421206C (zh) | 离子束辐照装置和用于该装置的绝缘隔离物 | |
KR100761592B1 (ko) | 경사진 스퍼터링 타겟 및 그 제조 방법 | |
US6319419B1 (en) | Method of manufacturing member for thin-film formation apparatus and the member for the apparatus | |
US4472259A (en) | Focusing magnetron sputtering apparatus | |
US5415753A (en) | Stationary aperture plate for reactive sputter deposition | |
KR20060123504A (ko) | 물리증착 표적 구조체 | |
US6036821A (en) | Enhanced collimated sputtering apparatus and its method of use | |
US20130180850A1 (en) | Magnetron sputtering apparatus | |
US5393398A (en) | Magnetron sputtering apparatus | |
KR19980070371A (ko) | 백-스퍼터링 시일드 | |
US6159351A (en) | Magnet array for magnetrons | |
US20190211444A1 (en) | Semiconductor process kit with 3d profiling | |
DE112013006746B4 (de) | Sputtergerät | |
EP0955667B1 (de) | Target für eine Kathodenzerstäubungsvorrichtung zur Herstellung dünner Schichten | |
JP4439652B2 (ja) | 薄膜形成装置用部材及びその製造方法 | |
US4419076A (en) | Wafer tray construction | |
US20100181187A1 (en) | Charged particle beam pvd device, shielding device, coating chamber for coating substrates, and method of coating | |
JP3151031B2 (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
KR19990020775U (ko) | 반도체 스퍼터링장치의 콜리메이터 | |
SG172389A1 (en) | Charged particle beam pvd device, shielding device, coating chamber for coating substrates, and method of coating | |
WO2005007924A1 (en) | Sputtering target constructions | |
US20190062908A1 (en) | Semiconductor process kit with nano structures | |
JP2001026862A (ja) | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
KR200141803Y1 (ko) | 마그네트론 타입 스퍼터링 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120322 Year of fee payment: 13 |
|
EXPY | Expiration of term |