KR940016776A - 열린 박스(box) 구조의 전하보존전극 제조 방법 - Google Patents
열린 박스(box) 구조의 전하보존전극 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 소오스 전극에 형성되는 전하보존전극 콘택형성시 전도물질 스페이서를 이용하여 상기 전하보존전극 콘택의 크기를 사진현상기술에서의 최소크기보다 작게하여 전하보존전극과 게이트전극과의 이격을 일정거리이상 확보하여 셀면적을 감소하면서, 동시에 상기 전도물질 스페이서를 이용하여 이웃한 전하보존전극 사이의 간격을 사진현상기술에서의 최소크기 이하로 극소화하고, 상부 일정부분이 열린 BOX 형태의 구조를 갖는 전하보존전극을 형성함으로써 전하보존전극의 표면적을 증대시켜, 결과적으로 반도체 기억장치의 고집적화를 달성할 수 있는 효과가 있는 열린 박스(BOX) 구조의 전하보존전극 제조 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명에 따른 반도체 기억장치의 전하보존전극 제조 공정 단면도.
Claims (5)
- 열린 박스(BOX) 구조의 전하보존전극 제조 방법에 있어서, 반도체기판(1)에 소자분리 절연막(2), 게이트 전극(4), 소오스/드레인(5,5')을 형성하고 전체적으로 층간절연막(6)을 형성한 다음에, 상기 층간절연막(6) 상부에 제 1 전하보존전극용 전도물질(7), 희생막(8), 제 2 전하보존전극용 전도물질(9)을 차례로 형성하는 제 1 단계, 상기 제 1 단계 후에 상기 제 2 전하보존전극용 전도물질(9) 상부에 제 1 전하보존전극 콘택마스크(10)를 형성하여 상기 제 2 전하보존전극용 전도물질(9), 희생막(8), 제 1 전하보존전극용 전도물질(7)을 차례로 선택 식각하고, 제 3 전하보존전극용 전도물질 스페이서(11')를 형성하는 제 2 단계, 상기 제 2 단계 후에 소오스 전극(5) 상부의 노출된 층간절연막(6)을 식각하여 전하보존전극 콘택홀을 형성하고 전하보존전극 마스크(12)를 형성한 다음에 노출된 상기 일정부분의 제 2 전하보존전극용 전도물질(9'), 희생막(8'), 제 1 전하보존전극용 전도물질(7')을 차례로 식각하고 상기 전하보존전극 마스크(12)를 제거하는 제 3 단계, 상기 제 3 단계 후에 제 4 전하보존전극용 전도물질(13)을 형성하고 상기 제 4 전하보존전극용 전도물질(13)을 에치백하여 제 4 전하보존전극용 전도물질 스페이서(13')를 형성하는 제 4 단계, 상기 제 4 단계 후에 상기 소오스전극(5) 상부가 노출되도록 제 2 전하보존전극 콘택마스크(14)를 형성하여 노출된 부분의 제 2 전하보존전극용 전도물질(9"), 제 3 전하보존전극용 전도물질 스페이서(11'), 제 4 전하보존전극용 전도물질 스페이서(13')를 식각하여 희생막(8")이 노출되도록 하는 제 5 단계, 상기 제 5 단계 후에 상기 노출된 희생막(8")을 식각하는 제 6 단계를 포함하여 이루어 지는 것을 특징으로 하는 열린 박스(BOX) 구조의 전하보존전극 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 단계의 제 3 전하보존전극용 전도물질 스페이서(11')는 제 2 전하보존전극용 전도물질(9'), 희생막(8'), 제 1 전하보존전극용 전도물질(7'),이 적층된 단차의 측벽에 형성되는 것을 특징으로 하는 열린 박스 (BOX) 구조의 전하보존전극 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 단계의 희생막(8)은 산화막 또는 질화막인 것을 특징으로 하는 열린 박스(BOX) 구조의 전하보존전극 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 4 단계의 제 4 전하보존전극용 전도물질(13)은 상기 전하보존전극 콘택홀에 소오스 전극(5)에 접속되되 전하보존전극 콘택의 폭에 비해 절반이상의 두께로 형성되어 지는 것을 특징으로 하는 열린 박스(BOX) 구조의 전하보존전극 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 4 단계의 전도물질 스페이서(13')는 제 2 전하보존전극용 전도물질(9"), 희생막(8"), 제 1 전하보존전극용 전도물질(7")로 이루어진 적층된 단차 측벽에 형성되는 것을 특징으로 하는 열린 박스(BOX) 구조의 전하보존전극 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR1019920027299A KR950009812B1 (ko) | 1992-12-31 | 1992-12-31 | 열린 박스(box) 구조의 전하보존전극 제조 방법 |
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KR1019920027299A KR950009812B1 (ko) | 1992-12-31 | 1992-12-31 | 열린 박스(box) 구조의 전하보존전극 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR950009812B1 KR950009812B1 (ko) | 1995-08-28 |
Family
ID=19348448
Family Applications (1)
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KR1019920027299A KR950009812B1 (ko) | 1992-12-31 | 1992-12-31 | 열린 박스(box) 구조의 전하보존전극 제조 방법 |
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KR (1) | KR950009812B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100353120B1 (ko) * | 1999-12-10 | 2002-09-18 | 대한유화공업 주식회사 | 올레핀 중합용 담지메탈로센 고체촉매의 제조방법 |
-
1992
- 1992-12-31 KR KR1019920027299A patent/KR950009812B1/ko not_active IP Right Cessation
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KR100353120B1 (ko) * | 1999-12-10 | 2002-09-18 | 대한유화공업 주식회사 | 올레핀 중합용 담지메탈로센 고체촉매의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR950009812B1 (ko) | 1995-08-28 |
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